JPS62132838A - テトラヒドロナフタセン誘導体の製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規でかつ工業的なテトラヒドロナフタセン誘
導体の製造法に関するものである。

更に詳しくは一般式〔【〕 ＣＨ３ 〔式中、Ｒはアセチル基または低級アルコキシカルボニ
ル基を意味し、Ｒ２（ｄＯＲ３（Ｒ３ハ水素原子または
水酸基の保護基を意味すも）またはＮＨＣＯＲ’　（Ｒ
４は低級アルキル基、低は水素原子ま念はハロゲン原子
を意味する。）を意味する。）を意味する。〕 で示される化合物を、Ｍイス酸の存在下でフタル酸ジク
ロライドと反応させることを特徴とする一般式ＣＩＩ〕 　ＯＨ 〔式中、Ｒ１およびＲ２は前記と同じ意味を有する。〕 で示されるテトラヒドロナフタセン誘導体の製造法に関
するものである。

（イ）　産業上の利用分野 本発明により製造される化合物〔■〕の中でＲ２がヒド
ロキシ置換基（ＯＲ’）である９−ヒドロキシテトラヒ
ドロフタセン誘導体（ＩＩａ）は、顕著な制癌作用によ
り近年特に注目を集めている非天然型アンスラサイクリ
ン系抗生物質である４−デメトキシダウノマイシン〔出
、Ｒ５＝Ｈ］あるいは４−デメトキシアドリアマイシン
〔［［Ｉ、Ｒ＝ＯＨ〕等の合成中間体として極めて有用
なものである。

即ち、前記一般式〔■〕においてＲがＯＲ８である９−
ヒドロキシテトラヒドロナフタセン誘導体（Ｉ［ａ　〕
　　は、文献既知の方法に従い容易にアグリコンである
４−デメトキシダウノマイシノン〔■〕に変換すること
ができる。

次いで化合物〔■ｖ〕をダウノサミン誘導体と反応させ
ることによって４−デメトキシダウノマイシン’ｍ、Ｒ
５＝Ｈ）　　とし、更に化合物Ｃｍ、Ｒ６＝Ｈ”Ｊ　　
のＣ−１４位へ水酸基を導入することにより４−デメト
キシアドリアマイシン〔ｍ、Ｒ５＝ＯＨ１へと変換可能
であるＣ　Ｆ、アルカモネ、　−Ｄｏｘｏｒｕｂｉｃｉ
ｎ’　ＡｃａｄｅｍｉｃＰｒｅｓｓ　：　Ｎｅｗ　Ｙｏ
ｒｋ　、　１９８１１゜又、本発明により製造される化
合物〔■〕の中でＲがアミド置換基（ＮＨＣＯＲ）　　
である９−アミドテトラヒドロナフタセン誘導体〔■ｂ
〕は、前記９−ヒドロキシテトラヒドロナフタセン誘導
体（ｌｌａ〕　　と同様に、顕著な制癌作用を有する非
天然型アンスラサイクリン系抗生物質の一つである、例
えば化合物〔Ｖ〕の合成中間体として極めて有用なもの
である。

即ち本発明で得られる９−アミドテトラヒドロナフタセ
ン誘導体（ｎｂｌ　は、既知の方法により容易にアグリ
コン〔ｖＩ〕 に変換することができ、更に塘誘導体と反応させること
により９−アミノアンスラサイクリン〔ｖｈ導くことが
できる〔公開特許公報：昭５８−２９７５０号、昭５８
−１９４８４６号、昭５９−７６０９９号、昭６０−７
５４７８号〕。

（ロ）従来の技術 アンスラサイクリン系抗生物質のアグリコン部分ハ、テ
トフヒドロナフタセン誘導体〔■〕を基本骨格としてお
り、このものの合成ハ（１）　フ１−デル、クラフッ反
応を基本工程とした方法、（２）ディーヤス、アノレダ
ー反応を基本工程とした方法、（８）　１　、２および
ｌ、４−付加反応を基本工程とし喪方法等が数多く知ら
れている。中でもフリーデＭ、クラフッ反応を基本工程
とした方法は、Ｃ−４位にメトキシ基ヲ持たない４−デ
メトキシアンスラサイクリノン（〔■〕あるいは［ＶＯ
）等の合成に応用性が広く、例えば反応式１および２で
示す２つの方法が知られている。

