JPS62117322A - Forming method for circuit pattern and exposure device capable of being used for said method - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To execute the formation of patterns in succession, and to form the desired patterns easily onto a substrate by shaping photo-resist layers corresponding to a plurality of effective regions and an exposure mask onto the substrate divided into the effective regions. CONSTITUTION:A substrate 1 to which circuit patterns are formed is partitioned into two substrate partition regions E1, E2, each region is used as effective regions, and a photo-resist layer R1 is applied and shaped extending over the regions E1, E2. The substrate 1 is placed onto a base plate 2 for an exposure device, and a mask M1 for exposure is held onto the placed substrate 1 by a holder 3. Each of mask partition regions D1, D2 for exposure corresponding to the regions E1, E2 and mark patterns P11, P12 for positioning are shaped to the mask M1. Patterns for the regions D1, D2 corresponding to respective region E1, E2 in the substrate 1 are formed in succession by using the mask M1, thus easily shaping the desired patterns.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、基板に回路パターンを形成する回路パターン
形成法、及びそれに用い得る露光装置に関り゛る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application The present invention relates to a circuit pattern forming method for forming a circuit pattern on a substrate, and an exposure apparatus that can be used therefor.

従来の技術 基板」二に回路パターンを形成する回路パターン形成法
として、従来、次に述べる方法が提案されている。2. Description of the Related Art Conventionally, the following method has been proposed as a circuit pattern forming method for forming a circuit pattern on a substrate.

すなわち、基板を予め用意する。That is, the substrate is prepared in advance.

しかして、その基板−にに、その有効領域の全域に戸っ
て延長しているフォｈレジス１〜層を形成する。A layer of photoresist 1 is then formed on the substrate, extending over the entire effective area.

次に、その−ノＡ１−レジメ１〜層に対し、１ｎ（板の
有効領域に対応しＩご面積（実際１は、〕Ｊ　＋”レジ
スｌ一層に比し１周り人さい面積）をイ」−シ１且つ、
回路パターンを形成しくいるν乳”光用マスクを用いた
露光を行う。Next, for the -noA1-regime 1 to layer, calculate 1n (corresponding to the effective area of the board, I area (in fact, 1 is J + "area around 1 inch compared to one layer of register). ”-S1 and,
In order to form a circuit pattern, exposure is performed using a light mask.

次に、その露光２）れｌごノ４１ヘレジス１〜層に対す
る現像を行って、露光されたフォトレジスト層から、基
板上に形成され［且つ、露光用マスクの回路パターンに
λ１応している回路パターンを有する加工用マスクを得
る。、 次に、基板に対し、加工用マスクをマスクとして用いた
加工を施し、ｌＪ板の有効領域に、露光用マスクの回路
バター・ンに対応している回路パターンを形成し、次に
、必す２に応じて、基板上から、ｈｌＴ用マスクを除去
（ｊる３゜以−■が、従来提案され−くいろ回路パター
ン形成法である。。Next, the exposure 2) development is performed on the resist layers 1 to 41, and the exposed photoresist layer is formed on the substrate [and corresponds to the circuit pattern of the exposure mask by λ1]. A processing mask having a circuit pattern is obtained. Next, the substrate is processed using the processing mask as a mask, and a circuit pattern corresponding to the circuit pattern of the exposure mask is formed in the effective area of the LJ board. According to Step 2, the HLT mask is removed from the substrate.

このような回路パターン形成法によれば、基板に、一枚
の露光用マスクを用いるだ（−］で、イの回路パターン
に対応している回路パターンを形成りることがでさる。According to such a circuit pattern forming method, a circuit pattern corresponding to the circuit pattern A can be formed on the substrate by using one exposure mask (-).

痘し／υ１魁りしγζＬ色」１卓 しかしながら、］−述しｌこ従来の回路パターン形成法
の場合、基板として大面積の基板を用い、−そして、そ
のような大面積の基板に、回路パターンを形成する場合
、基板の面積に対応した大面積の露光用マスタを用意Ｊ
る必要がある。However, in the case of the conventional circuit pattern forming method, a large area substrate is used as the substrate, and on such a large area substrate, When forming a circuit pattern, prepare a large-area exposure master that corresponds to the area of the board.
It is necessary to

しかしながら、−でのような大面積をイＪする露光用マ
スクを、微細な回路パターンを有するものどし−Ｃ用意
するに困難を伴イｆう。However, it is difficult to prepare an exposure mask that covers a large area such as a mask having a fine circuit pattern.

また、イのＪ、うな大面積を右づ−る露光用７スクを用
いて、基板にに形成されたフ、７ｔ１〜レジメ１〜層に
対し露光する場合、でれに困難を伴なう。In addition, when exposing the layers formed on the substrate using the 7th exposure screen that has a large area on the right, it may be difficult to expose the layers formed on the substrate. .

従つく、−１述しｌ、７従来の回路パターン形成法の場
合、基板に、微細な回路パターンを形成４るのに回動を
伴なう、という欠点をイｊ　シＣいた。As mentioned above, the conventional circuit pattern forming method has the drawback of requiring rotation to form a fine circuit pattern on the substrate.

１１雌（舶訣」−くシに一色年り我 よ−）で、本発明μ１述した欠点のない、新規な回路パ
ターン形成法、及びそれに用い得る露光装首を提案せん
ど−する６　ｆ７）　１”ある。In this article, I would like to propose a new circuit pattern formation method that does not have the drawbacks mentioned in the present invention μ1, and an exposure device that can be used for it.6 f7 ) There is 1”.

