JPS62128524A - Vertical type semiconductor thermal treatment equipment with reaction tube having multiple structure - Google Patents
Vertical type semiconductor thermal treatment equipment with reaction tube having multiple structureInfo
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- JPS62128524A JPS62128524A JP26864885A JP26864885A JPS62128524A JP S62128524 A JPS62128524 A JP S62128524A JP 26864885 A JP26864885 A JP 26864885A JP 26864885 A JP26864885 A JP 26864885A JP S62128524 A JPS62128524 A JP S62128524A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、反応管を多重構造とし、半導体ノ、（板の
積載手段とともに移動する内部反応管に不活性ガスを充
満させて外気の流入を防止する縦型゛１′−導体熱処理
装置に関する。[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] This invention has a multi-layer structure for reaction tubes, and the internal reaction tube, which moves together with the plate loading means, is filled with an inert gas to allow outside air to flow in. The present invention relates to a vertical type 1'-conductor heat treatment apparatus that prevents.
゛ト導体ノ１（板、たとえば、シリコンウェーハ（以下
、ウェーハという）は、ウェーハポートのような積載ｒ
段に積載されて、縦型半導体熱処理装置の反応管内に搬
入される。そして、酸素ガス、水素ガスのような反応カ
スが、１２００ ’Ｃ程度に加熱された反Ｉ５管内に供
給され、酸化、拡散、ＣｖＤ等の所定の熱処理（化学処
理も含める）が、ウェーハに施される０反応管内に供給
される反応ガスの純度は、熱処理の結果に大きく影響す
る。そして、膜厚および膜質の不均一、導通不良等を防
止して、高い歩留りを確保するために、極めて高純度の
反ｊ５ガスが、反応管内に供給される。゛The conductor No. 1 (plate, for example, a silicon wafer (hereinafter referred to as wafer) is
They are stacked in stages and transported into a reaction tube of a vertical semiconductor heat treatment apparatus. Reaction residues such as oxygen gas and hydrogen gas are then supplied into the I5 tube heated to about 1200'C, and the wafer is subjected to predetermined heat treatments (including chemical treatments) such as oxidation, diffusion, and CvD. The purity of the reaction gas supplied into the reaction tube greatly influences the result of the heat treatment. In order to prevent non-uniformity in film thickness and film quality, poor conductivity, etc., and to ensure a high yield, extremely high-purity anti-J5 gas is supplied into the reaction tube.
縦型半導体熱処理装置の主要部分は、通常、クリーンル
ーム内に配置され、高性能フィルターによって処分に浄
化された空気が、クリーンルームに供給される。しかし
、塵芥、水分等の不純物を５空気から完全に排除するこ
とは極めて難しい。The main parts of vertical semiconductor heat treatment equipment are usually located in a clean room, and air purified by high-performance filters is supplied to the clean room. However, it is extremely difficult to completely eliminate impurities such as dust and moisture from the air.
そのため、不純物が、クリーンルーム内の空気中に、僅
かとはいえ、包含されている。Therefore, impurities are contained in the air inside the clean room, albeit in small quantities.
ところで、ウェーハは、垂直方向に離間して、ウェーハ
ポート上に積載され、熱処理工程の前後に、８００°Ｃ
程度に降温された反応管に搬入または搬出される。反応
管は、北端、または、下端が聞目し、開口は、バリヤー
と呼ばれるカバーによって、通常、閉塞されている。た
とえば、反応管のＥ端が開口していれば、ウェーハ搬入
のために。Incidentally, the wafers are stacked on wafer ports with vertical separation and heated to 800°C before and after the heat treatment process.
The sample is transported into or removed from a reaction tube whose temperature has been lowered to a certain degree. The reaction tube has its north end or lower end open, and its opening is usually closed with a cover called a barrier. For example, if the E end of the reaction tube is open, it can be used for loading wafers.
バリヤーが除去されて、反応管の上端開口を開放した後
、ウェーハポートが、反応管内に降下される。そして、
上端開口は、ウェーハポートとともに降ドするカバーに
よって閉じられる。所定の熱処理が施された後、ウェー
ハ搬出のためにウェーハポートが上昇されると、カバー
は、ウェーハポートとともに上昇し、上端開口が解放さ
れる。ウェーハポートが、反応管から搬出された後、バ
リヤーによって、反応管は、閉じられる。その後。After the barrier is removed to open the top opening of the reaction tube, the wafer port is lowered into the reaction tube. and,
The top opening is closed by a cover that descends with the wafer port. After a predetermined heat treatment is performed, when the wafer port is raised to carry out the wafer, the cover is raised together with the wafer port, and the upper end opening is opened. After the wafer port is removed from the reaction tube, the reaction tube is closed by a barrier. after that.
次の熱処理のために、ウェーハを積載したウェーハポー
トが、反応管の上方に搬送され１反応管の搬入が再開さ
れるまで、反応管は閉塞される。For the next heat treatment, the wafer port loaded with wafers is transported above the reaction tube, and the reaction tube is closed until the loading of one reaction tube is resumed.
しかし、ウェーハの搬入比のために、反応管の上端開口
または下端開口が解放されると、クリーンルームの、常
温の、空気が、開口を介して１反応管内に瞬時に流入す
る。また、ウェーハ搬入の際、クリーンルームの空気が
、ウェーハポート−ヒのウェーハ間に介在して、ウェー
ハとともに反応管内に流入される。However, due to the loading ratio of wafers, when the upper end opening or the lower end opening of the reaction tube is opened, room temperature air from the clean room instantly flows into one reaction tube through the opening. Furthermore, when carrying in wafers, air from the clean room is interposed between the wafers in the wafer port and flows into the reaction tube together with the wafers.
熱処理は、反応管の周りに配設したヒートコイルに通電
し１反応管を１２００°Ｃ程度に加熱してなされる。そ
して、熱処理後、ヒートコイルの通電を停止卜し、反応
管が８００℃程度に降温して、ウェーハの搬入比が行な
われる。そのため、流入した空気（外気）は１反応管の
余熱によって、加熱される。The heat treatment is performed by heating one reaction tube to about 1200° C. by energizing a heating coil disposed around the reaction tube. After the heat treatment, the power supply to the heating coil is stopped, the temperature of the reaction tube is lowered to about 800° C., and the wafer loading ratio is performed. Therefore, the air (outside air) that has flowed in is heated by the residual heat of one reaction tube.
