JPS62126303A - 光応用センサ - Google Patents

光応用センサ

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JPS62126303A
JPS62126303A JP26668085A JP26668085A JPS62126303A JP S62126303 A JPS62126303 A JP S62126303A JP 26668085 A JP26668085 A JP 26668085A JP 26668085 A JP26668085 A JP 26668085A JP S62126303 A JPS62126303 A JP S62126303A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sensor
light
reflective film
substrate
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP26668085A
Other languages
English (en)
Inventor
Masayuki Katagiri
片桐 真行
Kazutaka Uda
和孝 宇田
Masaya Hijikigawa
枡川 正也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
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Priority to US06/934,843 priority patent/US4859060A/en
Priority to GB8628157A priority patent/GB2186708B/en
Priority to DE19863640340 priority patent/DE3640340C2/de
Priority to DE3645238A priority patent/DE3645238C2/de
Publication of JPS62126303A publication Critical patent/JPS62126303A/ja
Priority to GB8911757A priority patent/GB2217839B/en
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明はファプリー・ベロー干渉計を利用した洸応用セ
ンサに関するものである。
〈従来技術〉 従来、触圧全測るセンサとしてロードセルが一般的に広
く用いられている。このセンサは金属抵抗ひずみゲージ
を応用したセンサである。即ち、金属弾性体の表面等に
ひずみゲージを貼り、金属弾性体に力が加われば、弾性
変形を生じるためこの変形量に応じてゲージの電気抵抗
が変化することを利用している。しかしながら、この変
化率は非常に小さいので、通常はホイートストンブリッ
ジを組んで検知出力全増大させている。また、温度依存
性が大きいので使用に際して、この点にも注意を払う必
要がある。従来のロードセルとしては高荷重用が一般的
であり、低荷重用(フルヌケール500y重以下)のも
のはなく、小型化が困難等の欠点があった。
また圧力センサとしてはシリコンダイアフラムを用いた
半導体圧力センサが、多くの特徴を具備しており広く用
いられている。しかし、ロードセルと同様に電気式のセ
ンサであるため電磁雑音の強い環境あるいは生体内等で
は特殊な加工を必要とし、これが欠点となっていた。
一方、光学装置としてファプリー・ベロー干渉計がよく
知られている。この装置は一対の平面板をある所定の間
隔をもって平行に固定する。その平面板の内側にはある
定められた反射率をもつ反射膜が形成されている。一方
の平面板から垂直に光を入射したとき、平面板の間隔を
も、その間の屈折率をn、入射光の波長をλとすると次
式の関係を満たすとき反射光は極小値を示す。
nt λ= −(m = 1 、2 、3・・・)・・(1)
波艮入を一定とし、平行板間隔tが変化したときの反射
光量変化を第6図に示す。肉中aは反射膜の反射率が高
い場合の特性曲線でbはこれが低い場合の特性曲線であ
る。
この干渉計の場合、一対の平面板の平行度と間隔を非常
に高い精度で制御する必要がある。
光ファイバの両端面を研磨するとともにこの面に反Q、
t Hをコーティングし、この光ファイバの両端面間で
干渉計を構成した温度センサが提案されている。この構
成でこれを力学量センサに応用するには上記光ファイバ
を金属等の弾性体に巻き付け、外力を該弾性体に加えて
弾性体を歪ませ、それを該光フィバに伝えるという間接
的な検出法となる。このような力学量センサは弾性体を
介在させるので、検出感度が光ファイバの巻きつけ方等
の要因で左右され、小型化が困難であるという欠点があ
る。
〈発明の目的〉 本発明はファプリー・ベロー干渉計の原理に基つき、干
渉計を構成する部分を高精度で制御することができ、小
型化が可能となる光応用セン廿を提供することを目的と
する。
〈実施例〉 第1図は本発明の一実施例の説明に供する光応用センサ
の感圧部分の断面拡大図である。感圧部分は、特定の反
射率を有した反射膜3が片面にコーティングされた透明
体で成る1対の基板1.2がスペーサ4を間にはさんで
対向配置され反射膜3が対向するように固持されている
。基板1.2としては例えばガラス仮やプラスチック板
その他が用いられる。基板1.2の間に形成される空洞
部分で、ファプリー・ベロー干渉計が構成されている。
一方の基板2から該42洞の中央部分に垂直にかつ平行
に光が入射されるようにレンズ5及び光ファイバ6を固
定する。特に垂直入射でなくてもよいが、垂直に入射さ
せた方が構成が簡単になる。
力学量センサとしての動作原理は次の如くである。接触
圧が上8(S基&1に加わると、該基板1がたわむ。外
部から加えられる接触圧と基板1の変位紙は比例する。
下部基板2との間で光ファイバ6、レンズ5を介して光
が照射される空洞間隔を、使用する光の波長λの2分の
1(λ/2)の整数倍にすると空洞内の屈折率は1であ
り、即ち(1)式を4:4だすことになり変位量0のと
きに反射光は極小を示す。反射膜の反射率を低くすると
第6図すの特性が得られ、変位量がλ/4以下のときは
、変位量に応じ、反射光量は単調に増加する。従って、
第2図に示す様な荷重対反射光量の出方特性が得られる
。この検出感度は基板1.2の形成に関係している。
全体のブロック構成図を第3図に示す。感圧部分7、光
源8、光検出器9及び光分岐器10から構成される。光
源8が発する光は光分岐器10を通り、感圧部分7に達
する。そこで反射光は接触圧に応じて変調され、光分岐
器10に戻り、光検出器へ分岐される。光検出器9でT
完信号に変換され検知信号となる。光源は発光ダイオー
ド(LED)、半導体レーザあるいはガスレーザ等でよ
い。各構成要素を連結する方式は光フアイバ方式空間伝
