JPS62158867A - Cvd thin film forming device - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To prevent the flakes of pulverized oxide particles from forming and sticking onto the inside wall surface of a reaction furnace by passing gaseous O2 from the top ends of a circular conical cover, intermediate ring and buffer toward the bottom ends thereof and maintaining the uniform concn. of O2 on said inside wall surface. CONSTITUTION:Wafers 6 on wafer stages 4 which can be rotationally driven or can be revolved and rotated by driving mechanism 5 are heated to a prescribed temp. by heating means 10 in the reaction furnace 1 constituted by providing the circular conical cover 3 on the circular conical buffer 2 and intermediate ring 12 to cover the same. Reactive gases such as SiH4 and O2 are introduced from reactive gas feed nozzles 8, 9 into the furnace. The thin films of SiO2, etc., formed by the chemical reaction are thereby formed on the wafers 6. The gaseous O2 or the gaseous O2 and N2 are passed from the top end of the cover 3, buffer 2 and ring 12 toward the bottom ends thereof in the above- mentioned reaction furnace 1 and the uniform concn. of O2 is maintained on the inside wall surface of the reaction furnace 1 by which the flakes of the pulverized oxide particles such as SiO and SiO2 are prevented from forming and sticking onto the wall surface of the reaction furnace.

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明はＣＶＤ薄膜形成装置に関する。更に詳細には、
本発明は反応炉の内壁面上にＳｉＯあるいはＳｉＯ２な
どの異物微粒子のフレークが生成・付着することを防止
したＣＶＤ薄膜形成装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a CVD thin film forming apparatus. More specifically,
The present invention relates to a CVD thin film forming apparatus that prevents the formation and adhesion of flakes of foreign particles such as SiO or SiO2 on the inner wall surface of a reactor.

［従来技術］ 薄膜の形成方法として、半導体工業において一般に広く
用いられているものの一つに、気相成長法（ＣＶＤ：Ｃ
ｈｅｍｉｃａｌ　　ＶａｐｏｕｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ
）がある。ＣＶＤとは、ガス状物質を化学反応で固体物
質にし、基板上に堆積することをいう。[Prior Art] One of the methods widely used in the semiconductor industry for forming thin films is the vapor deposition method (CVD:C
chemical vapor deposition
). CVD refers to turning a gaseous substance into a solid substance through a chemical reaction and depositing it on a substrate.

ＣＶＤの特徴は、成長しようとする薄膜の融点よりかな
り低い堆積温度で種々の薄膜が得られること、および、
成長した薄膜の純度が高＜、ＳｌやＳｉ上の熱酸化膜上
に成長した場合も電気的特性が安定であることで、広く
半導体表面のパッシベーション膜として利用されている
。Characteristics of CVD are that various thin films can be obtained at deposition temperatures considerably lower than the melting point of the thin film to be grown;
The grown thin film has a high purity and its electrical characteristics are stable even when grown on a thermal oxide film on Sl or Si, so it is widely used as a passivation film on semiconductor surfaces.

ＣＶＤによる薄膜形成は、例えば５００°Ｃ程度に加熱
したウェハに反応ガス（例えば、５ｉＨｑ＋０２　、　
マフ’ハｓ　ｉ　Ｈｑ　＋ＰＨａ　＋０２　）を供給し
て行われる。上記の反応ガスは反応炉（ベルジャ）内の
ウェハに吹きつけられ、該ウェハの表面にＳｉＯ２ある
いはフォスフオンリケートガラス（ＰＳＧ）の薄膜を形
成する。また、ＳｉＯ２とＰＳＧとの２相成膜が行われ
ることもある。Thin film formation by CVD involves injecting a reactive gas (e.g., 5iHq+02,
This is done by supplying muff's i Hq +PHa +02). The above reaction gas is blown onto a wafer in a reactor (belljar) to form a thin film of SiO2 or phosphoric acid glass (PSG) on the surface of the wafer. Furthermore, two-phase film formation of SiO2 and PSG may be performed.

このようなＣＶＤによる薄膜形成操作を行うために従来
から用いられている装置の一例を第２図に部分断面図と
して示す。An example of an apparatus conventionally used for performing such a thin film forming operation by CVD is shown in a partial cross-sectional view in FIG.