ウェーハ搬入出の際、ウェーハは、クリーンルームの常
温の外気と高温の反応管との間を搬送される。そして、
急−熱、急冷によってウェーハに割れ、ひずみ等が生じ
ないように、ウェーハポートは、５０ないし１ｏｏａ＋
ｍ／ｗｉｎといった低速で昇降される。しかし、上記の
ように、外気が反応管内に流入し、加熱されるため、加
熱された外気によって、搬入用−［程において、ウェー
ハに化学反応が生じ、ウェーハ１に酸化膜等が生成され
る弊害が従来から指摘されている。ウェーハの搬入小時
、特に搬入時、における外気の流入は、歩留りを低下さ
せる。つまり、熱処理前に酸化膜がウェーハＥに生成さ
れると、この不要な酸化膜の丘に、熱処理［程において
、所定の酸化膜が形成される。そのため、熱処理後にお
いて、不要な酸化膜を、所定の酸化膜の内部から除去す
ることはできず、ウェーハは不良品として処分せざるを
得ない。When loading and unloading wafers, the wafers are transported between the room-temperature outside air of the clean room and the high-temperature reaction tube. and,
To prevent wafers from cracking or becoming distorted due to rapid heating or cooling, the wafer ports should be
It is raised and lowered at a low speed of m/win. However, as mentioned above, since the outside air flows into the reaction tube and is heated, the heated outside air causes a chemical reaction on the wafer during the loading process, and an oxide film etc. are formed on the wafer 1. The disadvantages have long been pointed out. The inflow of outside air when the wafers are being carried in, particularly when they are being carried in, reduces the yield. That is, if an oxide film is formed on the wafer E before the heat treatment, a predetermined oxide film is formed on the unnecessary ridges of the oxide film during the heat treatment. Therefore, after the heat treatment, the unnecessary oxide film cannot be removed from inside the predetermined oxide film, and the wafer has no choice but to be disposed of as a defective product.
加えて５．、ｌ：記のように、クリーンルーム内の空気
は、塵芥、水分等の不純物によって、僅かとはいえ、汚
染されている。そのため１反応管に流入する外気は、不
要な酸化膜を形成するだけでなく、反応管に供給された
高純度の反応ガスを汚染し、膜厚の不均一、導通不良等
を生じ、歩留りの低下を招く。In addition 5. , l: As mentioned above, the air in a clean room is contaminated by impurities such as dust and moisture, albeit slightly. Therefore, the outside air flowing into the reaction tube not only forms an unnecessary oxide film, but also contaminates the high-purity reaction gas supplied to the reaction tube, causing uneven film thickness, poor conductivity, etc., and reducing the yield. causing a decline.
また、最近では、クリーンルームのほぼ常温の空気に起
因する化学反応による悪影響が注目されている。ウェー
ハポートが、＊入山のために、クリーンルーム内を移送
される際、空気中の不純物と化学反応して不要な酸化膜
等がウェーハに形成される点が指摘されている。In addition, recently, attention has been paid to the adverse effects of chemical reactions caused by air at approximately room temperature in clean rooms. It has been pointed out that when the wafer port is transported through a clean room to enter the mountain, unnecessary oxide films and the like are formed on the wafer due to chemical reactions with impurities in the air.
たとえば、ウェーハは、ウェーハカセットにセットする
以前において、クリーンルーム内の空気にさらされ、空
気中の不純物と化学反応して不要な酸化ｎＱ等がウェー
ハに形成される。そのため、従来から、ウェーハを移送
する前に、ウェーノ＼の表面を研府し、酸化膜等を予め
除去している。For example, before the wafer is set in a wafer cassette, the wafer is exposed to air in a clean room, and chemically reacts with impurities in the air to form unnecessary oxidized nQ and the like on the wafer. For this reason, conventionally, the surface of the wafer is polished to remove oxide films and the like before transferring the wafer.
しかし、搬入の移送工程において、ウェー／＼は、ウェ
ーハ移送手段によって、ウェーハカセットからウェーハ
ポートに移され、その後、ウェーハポートが反応管内に
移送される。また、搬出の移送工程は、逆の手順を辿っ
てなされる。ここで。However, in the loading transfer step, the wafer /\ is transferred from the wafer cassette to the wafer port by the wafer transfer means, and then the wafer port is transferred into the reaction tube. Moreover, the transfer process for carrying out is performed by following the reverse procedure. here.
ウェーハ移送手段は、縦型半導体熱処理装置に隣接して
配設され、各移送工程は迅速になされる。The wafer transfer means is disposed adjacent to the vertical semiconductor heat processing apparatus, and each transfer step is performed quickly.
しかしながら、ウェーハの搬入出のために反応管は降１
ｇｌされるとはいえ、 ８００ ’０程度の反応管内に
、ウェーハは搬入出される。そして、急激な温度変化に
よって熱ひずみがウェーハに発生するのを防止するため
に、ウェーハポートは、５０ないし１００ ｆｆ１ｌ／
ｗｉｎの低速で昇降され、２０分程度が昇降のために費
やされる。そして、ウェーハは、ウェーハカセットから
ウェーハホードへの移送中に加えて、このシ１．降中も
クリーンルーム内でほぼ常温の空気にさらされる。その
ため、空気中の不純物、たとえば、０１、Ｈ，Ｏと化学
反応して不°麦な酸化膜等がウェーハに形成される。However, the reaction tubes were lowered due to the loading and unloading of wafers.
The wafers are transported in and out of the reaction tube, which has a diameter of approximately 800'. In order to prevent thermal strain from occurring in the wafer due to sudden temperature changes, the wafer port is designed to have a 50 to 100 ff1l/
The robot is raised and lowered at a slow speed of 20 seconds, and it takes about 20 minutes to go up and down. In addition to being transferred from the wafer cassette to the wafer hoard, the wafers are transferred from this stage 1. Even during descent, they are exposed to air at approximately room temperature in the clean room. Therefore, an undesirable oxide film or the like is formed on the wafer due to a chemical reaction with impurities in the air, such as 01, H, and O.
ウェーハの搬入小時における外気の流入を防止するため
に、ガスシャワーを利用した外気流入防止方法が広く採
用されている。ガスシャワーを利用する外気流入防止方
法は、反応管がほぼ水平に配設された横型゛ト導体熱処
理装置のために開発され、縦型半導体熱処理装置に転用
されている。In order to prevent the inflow of outside air when wafers are being carried in, a method of preventing outside air inflow using a gas shower is widely adopted. A method of preventing inflow of outside air using a gas shower was developed for horizontal conductor heat treatment equipment in which reaction tubes are arranged almost horizontally, and has been applied to vertical semiconductor heat treatment equipment.
