JPS62119920A - Exposure device - Google Patents
Exposure deviceInfo
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- JPS62119920A JPS62119920A JP60258489A JP25848985A JPS62119920A JP S62119920 A JPS62119920 A JP S62119920A JP 60258489 A JP60258489 A JP 60258489A JP 25848985 A JP25848985 A JP 25848985A JP S62119920 A JPS62119920 A JP S62119920A
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- mask
- parallel
- distance
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/703—Gap setting, e.g. in proximity printer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体素子を製造する際に、マスクパター
ンをウェハ上に転写する露光装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an exposure apparatus that transfers a mask pattern onto a wafer when manufacturing semiconductor devices.
第２図は、従来の露光装置の部分断面図である。 FIG. 2 is a partial cross-sectional view of a conventional exposure apparatus.
図において、（１）はウェーハ、（２）はウェーハ（１
）を載置スルウェーハチャック、（３）はマスク（図示
せス）と平行な基準面を有するウェー・・ディスク、（
４）はウェーハディスク（３）Ｋ設けられた真空排気用
の孔。In the figure, (1) is a wafer, (2) is a wafer (1
) is placed on the wafer chuck, (3) is a wafer disk with a reference plane parallel to the mask (not shown), (
4) is a hole for vacuum evacuation provided in wafer disk (3)K.
（５）は９ニー−・チャック（２）を一定位置まで押し
上げるエアーシリンダーである。(5) is an air cylinder that pushes up the 9-knee chuck (2) to a certain position.
従来の露光装置は以上のように構成され、ウェーハ（１
）を載置したウェーハチャック（２） ｈｓ 、エアー
シリンダー（５）により一定位置まで押上げられる。A conventional exposure apparatus is configured as described above, and is capable of handling a wafer (1
) on which the wafer chuck (2) hs is placed is pushed up to a certain position by the air cylinder (5).
次いでウェーハディスク（３）の孔（４）より排気する
ことにより、ウェーハチャック（２）はウェーハディス
ク（３）に吸着される。その結果ウェー−・（１）の表
面がウェーハディスク（３）の基準面（３ａ）に一定圧
力（大気圧）で押し付けらね、マスクに平行なウェーハ
（υが得られ、露光することができる。Next, the wafer chuck (2) is attracted to the wafer disk (3) by evacuation from the hole (4) of the wafer disk (3). As a result, the surface of the wafer (1) is not pressed against the reference surface (3a) of the wafer disk (3) with constant pressure (atmospheric pressure), and the wafer (υ) parallel to the mask is obtained, allowing exposure. .
従来の露光装置は、上記のようにウェーハディスク（３
）がウェーハ（１）表面の端部に押し当てられるので、
ウェーハディスク（３）の基準面（６ａ）が傷付くばか
りでなく、ウェー−・（１）の表面に塗布されたホトレ
ジストも剥れてウェーハディスク（３）の基準面（３＆
）に付着し、蓄積する。その結果、ウェーハディスク（
３）の基準面（６ａ）がマスクと平行でなくなるため、
マスクとウェーハ（１）の表面も平行を保つことかでき
ず、正確な転写が不可能になるという問題があった。Conventional exposure equipment uses wafer disks (3
) is pressed against the edge of the wafer (1) surface, so
Not only is the reference surface (6a) of the wafer disk (3) damaged, but the photoresist coated on the surface of the wafer disk (1) is also peeled off and the reference surface (6a) of the wafer disk (3) is damaged.
) and accumulate. As a result, the wafer disk (
Since the reference plane (6a) in 3) is no longer parallel to the mask,
There was a problem in that the surfaces of the mask and the wafer (1) could not be kept parallel, making accurate transfer impossible.
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ウェハディスクに非接触で、マスクに平行な
ウェーハの平面が得られろ露光装置を得ることを目的と
する。The present invention was made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide an exposure apparatus that can obtain a wafer plane parallel to a mask without contacting the wafer disk.
