JPS62158885A - ガスエツチング方法 - Google Patents
ガスエツチング方法Info
- Publication number
- JPS62158885A JPS62158885A JP29855185A JP29855185A JPS62158885A JP S62158885 A JPS62158885 A JP S62158885A JP 29855185 A JP29855185 A JP 29855185A JP 29855185 A JP29855185 A JP 29855185A JP S62158885 A JPS62158885 A JP S62158885A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- etching
- glow discharge
- transformer
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアモルファスシリコン膜の生成に伴って発生す
る不要な粉体をガス化して取り除くためのガスエツチン
グ方法に関するものである。
る不要な粉体をガス化して取り除くためのガスエツチン
グ方法に関するものである。
近時、アモルファスシリコン膜の製造技術は目覚ましい
発展を遂げ、例えば電子写真感光体の分野ではアモルフ
ァスシリコン（以下、ａ−３ｉと略す）を光キヤリア発
生層とし、その成膜にグロー放電分解装置を用いて高品
質な感光体が得られている。
発展を遂げ、例えば電子写真感光体の分野ではアモルフ
ァスシリコン（以下、ａ−３ｉと略す）を光キヤリア発
生層とし、その成膜にグロー放電分解装置を用いて高品
質な感光体が得られている。
しかしながら、その成膜用原料であるシランガスなどを
グロー放電分解すると放電用電極板や他の反応室内部を
粉体により汚染するという問題がある。この粉体は粒径
がサブミクロン程度であり、成膜するシリコンに対して
過剰の水素を含有したシリコン重合体と考えられる。従
って、ａ−３ｔ悪感光を一度製造すると反応室の内部に
は粉体が肉眼ではっきりと確認できる程度に付着してお
り、成膜終了後感光体ドラムを取り出すとこの粉体が舞
い上がってしまう。そのために続けて同じ装置を用いて
次のａ−３ｉ悪感光を製造しようとすると成膜中に粉体
が取り込まれて成膜欠陥を生じ、その欠陥部で電子写真
特性が悪くなり、この感光体を用いて画像を形成すると
白抜けなどが発生していた。
グロー放電分解すると放電用電極板や他の反応室内部を
粉体により汚染するという問題がある。この粉体は粒径
がサブミクロン程度であり、成膜するシリコンに対して
過剰の水素を含有したシリコン重合体と考えられる。従
って、ａ−３ｔ悪感光を一度製造すると反応室の内部に
は粉体が肉眼ではっきりと確認できる程度に付着してお
り、成膜終了後感光体ドラムを取り出すとこの粉体が舞
い上がってしまう。そのために続けて同じ装置を用いて
次のａ−３ｉ悪感光を製造しようとすると成膜中に粉体
が取り込まれて成膜欠陥を生じ、その欠陥部で電子写真
特性が悪くなり、この感光体を用いて画像を形成すると
白抜けなどが発生していた。
かかる問題を解決するために、ａ−３ｉ悪感光を製造し
たグロー放電分解装置の反応室内部にＣＦ。
たグロー放電分解装置の反応室内部にＣＦ。
等のエツチングガスを導入してガスエツチングにより粉
体をガス化して除去することが行われている。
体をガス化して除去することが行われている。
従来、このエツチングに供給される電力にはａ−３ｉ膜
を生成するために用いられる高周波電力（１３，５６Ｍ
Ｈｚ）がそのまま使用されており、これにより別のエツ
チング用電源を使用しないでもよいという利点があった
。
を生成するために用いられる高周波電力（１３，５６Ｍ
Ｈｚ）がそのまま使用されており、これにより別のエツ
チング用電源を使用しないでもよいという利点があった
。
しかしながら、この高周波電力は商用電源（５０Ｈｚ又
は６０Ｈｚ）から供給される電力を発振器により周波数
変換することにより得られているので、商用電源から供
給される電力のうち１７２〜２／３が発振器で消費され
てしまい、残り１７２〜１／３がエツチング用に供給さ
れているに過ぎない。これにより、商用電源から供給さ
れる電力量を大幅に多くしている。
は６０Ｈｚ）から供給される電力を発振器により周波数
変換することにより得られているので、商用電源から供
給される電力のうち１７２〜２／３が発振器で消費され
てしまい、残り１７２〜１／３がエツチング用に供給さ