播方式のいずれでもよい。
次に感圧部分の作製方法について説明する。平面度及び
表面粗度の良好な透明体基板2の上に反射膜となる金属
膜または誘電体単層膜若しくは多層嘆を形成する。この
上に金属、半導体あるいは誘電体の薄膜を蒸着法、スパ
ッタ法、CVD法あるいはメッキ法で作製する。また、
該薄膜はスピンコーティング等で作製された有機薄膜で
もよく熱膨張係数の小さい材料が適している。次にフォ
トリソプロセスによりパターニングを行いウェットエッ
チングあるいはドライエツチングをして、第4図に示さ
れるようなスペーサ4のパターンを得る。第1図と同一
のものは同一符号を符した。
次にもう一方の透明体基板1に反射膜3を形成する。上
述の2枚の基板1,2を反射膜3が内側を向くように貼
り合わせる。この後格子状に切断して個々のデバイスに
分割する。この様にして第5図に示す様な空洞を存する
感圧素子を作製することができる。第4図に示す透明体
基板2の作製に際しては、先にスペーサ4となる薄膜を
形成しておいて、パターニング、エツチングを行った後
に反射膜3を形成してもよい。また両基板1.2にスペ
ーサ4となる薄膜を形成してもよい。薄膜形成プロセス
にて感圧素手を作製できることが特徴である。
なお、基板を薄くする等によシ接触圧に対して高感度に
すれば、反射光量は周期的に変化するのでディジタル信
号を得ることができる。この場合所撃センサ、振動セン
サ及び音響センサに適している。また上述の実施例では
空洞は密閉されてぃないが、空洞を密閉構造にすると圧
力センサになる。
スペーサと薄膜の材料に熱膨張係数の大きい材料を用い
れば温度センサになり得る。また該薄1漢材q材料に外
部磁気によシ変形する磁歪材料を用いれば磁気センサに
、電歪効果、圧電効果を有する材料を用いれば電界セン
サに応用できる。
〈発明の効果〉 このように木発明によれば、耐環境性に強い光応用セン
サが実現でき、薄膜形成プロセスにて素子を作製すると
いう特徴によって空洞間隔が制御しやすく、また1度に
大量の素子を作ることができる。また、小型化にも非常
に有効であり、力学量センサの場合、基板の厚さ等の感
圧素子のスケールファクタを変えることで任意の感度の
センサを作ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は木発明の一実施例の説明に供する光応用センサ
の主要拡大新面図である。第2図は第1図に示す感圧素
子の出力特性図である。第3図は第1図に示す実施例の
基本構成を示すブロック図である。第4図及び第5図は
第1図に示す感圧素子の作製プロセスを示す製造工程図
である。第6図は従来のファブリ・ペロー干渉計の出力
特性図である。 1・・・上部基板  2・・・下部基板  3・・・反
射膜4・・・スペーサ  7・・・感圧素子  8・・
・光源9・・・光検出器  10 ・光分岐器代卯人 
弁理士  福 士 愛 彦(他2名)第 2 トづ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、光透過性材料又は光反射性材料から成る1対の基板
    を対向させ、対向間隙に挿入される成膜体のスペーサに
    対応して前記基板間に空洞を形成するとともに前記基板
    面へ光照射して反射光を検出する光学系を付設し、ファ
    ブリ・ペロー干渉計を構成したことを特徴とする光応用
    センサ。 2、外部応力により変形する前記基板の反射面に対応し
    て変化する反射光を検出し、外部応力を求めるようにし
    た特許請求の範囲第1項記載の光応用センサ。
JP26668085A 1985-11-26 1985-11-26 光応用センサ Pending JPS62126303A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26668085A JPS62126303A (ja) 1985-11-26 1985-11-26 光応用センサ
US06/934,843 US4859060A (en) 1985-11-26 1986-11-25 Variable interferometric device and a process for the production of the same
GB8628157A GB2186708B (en) 1985-11-26 1986-11-25 A variable interferometric device and a process for the production of the same
DE19863640340 DE3640340C2 (de) 1985-11-26 1986-11-26 Variable Interferometeranordnung
DE3645238A DE3645238C2 (de) 1985-11-26 1986-11-26 Optischer Sensor
GB8911757A GB2217839B (en) 1985-11-26 1989-05-22 An optical sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP26668085A JPS62126303A (ja) 1985-11-26 1985-11-26 光応用センサ

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JPS62126303A true JPS62126303A (ja) 1987-06-08

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ID=17434202

Family Applications (1)

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JP26668085A Pending JPS62126303A (ja) 1985-11-26 1985-11-26 光応用センサ

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004530926A (ja) * 2001-04-12 2004-10-07 イエノプティック エルデーテー ゲーエムベーハー 共振スキャナ
JP2013510315A (ja) * 2009-11-05 2013-03-21 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 高性能デバイスパッケージにおける環境状態の検出および測定のための方法およびデバイス
JP2020094973A (ja) * 2018-12-14 2020-06-18 国立大学法人東北大学 金属・誘電体・金属の3層構造を有する光変調構造体、その製造方法及び用途

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