JPS62144330A - 反応性スパツタエツチング方法 - Google Patents
反応性スパツタエツチング方法Info
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- JPS62144330A JPS62144330A JP28430885A JP28430885A JPS62144330A JP S62144330 A JPS62144330 A JP S62144330A JP 28430885 A JP28430885 A JP 28430885A JP 28430885 A JP28430885 A JP 28430885A JP S62144330 A JPS62144330 A JP S62144330A
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- etched
- etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は平行平板型のドライエツチング装置を１吏用す
る反応性スパッタエツチング方法に関するものである。
る反応性スパッタエツチング方法に関するものである。
反応性スパックエツチング方法は、半導体素子を製造す
るために欠かせない技Ｍａｒとなっている。
るために欠かせない技Ｍａｒとなっている。
このエツチング方法は被エツチング物質に見合ったター
ゲット電極部材とエツチング導入ガスとの組合せによっ
てエツチング特性が決まると言っても過言ではない。こ
の方法では平行平板に存在する二電極間に高周波電界を
印加して発生するプラズマ中の活性イオンが電極（被エ
ツチング物質を配置した陰極側）の表面近傍のイオンシ
ース帯で加速され、被エツチング物質よりなる基板の表
面では物理的なイオン衝撃とプラズマ中に発生した化学
的に活性な中性分子の画体用によってエツチング反応が
進む。これらのエツチング反応にはイオンスパッタ熱、
化学反応熱による温度上昇が伴ない、被エツチング物質
は次第に温度が上昇する。
ゲット電極部材とエツチング導入ガスとの組合せによっ
てエツチング特性が決まると言っても過言ではない。こ
の方法では平行平板に存在する二電極間に高周波電界を
印加して発生するプラズマ中の活性イオンが電極（被エ
ツチング物質を配置した陰極側）の表面近傍のイオンシ
ース帯で加速され、被エツチング物質よりなる基板の表
面では物理的なイオン衝撃とプラズマ中に発生した化学
的に活性な中性分子の画体用によってエツチング反応が
進む。これらのエツチング反応にはイオンスパッタ熱、
化学反応熱による温度上昇が伴ない、被エツチング物質
は次第に温度が上昇する。
従来の反応性スパッタエツチング方法ではこれらの温度
上昇を防止するために室温の２０℃程度に保たれた冷却
水を電極内部に循環させている。
上昇を防止するために室温の２０℃程度に保たれた冷却
水を電極内部に循環させている。
最近、微細化、高アスペクト比がドライエツチング加工
技術に課せられている。−例としての素子分離法では、
シリコン基板に３〜１０μｍ程度の深い溝掘りが必要と
されるためにエツチング処理時間も従来よりはるかに長
く、それに伴なって被エツチング物質の基板温度が上が
る傾向がある。
技術に課せられている。−例としての素子分離法では、
シリコン基板に３〜１０μｍ程度の深い溝掘りが必要と
されるためにエツチング処理時間も従来よりはるかに長
く、それに伴なって被エツチング物質の基板温度が上が
る傾向がある。
通常、反応性スパッタエツチングに際して問題点を生じ
る原因は、温度上昇によりプラズマ中のハロゲン化合物
との再反応による生成物の堆積、再付着により被エツチ
ング物質表面の荒れの発生、また前述の再付着によるエ
ツチング速度の減少、溝の断面形状のアンダーカット等
のエツチング加工における精度の低下などであり、反応
性スパッタエツチング時の基板温度の上昇は多方面に悪
影響をもたらしている。
る原因は、温度上昇によりプラズマ中のハロゲン化合物
との再反応による生成物の堆積、再付着により被エツチ
ング物質表面の荒れの発生、また前述の再付着によるエ
ツチング速度の減少、溝の断面形状のアンダーカット等
のエツチング加工における精度の低下などであり、反応
性スパッタエツチング時の基板温度の上昇は多方面に悪
影響をもたらしている。
本発明の目的は、反応性スパッタエツチングにおける被
エツチング物質の基板温度の上昇により引起こされる、
被エツチング物質の表面の流れ、エツチング形状のアン
ダーカット、エツチング速度の減少、マスク材との選択
性の低下等を防止することのできる反応性スパッタエツ
チング方法を提供することにある。
エツチング物質の基板温度の上昇により引起こされる、
被エツチング物質の表面の流れ、エツチング形状のアン
ダーカット、エツチング速度の減少、マスク材との選択
性の低下等を防止することのできる反応性スパッタエツ
チング方法を提供することにある。
本発明は、被エツチング物質からなる基板を電極上に密
接して自己間し、前記電極の内部に冷却水を循環させる
ドライエツチンク装置による反応性スパッタエツチング
方法において、前記電極を低温保持するために電極内部
の冷却水の温度を０〜−２０℃の範囲に制御することを
特徴とする。なお、冷却水にはエチレングリコール等を
混ぜ０℃以下でも凍らないようにする。
接して自己間し、前記電極の内部に冷却水を循環させる
ドライエツチンク装置による反応性スパッタエツチング
方法において、前記電極を低温保持するために電極内部
の冷却水の温度を０〜−２０℃の範囲に制御することを
特徴とする。なお、冷却水にはエチレングリコール等を
混ぜ０℃以下でも凍らないようにする。
電極内部の冷却水の温度を０〜−２０℃の範囲に低温化
することにより被エツチング物質基板の温度上昇を防止
でき、反応性スパックエツチング時に問題となる堆積物
、再付着物等によるエツチング表面の荒れ、エツチング
形状のアンダーカット、マスク材との選択性の低下など
の欠点を生じなし）エツチングが可能になる。
することにより被エツチング物質基板の温度上昇を防止
でき、反応性スパックエツチング時に問題となる堆積物