第２図において、反応炉（ベルジャ）１は、円錐状のバ
ッファ２を円錐状のカバー３で覆い、上記バッファ２の
周囲にリング状のウェハ＠　Ｗ　台４を駆動機構５で回
転駆動可能、または自公転可能に設置する。円錐状カバ
ー３はオーリング１１を介して反応炉中間リング１２と
閉止される。In FIG. 2, a reactor (bell jar) 1 has a conical buffer 2 covered with a conical cover 3, and a ring-shaped wafer @ W table 4 can be rotationally driven by a drive mechanism 5 around the buffer 2. Or install it so that it can rotate. The conical cover 3 is closed with a reactor intermediate ring 12 via an O-ring 11.

前記円錐状カバー３の頂点付近に反応ガス送入ノズル８
および９が接続されている。使用する反応ガスの５ｉＨ
ｑおよび０２はそれぞれ別のガス送入ノズルにより反応
炉に送入しなければならない。例えば、ＳｉＨ４を送入
ノズル８で送入し、そして、０２を送入ノズル９で送入
する。また、ＰＨａを使用する場合、Ｓ　ｉＨ４ととも
に送入できる。取り扱いを容易にするために、反応ガス
の５ｉＨｑおよび０２はＮ２キャリアガスで希釈して使
用することが好ましい。A reaction gas supply nozzle 8 is installed near the apex of the conical cover 3.
and 9 are connected. 5iH of the reaction gas used
q and 02 must each be fed into the reactor by a separate gas feed nozzle. For example, SiH4 is fed through the feed nozzle 8, and 02 is fed through the feed nozzle 9. Additionally, when PHa is used, it can be delivered together with SiH4. For ease of handling, the reaction gases 5iHq and 02 are preferably used after being diluted with a N2 carrier gas.

前記のウェハ載置台４の直下には僅かなギャップを介し
て加熱手段１０が設けられていてウェハ６を所定の温度
（例えば約５００°Ｃ）に加熱する。A heating means 10 is provided directly below the wafer mounting table 4 with a slight gap therebetween, and heats the wafer 6 to a predetermined temperature (for example, about 500° C.).

反応ガス送入ノズル８および９から送入された反応ガス
（例えばＳ　ｉ　ＨＱ　＋０２またはＳｉＨ４＋ＰＨ３
＋０２　）は点線矢印のごとく炉内を流下し、ウェハ６
の表面に触れて流動し、化学反応によって生成される物
質（Ｓｉ０２またはＰＳＧ）の薄膜をウェハ６の表面に
生成せしめる。Reaction gas fed from reaction gas feed nozzles 8 and 9 (e.g. S i HQ +02 or SiH4+PH3
+02) flows down inside the furnace as shown by the dotted arrow, and wafer 6
touches the surface of the wafer 6 and flows, causing a thin film of a substance (Si02 or PSG) produced by a chemical reaction to be formed on the surface of the wafer 6.

［発明が解決しようとする問題点コ しかし、従来の装置では水素化物に対する酸素濃度が低
かったり、あるいは反応炉内壁面で酸素濃度が偏ったり
すると、その酸素濃度の低い箇所でＳｉＯまたはＳｉＯ
２などのような酸化物微粒子のフレークを発生しやすか
った。[Problems to be solved by the invention] However, in conventional equipment, if the oxygen concentration relative to the hydride is low or the oxygen concentration is uneven on the inner wall surface of the reactor, SiO or SiO
It was easy to generate flakes of oxide particles such as No. 2.

従来の装置では特に反応炉内の円錐状カバー。In conventional equipment, especially the conical cover inside the reactor.

バッファおよび中間リングなどの壁面上で酸素濃度が不
均一になり易（、これらの箇所にＳｉＯまたはＳｉＯ２
等の酸化物微粒子のフレークを生成φ付着させる傾向が
強かった。The oxygen concentration tends to become uneven on the walls of the buffer and intermediate ring (SiO or SiO2
There was a strong tendency for flakes of fine oxide particles to form and adhere.

このようなフレークは僅かな振動、風圧で剥げ落ち、ウ
ェハ表面上に落下付着することがある。Such flakes may peel off due to slight vibrations or wind pressure, and may fall and adhere to the wafer surface.

