JPS62136817A - 電子ビ−ム露光装置 - Google Patents

電子ビ−ム露光装置

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Publication number
JPS62136817A
JPS62136817A JP27865485A JP27865485A JPS62136817A JP S62136817 A JPS62136817 A JP S62136817A JP 27865485 A JP27865485 A JP 27865485A JP 27865485 A JP27865485 A JP 27865485A JP S62136817 A JPS62136817 A JP S62136817A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
pixel
dose
beam exposure
electron beams
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP27865485A
Other languages
English (en)
Inventor
Koichi Moriizumi
森泉　幸一
Susumu Takeuchi
晋 竹内
Kazunori Saito
和則 斉藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はＬＳ　Ｉｉ造用マスクあるいはウェハ上に電
子ビームを照射してパターンを描画する電子ビーム露光
装置に関するものである。
〔従来の技術〕
第２図は従来の電子ビーム露光装置の構成を示し、図に
おいて、１は電子銃、２，３は電子銃ｌより放出された
電子ビームを集束する電磁レンズである。４はパターン
を描画される基板（マスク。
ウェハー）を搭載するステージ、８は該ステージ４を制
御するステージ制御回路、５は電子ビームを偏向するた
めの偏向制御回路、６は電子ビームのブランキングを制
御するブランキング制御回路、７は装置全体を制御する
計算機である。
従来の電子ビーム露光装置では電子銃１より放出された
電子ビームは電磁レンズ２．３で集束され、ステージ４
上の基板に照射される。この際、ブランキング制御回路
６および偏向制御回路５はパターンデータに従って電子
ビームをブランキングあるいは偏向する。その結果パタ
ーンが基板上に描画さ抗る。
〔発明が解決しようとする問題点〕
−上記のような従来の電子ビーム露光装置では、電子ビ
ームの走査速度あるいはブランキング周期が一定である
ので、電子ビームの１シヨツト（パターンの１画素）ご
とに照射量を変化させることができない。このため、電
子ビームの基板内での前方散乱、後方散乱等によるパタ
ーンの歪（近接効果）の補正が困難で高精度な微細パタ
ーンの形成ができないという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、近接効果の補正を行ない高精度なＷｌ細パタ
ーンを形成できる電子ビーム露光装置を得ることを目的
とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る電子ビーム露光装置は、電子ビームの電
流量を１画素ごとに変化させる照射量変調回路と、電子
ビーム電流量の変調による電子ビームの焦点ぼけを１画
素ごとに補正する自動焦点補正回路とを設けたものであ
る。
〔作用〕
この発明においては、照射量変調回路により電子ビーム
の電流量を１画素ごとに変化させるようにしたから、近
接効果の補正を行なうことができる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例による電子ビーム露光装置
の構成を示し、図において、１〜８は第２図と同一のも
のである。１２は電子銃１の下に設置されたグリッド、
９は該グリッド１２の電圧を制御して電子ビームの電流
量を変調する照射量変調回路、１０．１１は電子ビーム
の電流量の変調に伴う焦点ぼけを補正する自動焦点補正
回路である。
次に作用効果について説明する。
この実施例では、照射９変調回路９により電子銃１のす
ぐ下に設置されたグリッド１２の電圧を制御し、これに
よって電子ビームの電流量を１シヨツトごとに変調する
。よって電子ビームの偏向速度、ブランキング周期を変
化させることなく１画素ごとに照射量を変化させること
ができる。また、電子ビームの電流量変調に伴ない焦点
ぼけが生しるがこれは自動焦点補正回路１０．１１によ
りリアルタイムで補正される。このように本実施例では
近接効果の補正を行なって高精度なパターンを得ること
ができる。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明にかかる電子ビーム露光装置に
よれば、電子ビームの電流量を１画素ごとに変調する照
射量変調手段を設け、１画素ごとに照射量を変化させる
ようにしたので、これにより近接効果の補正を行って高
精度なパターンを得ることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例による電子ビーム露光装置
の構成図、第２図は従来の装置の構成図である。 ｌは電子銃、２，３は電磁レンズ、４はステージ、５は
偏向制御回路、６はブランキング制御回路、７は計算機
、８はステージ制御回路、９は照射量変調回路、１’０
．１１は自動焦点補正回路。 １２はグリッドである。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）基板上への電子ビームの照射を１画素ごとにオン
    又はオフすることによってパターンを描画する電子ビー
    ム露光装置において、 電子ビームの照射量を１画素ごとに変調する照射量変調
    手段を備えたことを特徴とする電子ビーム露光装置。
  2. （２）上記照射量変調手段は電子ビームの電流量を１画
    素ごとに変化させて電子ビーム照射量を変調する照射量
    変調回路と、上記変調による電子ビームの焦点ぼけを１
    画素ごとに補正する自動焦点補正回路とからなることを
    特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子ビーム露光
    装置。
JP27865485A 1985-12-10 1985-12-10 電子ビ−ム露光装置 Pending JPS62136817A (ja)

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JPS62136817A true JPS62136817A (ja) 1987-06-19

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