、再付着物等によるエツチング表面の荒れ、エツチング
形状のアンダーカット、マスク材との選択性の低下など
の欠点を生じなし）エツチングが可能になる。
本発明による実施例を図を用いて説明する。
第１図は本発明の実施に使用される平行平板型ドライエ
ツチング装置の基本構成を示す。この平行平板型ドライ
エツチング装置において、真空室１内のターゲット電極
２（ターゲット電極材質は一般的には金属であるがエツ
チング中の金属汚染やエツチング特性に見合うように熱
伝導性に１浸れたアルミナ等のセラミックス材の溝板を
電極被覆部材３として用いてもよい）の上に被エツチン
グ物質４の単結晶シリコン又は多結晶シリコンを密接し
て配置する。次に、エツチング導入ガス体として例えば
四塩化ケイ素をガス吹出管５から吹出し、高周波型＃＋
６を投入すると、放電間隔を決めている対向電極７とタ
ーゲット電極２の間にプラズマが発生し、エツチングが
進行する。それに伴なって被エツチング物質４の基板温
度が上昇する。
ツチング装置の基本構成を示す。この平行平板型ドライ
エツチング装置において、真空室１内のターゲット電極
２（ターゲット電極材質は一般的には金属であるがエツ
チング中の金属汚染やエツチング特性に見合うように熱
伝導性に１浸れたアルミナ等のセラミックス材の溝板を
電極被覆部材３として用いてもよい）の上に被エツチン
グ物質４の単結晶シリコン又は多結晶シリコンを密接し
て配置する。次に、エツチング導入ガス体として例えば
四塩化ケイ素をガス吹出管５から吹出し、高周波型＃＋
６を投入すると、放電間隔を決めている対向電極７とタ
ーゲット電極２の間にプラズマが発生し、エツチングが
進行する。それに伴なって被エツチング物質４の基板温
度が上昇する。
この基板温度の上昇を防止するためには、ターゲット電
極２の内部に冷凍循環機８により冷却水９を循環させる
。
極２の内部に冷凍循環機８により冷却水９を循環させる
。
第２図は冷却水温度設定側による被エツチング物質のシ
リコンとマスク材のシリコン酸化膜との選択比を示す。
リコンとマスク材のシリコン酸化膜との選択比を示す。
冷却水の温度が従来のように２０℃（室温）の場合には
被エツチング物質４の基板温度は１５０℃程度まで上昇
し、選択比は５というように良好な値は得られない。本
発明者による実験によれば、冷却水温度が０〜−２０℃
の範囲で良好な選択比を得ることができた。また、冷却
水の温度を０〜−２０℃と低温化することにより、エツ
チング表面の荒れ、エツチング形状のアンダー力、ノド
などの欠点が生じないことも確かめられた。
被エツチング物質４の基板温度は１５０℃程度まで上昇
し、選択比は５というように良好な値は得られない。本
発明者による実験によれば、冷却水温度が０〜−２０℃
の範囲で良好な選択比を得ることができた。また、冷却
水の温度を０〜−２０℃と低温化することにより、エツ
チング表面の荒れ、エツチング形状のアンダー力、ノド
などの欠点が生じないことも確かめられた。
以上のように本実施例の反応性スパッタエツチング方法
では、エツチングの経過に伴なっての被エツチング物質
の基板の温度上昇を防止するためにターゲット電極２の
内部に冷凍循環機８を用いて０〜−２０℃の冷却水９を
循環して、ターゲット電極２に密接して配置した被エツ
チング物質の基板を低温保持するのが好適である。
では、エツチングの経過に伴なっての被エツチング物質
の基板の温度上昇を防止するためにターゲット電極２の
内部に冷凍循環機８を用いて０〜−２０℃の冷却水９を
循環して、ターゲット電極２に密接して配置した被エツ
チング物質の基板を低温保持するのが好適である。
本発明によればエツチング中の被エツチンク゛物質の温
度上昇を防ぐことができるので、再反応物質による再付
着等による被エツチング物質表面の荒れ、断面形状のア
ンダーカット、エツチング速度の減少の防止、マスク材
との高選択比を得るなどの優れた効果が得られる。
度上昇を防ぐことができるので、再反応物質による再付
着等による被エツチング物質表面の荒れ、断面形状のア
ンダーカット、エツチング速度の減少の防止、マスク材
との高選択比を得るなどの優れた効果が得られる。
第１図は本発明の一実施例に使用されるドライエツチン
グ装置の構成図、 第２図は冷却水温度設定別による被エツチング物質のシ
リコンとマスク材の酸化膜との選択比を示すグラフ図で
ある。 １ ・・・・・・・・・・・・・・ 真空室２ ・・・
・・・・・・・・・・・・ ターゲット電極３ ・・・
・・・・・・・・・・・ 電極被覆部材４ ・・・・・
・・・・・・・・・・ 被エツチング物質５ ・・・・
・・・・・・・・・・・ ガス吹出管６ ・・・・・・
・・・・・・・・・ 高周波電源７ ・・・・・・・・
・・・・・・・ 対向電極８ ・・・・・・・・・・・
・・・・ 冷凍循環機ｑ ・・・・・・・・・・・・・
・・ 冷却水代理人 弁理士 岩 佐 義 幸 第１図 ン！逮Ｊフ２シ；、温／ｆ （”ｃ）第２図
グ装置の構成図、 第２図は冷却水温度設定別による被エツチング物質のシ
リコンとマスク材の酸化膜との選択比を示すグラフ図で
ある。 １ ・・・・・・・・・・・・・・ 真空室２ ・・・
・・・・・・・・・・・・ ターゲット電極３ ・・・
・・・・・・・・・・・ 電極被覆部材４ ・・・・・
・・・・・・・・・・ 被エツチング物質５ ・・・・
・・・・・・・・・・・ ガス吹出管６ ・・・・・・
・・・・・・・・・ 高周波電源７ ・・・・・・・・
・・・・・・・ 対向電極８ ・・・・・・・・・・・
・・・・ 冷凍循環機ｑ ・・・・・・・・・・・・・
・・ 冷却水代理人 弁理士 岩 佐 義 幸 第１図 ン！逮Ｊフ２シ；、温／ｆ （”ｃ）第２図
Claims (1)
- （１）被エッチング物質からなる基板を電極上に密接し
て配置し、前記電極の内部に冷却水を循環させるドライ
エッチング装置による反応性スパッタエッチング方法に
おいて、前記電極を低温保持するために電極内部の冷却
水の温度を０〜−２０℃の範囲に制御することを特徴と