また、フレークが反応ガスにより巻き上げられて炉内を
浮遊し、ウェハ表面上に落下Φ付着する可能性もある。There is also a possibility that the flakes are stirred up by the reaction gas, float in the furnace, and fall and adhere to the wafer surface.

これらフレーク（異物）がウニ／Ｘに付着すると蒸着膜
にピンホールを発生させたりして半導体素子の製造歩留
りを著しく低下させるという欠点があった。When these flakes (foreign substances) adhere to the sea urchin/X, they cause pinholes in the deposited film, resulting in a significant decrease in the manufacturing yield of semiconductor devices.

中間リングの壁面上にフレークが堆積するとウェハの表
面に形成されるＣＶＤ膜の膜厚が不均一となる欠点もあ
る。There is also a drawback that if flakes are deposited on the wall surface of the intermediate ring, the thickness of the CVD film formed on the surface of the wafer becomes non-uniform.

また、円錐状カバー、バッファ、および中間リングなと
の壁面上にフレークが付着した場合、反応炉による成膜
作業をＩしめて定期的に炉内を清掃し、付着したフレー
クを取り除かなければならない。この付着したフレーク
の除去作業によりスループットが著しく低下する。In addition, if flakes adhere to the walls of the conical cover, buffer, intermediate ring, etc., the film forming operation in the reactor must be stopped and the inside of the reactor must be periodically cleaned to remove the adhered flakes. Throughput is significantly reduced due to the work of removing the attached flakes.

史に別の問題点として、反応炉の内壁面上で反応ガスが
不規則な反応をおこすために、炉内に給送した反応ガス
が無駄に消費され、ガスの有効利用率が低下するばかり
か、薄膜の成長速度の低下を招いていた。Another problem in history is that the reactant gas causes irregular reactions on the inner wall of the reactor, so the reactant gas fed into the reactor is wasted and the effective utilization rate of the gas decreases. Otherwise, the growth rate of the thin film was reduced.

［発明の目的］ 従って、本発明の目的は反応炉の円錐状カバー。[Purpose of the invention] Therefore, the object of the invention is a conical cover for a reactor.

バッファおよび中間リングなどの内壁面上における酸素
濃度を均一にし、これら壁面上にＳｉＯあるいはＳｉＯ
２などの酸化物微粒子のフレークが生成会付着すること
を防止したＣＶＤ薄膜形成装置を提供することである。The oxygen concentration on the inner wall surfaces of the buffer and intermediate ring is made uniform, and SiO or SiO
An object of the present invention is to provide a CVD thin film forming apparatus which prevents flakes of oxide fine particles such as No. 2 from being deposited.

［問題点を解決するための手段］ 前記の問題点を解決するための手段として、本発明は、
反応炉の内壁面上における酸素濃度を均一にし、これら
壁面上にＳｉＯ又はＳｉＯ２等の酸化物微粒子のフレー
クが生成・付着することを阻止するために、ＣＶＤ反応
炉の内部において、円錐状カバーの上端部から下端部に
向かって０２ガスを流し、バッファの上端部から下端部
に向かって０２ガスを流し、かつ、中間リングの上端部
から下端部に向かって０２ガスを流す手段を配設するこ
とを特徴とするＣＶＤ薄膜形成装置を提供する。[Means for solving the problems] As a means for solving the above problems, the present invention includes the following:
In order to make the oxygen concentration uniform on the inner wall surfaces of the reactor and to prevent flakes of oxide particles such as SiO or SiO2 from forming and adhering to these walls, a conical cover is installed inside the CVD reactor. Means is provided for flowing 02 gas from the upper end toward the lower end, flowing 02 gas from the upper end of the buffer toward the lower end, and flowing 02 gas from the upper end of the intermediate ring toward the lower end. A CVD thin film forming apparatus is provided.

［作用コ 前記のように、本発明のＣＶＤ薄膜形成装置では、反応
炉の内壁面に沿って０２ガスを流すことにより反応炉の
内壁面上における酸素濃度を均一にする。[Operations] As described above, in the CVD thin film forming apparatus of the present invention, the oxygen concentration on the inner wall of the reactor is made uniform by flowing the 02 gas along the inner wall of the reactor.

