JPS62144459A - 完全密着型センサ− - Google Patents

完全密着型センサ−

Info

Publication number
JPS62144459A
JPS62144459A JP60284370A JP28437085A JPS62144459A JP S62144459 A JPS62144459 A JP S62144459A JP 60284370 A JP60284370 A JP 60284370A JP 28437085 A JP28437085 A JP 28437085A JP S62144459 A JPS62144459 A JP S62144459A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sensor
substrate
microlens array
original
glass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60284370A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Horiguchi
堀口　浩幸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP60284370A priority Critical patent/JPS62144459A/ja
Priority to US06/941,742 priority patent/US4733096A/en
Priority to DE19863643576 priority patent/DE3643576A1/de
Publication of JPS62144459A publication Critical patent/JPS62144459A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1464—Back illuminated imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
    • H04N1/024—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original
    • H04N1/028—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up
    • H04N1/03—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array
    • H04N1/031—Details of scanning heads ; Means for illuminating the original for picture information pick-up with photodetectors arranged in a substantially linear array the photodetectors having a one-to-one and optically positive correspondence with the scanned picture elements, e.g. linear contact sensors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Facsimile Heads (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、ファクシミリの原稿画像読取り等に用いられ
る完全密着型センサーに関する。
従来技術 近年、ファクシミリ等の画像読取り装置において、原稿
面と検出器との間に光学系を介在させない、所謂完全密
着型センサーが既に試作、開発発表されている。これは
、例えば儒学通信ＥＤ８１−３５の「直接読み取り・密
着形イメージセンサ素子構成の検討（Ａ　　５ＴＵＤＹ
　　ＯＮ　　５ＴＲＵＣＴＵＲＥ　　ＯＦ　　ＤＩＲＥ
ＣＴＬＹ　　ＤＥＴ　−ＥＣＴＡＢＬＥ　　ＩＭＡＧＥ
　　５ＥＮＳＯＲ）ｊや特開昭６０−１３４４８６号公
報等により知られている。これらは何れも第５図に示す
ように、ガラス基板１上に遮光層２、絶縁Ｎ３を介して
センサー４及び電極５を形成し、その上に薄層ガラスに
よる透明保護層６を形成して、この透明保護層６上に原
稿７を密着させてその画像をセンサー４により読取るも
のである。この場合、遮光層２及び電極５に窓８を形成
し、この窓８を介して光をガラス基板１側から入射させ
、原稿７からの反射光をセンサー４により読取るもので
ある。
このような従来方式の完全密着型センサーにおいて、Ｍ
ＴＦを０．６程度で十分な出力を得るためには、透明保
護層６の厚さを７５μｍ程度とし、窓８の大きさを９０
μｍＸ６０μｍ程度、原稿面照度を２５００ｕｘ程度と
する必要がある。つまり、透明保護層６としては７０〜
８０μｍ程度の厚さの薄いガラス板が使用されることに
なる。このような透明保護層６による場合、接着或いは
接着剤によるセンサーの劣化を生じたり、力学的に脆弱
であり生産の歩留りが悪いだけでなく、ファクシミリに
組み込む際にも力が加わらないように特別の配慮をする
必要があり、コストアップの要因となる。又、窓につい
ても９０μｍＸ６０μｍ程度の大きさが必要であり、セ
ンサーの高解像度化（例えば、１６ドツト／ｍｍ）を図
ることが困難である。即ち、従来方式において１６ドツ
ト／Ｍにするためには窓の大きさを半分とし、透明保護
層には３ｏμｍ以下程度の超薄膜ガラスを用いる必要が
あり、出力が低下するのみならず、更に脆弱となってし
まうものである。
目的 本発明は、このような点に鑑みなされたもので、完全密
着型センサーとしての基本構造を変えることなく、接着
等による劣化がなく、又、力学的にも強固で耐久性を向
上させることができる完全密着型センサーを得ることを
目的とする。
構成 本発明は、上記目的を達成するため、基板中にこの基板
の反射率と異なる反射率の物質により形成した微小レン
ズアレイを有するセンサー基板を設け、このセンサー基
板の片面にセンサーを形成するとともに他面に原稿を密
着させ、前記センサー側からセンサー基板を介して前記
原稿を照射して原稿からの反射光を前記微小レンズアレ
イにより前記センサーに結像させることを特徴とするも