反応式１ ％式％ 〔式中、Ｒ６はメチル基、エチル基またはへロゲン置換
エチル基を意味する。〕 即ち、反応式１で示される合成法は、２−アセチル−２
−ヒドロキシ−１，２，８，４−テトラヒドロ−５，８
−ジメトキシナフタレン２とフタル酸七ノエステＭモノ
クロライド走トを、ジクロロメタン等の有機Ｐａ　ｔＪ
Ｘ　中、無水塩化アルミニウム等のルイス酸存在下で反
応させ化合物８とし、水酸化す）　ＩＪウムで処理して
化合物４とした後、このものを液体弗化水素酸で閉環し
化合物５を得、更に無水塩化アルミニウム等のＩレイス
酸を用いて脱メチル化することによってテトラヒドロ−
ナフタセン誘導体６を得る方法である〔公開特許公報：
昭５１−９８２６４号：Ｆ、ア！レカモネら、Ｃａｎｃ
ｅｒ　Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ　Ｒｅｐｏｒｔｓ　、　６０
　、８２９（１９７６）１゜ 反応式２ ○　ＯＨ９ ０ゲン原子を意味する。）を意味する。）を意味する。

〕 即ち、反応式２で示される合成法は、テトラヒドロナフ
タレン誘導体８と無水フタル酸７とを、塩化ナトリウム
および無水塩化アｌレミニウムの存在下で１８０℃、２
分間溶融反応することによりテトラヒドロナフタセン誘
導体９を得る方法である〔公開特許公報：昭５２−１５
８５２号、昭５８−２９７５０号、昭５８−１９４８４
６号；Ｆ、アルカモネら。

Ｅｘｐｅｒｉｅｎｔｉａ、　８４　、１２５５（１９７
８）〕。

（ハ）　発明が解決しようとする問題点前記反応式１で
示した合成法は、目的とするテトラヒドロナフタセン誘
導体６を得るために４工程もの長い反応ステ・ツブを必
要とし、全収率は約６０％と低いものである。更に化合
物４から化合物５へのフリーデル、クラフッ閉環反応に
は弗化水素酸が用いられており、到底工業的なテトラヒ
ドロナフタセン誘を体６の製造法とは言い難い。

又、前記反応式２で示した合成法は、１工程で目的とす
るテトラヒドロナフタセン誘導体見が得られ、その収率
は約７０％〜９０％であるが、本フリーデＩし、クラフ
ッ反応は１８０℃、２分間という厳しい反応条件であり
、同温度で反応時間を長くすると化合物１０等の分解物
の副成が 　ＯＨ す 著しく増加することが知られている。したがって本合成
法も工業的なテトラヒドロナフタセン誘導体９の製造法
としては問題がある。

更に前記反応式１および２のどちらの方法にひいても用
いるテトラヒドロナフタレン誘導体〔■〕のＣ−２位が
ヒドロキシ基あるいはその保護体である場合には、この
ものを光学活性体として使用しても反応中に一部ラセミ
化が進行し、光学純度７０〜８０％のテトラヒドロナフ
タセン誘導体〔■〕が得られるのみであり、得られた光
学純度７０〜７５％のテトラヒドロナフタセン誘導体は
容８には光学的に純品とすることは出来ず、再結晶をく
り返すことによって初めてたかだか約４０％の収率で純
品として得られるにすぎないことが知られている〔寺島
ＪＥ部ら、　Ｃｈｅｍ、　Ｐｈａｒｍ。

Ｂｕｌｌ、　３１８１１（１９８３）；　Ｔｅｔｒａｈ
ｅｄｒｏｎ　Ｌｅｖｅｒｓ　。

２５８９（１９８３）　１゜ 因みにテトラヒドロナフタセン誘導体のＣ−２位がアミ
ノ置換基である場合には全くラセミ化しないことが知ら
れている。

以上に述べたごとく、前記反応式ｌおよび２で示したど
ちらの方法にも工業的製造法としては反応条件が苛酷で
あること、更には苛酷であるがためにＲ２がヒドロキシ
基等である場合には一部ラセミ化を伴うといった問題点
が存在する。

に）問題点を解決するための手段 そこで本発明者らは、前記従来技術の問題点を解決すべ
く、１工程で目的とするテトラヒドロナフタセン誘導体
の合成が可能であり、無水フタル酸より反応性が瘍〈温
和な反応条件下閉環フリーデル、クラフッ反応が進行す
ると予想されるフタル酸ジクロライドを用いて本反応を
種々検討した。