この発明に係る露光装置は、ウェー−・とマスクとの距
離なレーザ光により検出し、その検出結果に基いて、自
動位置決め機構によシ、ウェー−・をマスクに対し平行
かつ一定距離に自動位置決めするものである。The exposure apparatus according to the present invention uses a laser beam to detect the distance between the wafer and the mask, and based on the detection result, an automatic positioning mechanism automatically moves the wafer parallel to the mask and at a constant distance. It is for positioning.
この発明においては、ウェーハをマスクに対して平行か
つ一定距離に位置決めするのに、レーザ光の投射のみで
、ウェーハの表面には何も接触しないから、塗布された
ホトレジスが剥れることがない。また、レーザ光にまり
ウェーハとマスクとの距離を検出するので、精密にウェ
ー−・をマスクに対して平行で一定距離に自動的に位置
決めし。In this invention, the wafer is positioned parallel to the mask at a constant distance by simply projecting a laser beam, and nothing comes into contact with the surface of the wafer, so the coated photoresist does not peel off. In addition, since the distance between the wafer and the mask is detected by the laser beam, the wafer is precisely positioned parallel to the mask and automatically at a certain distance.
かつ自動修正してその状態を維持することｂ−可能とな
る。And it becomes possible to automatically correct and maintain that state.
第１図はこの発明の一実施例の説明図である。 FIG. 1 is an explanatory diagram of an embodiment of the present invention.
図において、（２Ｉは次面に真空吸着によってウェーハ
（１）を固定することがでざるウェーハチャック。In the figure, (2I) is a wafer chuck that cannot hold the wafer (1) on the next surface by vacuum suction.
９１〜（２１ｂ）はウェー−・チャック四の下部におい
て。91-(21b) are at the lower part of the wave chuck 4.
平面上一定の位置に設けられ、かつそれぞれＩＪ１駆動
用モータによって制御されるボーフレネジシャフト、（
２）〜（２２ｃ）はレーザ測長器（図示せず）のレーザ
光（財）、 （２３ａ）をウェーハ（１）の表面に直
角に投射するためのミラーである。なお、レーザ光翰。Beaufresne screw shafts, which are provided at fixed positions on a plane and each controlled by an IJ1 drive motor, (
2) to (22c) are mirrors for projecting the laser beam (23a) of a laser length measuring device (not shown) at right angles to the surface of the wafer (1). In addition, the laser beam.
（２３ａ）は図面上２ケ所に投射されるようになってい
るが、レーザ光四、 （２３ａ）を利用してウェー・
・（１）の表面なマスクに対して平行に自動位置決めす
るため、レーザ光（財）、 （２３ａ）の間にもレー
ザ光が直角に投射されるようになっており、レーザ光り
。(23a) is projected at two locations on the drawing, but four laser beams and (23a) are used to project the beam onto two locations.
・In order to automatically position the mask parallel to the surface of (1), the laser beam is projected at right angles between the laser beams (23a) and the laser beam.
幹ハ、ウエーノ〜（１）の表面に平面上一定間隔で３ケ
所に投射される。The trunk is projected onto the surface of Ueno (1) at three locations at regular intervals on the plane.
この発明に係る露光装ＷＩｔは以上のように構成され、
ウェーハ（１）を真空により固定したウェーハチャック
（１）をエアーシリンダー（５）により一定位陵まで押
上げる。次にその位置で、レーザ測長器のレーザ光−、
（２１５ａ）をミラー（ロ）〜（２２ｅ）を介してウェ
ーハ（１）の次面に投射し、レーザ測長器によりマスク
とウェーハ（１）の表面の３ケ所における距離をそれぞ
れ検出する。その結果ウェーハ（１７の表面の検出位置
とマスクとの距離がそれぞれ相違する場合は、モータに
より各ボールネジシャフトＱカ〜（２１ｂ）を駆動して
、ウェーハチャック（２）の位置をｖ！４！Ｍｔ、、ウ
ェーハ（１）の次面をマスクと平行かつ一定距離になる
ように制御する。The exposure device WIt according to the present invention is configured as described above,
A wafer chuck (1) with a wafer (1) fixed thereon by vacuum is pushed up to a certain level by an air cylinder (5). Next, at that position, the laser beam of the laser length measuring device
(215a) is projected onto the next surface of the wafer (1) via mirrors (b) to (22e), and the distances at three locations between the mask and the surface of the wafer (1) are detected by a laser length measuring device. As a result, if the distances between the detected position on the surface of the wafer (17) and the mask are different, each ball screw shaft Q (21b) is driven by the motor to change the position of the wafer chuck (2) to v!4! Mt, the next surface of the wafer (1) is controlled to be parallel to the mask and at a constant distance.