のである。
以下、本発明の第一の実施例を第１図ないし第３図に基
づいて説明する。まず、本実施例はガラス基板１０のセ
ンサービット形成位置の丁度裏面側に微小レンズアレイ
群用の片半分の型１１を形成し、更にもう一枚のガラス
基板１２にも同一の型１３を形成する。そして、両ガラ
ス基板１０゜１２の型１１．１３にこれらの基板１０．
１２と屈折率が異なる材料を充填して微小レンズアレイ
１４を形成するとともに、両ガラス基板１ｏ、１２を接
着し、これを一枚のセンサー基板１５とする。このよう
なセンサー基板１５の片面に原稿照射窓１６を有する遮
光層１７、絶縁層１８を形成した後、センサー１９、電
極２０、保護層２１及び入射窓２２を有する遮光層２３
を順に形成する。
そして、原稿２４はこのようなセンサー基板１５の反対
面側に密着させる完全密着型センサーとするものである
。
より具体的には、まず、厚さ０．５ｍｍのホウケイ酸ガ
ラス基板１０．１２上に曲率半径的ＩＭ、深さ約０．０
５ｍｍの凹型の穴溝を型１１．１３として形成し、光学
研磨する（第２図参照）。このような型１１．１３に非
晶質ダイヤモンドをプラズマＣＶＤ法により埋め込み、
２枚のガラス基板１０．１２を接着してシリンドリカル
型凸レンズによる微小レンズアレイ１４を形成する（第
３図参照）。これをセンサー基板１５として厚さ２００
Ｏ人のＮｉＣｒ蒸着により遮光層１７及び原稿照射用窓
１６を形成した後、その上にＳｉＯ２による絶縁層１８
を厚さ１μｍ程度に形成し、その上にプラズマＣＶＤ法
によりａ−３ｉ：Ｈ膜を成膜してこれを微小レンズアレ
イ１４による結像部に１６ドツト／　ｍｍのビットパタ
ーンによるセンサー１９を形成する。そして、保護層２
１としてはＳＬ、Ｎ、、をプラズマＣＶＤ法により形成
すればよい。又、遮光層２３は例えばＮｉＣｒにより形
成される。
このような構成において、原稿２４は第１図に示すよう
にセンサー１９とは反対側のセンサー基板１５面に密着
される。そして、光はこのセンサー１９側から入射窓２
２、照射窓１６を介してセンサー基板１５及び原稿２４
に向けて照射される。
そして、原稿２４からの反射光が微小レンズアレイ１４
により各センサー１９に結像され、センサー１９により
読み取られることになる。ここに、窓２２．１４の大き
さを５０μｍ　Ｘ　４０μｍ、原稿面照度を約１００Ｑ
ｘとしたとき、ＭＴＦとして〜０．７なる値が得られた
ものである。
このように、本実施例によれば、センサー基板１５上に
遮光層１７、絶縁層１８、センサー１９、電極２ｏを形
成するというように、基本的には通常のａ−Ｓｉ完全密
着型センサーと同様の構造にして、センサー基板１５を
２枚のガラス基板１０゜１２を挑着したものとし、これ
らのガラス基板１ｏ、１２間に微小レンズアレイ１４を
形成して原稿像をセンサー１９に結像させるようにした
ので、従来のようにセンサーとセンサー基板との接着に
よるセンサーの劣化といった欠点がなくなる。又、セン
サー基板１５が力学的に強固なものとなり、耐久性が増
すとともに、微小レンズアレイ１４によりセンサー１９
に結像させているので従来方式より出力を１桁向上させ
ることができ（２５００Ｑｘ照射の場合）、１６ドツト
／ｍｍに高解像度化を図ることもできる。
つづいて、本発明の第二の実施例を第４図により説明す
る。本実施例は、シリンドリカル型凸レンズによる微小
レンズアレイ１４に代えて、シリンドリカル型凹レンズ
による微小レンズアレイ群２５をガラス基板１０．１２
間に形成したセンサー基板１５を用いるものである。こ
こに、微小レンズアレイ群２５は例えば型１１．１３に
乾燥窒素を充填することにより形成される。この場合も
、原稿画像を微小レンズアレイ群２５によりセンサー１
９に結像させることが可能である。この場合、ＭＴＦは
〜０．６となったものである。
効果 本発明は、上述したように構成したので、センサー基板
が力学的に強固なものとなり、耐久性を向上させること
ができ、この際、原稿画像は微小レンズアレイによりセ
ンサーに結像されるので、高出力を得ることができると
ともに、高解像度化を図ることもでき、更にはセンサー
とセンサー基板との接着によるセンサーの劣化をも防止
できるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図ないし第３図は本発明の第一の実施例を示すもの
で、第１図は断面図、第２図はガラス基板の断面図、第
３図は斜視図、第４図は本発明の第二の実施例を示す断
面図、第５図は従来例を示す断面図である。 １４・・・微小レンズアレイ、１５・・・センサー基板
、１９・・・センサー、２４・・・原稿、２５・・・微
小レンズアレイ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　基板中にこの基板の反射率と異なる反射率の物質によ
    り形成した微小レンズアレイを有するセンサー基板を設
    け、このセンサー基板の片面にセンサーを形成するとと
    もに他面に原稿を密着させ、前記センサー側からセンサ
    ー基板を介して前記原稿を照射して原稿からの反射光を
    前記微小レンズアレイにより前記センサーに結像させる
    ことを特徴とする完全密着型センサー。
JP60284370A 1985-12-19 1985-12-19 完全密着型センサ− Pending JPS62144459A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60284370A JPS62144459A (ja) 1985-12-19 1985-12-19 完全密着型センサ−
US06/941,742 US4733096A (en) 1985-12-19 1986-12-15 Directly detectable image sensor employing a lens array and method of producing the same
DE19863643576 DE3643576A1 (de) 1985-12-19 1986-12-19 Bildsensor und verfahren zu dessen herstellung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60284370A JPS62144459A (ja) 1985-12-19 1985-12-19 完全密着型センサ−