ガスシャワーを利用した外気流入防止方法では、反応管
の開口に隣接して、たとえば、スカベンジャーボックス
が配置され、スカベンジャーボックス内にガスシャワー
が設けられる。つまり、高圧の不活性ガスが、スカベン
ジャーボックスに導入され、ウェーハに浴びせられてガ
スシャワーを形成する。そして、ウェーハポート上のウ
ェーハ間に介在する外気を、不活性ガスとともに、排気
管に吸引して、排除した後、ウェーハが反応管内に搬入
される。このようなガスシャワーによれば、ウェーハ間
に介在する外気の流入が防止できるだけでなく、ウェー
ハ搬入出時での開口の解放に伴なう外気の流入も防［ヒ
できる。In a method for preventing outside air inflow using a gas shower, for example, a scavenger box is placed adjacent to the opening of the reaction tube, and a gas shower is provided within the scavenger box. That is, high pressure inert gas is introduced into the scavenger box and directed onto the wafer to form a gas shower. Then, after the outside air interposed between the wafers on the wafer port is sucked into the exhaust pipe together with an inert gas and removed, the wafer is carried into the reaction tube. Such a gas shower not only prevents outside air from flowing in between the wafers, but also prevents outside air from flowing in when openings are opened when loading and unloading wafers.
しかし、公知のガスシャワーによる外気流入防止方法で
は、外気の流入はある程度防止されるが、必ずしも十分
でない。これは以下の理由によるものと考えられる。However, although the known method of preventing the inflow of outside air using a gas shower prevents the inflow of outside air to some extent, it is not necessarily sufficient. This is considered to be due to the following reasons.
ウェーハの搬入出に際しても、反応管の内部温度は、８
００℃近くあるため、高温の反応ガスが、解放されてい
る反応管の開口から流出しようとする。反応ガスが高温
であるのに対して、不活性ガスは常温下で供給されるた
めに、反応ガスと不活性ガスとの間に大きな温度差が存
在する。そのため、大きな温度差が障害となり、反応管
の開口付近において、不活性ガスが、反応ガスと円滑に
混合せず、渦を生じて局部的に負圧化される。特に、本
来、反応ガスは、ミクロ的に見ると、反応管内を均一に
分布して流れておらず、比較的大きな負圧が生じる。ガ
スシャワーは、流入しようとする外気の流れを横切って
流れており、開ｌ」の断面積が大きいため、負圧による
吸引力が、カスシャワーに局部的に打勝って、外気を反
応管内に導く傾向にある。そのため、外気の流入を上方
に防１ヒすることが難しい。Even when loading and unloading wafers, the internal temperature of the reaction tube remains at 8.
Since the temperature is close to 00° C., the high temperature reaction gas tends to flow out from the open opening of the reaction tube. While the reactive gas is at a high temperature, the inert gas is supplied at room temperature, so there is a large temperature difference between the reactive gas and the inert gas. Therefore, the large temperature difference becomes a hindrance, and the inert gas does not mix smoothly with the reaction gas near the opening of the reaction tube, creating a vortex and creating a local negative pressure. In particular, from a microscopic perspective, the reaction gas does not flow uniformly in the reaction tube, and a relatively large negative pressure is generated. The gas shower flows across the flow of outside air that is about to flow in, and because the cross-sectional area of the opening is large, the suction force due to negative pressure locally overcomes the gas shower, forcing the outside air into the reaction tube. tend to lead. Therefore, it is difficult to prevent outside air from flowing upward.
更に、従来技術においては、クリーンルームにおける搬
入出の移送工程での、クリーンルームのほぼ常温の空気
に起因する化学反応を防ｌ卜するイ１効な手段は提供さ
れていない。Furthermore, the prior art does not provide an effective means for preventing chemical reactions caused by the air at approximately room temperature in the clean room during the transport process of carrying in and out of the clean room.
この発明は、１１１２人出工程での外気の流入を防止す
るとともに、搬入出の移送−［程での常温空気に起因す
る化学反応を防止する縦型半導体熱処理装置の提供を目
的としている。The object of the present invention is to provide a vertical semiconductor heat treatment apparatus that prevents the inflow of outside air during the 1112-person production process and prevents chemical reactions caused by room temperature air during the transport process.
〔発１月の概略〕 この目的を達成するため、この発明によれば。[Summary of departure in January] To achieve this objective, according to the invention.
反応管は多重構造に構成されている。つまり、反応管は
、炉体に着脱自在に支持されてほぼ垂直にのびた外部反
応管と、半導体基板の積載手段、たとえばウェーハポー
トを収納しウェーハポートとともに外部反応管内に搬入
用ぎれる内部反応管とを備えている。そして、不活性ガ
ス供給手段が、内部反応管に不活性ガスを供給するよう
に配設されている。The reaction tube has a multilayer structure. In other words, the reaction tube consists of an outer reaction tube that is removably supported by the furnace body and extends almost vertically, and an inner reaction tube that houses a semiconductor substrate loading means, such as a wafer port, and is carried into the outer reaction tube together with the wafer port. It is equipped with Further, an inert gas supply means is arranged to supply an inert gas to the internal reaction tube.
以下、図面を参照しながらこの発明の実施例について詳
細に説明する。Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
：５１図に示すように、この発明に係る縦型半導体熱処
理装置１０は、炉体１２内に配設された反応管１４を具
備している。そして、反応管１４は、炉体１２に着脱自
在に支持されてほぼ垂直にのびた外部反応管Ｌ６と、外
部反応管内に搬入用される内部反応管１日とを備えたー
二重構造をしている。ウェーハ２０の積載されたウェー
ハポート２２が、内部反応管１８内に収納されて、内部
反応管とともに搬送される。反応管１４は、二重構造に
限定されず、たとえば、外部反応管１Ｂ、内部反応管１
８のいずれか、または、両者を二重構造にして、反応管
を三重以上の多重構造にしてもよい、実施例では、反応
管１４は、上端が開口された、いわゆるＬ縮開ロタイブ
に形成されているが、′Ｆ：端開口開ロタイブ成しても
よい。As shown in FIG. The reaction tube 14 has a double structure including an outer reaction tube L6 that is detachably supported by the furnace body 12 and extends almost vertically, and an inner reaction tube L6 that is carried into the outer reaction tube. ing. The wafer port 22 loaded with wafers 20 is housed in the internal reaction tube 18 and transported together with the internal reaction tube. The reaction tube 14 is not limited to a double structure; for example, an outer reaction tube 1B, an inner reaction tube 1
Either or both of 8 may be made into a double structure to give the reaction tube a triple or more multilayer structure. In the embodiment, the reaction tube 14 is formed into a so-called L-condensation rotary tube with an open upper end. However, it is also possible to form a rotary tube with an open end.
第２図からよくわかるように、縦型゛ト導体熱処理装置
１０は、内部反応管１８に不活性ガスを供給する不活性
ガス供給１段２４を具備している。供給される不活性ガ
スは、空気との比重差から、内部反応管１８内に留まっ
て容易に充満するように、選らばれる。たとえば、実施
例では、反応管１４は上端間ロタイブに構成され、外部
反応管１６は上端が開口し、内部反応管１８は下端が開
口している。そのため、実施例では、空気より比重の小
さなヘリウムガスが不活性ガスとして利用されている。As can be clearly seen from FIG. 2, the vertical conductor heat treatment apparatus 10 is equipped with an inert gas supply stage 24 for supplying an inert gas to the internal reaction tube 18. The inert gas to be supplied is selected so that it remains in the internal reaction tube 18 and easily fills it due to its specific gravity difference with air. For example, in the embodiment, the reaction tube 14 is rotatable from top to bottom, the outer reaction tube 16 is open at the top, and the inner reaction tube 18 is open at the bottom. Therefore, in the embodiment, helium gas, which has a smaller specific gravity than air, is used as the inert gas.