なお、このレーザ光ｆｉ、 （２３ａ）によるウェー
ハ（１）の自動位置決めは、マスクパターンヲウエハ（
１）上に転写するに際して、当初ウェーハ（１）を位置
決める場合は勿論、転写が行なわれている場合も。Note that automatic positioning of the wafer (1) by this laser beam fi, (23a) is performed by changing the mask pattern to the wafer (23a).
1) Not only when the wafer (1) is initially positioned for transfer, but also when the transfer is already being performed.
常時ウェーハ（１ンカマスクに対して平行かつ一定距離
になるように自動補正することができる。It can be automatically corrected so that it is always parallel to and at a constant distance from the wafer (1-linker mask).
なお、上記実施例ではレーザー測長器を使用した例を示
したが、他のレーザー光を使った自動位置決め機構を使
用しても良い。In the above embodiment, an example is shown in which a laser length measuring device is used, but other automatic positioning mechanisms using laser light may be used.
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明は、非接触のレーザ光による自動
位置決め機構により、ウェーハがマスクに対して平行か
つ一定距離に常時維持されるので、ウェーハはマスクに
対して常時高精度な平行面と最善焦点距離を維持しなが
ら転写され、ウェー−・面内の焦点ボケが完全に除去さ
れると共にウェーハ面内で均一性の良好なパターンを解
像することができ、ウェーハ全面に高精度のパターン転
写が可能となる効果がある。[Effects of the Invention] As described above, in this invention, the wafer is always maintained parallel to the mask and at a constant distance by an automatic positioning mechanism using a non-contact laser beam, so that the wafer can always be positioned with high precision with respect to the mask. It is transferred while maintaining a parallel plane and the best focal length, completely eliminating defocus within the wafer plane, and resolving a pattern with good uniformity within the wafer plane. This has the effect of enabling highly accurate pattern transfer.
第１図は、この発明の一実施例の説明図、第２図は従来
の露光装置の部分断面図である。
図において、（１）はウエーノ・、翰はウエーノ１チャ
ック、（２）〜（２１ｂ）はボールネ、ジシャフト、（
ハ）〜（２２０）はミラー、粉、 （２３ａ）はレー
ザ光である。
なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示すＯFIG. 1 is an explanatory diagram of an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a partial sectional view of a conventional exposure apparatus. In the figure, (1) is Ueno 1 chuck, (2) to (21b) are Ballne, Jishaft, (
c) - (220) are mirrors and powders; (23a) is a laser beam. In each figure, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts.
Claims (1)
に転写する露光装置において、ウエーハとマスクとの距
離をレーザ光により検出し、検出結果に基いて自動位置
決機構により上記ウエーハを上記マスクに対し平行かつ
一定距離に自動位置決めすることを特徴とする露光装置
。When manufacturing semiconductor devices, an exposure device that transfers a mask pattern onto a wafer uses a laser beam to detect the distance between the wafer and the mask, and based on the detection results, an automatic positioning mechanism aligns the wafer parallel to the mask. An exposure device characterized by automatic positioning at a certain distance.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60258489A JPS62119920A (en) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | Exposure device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60258489A JPS62119920A (en) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | Exposure device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62119920A true JPS62119920A (en) | 1987-06-01 |
Family
ID=17320916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60258489A Pending JPS62119920A (en) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | Exposure device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62119920A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012089641A (en) * | 2010-10-19 | 2012-05-10 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacturing method of semiconductor device |
-
1985
- 1985-11-20 JP JP60258489A patent/JPS62119920A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012089641A (en) * | 2010-10-19 | 2012-05-10 | Mitsubishi Electric Corp | Manufacturing method of semiconductor device |
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