する反応性スパッタエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60284308A JPH0732148B2 (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 反応性スパツタエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60284308A JPH0732148B2 (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 反応性スパツタエツチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62144330A true JPS62144330A (ja) | 1987-06-27 |
| JPH0732148B2 JPH0732148B2 (ja) | 1995-04-10 |
Family
ID=17676855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60284308A Expired - Lifetime JPH0732148B2 (ja) | 1985-12-19 | 1985-12-19 | 反応性スパツタエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0732148B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01103836A (ja) * | 1987-07-02 | 1989-04-20 | Toshiba Corp | ドライエッチング方法およびドライエッチング装置 |
| JPH01268030A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-25 | Hitachi Ltd | プラズマエッチング方法及び装置 |
| JPH02130822A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-18 | Hitachi Ltd | プラズマエッチング方法 |
| JPH02146728A (ja) * | 1989-08-30 | 1990-06-05 | Hitachi Ltd | プラズマエッチング装置 |
| JPWO2015011829A1 (ja) * | 2013-07-26 | 2017-03-02 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59159532A (ja) * | 1982-01-06 | 1984-09-10 | ドライテツク・インコ−ポレ−テツド | ガスプラズマ処理装置 |
| JPS59205719A (ja) * | 1983-05-09 | 1984-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPS6045037A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の基板構造およびその製造方法 |
| JPS60158627A (ja) * | 1984-01-27 | 1985-08-20 | Hitachi Ltd | 表面反応の制御方法 |
| JPS61240635A (ja) * | 1985-04-17 | 1986-10-25 | Sanyo Electric Co Ltd | ドライエツチング方法 |
-
1985
- 1985-12-19 JP JP60284308A patent/JPH0732148B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59159532A (ja) * | 1982-01-06 | 1984-09-10 | ドライテツク・インコ−ポレ−テツド | ガスプラズマ処理装置 |
| JPS59205719A (ja) * | 1983-05-09 | 1984-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPS6045037A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-11 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の基板構造およびその製造方法 |
| JPS60158627A (ja) * | 1984-01-27 | 1985-08-20 | Hitachi Ltd | 表面反応の制御方法 |
| JPS61240635A (ja) * | 1985-04-17 | 1986-10-25 | Sanyo Electric Co Ltd | ドライエツチング方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01103836A (ja) * | 1987-07-02 | 1989-04-20 | Toshiba Corp | ドライエッチング方法およびドライエッチング装置 |
| JPH01268030A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-25 | Hitachi Ltd | プラズマエッチング方法及び装置 |
| JPH02130822A (ja) * | 1988-11-11 | 1990-05-18 | Hitachi Ltd | プラズマエッチング方法 |
| JPH02146728A (ja) * | 1989-08-30 | 1990-06-05 | Hitachi Ltd | プラズマエッチング装置 |
| JPWO2015011829A1 (ja) * | 2013-07-26 | 2017-03-02 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0732148B2 (ja) | 1995-04-10 |
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