一般にフタル酸ジクロライドとベンゼンとのフリーデル
、クラフッ反応においては反応式３に示したごとく目的
とするアントラキノン１１はほとんど得られず、主成績
体としてフェニルフタリド１２を生成することが知られ
ているＣＧ、Ａ、オラーら、　−Ｆｒ１ｅｄｅｌ−Ｃｒ
ａｆｔｓａｎｄ　　Ｒｅ１ａｔｅｄ　　Ｒｅａｃｔｉｃ
ｎｓ”　ｖｏｌ　　Ｂ　　、Ｊｏｈｎ　ｗｉｌｅｙ（１
９６４））。

反応式３ ％式％ しかしながら、本発明者らは一般式ＣＩ〕で示される化
合物とフタル酸ジクロライドとの反応をルイス酸の存在
下で試みたところ、驚くべきことに室温数時間といった
温和な反応条件下、目的とする一般式〔■〕で示される
テトラヒドロナフタセン誘導体がはトントラセミ化を伴
わずに高収率で得られることを見い出し、従来技術の問
題点を克服し、本発明を完成したのであるっ （ホ）発明の構成 本発明方法では、一般式〔１）で示される化合物とフタ
ル酸ジクロライドとを、溶媒中、ルイス酸の存在下で反
応させることにより一般式〔■〕で示されるテトラヒド
ロナフタセン誘導体を製造することができる。

Ｉレイス酸としては塩化アルミニウム、臭化アルミニウ
ム、五塩化アンチモン、塩化第二鉄、四塩化チタン、塩
化第二スズ等、通常のフリーデル、クラフッ反応触媒が
挙げられるが、入手および取り扱いの容易さから塩化ア
ルミニウムの使用が好ましい。ルイス酸の使用量に特に
制限はないが、化合物（’ｒ）に対して２〜１０倍モル
、通常は５〜ｌＯ倍モル用いれば十分である。

反応溶媒としては通常のフリーダＩし゛、クラフッ反応
に用いられる溶媒、例えばニトロベンゼン、二硫化炭素
、ジクロロメタン、四塩化炭素、１．２−ジクロロエタ
ン等が使用出来るが、好ましくはジクロロメタン、四塩
化炭素、１．２−ジクロロエタン等のハロゲン化アルキ
Ｉし系溶媒が用いられる。

フタル酸ジクロライドの使用量に特に制限はないが、化
合物〔■）に対して１〜２倍モル、通常は１〜１．２倍
モル用いれば十分である。

反応温度および反応時間に特に制限はないが、室温、２
〜１６時間反応させれば十分である。

反応終了後、通常の有機化学的手法により反応成績体を
単離することができるが、例えば反応溶媒を留去し残渣
に蓚酸水を滴下することによって目的物を結晶として単
離するこる９−アミド−テトラヒドロナフタセン誘導体
（ＩＩｂ’）　　を本発明方法に従って製造した場合に
は、はとんど定量的に目的物を与えるっ一方、一般式〔
■〕の中でＲがヒドロキシ基である９−ヒドロキシテト
ラヒドロナフタセン誘導体（〔ＩＩ〕、　Ｒ＝ＯＨ）を
本発明方法に従って製造する場合には、一般式〔■〕の
中でＲ２のヒドロキシ基が保護された化合物を用いて反
応させる方が好ましく（高収率に目的物を与える。）、
　Ｒがヒドロキシ基である化合物を用いるとその収率は
低下する。Ｒ２がエステル化されたヒドロキシ基である
化合物を原料化合物とした場合には、前記一般式〔■〕
においてＲがエステル化されたヒドロキシ基である化合
物を得るか、またはＲがエステル化されたとドロキシ基
である化合物とＲがヒドロキシ基である化合物との混合
物を得ることができるが、フリーデル、クラフッ反応終
了後の後処理の際に酸性状態（例えば蓚酸水中）で数時
間攪拌することによって、又は生成物を単離後アルカリ
処理するこトニヨって、あるいはフリーデル、クラフッ
反応を長時間行なうことによっても容易に脱エステル化
が進行し瘍収率に目的とする９−ヒドロキシ−テトラヒ
ドロナフタセン誘導体（〔ＩＩ）　、　Ｒ＝ＯＨ）を与
える。