れているに過ぎない。これにより、商用電源から供給さ
れる電力量を大幅に多くしている。
本発明は叙上に鑑みて完成され、その目的はａ−３ｉ膜
の生成に伴う粉体をエツチングにより除去するに際して
、その電力消費量を減らして製造コストを低減させたガ
スエツチング方法を提供するにある。
の生成に伴う粉体をエツチングにより除去するに際して
、その電力消費量を減らして製造コストを低減させたガ
スエツチング方法を提供するにある。
本発明によれば、グロー放電分解法によるアモルファス
シリコン膜の生成に伴って発生する粉体をエツチングガ
スの放電によりガス化するガスエツチング方法において
、前記放電用の電力が電圧垂下特性を有するトランスを
介して供給されることを特徴とするガスエツチング方法
が提供される。
シリコン膜の生成に伴って発生する粉体をエツチングガ
スの放電によりガス化するガスエツチング方法において
、前記放電用の電力が電圧垂下特性を有するトランスを
介して供給されることを特徴とするガスエツチング方法
が提供される。
以下、本発明を図面により詳細に説明する。
第１図は本発明のガスエツチング方法を示すグロー放電
分解装置の概略図である。
分解装置の概略図である。
図中、１は電源、２はトランス、３はａ−３ｔ悪感光を
製作した後の反応室３であり、エツチング処理前であれ
ば、グロー放電用電極板４や内壁が粉体により汚染され
ている。この反応室３にはａ−３ｉ悪感光と概ね同じ大
きさのエツチング用ダミー基体５が配置されている。
゛電源１としては電力会社より安価に電力供給ができ
る商用電源（商用周波数５０Ｈｚ又は６０Ｈｚをもち、
電圧は例えば１００ｖ又は２００Ｖである）を用いるこ
とができ、この電源をトランス２により所要の電圧（例
えば６００Ｖ）にまで高くして基体５と電極板４の間に
印加すると、放電が発生する。
製作した後の反応室３であり、エツチング処理前であれ
ば、グロー放電用電極板４や内壁が粉体により汚染され
ている。この反応室３にはａ−３ｉ悪感光と概ね同じ大
きさのエツチング用ダミー基体５が配置されている。
゛電源１としては電力会社より安価に電力供給ができ
る商用電源（商用周波数５０Ｈｚ又は６０Ｈｚをもち、
電圧は例えば１００ｖ又は２００Ｖである）を用いるこ
とができ、この電源をトランス２により所要の電圧（例
えば６００Ｖ）にまで高くして基体５と電極板４の間に
印加すると、放電が発生する。
本発明においては、このトランス２が電圧垂下特性を存
することが特徴である。
することが特徴である。
即ち、電圧垂下特性のない通常のトランスは第２図（Ａ
）のような電圧−電流特性を示しており、電流が増大し
ても電圧はほとんど低下せず、その結果、放電開始電圧
にまで電圧を高くすると、それに伴う過剰な電力が反応
室へ流れ、反応室の内部やトランスが損傷を受ける。こ
れに対して、第２図（Ｂ）のような電圧垂下特性を有す
るトランス（例えばり一ケージトランス）を用いると、
放電開始電圧にまで電圧を高くして基体５と電極板４の
間で放電が開始すると電流が流れ始める。そして、電圧
垂下特性により電流が増大するのに伴って電圧が下がり
、ある程度まで電圧が低下すると所定の電力量が定常的
に供給できる安定した放電状態が維持できるようになる
。
）のような電圧−電流特性を示しており、電流が増大し
ても電圧はほとんど低下せず、その結果、放電開始電圧
にまで電圧を高くすると、それに伴う過剰な電力が反応
室へ流れ、反応室の内部やトランスが損傷を受ける。こ
れに対して、第２図（Ｂ）のような電圧垂下特性を有す
るトランス（例えばり一ケージトランス）を用いると、
放電開始電圧にまで電圧を高くして基体５と電極板４の
間で放電が開始すると電流が流れ始める。そして、電圧
垂下特性により電流が増大するのに伴って電圧が下がり
、ある程度まで電圧が低下すると所定の電力量が定常的
に供給できる安定した放電状態が維持できるようになる
。
かくして、上記の方法によれば、商用周波数が何ら周波
数変換されなくてもエツチング用電力として供給できる
。
数変換されなくてもエツチング用電力として供給できる
。
上述した通り、本発明のガスエツチング方法は周波数変
換用発振器を用いないで電源から供給される電力が損失
を受けることもなく、そのほとんどが放電電力として供
給することができ、製造コ′ストを低減できる。また、
高周波電力を用いた場合に使用されるマツチングボック
スが不要となり、安価で小型のトランスを使用するだけ
であるため、エツチング用機器の低コスト化及びコンパ
クト化も達成できる。
換用発振器を用いないで電源から供給される電力が損失