ヘリウムガスの代りに、窒素ガス、ネオンガス等を利用
してもよい、また、下端間ロタイブの反応管では、空気
より比重の大きなアルゴンガス、クリプトンガス、キセ
ノンガスが不活性ガスとして内部反応管に供給されるこ
とはいうまでもない、更に、下端間ロタイブにおいて、
比重差を考慮せず、安価な窒素ガスを常時供給して、充
満させてもよい、ヘリウムガスは、制御弁２８で制御さ
れ、導管２日、および、ロッド３０に形成された流路３
２を介し、て、内部反応管１８に供給される。なお、ロ
ッド３０は、内部反応管１８の基盤３３に固定されてい
る。また、カップリング２７がロッド３０に取付けられ
、環形溝２９が、カンプリングの内壁に形成されている
。そして、流路３２は、環形溝２９を介して、導管２日
に連通されている。このような構成では、内部反応管１
８が、８処理中、回転されても、導管２８と流路３２と
の連通が確保される。Nitrogen gas, neon gas, etc. may be used instead of helium gas. Also, in a reaction tube with a rotary tube between the bottom ends, argon gas, krypton gas, or xenon gas, which has a higher specific gravity than air, is used as an inert gas in the internal reaction tube. Needless to say, it is supplied, and furthermore, in the rotaib between the lower ends,
Helium gas, which may be filled by constantly supplying inexpensive nitrogen gas without considering the difference in specific gravity, is controlled by a control valve 28 and flows through the conduit 2 and the flow path 3 formed in the rod 30.
2 to the internal reaction tube 18. Note that the rod 30 is fixed to the base 33 of the internal reaction tube 18. A coupling 27 is also attached to the rod 30 and an annular groove 29 is formed in the inner wall of the coupling. The flow path 32 is communicated with the conduit 2 via the annular groove 29. In such a configuration, the internal reaction tube 1
8 is rotated during the 8 process, communication between the conduit 28 and the flow path 32 is ensured.
第１図および第３図に示すように、ウェーハポート２２
は、ロッド３１の上端に固定されて半径方向外方に延び
たフランジ（外方フランジ）３４ヲｌ工ている。そして
、外方フランジ３４から複数の、実施例では、等角的に
４個の、係止片３Ｂが延出している。ここで、外方フラ
ンジ３４を省略し、ロッド３Ｉから係に１片３Ｂを直接
通出させてもよい。ロッド３１の下端に、ウェーハポー
ト本体３８が固定され、ウェーハポート本体は、垂直方
向に等間隔離間された多数のシェルフ（棚）を持ち、ウ
ェーハ２０がシェルフに支持されている。As shown in FIGS. 1 and 3, the wafer port 22
A flange (outer flange) 34 is fixed to the upper end of the rod 31 and extends radially outward. A plurality of locking pieces 3B, four in the embodiment, extend equiangularly from the outer flange 34. Here, the outer flange 34 may be omitted and the piece 3B may be directly passed through the rod 3I. A wafer port body 38 is fixed to the lower end of the rod 31, and the wafer port body has a number of vertically equally spaced shelves, and the wafers 20 are supported on the shelves.
また、内部反応管１８は、半径方向内方にのびたフラン
ジ（内方フランジ）４２を有している。そして、係ｌＥ
片３日の超過可能な切欠き４４が、内方フランジ４２に
形成されている。Further, the internal reaction tube 18 has a flange (inner flange) 42 extending radially inward. And, staff LE
A cut-out 44, which can be cut over three days per side, is formed in the inner flange 42.
ウェーハ２０が、ウェーハ移送装７ｔ（図示しない）に
よって、ウェーハカセット（図示しない）からウェーハ
ポート２２に移された後、ウェーハポートは、以下のよ
うにして、内部反応管１８に収納される。After the wafer 20 is transferred from the wafer cassette (not shown) to the wafer port 22 by the wafer transfer device 7t (not shown), the wafer port is stored in the internal reaction tube 18 as follows.
まず、所定位置に懸下された内部反応管１Ｂの切欠き４
４に、ウェーハポート２２の係止片３Ｇが整列される。First, cut out the notch 4 of the internal reaction tube 1B suspended in a predetermined position.
4, the locking pieces 3G of the wafer port 22 are aligned.
それから、ウェーハポート２２が上昇され１、係止片３
Ｂが切欠き４４を通過した後、ウェーハポート２２は、
たとえば、−ヒから見て時計方向に４５度向回転れ、降
下される。すると、係止片３８は内方フランジ４２に係
止され、ウェーハポートが内部反応管１８内に収納され
る。ここで、ウェーハポート２２がと昇、回転される代
りに、内部反応管１Ｂを降下、回転してもよい、また、
ウェーハポート２２が内部反応管１８に係ローされ、収
納される構成は、係１Ｆ片３６と内方フランジ４２の組
合せに限定されない。内部反応管１８の回転中でのウェ
ーハポート２２の脱落防上手段を設けることが好ましい
。脱落防上手段は、たとえば、係合可能な凹凸部を備え
て構成され、四部は係止片の下面に、凸部は内方フラン
ジ４２の上面にそれぞれ設けられる。このような脱落防
上手段によれば、ウェーハポート２２は、内部反応管１
８に確実に支持され、脱落が十分に防止される。Then, the wafer port 22 is raised 1 and the locking piece 3
After B passes through the notch 44, the wafer port 22
For example, when viewed from -H, it is rotated 45 degrees clockwise and lowered. Then, the locking piece 38 is locked to the inner flange 42, and the wafer port is accommodated within the internal reaction tube 18. Here, instead of raising and rotating the wafer port 22, the internal reaction tube 1B may be lowered and rotated.
The configuration in which the wafer port 22 is engaged with and accommodated in the internal reaction tube 18 is not limited to the combination of the engagement 1F piece 36 and the inner flange 42. It is preferable to provide means for preventing the wafer port 22 from falling off while the internal reaction tube 18 is rotating. The drop-off prevention means is configured to include, for example, engageable concavo-convex portions, with four portions provided on the lower surface of the locking piece and a convex portion provided on the upper surface of the inner flange 42, respectively. According to such fall prevention means, the wafer port 22 is connected to the internal reaction tube 1.
8, and is fully prevented from falling off.