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62144459A true JPS62144459A (ja) 1987-06-27

Family

ID=17677699

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60284370A Pending JPS62144459A (ja) 1985-12-19 1985-12-19 完全密着型センサ−

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4733096A (ja)
JP (1) JPS62144459A (ja)
DE (1) DE3643576A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6441370A (en) * 1987-08-07 1989-02-13 Nippon Sheet Glass Co Ltd Picture reader
JP2008506478A (ja) * 2004-07-19 2008-03-06 フラウンホッファー−ゲゼルシャフト ツァ フェルダールング デァ アンゲヴァンテン フォアシュンク エー．ファオ ビデオ内視鏡検査装置
CN105158038A (zh) * 2015-09-02 2015-12-16 中国工程物理研究院流体物理研究所 一种用于动态加载过程前样品升温的方法

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4970381A (en) * 1989-04-28 1990-11-13 At&T Bell Laboratories Integrated optics facsimile apparatus
US5299730A (en) * 1989-08-28 1994-04-05 Lsi Logic Corporation Method and apparatus for isolation of flux materials in flip-chip manufacturing
US5834799A (en) * 1989-08-28 1998-11-10 Lsi Logic Optically transmissive preformed planar structures
US5504035A (en) * 1989-08-28 1996-04-02 Lsi Logic Corporation Process for solder ball interconnecting a semiconductor device to a substrate using a noble metal foil embedded interposer substrate
US5489804A (en) * 1989-08-28 1996-02-06 Lsi Logic Corporation Flexible preformed planar structures for interposing between a chip and a substrate
JPH03165569A (ja) * 1989-11-24 1991-07-17 Nippon Sheet Glass Co Ltd 画像伝送素子及びその製造方法
EP0450780A3 (en) * 1990-04-05 1992-04-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical microelement array and its production method
US5241416A (en) * 1990-05-14 1993-08-31 Canon Kabushiki Kaisha Screen and projector using said screen
WO1993022787A1 (en) * 1992-04-28 1993-11-11 Lsi Logic Corporation Arrangement for mounting a lens to a solid state image sensor
JP3088048B2 (ja) * 1992-09-08 2000-09-18 日石三菱株式会社 カラーフィルターの製造法
US5760834A (en) * 1992-09-30 1998-06-02 Lsi Logic Electronic camera with binary lens element array
US5529936A (en) * 1992-09-30 1996-06-25 Lsi Logic Corporation Method of etching a lens for a semiconductor solid state image sensor
US5340978A (en) * 1992-09-30 1994-08-23 Lsi Logic Corporation Image-sensing display panels with LCD display panel and photosensitive element array
KR0137398B1 (ko) * 1992-10-23 1998-04-29 모리시타 요이찌 완전밀착형 이미지센서 및 유닛 그리고 그 제조방법
US5359190A (en) * 1992-12-31 1994-10-25 Apple Computer, Inc. Method and apparatus for coupling an optical lens to an imaging electronics array
US5682266A (en) * 1995-04-05 1997-10-28 Eastman Kodak Company Blur filter for eliminating aliasing in electrically sampled images
DE19545484C2 (de) * 1995-12-06 2002-06-20 Deutsche Telekom Ag Bildaufnahmeeinrichtung
US5770889A (en) * 1995-12-29 1998-06-23 Lsi Logic Corporation Systems having advanced pre-formed planar structures