本発明方法によって製造される一般式〔■〕で示される
化合物は不蒼炭素を有するが、本発明はすべての立体異
性体を包含するものであり、これらの異性体は単品もし
くは混合物として本発明を構成するものである。

必要に応じて一般式（Ｔ’）で示される化合物を光学活
性体として用いることによって一般式〔■〕で示される
化合物を光学活性体として製造することができる。

一般式ＣＴ１〕の中でＲがアミド置換基である９−アミ
ド−テトラヒドロナフタセン誘導体［１１ｂ１　　を本
発明方法に従って製造した場合には、実質的に全くラセ
ミ化を起こさず１００％の光学純度で目的物を与える。

一方、一般式〔■〕の中でＲがヒドロキシ基である９−
ヒドロキシ−テトラヒドロナフタセン誘導体（［：’Ｉ
ＩＩ　、　ＲＯＨ）を発明方法に従って製造した場合に
は若干ラセミ化を伴うものの９０％以上の光学純度で目
的物が得られ、このものはベンゼンで１回再結晶するだ
けで実質的に光学純度１００％の目的物を容易に与える
。

ここで本明細中で用いられている置換基を表わす用語に
ついてｇ及しておくっ　［低級ア的にはメチｌし基、エ
チＭ基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル
基、イソブチル基、ｔ−ブチル基４を挙げることができ
る。

「低級アルコキシカルボニル基」トシては、例えばアフ
レコ七シ部分の炭素数が１から４のアルコキシカルボニ
ル基が挙げられ、さらに具体的にはメトキンカＩレポニ
／Ｌ／基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキンカフ
レボニル基、インプロポキンカフレボニル基、ｎ−エト
キシ、ｔＡ／ホニル基、イソプトキシヵｌレボニル基、
ｔ−ブトキシカルボニル基等を挙げることができる。「
低級ハロゲノアルキル基」としては、例えば１〜３個の
ハロゲン原子で置換された炭素数１〜８個のアルキル ことができる。

ハロゲン原子とはツーＩ素、塩素または臭素原子を意味
する。「水酸基の保護基」としては、例えば、水酸基を
保護する目的で一般的に用いられる保護基を適用するこ
とができるが、そのような保護基として、例えば低級ア
ルカノイＩし基、低級ハロゲノアルカシイ？し基、アロ
イＩし基などを挙げることができる。さらに、「低級ア
ｌレカノイル基コとしては、例えばホｌレミル基、アセ
チル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基
、バレリル基、イソバレリル基等の炭素数１から５のア
ルカ／　イルＭ　等ｋ、「低級ハロゲノアＩレカノイル
基」としては、例えばクロロアセチル基、ブロモアセチ
Ｉし基、シクロローアセチル基、ジブロモアセチル基、
トリクロロアセチｌＬ４、トリブロモアセチＩし基、ト
リフルオロアセチｌし基等の１から３のハロゲン原子で
置換されたアセチル基等を、「アロイＩし基」としては
、例えハヘンゾイル基、およびｐ−ニトロペンシイＩし
基、ｏ−ニトロペンシイＩし基、ｐ−クロロペンシイＩ
し基、ｏ−クロロペンシイＩし基等の置換ベンゾイル基
等を挙げることができる。

以上に詠べたごとく、本発明は、非天然型４−デメトキ
シ−ダウノマイシン、４−デメトキシアドリアマイシン
あるいは９−アミノアンスヲサイタリン等の製造重要中
間体である化合物〔旧を、極めて温和な反応条件下で高
収率にしかもほとんどラセミ化を伴わずに高い光学純度
で工業的に製造することが可能な新規な方法を提供する
ものである。