反応ガスのための流出孔４５が、内部反応管３３の基盤
３３に形成されている。流出孔４５は、基盤３３上にお
かれて内部反応管１８とともに昇降する反応管用カバー
４６によって１通常、閉塞される。そして、後述するよ
うに、内部反応管１８が下降し、カバー４６が、外部反
応管の支持フランジ４７に支持されて基盤３３から離反
されると、流出孔４５は開放される。Outflow holes 45 for the reaction gas are formed in the base 33 of the internal reaction tube 33. The outflow hole 45 is normally closed by a reaction tube cover 46 placed on the base 33 and raised and lowered together with the internal reaction tube 18 . Then, as will be described later, when the inner reaction tube 18 is lowered and the cover 46 is supported by the support flange 47 of the outer reaction tube and separated from the base 33, the outflow hole 45 is opened.
ウェーハポート２２が内部反応管１８に収納され、カバ
ー４６が内部反応管１８の基盤３３におかれて流出孔４
５を閉塞した後、不活性カス供、給ｆ段２４が作動し、
ヘリウムガスが内部反応管１８に供給される。The wafer port 22 is housed in the internal reaction tube 18, and the cover 46 is placed on the base 33 of the internal reaction tube 18 to open the outflow hole 4.
After closing 5, the inert scum supply and feed f stage 24 are activated,
Helium gas is supplied to the internal reaction tube 18.
ヘリウムガスは、制御ゴｆ２６、導管２８、流路３２を
介して、内部反応′ｉ？１３に流入する。ここで、内部
反応管１８の北端は基盤３３によって閉じられ、基盤に
穿孔された流出孔４５が、カバー４６で閉じられている
ため、ヘリウムガスは、内部反応管の上端から流出しな
い、また、ヘリウムガスは空気より比重が小さいため、
内部反応管内に充満された後でなければ、内部反応管の
ド端開口１９から流出しない、他方、内部反応管１８内
の空気は、ヘリウムガスが供給されるにつれて、比玉差
から下方に押され下端開口１９から外部に押出される。The helium gas is supplied to the internal reaction 'i? 13. Here, the north end of the internal reaction tube 18 is closed by the base 33, and the outflow hole 45 bored in the base is closed with the cover 46, so that the helium gas does not flow out from the upper end of the internal reaction tube. Helium gas has a lower specific gravity than air, so
Only after the inner reaction tube has been filled can it flow out from the end opening 19 of the inner reaction tube.On the other hand, the air in the inner reaction tube 18 is forced downwardly from the ratio difference as helium gas is supplied. and is pushed out from the lower end opening 19.
そして、ヘリウムガスが内部反応管１８に充満された時
点では。Then, at the time when the internal reaction tube 18 is filled with helium gas.
空気が内部反応管内に残存する余地はなく、内部反応管
内のウェーハ２０は、空気から隔離される。There is no room for air to remain in the inner reaction tube, and the wafers 20 within the inner reaction tube are isolated from the air.
そのため、ウェーハ２０が外部反応管Ｉ６に搬入される
以前に、クリーンルームのほぼ常温の空気に起因する化
学反応が、ウェーハに生じない、また、空気が、ウェー
へ間に介在して、外部反応管に流入する可能性はない。Therefore, before the wafer 20 is carried into the external reaction tube I6, no chemical reaction occurs on the wafer caused by the air at approximately room temperature in the clean room, and air is interposed between the wafer and the external reaction tube I6. There is no possibility that it will flow into
ヘリウムガスが、内部反応管１８に充満されると、制御
弁２８は、一旦閉じられる。それから、ヘリウムガスの
充満された内部反応管１８は、ウェーハポート２２とと
もに、クリーンルーム内を移送されて、外部反応管１８
の上方に移され、外部反応管内に徐々に降下される。降
下中、制御弁２Ｂが開かれ、ヘリウムガスが再度供給さ
れる。一旦閉じることなく、制御弁２６を継続して開放
してもよい、過度に供給されたヘリウムガスは、内部反
応管１８の降下中、内部反応管の下端開口１８から外部
反応管１６に流出する。そして、ヘリウムガスは、第１
図に矢視で示すように、反応管１８．１８の隙間を上昇
し、外部反応管１６の上端開口１５から流出し、炉体１
２の上方に配置されたスカベンジャーボックス（図示し
ない）に流入する。上端開口１５から流出するヘリウム
ガスは、一種のガスシャワーを上端開口に形成する。そ
して、ヘリウムガスからなるガスシャワーは、流込しよ
うとする外気の流れに逆らって流れる。そのため、外気
の流れに対して、ヘリウムガスの流れは大きな抵抗力を
生じる。また、上端開口１５が内部反応管１８によって
閉じられ、反応管１８．１８間に僅かな環形空間が残さ
れるにすぎない、そして、外気の流入しようとする流路
は、この小ざな環形空間にすぎない。このように、外気
の流れに対して大きな抵抗力が、作用するに加えて、１
１ｉｆ、路が狭いため、ウェーハ２ｏの搬入工程での、
外部反応管１６への空気の流入が、（−分に防１ヒされ
る。Once the internal reaction tube 18 is filled with helium gas, the control valve 28 is temporarily closed. Then, the inner reaction tube 18 filled with helium gas is transported inside the clean room together with the wafer port 22, and the outer reaction tube 18 is transferred to the wafer port 22.
and gradually lowered into the outer reaction tube. During descent, control valve 2B is opened and helium gas is supplied again. The control valve 26 may be continuously opened without being closed once, and the excessively supplied helium gas flows out from the lower end opening 18 of the inner reaction tube to the outer reaction tube 16 during the descent of the inner reaction tube 18. . And helium gas is the first
As shown by the arrow in the figure, it rises through the gap between the reaction tubes 18.18, flows out from the upper end opening 15 of the outer reaction tube 16, and flows into the furnace body
into a scavenger box (not shown) located above 2. The helium gas flowing out from the top opening 15 forms a kind of gas shower at the top opening. The gas shower made of helium gas flows against the flow of outside air. Therefore, the flow of helium gas generates a large resistance force against the flow of outside air. In addition, the upper end opening 15 is closed by the internal reaction tube 18, leaving only a small annular space between the reaction tubes 18 and 18, and the flow path through which the outside air is to enter is in this small annular space. Only. In this way, in addition to a large resistance force acting against the flow of outside air, 1
1if, because the path is narrow, in the loading process of wafer 2o,
The inflow of air into the external reaction tube 16 is prevented for -1 minutes.
ヘリウムガスは、流路３２を流れた後、基盤３３の直ド
で、内部反応管１８に直ちに放出されている。After the helium gas flows through the channel 32, it is immediately discharged into the internal reaction tube 18 directly from the base plate 33.