US6124974A (en) * 1996-01-26 2000-09-26 Proxemics Lenslet array systems and methods
US5973844A (en) * 1996-01-26 1999-10-26 Proxemics Lenslet array systems and methods
US5696371A (en) * 1996-05-23 1997-12-09 Eastman Kodak Company Diffractive/refractive lenslet array
DE19720925B4 (de) * 1996-05-29 2004-08-26 Nawotec Gmbh Einrichtung zur Eingabe von Informationen mittels eines sich der Einrichtung nähernden Gegenstandes
US6504143B2 (en) * 1996-05-29 2003-01-07 Deutsche Telekom Ag Device for inputting data
US5751492A (en) * 1996-06-14 1998-05-12 Eastman Kodak Company Diffractive/Refractive lenslet array incorporating a second aspheric surface
US6141048A (en) * 1996-08-19 2000-10-31 Eastman Kodak Company Compact image capture device
US6137535A (en) * 1996-11-04 2000-10-24 Eastman Kodak Company Compact digital camera with segmented fields of view
JPH10285331A (ja) * 1997-04-10 1998-10-23 Canon Inc イメージセンサおよびこのイメージセンサを用いた情報処理装置
JP2004088713A (ja) * 2002-06-27 2004-03-18 Olympus Corp 撮像レンズユニットおよび撮像装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3145952C2 (de) * 1981-11-20 1984-05-03 Triumph-Adler Aktiengesellschaft für Büro- und Informationstechnik, 8500 Nürnberg Anordnung zur Beleuchtung und Abbildung einer Bildvorlage für ein Bildsensorarray
JPS59134974A (ja) * 1983-01-24 1984-08-02 Hitachi Ltd 光電変換装置
US4695719A (en) * 1983-12-05 1987-09-22 Honeywell Inc. Apparatus and method for opto-electronic package
JPS60134486A (ja) * 1983-12-22 1985-07-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光電変換装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6441370A (en) * 1987-08-07 1989-02-13 Nippon Sheet Glass Co Ltd Picture reader
JP2008506478A (ja) * 2004-07-19 2008-03-06 フラウンホッファー−ゲゼルシャフト ツァ フェルダールング デァ アンゲヴァンテン フォアシュンク エー．ファオ ビデオ内視鏡検査装置
CN105158038A (zh) * 2015-09-02 2015-12-16 中国工程物理研究院流体物理研究所 一种用于动态加载过程前样品升温的方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE3643576C2 (ja) 1989-04-20
US4733096A (en) 1988-03-22
DE3643576A1 (de) 1987-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS62144459A (ja) 完全密着型センサ−
EP1118878B1 (en) Scintillator panel, radiation image sensor, and method for producing the same
JP2563962Y2 (ja) 日射センサ
JPH0471387B2 (ja)
JPH07301730A (ja) 導波路型縮小イメージセンサ
JPS6236962A (ja) 密着型イメ−ジセンサ
JPS58127463A (ja) 密着形イメ−ジセンサ
JPS63124460A (ja) 完全密着型イメ−ジセンサ−
JP2879744B2 (ja) 画像読み取り素子
JPS6355221B2 (ja)
JP2979071B2 (ja) 画像読み取り装置
JPH0747874Y2 (ja) 密着型イメ−ジセンサ
JPH0360155A (ja) 完全密着型イメージセンサ
JPH01228166A (ja) 密着型イメージセンサー
JPS62225065A (ja) 密着型イメ−ジセンサ
JPS60180367A (ja) 一次元センサ
JP2661426B2 (ja) 光ファイバアレイ基板および光ファイバアレイ基板を用いた完全密着型イメージセンサ
JPS62262563A (ja) 密着形イメ−ジセンサ
JPS61181158A (ja) 密着型イメ−ジセンサ
JPH039659A (ja) 画像読取装置
JPS61161868A (ja) 密着型イメ−ジセンサ
JPH0618411B2 (ja) 密着型読み取り装置
JPS63299269A (ja) 固体撮像装置
JPH0583025B2 (ja)
JPH088416A (ja) 密着型イメージセンサ