その結果、反応炉の内壁面上で反応ガスが不規則な反応
を起こすことは殆どなくなるので、内壁面上にＳｉＯあ
るいはＳｉＯ２などの酸化物微粒子のフレークが生成・
付着することは効果的に防止される。従って、これらフ
レーク（異物）がウェハ表面に落下付着してウェハの蒸
着膜にピンホールを発生させたりするような不都合な事
態の発生も防止され、半導体素子の製造歩留りを向上さ
せることかできる。As a result, irregular reactions of the reaction gas on the inner wall surface of the reactor are almost eliminated, and flakes of oxide fine particles such as SiO or SiO2 are formed on the inner wall surface.
Adhesion is effectively prevented. Therefore, the occurrence of such an inconvenient situation as the flakes (foreign matter) falling and adhering to the wafer surface and causing pinholes in the vapor deposited film of the wafer is also prevented, and the manufacturing yield of semiconductor devices can be improved.

不規則反応が防止されるのでウェハの表面に生成される
ＣＶＤ膜の膜厚も均一となる。また、反応炉の内壁面上
におけるフレークの生成・付着が大幅に抑制されるので
、反応炉内壁面の清掃頻度も大幅に減少され、スループ
ットが向上する。Since irregular reactions are prevented, the thickness of the CVD film produced on the surface of the wafer becomes uniform. Furthermore, since the formation and adhesion of flakes on the inner wall surface of the reactor is significantly suppressed, the frequency of cleaning the inner wall surface of the reactor is also significantly reduced, and throughput is improved.

更に、反応炉内に送入した反応ガスが極めて有効に利用
されることになるばかりか、ＣＶＤｗＸの成長速度も向
上するので、半導体素子の製造コストを低下させること
ができる。Furthermore, the reaction gas introduced into the reactor is not only utilized extremely effectively, but also the growth rate of CVDwX is improved, so that the manufacturing cost of semiconductor devices can be reduced.

［実施例コ 以下、図面を参照しながら本発明の実施例について更に
詳細に説明する。[Embodiments] Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

第１図は本発明のＣＶＤ薄膜形成装置の一実施例の部分
断面図である。FIG. 1 is a partial sectional view of an embodiment of the CVD thin film forming apparatus of the present invention.

第１図に示される本発明のＣＶＤ薄膜形成装置において
、第２図に示される従来の装置と同じ部材については同
一の符号を使用する。In the CVD thin film forming apparatus of the present invention shown in FIG. 1, the same reference numerals are used for the same members as in the conventional apparatus shown in FIG.

反応ガス送入ノズル８からは水素化物（例えば、ＳｉＨ
４およびＰＨＪ）が供給され、反応ガス送入ノズル９か
らは水素化物との反応に必要な酸素が供給される。水素
化物に対する酸素濃度を充分にし、炉内をフレークの発
生しにくい状態にする。A hydride (for example, SiH) is supplied from the reaction gas supply nozzle 8.
4 and PHJ) are supplied, and oxygen necessary for the reaction with the hydride is supplied from the reaction gas supply nozzle 9. Make the oxygen concentration sufficient for the hydride and make the inside of the furnace in a state where flakes are less likely to occur.

一般的な指標として、水素化物濃度に対する酸素濃度は
１対２０−４０　（４００−５００℃）である。この比
率を目安にして反応ガス送入ノズル８および９から水素
化物き酸素を供給する。As a general guideline, the ratio of oxygen concentration to hydride concentration is 1:20-40 (at 400-500°C). Oxygen with hydride is supplied from the reaction gas supply nozzles 8 and 9 using this ratio as a guide.

しかし、円錐上カバー、バッファおよび中間リングなど
の内壁面上では酸素濃度が不均一になり易く、これらの
壁面上にフレークが生成・付着しやすい。そこで、これ
ら壁面上における酸素濃度を特に均一化することにより
フレークの生成・付着を防止する。However, the oxygen concentration tends to be uneven on the inner wall surfaces of the conical cover, buffer, intermediate ring, etc., and flakes are likely to form and adhere to these wall surfaces. Therefore, the formation and adhesion of flakes is prevented by making the oxygen concentration on these wall surfaces particularly uniform.