しかし、外部反応管ＩＢの余熱を利用して加熱した後、
ヘリウムガスを放出することが好ましい、たとえば、第
１図に示すように、内部反応管１８の内壁に沿って下端
まで延出した後、上端までヴち上る導管３５を、内部反
応管内に配設することが好ましい、この導管３５は、一
端が流路３２に連結され、他端が基盤３３の直下で開口
されている。このような構成では、流路３２から導管３
５に流入したヘリウムガスは、導管内を流れる際、外部
反応管１Ｂがらの余熱によって加熱される。ヘリウムガ
スは、加熱され膨張することにより、外気の流入に抗す
る抵抗力が増し、外気の流入が一層防止される。もし、
内部反応管１８に充満する以前にヘリウムガスが下端開
口１９から流出すれば、負圧が内部反応管に生じて、外
気の流入を招く虞れがある。しかし、加熱されて軽くな
ったヘリウムガスは、充満した後でなければ、下端開口
１８から流出しない、そのため、負圧の生じる余地がな
く、外気の流入が十分に防止される。なお、導管３５を
内部反応管１８内で蛇行して配置すれば、加熱時間が増
し、ヘリウムガスが効果的に加熱される。特に、導管３
５の下端部を蛇行させるとよい。また、導管３５は、壁
面に沿って配設されれば足り、内壁でなく、外壁に沿っ
て配設してもよい。However, after heating using the residual heat of the external reaction tube IB,
Preferably, a conduit 35 for discharging helium gas is provided in the inner reaction tube, for example, as shown in FIG. Preferably, this conduit 35 is connected to the channel 32 at one end and opened directly below the base 33 at the other end. In such a configuration, from the flow path 32 to the conduit 3
When the helium gas flowing into the tube 5 flows through the conduit, it is heated by residual heat from the external reaction tube 1B. When helium gas is heated and expanded, its resistance against the inflow of outside air increases, and the inflow of outside air is further prevented. if,
If the helium gas flows out from the lower end opening 19 before the internal reaction tube 18 is filled, negative pressure may be generated in the internal reaction tube, leading to the inflow of outside air. However, the heated and lightened helium gas does not flow out from the lower end opening 18 until after it is filled, so there is no room for negative pressure to occur and the inflow of outside air is sufficiently prevented. Note that if the conduit 35 is arranged in a meandering manner within the internal reaction tube 18, the heating time will be increased and the helium gas will be effectively heated. In particular, conduit 3
It is better to make the lower end of 5 meander. Furthermore, it is sufficient that the conduit 35 is disposed along the wall surface, and may be disposed along the outer wall instead of the inner wall.
カバー４６が外部反応管の支持フランジ４７に支持され
た後も、内部反応管１８は、所定位置まで下降し続ける
。ここで、カバー４Ｂが支持フランジ４７に支持される
ことによって、反応管１４は閉塞され、その後、内部反
応′ｆ１Ｂが更に下降することによって、流出孔４５が
開放される。内部反応管１Ｂが、所定位置に下降した後
、スカベンジャーボックスの開［１を閉じて、炉体１２
を閉塞するように、バリヤーが初期位置に戻されて、ウ
ェーハの搬入が完了する。Even after the cover 46 is supported by the support flange 47 of the outer reaction tube, the inner reaction tube 18 continues to descend to a predetermined position. Here, the reaction tube 14 is closed as the cover 4B is supported by the support flange 47, and then the outflow hole 45 is opened as the internal reaction 'f1B further descends. After the internal reaction tube 1B has been lowered to a predetermined position, the scavenger box opening [1] is closed and the furnace body 12 is closed.
The barrier is returned to its initial position to close the wafer, completing loading of the wafer.
それから、外部反応管１Ｂの下端に設けられた反応ガス
導入部４Ｂから、所定の反応ガス、たとえば、水蒸気が
供給されて、ウェーハ２０に所定の熱処理が施される。Then, a predetermined reactant gas, for example, water vapor, is supplied from the reactant gas introduction section 4B provided at the lower end of the external reaction tube 1B, and the wafer 20 is subjected to a predetermined heat treatment.
水蒸気は、内部反応管１８内を上昇し、流出孔４５を介
して、反応管１４の外部に排出される。熱処理工程中、
制御弁２Ｂは閉じられ、内部反応管内のヘリウムガスは
、８処理工程の初期段階で、反応ガスとともに排出され
る。The water vapor rises within the internal reaction tube 18 and is discharged to the outside of the reaction tube 14 through the outflow hole 45 . During the heat treatment process,
The control valve 2B is closed and the helium gas in the internal reaction tube is discharged together with the reaction gas at the initial stage of the 8 processing steps.
流路３２は、熱処理工程中、利用されない、そのため、
流出孔４５を除去し、流路３２が反応ガスの排出路を兼
用するように構成してもよい、たとえば、導管２８に切
替弁を設け、反応ガスの排出用導管を切替弁に接続すれ
ば、流路３２は反応ガスの排出路を兼ねることができる
。Channel 32 is not utilized during the heat treatment process, so
The outflow hole 45 may be removed and the flow path 32 may be configured to also serve as a reaction gas discharge path. For example, if the conduit 28 is provided with a switching valve and the reaction gas discharge conduit is connected to the switching valve. , the flow path 32 can also serve as a reaction gas discharge path.
また、第１図に示すように、カバー１４６に流路１３２
を設けてもよい、内部反応管１８が所定位置に降下する
前に、カバー１４８は、支持フランジ４７に支持されて
、内部反応管から分離される。そのため、熱処理工程に
おいて、内部反応管１８が回転しても、導管２８がロッ
ド３０に巻回する虞れがない。In addition, as shown in FIG.
Before the inner reaction tube 18 is lowered into position, the cover 148 is supported on the support flange 47 and separated from the inner reaction tube. Therefore, even if the internal reaction tube 18 rotates during the heat treatment process, there is no risk that the conduit 28 will wind around the rod 30.
カバー１４６に流路１３２を設けた構成では、ウェーハ
の搬出工程において、流出孔４５と流路１３２とを整列
させる必要がある。しかし、センサー等を利用し、内部
反応管１日の回転を制御することによって、内部反応管
は、流出孔４５が流路１３２と整列した位置に、正確に
停止される。In the configuration in which the cover 146 is provided with the channel 132, it is necessary to align the outflow hole 45 and the channel 132 in the wafer unloading process. However, by controlling the daily rotation of the internal reaction tube using a sensor or the like, the internal reaction tube is accurately stopped at a position where the outflow hole 45 is aligned with the flow path 132.