（へ）　実施例 以下に実施例をもって本発明の詳細な説明するが、本発
明は以下の実施例のみに限定されるものではない。

実施例１ Ｌ−２−アセチフレー２−アセトアミノ−１゜２．８．
４−テトラヒドロ−５，８−ジメトキシナフタレン〔〔
α〕６°−１８１．２°（ｃ＝１゜ｃＨｃｚ８）〕（ｔ
　ｏ　ｏ　ｗｑ　）と７タル酸ジクロワイド（８８，６
ｑ）の乾燥ジクロルエタン（５−）溶液に塩化アルミニ
ウム（２２９ｑ）を加え、室温下で８時間攪拌反応を行
った。溶媒を留去後、残渣に飽和蓚酸水（４（ｉｔ／）
を加え攪拌しながら結晶化させた。析出晶を沖取するこ
とで、粗製、ｔ−ｇ−アセチＩレー９−アセトアミノ−
６，１１−ジヒドロキシ−７，８゜９．１０−テトラヒ
ドロ−５，１２−ナフタセンジオン〔融点２７９−２８
８℃、〔α〕Ｄ−１１８，８°（Ｃ＝０．０５　、　Ｃ
ＨＣＬ３）　１を１１２ｑ、収率９０，４％で得た。

ＩＲ（Ｎｕｊｏｌ）　ν（ｃｙｎ　　）、３８４０．１
７０５．１６７０　。

Ｌ６２０．１５８５．１５２０ 実施例２ ｔ−２−アセチ／ｌ／　−２−）リフｌレオロアモトア
ミノ−１，２，８，４−テトラヒドロ−５，８−ジメト
キシナフタレン〔〔α］Ｄ−１１７．８°（ｃ　＝０．
２６　、　ＣＨＣＬｓ）　１　（６９０η）トフタル酸
ジクロライド（４６０岬）ｏ乾燥ジクロルエタン（ｌａ
ｉＴｎｔ）溶液に塩化アルミニウム（１，８３Ｆ）を加
え、室温下で１６時間攪拌反応を行った。溶媒を留去後
、残渣をメタノール（２０，ｄ）に溶解し、飽和蓚酸水
（２０（ｌｘ／）中へ滴下した。析出晶を沖取すること
で、粗製ｔ−９−アセチル−９−トリフルオロアセトア
ミノ−６，１１−ジヒドロキシ−７，８，９，１０−テ
トラヒドロ−５，１２−ナフタセンジオン〔融点２７〇
−２７４℃〕を、８７０ｑ収率９７．８％で得た。

粗製品をエーテＩしく　５ｔｎｔ）で攪拌洗浄すること
で〔融点２８９℃（分解）、Ｉ　Ｒ（ＫＢ　ｒ　）　ｖ
ｃｃｒ’＞８３００−９６００．１７１８．１？２０．
１６８０．１５９８　。

Ｃａ　〕ｎ　　１１５．ｌ　’（ｃ　＝０．０５　、Ｃ
ＨＣＡａ）質量分析（フィールドデイソプションマスベ
クトロメトリーによる。以下同じ）Ｍ　４４７　〕（７
）精製品を７５２岬、収率８４，１％で得た。

実施例３ ２−アセチル−２−ヒドロキシ−１，２゜８．４−テト
ラヒドロ−５，８−ジメトキシナフタレン（１００り、
！：フタル酸ジクロフィト（９７，４η）の乾燥ジクロ
ルエタン（５ａｔ　）溶液に塩化アルミニウム（２６７
岬）を加え、室温下１６時間攪拌反応を行った。

溶媒を留去後、残渣に飽和蓚酸水（４０，ＩＩ／）を加
え、析出オイル状物をジクロルメタンで抽出し九。抽出
層を重ソウ水、食塩水で洗浄し、芒硝乾燥後、溶媒を留
去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（
１％メタノ−１し／塩化メチレン）にて精製することで
９−アセチル−６，９，１１−トリヒドロギシー７，８
．９．１０−テトラヒドロ−５゜１２−ナフタセンジオ
ン〔融点２１Ｂ−２１６℃〕を８Ｃ）ｑ収率２１．８％
で得た。

実施例４ （Ｒ）　−２−アセチル−２−ヒドロキシ−１゜２．８
．４−テトラヒドロ−５，８−ジメトキシナフタレン〔
〔α１Ｄ−４５，１°Ｃｃ＝１゜ＣＨＣＬ３）　＝　９
７．７％ｅｅ　）　　（１００−９）　を実施例−３と
同様の方法で反応させ、後処理を行なうことにより９（
Ｒ）−アセチフレー６．９゜１１−トリヒドロキシ−７
，８，９，１０−テトラヒドロ−５，１２−ナフタセン
ジオン〔１点２１５−２１９℃〕を２７ｑ、収率１９．
２％で得た。このものの旋光度は−７８，８゜（ｃ−’
　１　、ＣＨＣｔ　ａ　）であり９０％ｅｅのものが得
られた。