第１図に示されるように、本発明のＣＶＤ薄膜形成装置
では、反応ガス送入ノズル９に隣接して円錐状カバーの
上端部から下端部の方向に向かって０２ガスを流す第１
の手段１３が配設されている。同様に、バッファ２の上
端部から下端部の方向に向かって０２ガスを流す第２の
手段１４が配設され、かつ、中間リング１２の上端部か
ら下端部の方向に向かって０２ガスを流す第３の手段１
５が配設されている。As shown in FIG. 1, in the CVD thin film forming apparatus of the present invention, a first 02 gas is flowed from the upper end of the conical cover toward the lower end of the conical cover adjacent to the reaction gas supply nozzle 9.
A means 13 is provided. Similarly, a second means 14 for flowing 02 gas from the upper end of the buffer 2 toward the lower end thereof is provided, and for flowing 02 gas from the upper end of the intermediate ring 12 toward the lower end thereof. Third means 1
5 are arranged.

純粋な酸素ガスは引火爆発の危険が有り、取り扱いが困
難である。従って、０２ガスは、従来からキャリアガス
として使用されてきたＮ２ガスで希釈した混合ガスを用
いることが好ましい。Pure oxygen gas has the risk of ignition and explosion and is difficult to handle. Therefore, it is preferable to use a mixed gas diluted with N2 gas, which has conventionally been used as a carrier gas, as the 02 gas.

前記０２ガス流下手段は例えば、ノズルのような形状の
ものである。このノズルには０２ガスおよびＮ２ガス供
給源（図示されていない）に接続された０２ガスおよび
Ｎ２ガス給送管（図示されていない）が連結される。The 02 gas flowing means is, for example, shaped like a nozzle. An 02 gas and N2 gas supply pipe (not shown) connected to an 02 gas and N2 gas supply source (not shown) is connected to this nozzle.

所望により、この０２ガスおよびＮ２ガス給送管には圧
力計および／または流量計を取り付はガス供給圧力およ
び／または流量をバルブ操作により調節することもでき
る。例えば、バッファおよび中間リングの上端部から下
端部の方向に向かって０２ガスを流す場合は該混合ガス
が壁面に沿って流下するようにするため、円錐状カバー
の上端部から下端部の方向に向かって０２ガスを流す場
合に比べて、噴射圧力を高くする必要がある。かくして
、円錐状カバーおよび中間リングの内壁面オヨびバッフ
ァの壁面上に０２ガスの層が形成されるので、反応炉内
に送入された水素化物反応ガスがこれらの壁面上で不規
則反応を起こすことは阻止される。その結果、これらの
壁面上に酸化物微粒子の異物フレークが発生・付着する
ことは効果的に防止される。If desired, a pressure gauge and/or a flow meter can be attached to the 02 gas and N2 gas supply pipes, and the gas supply pressure and/or flow rate can be adjusted by valve operation. For example, when flowing 02 gas from the upper end to the lower end of the buffer and intermediate ring, in order to make the mixed gas flow down along the wall surface, the 02 gas should be flowed from the upper end to the lower end of the conical cover. It is necessary to make the injection pressure higher than when the 02 gas is flowed toward the target. In this way, a layer of 02 gas is formed on the inner wall surface of the conical cover and the intermediate ring, and on the wall surface of the buffer, so that the hydride reaction gas fed into the reactor undergoes random reactions on these walls. It is prevented from happening. As a result, generation and adhesion of foreign flakes of oxide fine particles on these wall surfaces can be effectively prevented.

Ｎ２ガスは従来からＣＶＤ薄膜形成反応用のキャリアガ
スとして使用されているので、本発明のＣＶＤ薄膜形成
装置において反応ガスの不規則反応阻止層を生成する目
的で使用しても、本来のＣＶＤ薄膜形成操作を阻害する
ことはない。Since N2 gas has conventionally been used as a carrier gas for CVD thin film forming reactions, even if it is used for the purpose of generating a disordered reaction blocking layer for reaction gas in the CVD thin film forming apparatus of the present invention, it will not affect the original CVD thin film. It does not interfere with the forming operation.

［発明の効果コ 以上説明したように、本発明のＣＶＤ薄膜形成装置にお
いては、反応炉の内壁面に沿って０２ガスを流すことに
より反応炉の内壁面上における酸素濃度を均一にする。[Effects of the Invention] As explained above, in the CVD thin film forming apparatus of the present invention, the oxygen concentration on the inner wall of the reactor is made uniform by flowing the 02 gas along the inner wall of the reactor.