熱処理工程終了後、内部反応管１８が上昇され、制御弁
２６が開かれる。内部反応管１Ｂがと昇し始めた直後に
、流出孔４５は、カバー４６によって、再度閉じられる
。そのため、ヘリウムガスが内部反応管１８に充満され
、過剰なヘリウムガスは、下端開口１８から流出し１反
応管１６．１８の隙間を上昇し、開口１５にガスシャワ
ーを形成する。そのため、搬入工程におけると同様に、
ウェーハ２０の搬出工程においても、外気が、外部反応
管ｔｅに流入せず、外部反応管内が汚染されない、また
、ヘリウムガスが内部反応管！８に充満され、ウェーハ
２０は、外気から隔離されて搬送される。そのため、搬
送工程においても、不要な化学反応が熱処理後のウェー
ハにも生じない、なお、搬出工程においても、内部反応
管１８に供給されるヘリウムガスは、外部反応管１６の
余熱によって加熱され、搬入工程において述べたように
、負圧が内部反応管に発生しない、そのため、内部反応
管１８への外気の流入が十分に防止される。After the heat treatment process is completed, the internal reaction tube 18 is raised and the control valve 26 is opened. Immediately after the internal reaction tube 1B begins to rise, the outflow hole 45 is closed again by the cover 46. Therefore, the internal reaction tube 18 is filled with helium gas, and the excess helium gas flows out from the lower end opening 18 and rises through the gap between the reaction tubes 16 and 18, forming a gas shower in the opening 15. Therefore, as in the import process,
Even in the process of carrying out the wafers 20, outside air does not flow into the external reaction tube te, and the inside of the external reaction tube is not contaminated.Furthermore, helium gas does not flow into the internal reaction tube! 8, and the wafer 20 is transported isolated from the outside air. Therefore, no unnecessary chemical reactions occur on the wafers after heat treatment during the transport process. Furthermore, even during the transport process, the helium gas supplied to the internal reaction tube 18 is heated by the residual heat of the external reaction tube 16. As mentioned in the carrying-in process, no negative pressure is generated in the internal reaction tube, so that the inflow of outside air into the internal reaction tube 18 is sufficiently prevented.
ウェーハ２０の搬出後、別のウェーハが搬入される間に
、外気が外部反応管１６に流入するのを防止するように
、不活性ガスを反応ガス導入部４８から外部反応管に供
給することが好ましい、また、ウェーハ２０の搬入出の
ために、内部反応管１８が昇降される間、不活性ガスを
反応ガス導入部４８から外部反応ＩｒＦ１１１１に補充
的に供給してもよい、不活性ガスの補充的な供給によっ
て、上端開口１５でのガスシャワーが強化され、外気の
流入が一層防止される。不活性ガスの混在を避けるため
、同一の不活性ガスが利用されことはいうまでもない。After the wafer 20 is unloaded and while another wafer is loaded, an inert gas can be supplied from the reaction gas inlet 48 to the external reaction tube 16 to prevent outside air from flowing into the external reaction tube 16. Preferably, an inert gas may be supplementarily supplied to the external reaction IrF 1111 from the reaction gas introduction part 48 while the internal reaction tube 18 is being raised and lowered for loading and unloading the wafer 20. The supplementary supply intensifies the gas shower at the top opening 15 and further prevents the inflow of outside air. Needless to say, the same inert gas is used to avoid mixing of inert gases.
反応ガス導入部４８から外部反応管に供給される不活性
ガスは、外部反応管の余熱によって、加熱される。その
ため、もし、内部反応管に供給される不活性ガスが常温
であれば、外部反応管の不活性ガスとの間に大きな比重
差が生じ、ウェーハの搬入出工程おいて、内部反応管の
不活性ガスが急激に落下する。そして、内部反応管に負
圧を生じ、外気の流入を招く虞れある。しかし、上記の
ように、導管３５を内部反応ｖ１８に配設して、内部反
応管への不活性ガスを加熱する構成では、比重差による
負圧の発生が防止され、外気の流入が妨げられる。The inert gas supplied from the reaction gas introduction part 48 to the external reaction tube is heated by the residual heat of the external reaction tube. Therefore, if the inert gas supplied to the internal reaction tube is at room temperature, there will be a large difference in specific gravity between it and the inert gas in the external reaction tube. Active gas falls rapidly. This may generate negative pressure in the internal reaction tube, leading to the inflow of outside air. However, as described above, in the configuration in which the conduit 35 is arranged in the internal reaction v18 to heat the inert gas to the internal reaction tube, the generation of negative pressure due to the difference in specific gravity is prevented, and the inflow of outside air is prevented. .
なお、参照符合５０．５２．５４は、断熱材、ヒートコ
イル、均熱管をそれぞれ示す。Note that reference numerals 50, 52, and 54 indicate a heat insulating material, a heating coil, and a soaking tube, respectively.
上記のように、この発明によれば、不活性ガスが、外部
反応管内への、半導体基板、たとえばウェーハの搬入出
の移送工程に際して、内部反応管に供給され、充満され
る。そのため、内部反応管内のウェーハポートのような
半導体栽板積・浅手段ヒのウェーハは、クリーンルーム
の空気（外気）から隔離され、移送工程において、化学
反応がウェーハに生じる虞れがない。As described above, according to the present invention, an inert gas is supplied and filled into the inner reaction tube during the transfer process of loading and unloading semiconductor substrates, such as wafers, into and out of the outer reaction tube. Therefore, the wafers in the semiconductor cultivation area/shallow area such as the wafer port in the internal reaction tube are isolated from the clean room air (outside air), and there is no risk of chemical reactions occurring on the wafers during the transfer process.
また、不活性ガスが充満されるため、ウェーハポート上
でのウェーハ間から空気が排除され、ウェーハポート搬
入に伴なう（外部）反応管への空気の流入が防止される
。Furthermore, since the wafer is filled with inert gas, air is removed from between the wafers on the wafer port, and air is prevented from flowing into the (external) reaction tube when the wafer is carried into the wafer port.
更に、搬入出−［程において、一部が内部反応管から流
出するように、内部反応管に不活性ガスを過剰に供給す
れば、不活性ガスは、内部反応管と外部反応管との隙間
を流れ、外部反応管の開口端から流出する。そのため、
流出する不活性ガスによって１反応ｅの開口端に一種の
ガスシャワーが形成される。そして、このガスシャワー
は、流入しようとする外気の流れを横切るものでなく、
逆らって流れる。そのため、外気の流れに対して、不活
性ガスの流れは大きな抵抗力を生じる。また、外部反応
管の開口端は、内部反応管によって閉じられ、内部反応
管および外部反応管の間に僅かな環形空間が残されるに
すぎない、そして、外気の流入しようとする流路は、こ
の小さな環形空間にすぎない、このように、外気の流れ
に対して大きな抵抗力が、作用するに加えて、流路が狭
いため、ＷＩ人出工程での、（外部）反応管への外気の
流入が、十分に防止される。Furthermore, if an excessive amount of inert gas is supplied to the internal reaction tube so that a part of it flows out from the internal reaction tube during the loading/unloading process, the inert gas will fill the gap between the internal reaction tube and the external reaction tube. and exits from the open end of the outer reaction tube. Therefore,
A kind of gas shower is formed at the open end of 1 reaction e by the inert gas flowing out. And this gas shower does not cross the flow of outside air that is about to flow in,
It flows against the flow. Therefore, the flow of inert gas generates a large resistance force against the flow of outside air. In addition, the open end of the outer reaction tube is closed by the inner reaction tube, leaving only a small annular space between the inner reaction tube and the outer reaction tube, and the flow path into which the outside air is to enter is This small annular space exerts a large resistance to the flow of outside air, and in addition, the narrow flow path prevents outside air from flowing into the (external) reaction tube during the WI extraction process. The inflow of is sufficiently prevented.