実施例５ ２−アセチル−２−アセトキシ−ＩＩ２゜３．４−テト
ラヒドロ−５，８−ジメトキシナフタレン（５０ｗ１）
とフタル酸クロライド（６９，５■）の乾燥ジクロルエ
タン（５，ｄ）溶液に塩化アｌレミニウム（２２８η）
を加え、室温下１６時間攪拌反応を行った。溶媒を留去
後、残渣に蓚酸水（４０ｔ／）を加え、攪拌しながら結
晶化させた。

析出晶を加数することで粗製、９−アセチル−６，９，
１１−トリヒドロキシ−７，８゜９．１０−テトラヒド
ロ−５，１２−ナフタセンジオン〔―点２００−２０５
℃］を４６岬、収率７６．８％で得た。

粗製品をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（２％メ
タノ−／Ｉ／／塩化メチレン）にて精製すると〔融点２
１８−２１６℃〕の９−ヒドロキン体を４１ｗｑ、収率
６８％で得た。

実施例６ （Ｒ）　−２−アセチル−２−アセトキシ−１゜２．３
．４−テトラヒドロ−５，８−ジメトキシナフタレン〔
〔α）Ｄ−４５，６°（ｃ＝１．０　　。

ＣＨＣＬ３）　　’］　（１００岬）を実施例−５と同
様の方法で反応させ後処理を行なうことにより９（Ｒ）
−アセチル−６，９，１１−）リヒドロキシー７．８，
９．１０−テトラヒドロ−５，１２−ナフタセンジオン
〔融点２１６−２１８℃〕を５４ｑ、収率４５％で得た
。このものの旋光度は−７８，８°　（ｃ＝０．１゜Ｃ
ＨＣＬ３）であり９０％ｅｅのものが得られた。

実施例７ （Ｒ）　−２−アセチル−２−アセトキシ−１、、２、
３、４−テ；−ラヒドロー５．８−ジメトキシナフタレ
ン（１００■）＝を実ｍ例−５と同様の方法で５時間反
応させ、後処理を行なうことにより９（Ｒ）−アセチル
−９−アセトキシ−６，１１−ジヒドロキシ−７，８゜
９、ＩＯ−テトラヒドロ−５，１２−ナフタセンジオン
を５３岬、収率３９，３％で得た、〔融点２４７−２４
９℃、ＩＲ（Ｎｕｊｏｌ）ｙ””−１）：　１７５０．
１７ａ０．１１０．１６００〔α〕２０−６７．３’（
ｃ　＝０．１　、　ＣＨＣ２ａ　）　、質量分析Ｍ”８
９４〕又、副生成物として９（Ｒ）−アセチル−６゜９
．１１−トリヒドロキシ−７，８，９。

、１０−テトラヒドロ−５，１２−ナフタセンジオンを
１３ｗｑ、収率１０，８％で得た。

実施例８ ２−アセトキシ−２−カルボメトキシ−１゜２．３．４
−テトラヒドロ−５，８−ジメトキシナフタレン（１０
０ｑ　）ヲ実ｍｉ例５．！＝同様の方法で反応させ、後
処理を行なうことにより９−力！レボメトキシ−６，９
，ＬＬ−トリヒドロキシ−７，８，９，１０−テトラヒ
ドロナフタセン−５，１２−ジオン全５３岬、収率４４
．５％で得た。〔融点２１〇−２１４℃、ＩＲ（Ｎｕｊ
ｏｌ）ｖ””　”　８５００　、８４７０　。

１７４５．１７２０．１６１０．１６００　　質量分析
＋

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＾１はアセチル基または低級アルコキシカル
   ボニル基を意味し、Ｒ＾２はＯＲ＾３（Ｒ＾３は水素原
   子または水酸基の保護基を意味する。）またはＮＨＣＯ
   Ｒ＾４｛Ｒ＾４は低級アルキル基、低級ハロゲノアルキ
   ル基または ▲数式、化学式、表等があります▼（Ｘは水素原子また
   はハロゲン原 子を意味する。）を意味する。｝を意味す る。〕 で示される化合物を、ルイス酸の存在下でフタル酸ジク
   ロライドと反応させることを特徴とする一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｒ＾１およびＲ＾２は前記と同じ意味を有する
   。〕 で示されるテトラヒドロナフタセン誘導体の製造法。