その結果、反応炉の内壁面」二で反応ガスが不規則な反
応を起こすことは殆どなくなるので、内壁面上にＳｉＯ
あるいはＳｉＯ２などの酸化物微粒子のフレークが生成
・付着することは効果的に防止される。従って、これら
フレーク（異物）がウェハ表面に落下付着してウェハの
蒸着膜にピンホールを発生させたりするような不都合な
ｍＢの発生も防止され、半導体素子の製造歩留りを向上
させることができる。As a result, the reaction gas hardly undergoes irregular reactions on the inner wall surface of the reactor, so SiO
Alternatively, the formation and adhesion of flakes of oxide fine particles such as SiO2 are effectively prevented. Therefore, the generation of undesirable mB such as the occurrence of pinholes in the vapor deposited film of the wafer due to the flakes (foreign matter) falling and adhering to the wafer surface is also prevented, and the manufacturing yield of semiconductor devices can be improved.

不規則反応が防止されるのでウェハの表面に生成される
ＣＶＤ膜の膜厚も均一となる。また、反応炉の内壁面上
におけるフレークの生成・付着が大幅に抑制されるので
、反応炉内壁面の清掃頻度も大幅に減少され、スループ
ットが向上する。Since irregular reactions are prevented, the thickness of the CVD film produced on the surface of the wafer becomes uniform. Furthermore, since the formation and adhesion of flakes on the inner wall surface of the reactor is significantly suppressed, the frequency of cleaning the inner wall surface of the reactor is also significantly reduced, and throughput is improved.

更に、反応炉内に送入した反応ガスが極めて有効に利用
されることになるばかりか、ＣＶＤ膜の成長速度も向上
するので、半導体素子の製造コストを低下させることが
できる。Furthermore, the reaction gas introduced into the reactor is not only utilized extremely effectively, but also the growth rate of the CVD film is improved, so that the manufacturing cost of semiconductor devices can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図は本発明のＣＶＤ薄膜形成装置の一実施例の部分
断面図、第２図はＣＶＤによる薄膜形成操作を行うため
に従来から用いられている装置の一例の部分断面図であ
る。FIG. 1 is a partial sectional view of an embodiment of the CVD thin film forming apparatus of the present invention, and FIG. 2 is a partial sectional view of an example of an apparatus conventionally used for performing thin film forming operations by CVD.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] （１）反応炉の内壁面上における酸素濃度を均一にし、
これら壁面上にＳｉＯ又はＳｉＯ＿２等の酸化物微粒子
のフレークが生成・付着することを阻止するために、Ｃ
ＶＤ反応炉の内部において、円錐状カバーの上端部から
下端部に向かってＯ＿２ガスを流し、バッファの上端部
から下端部に向かってＯ＿２ガスを流し、かつ、中間リ
ングの上端部から下端部に向かってＯ＿２ガスを流す手
段を配設することを特徴とするＣＶＤ薄膜形成装置。(1) Make the oxygen concentration uniform on the inner wall surface of the reactor,
In order to prevent the formation and adhesion of flakes of oxide fine particles such as SiO or SiO_2 on these wall surfaces, carbon
Inside the VD reactor, O_2 gas flows from the upper end to the lower end of the conical cover, O_2 gas flows from the upper end to the lower end of the buffer, and the O_2 gas flows from the upper end to the lower end of the intermediate ring. A CVD thin film forming apparatus characterized in that a means for flowing O_2 gas toward the CVD thin film forming apparatus is provided. （２）前記Ｏ＿２ガスはＮ＿２ガスをキャリアガスとし
て含む混合ガスであることを特徴とする特許請求の範囲
第１項に記載のＣＶＤ薄膜形成装置。(2) The CVD thin film forming apparatus according to claim 1, wherein the O_2 gas is a mixed gas containing N_2 gas as a carrier gas. （３）反応炉は自公転方式の常圧型ＣＶＤ反応炉である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のＣＶＤ
薄膜形成装置。(3) The CVD according to claim 1, wherein the reactor is a revolution-rotation type atmospheric pressure CVD reactor.
Thin film forming equipment.