を受けることもなく、そのほとんどが放電電力として供
給することができ、製造コ′ストを低減できる。また、
高周波電力を用いた場合に使用されるマツチングボック
スが不要となり、安価で小型のトランスを使用するだけ
であるため、エツチング用機器の低コスト化及びコンパ
クト化も達成できる。
更に、本発明のガスエツチング方法によれば、リーケー
ジトランスを用いることができるので、このトランスの
コアを動かすだけで容易に電流コントロールができ、そ
の結果、電力量を容易に調製することができるという利
点もある。
ジトランスを用いることができるので、このトランスの
コアを動かすだけで容易に電流コントロールができ、そ
の結果、電力量を容易に調製することができるという利
点もある。
第１図は本発明の実施例に用いられるグロー放電分解装
置の概略図、第２図はトランスの電圧−電流特性を示す
線図である。 １・・・電源 ２・・・トランス ３・・・反応室 ４・・・電極板 ５・・・ダミー用基板 代理人 弁理士 １）原 勝 彦 第１図 第２図
置の概略図、第２図はトランスの電圧−電流特性を示す
線図である。 １・・・電源 ２・・・トランス ３・・・反応室 ４・・・電極板 ５・・・ダミー用基板 代理人 弁理士 １）原 勝 彦 第１図 第２図
Claims (1)
- グロー放電分解法によるアモルファスシリコン膜の生
成に伴って発生する粉体をエッチングガスの放電により
ガス化するガスエッチング方法において、前記放電用の
電力が電圧垂下特性を有するトランスを介して供給され
ることを特徴とするガスエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29855185A JPS62158885A (ja) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | ガスエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29855185A JPS62158885A (ja) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | ガスエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62158885A true JPS62158885A (ja) | 1987-07-14 |
Family
ID=17861195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29855185A Pending JPS62158885A (ja) | 1985-12-28 | 1985-12-28 | ガスエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62158885A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5225659A (en) * | 1991-04-12 | 1993-07-06 | Bridgestone Corporation | Method and apparatus for surface treating an axially symmetric substrate at atmosphere pressure |
| JP2010056448A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Kenwood Corp | アース接続構造 |
-
1985
- 1985-12-28 JP JP29855185A patent/JPS62158885A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5225659A (en) * | 1991-04-12 | 1993-07-06 | Bridgestone Corporation | Method and apparatus for surface treating an axially symmetric substrate at atmosphere pressure |
| JP2010056448A (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-11 | Kenwood Corp | アース接続構造 |
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