このように、この発明によれば、クリーンルームの常温
空気にウェーハがさらされることに起因する不要な化学
反応が防止されるとともに、（外部）反応管内への外気
の流入が防止される。As described above, according to the present invention, unnecessary chemical reactions caused by exposure of the wafer to normal temperature air in a clean room are prevented, and outside air is prevented from flowing into the (external) reaction tube.
上述した実施例は、この発明を説明するためのものであ
り、この発明を何等限定するものでなく、この発明の技
術範囲内で変形、改造等の施されたものも全てこの発明
に包含されることはいうまでもない、たとえば、上端間
ロタイブの反応管を具備する縦型半導体熱処理装置につ
いて、実施例で説明したが、この発明が、下端間ロタイ
ブの反応管を具備する縦型半導体熱処理装置も包含する
ことは自明であろう。The above-mentioned embodiments are for illustrating the present invention, and are not intended to limit the present invention in any way, and any modifications, modifications, etc. made within the technical scope of the present invention are also included in the present invention. Needless to say, for example, a vertical semiconductor heat treatment apparatus equipped with a reaction tube with a rotary tube between upper ends has been described in the embodiment, but the present invention is applicable to a vertical semiconductor heat treatment apparatus equipped with a reaction tube with a rotary tube between lower ends. It will be obvious that the term also includes devices.
：Ｐｊ１図は、この発明に係る縦型半導体熱処理装置の
概略縦断面図。
：ｆＳ２図は、内部反応管のロッドの部分拡大縦断面図
、
第３図は、第１図の線［−１１７に沿った内部反応管の
横断面図
第１図は、内部反応管の概略斜視図、
第５図は、変形された内部反応管の部分縦断面図である
。
１０：縦型半導体熱処理装置、１２：炉体、１４：反応
管、１５：外部反応管の上端開口、１８：外部反応管、
１８：内部反応管、１８：内部反応管の下端開口。
２０：ウェーハ（半導体基板）、２２：ウェーハポート
（′Ｆ−導体基板の積載手段）、２４：不活性ガス供給
り段、２６：制御弁、３２．１３２：流路、３３：内部
反応管の７！ｉ盤、３４：ウェーハポートの外方フラン
ジ、３５：不活性ガス加熱用導管、３６：外方フランジ
の係止片、４２：内部反応管の内方フランジ、４４：内
方フランジの切欠き、４５：反応ガスの流出孔、４６：
反応管のカバー。
第１図
第２図
第３図:Pj1 is a schematic longitudinal sectional view of a vertical semiconductor heat treatment apparatus according to the present invention. Figure 3 is a cross-sectional view of the internal reaction tube taken along the line [-117 in Figure 1. Figure 1 is a schematic diagram of the internal reaction tube. A perspective view, FIG. 5 is a partial vertical sectional view of a modified internal reaction tube. 10: vertical semiconductor heat treatment equipment, 12: furnace body, 14: reaction tube, 15: upper end opening of external reaction tube, 18: external reaction tube,
18: Internal reaction tube, 18: Lower end opening of internal reaction tube. 20: Wafer (semiconductor substrate), 22: Wafer port ('F-conductor substrate loading means), 24: Inert gas supply stage, 26: Control valve, 32.132: Flow path, 33: Internal reaction tube 7! i board, 34: outer flange of wafer port, 35: inert gas heating conduit, 36: locking piece of outer flange, 42: inner flange of internal reaction tube, 44: notch of inner flange, 45: Outflow hole for reaction gas, 46:
Reaction tube cover. Figure 1 Figure 2 Figure 3
Claims (5)
部反応管と、半導体基板の積載手段を収納し積載手段と
ともに外部反応管内に搬入出される内部反応管とを備え
た多重構造の反応管と、内部反応管に不活性ガスを供給
する不活性ガス供給手段と、を具備する縦型半導体熱処
理装置。(1) A reaction system with a multiplex structure comprising an external reaction tube that is removably supported by the furnace body and extends almost vertically, and an internal reaction tube that houses a loading means for semiconductor substrates and is carried in and out of the external reaction tube together with the loading means. A vertical semiconductor heat treatment apparatus comprising a tube and an inert gas supply means for supplying an inert gas to an internal reaction tube.
を備え、内部反応管が、係止片の係止可能な対応する内
方フランジを有し、積載手段の係止片の通過可能な切欠
きが、内方フランジに形成されている特許請求の範囲第
１項記載の縦型半導体熱処理装置。(2) the loading means includes a plurality of locking pieces extending radially outward, the internal reaction tube has a corresponding inner flange capable of locking the locking pieces; 2. The vertical semiconductor heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the inner flange has a notch through which it can pass.
され、導管を流れる間に不活性ガスが外部反応管の余熱
によって加熱される特許請求の範囲第１項または第２項
記載の縦型半導体熱処理装置。(3) A conduit for the inert gas is disposed within the inner reaction tube, and the inert gas is heated by the residual heat of the outer reaction tube while flowing through the conduit. vertical semiconductor heat treatment equipment.
が開口しており、導管は、内部反応管の壁面に沿って内
部反応管の開口端付近まで延出した後、基盤付近まで立
ち戻り、導管の開口端は、内部反応管の基盤に隣接して
位置している特許請求の範囲第３項記載の縦型半導体熱
処理装置。(4) The internal reaction tube has one end closed by the base and the other end open, and the conduit extends along the wall of the internal reaction tube to near the open end of the internal reaction tube, and then returns to near the base. 4. The vertical semiconductor heat processing apparatus according to claim 3, wherein the open end of the conduit is located adjacent to the base of the internal reaction tube.
第１項記載の縦型半導体熱処理装置。(5) The vertical semiconductor heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the conduit is arranged in a meandering manner.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26864885A JPS62128524A (en) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | Vertical type semiconductor thermal treatment equipment with reaction tube having multiple structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26864885A JPS62128524A (en) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | Vertical type semiconductor thermal treatment equipment with reaction tube having multiple structure |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62128524A true JPS62128524A (en) | 1987-06-10 |
Family
ID=17461466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26864885A Pending JPS62128524A (en) | 1985-11-29 | 1985-11-29 | Vertical type semiconductor thermal treatment equipment with reaction tube having multiple structure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62128524A (en) |
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