−７一 本願第１番１“１の発明に６１、る回路パターン形成法
は、次に述べる順次の１−稈をと−）で、１，１＆に、
目的とづ′る回路パターンを形成Ｉｊる、。-71 The circuit pattern forming method according to the invention of No. 1 of the present application is as follows:
Forming a targeted circuit pattern.

すなわら、複数［１個の＋、１板１ス分領域１−１．　
Ｆ２ｉ・・・・・・・・「。から４するイＪ効領域を有
する１、を板１に、その上記有効領域の全域にねｌＪつ
で延Ｉ（シている第１の〕−Ａトレジスト層を形成する
■程をとる。In other words, multiple [1 +, 1 board 1 space area 1-1.
F2i・・・・・・・・・ 1, which has an effective area of 4 from ., is extended to the entire area of the above effective area with lJ (the first one) -A Take step 2 to form a resist layer.

次に、上記第１のノＡ１−レジスト層に対し、上記基板
の十−記右効領域に対応しｌこ面積を右し且つ上記複数
ｎ個の基板区分領域［１、［２ｉ・・・・・・・・「□
にイれぞれ対応している複数「）個の露光用マスク区分
領域１〕、［）２ｉ・・・・・・・・Ｄ、にイれぞれ複
数ｎ個の第１の位置合Ｕ用マークパターンＰ１　１、Ｅ
１２ｉ・・・・・・・・Ｐｌ。を少なくと１〕有する第
１の露光用マスクを用いた第１の六”光を行うＴ程をと
る。。Next, with respect to the first resist layer, an area corresponding to the diagonal effect area of the substrate is set, and the area of the plurality of n substrate division areas [1, [2i...・・・・・・「□
A plurality of n first positioning U corresponding to a plurality of exposure mask division areas 1], [)2i...D, respectively. Mark pattern P1 1, E
12i...Pl. The first 6'' light is performed using a first exposure mask having at least 1].

次に、上記第１の露光の行われたＩ−＋、１．！第１．
！ォー・レジスｉ・層に対りる現像を？ｊ′）Ｃ１１−
２第１の露光の行われ／、ニー、１−２第１のノＡトレ
ジス＝　　８　　＝ １・層から、Ｉ記基板−１−に形成され１且つ、上記複
数Ｆ１個の１．を板ｌ″！、分領域［、「　　・・・・
・・・・・Ｅｎにそれぞれ対応している複数ｎ個の第１
の加−Ｉ用マスク区分領域１１１　　、！−１１２ｉ・
・・・・・・・Ｈ１１，にぞれぞれト記複数ｎ個の位置
合住用ンークバターンＰ１　１、Ｅ１２ｉ・・・・・・
・・Ｐ１ｎに対応している複数ｎ個の第２の位置合せ用
マークパターンＰ２１１、Ｅ２２ｉ・・・・・・・・Ｐ
２ｎを少なくどし右する第１の加工用−７スク層を得る
に程をとる。Next, I-+ where the first exposure was performed, 1. ! 1st.
! What about development for the Regis I layer? j') C11-
2 First exposure is performed/knee, 1-2 first resist = 8 = 1 layer is formed on I substrate-1-, and the plurality of F1 1. The board l″!, minutes area [, “...
・・・・・・A plurality of n first numbers each corresponding to En.
Addition I mask division area 111 ,! -112i・
・・・・・・H11, each with a plurality of n positional combination patterns P1 1, E12i...
...Plural n second alignment mark patterns P211, E22i corresponding to P1n...P
It is necessary to reduce the amount of 2n to obtain the first processed -7 mask layer.

次に、上記草根に対し、上記第１の加工用マスク層をマ
スクと１）で用いた第１の加■１−を施し、次で、上記
第１の加工用マスクをＶ記括椴十から除去し、十記Ｍ板
の上記有効領域に、イの上記複数［）個の基板区分領域
［、［２ｉ・・・・・・・・Ｆ□においで、上記第２の
位置合せ用マークパターンｒ−）２　．１）２２ｉ・・
・・・・・・Ｆ２１．にそれぞれ対応じている複数ｎ個
の第３の位置合せ用マークパターンｒ）３　　１、Ｅ３
２ｉ・・・・・・・・Ｐ３ｎをぞれぞれ形成する］■−
稈をどる。Next, the grass roots are subjected to the first processing using the first processing mask layer as a mask in step 1), and then the first processing mask is applied to the grass roots using the first processing mask. , and place the second alignment mark in the effective area of the Juki M board in the plurality of board division areas [, [2i......F□] of A. Pattern r-)2. 1) 22i...
...F21. a plurality of n third alignment mark patterns corresponding to r) 3 1, E3, respectively;
2i......P3n is formed respectively]■-
Follow the culm.

次に、［２第３の位置合Ｖ川マークパターンＰ３　、Ｐ
３２ｉ・・・・・・・・Ｐ３ｎを形成している上記基板
上に、その上記有効領域の全域に日って延長している第
２のフォトレジスト層を形成する工程をとる。Next, [2 third position V river mark pattern P3, P
32i......A second photoresist layer is formed on the substrate on which P3n is formed, the second photoresist layer extending over the entire effective area.

次に、上記第２の７４１〜１９２８層の、−Ｆ記複数ｎ
個の基板区分領域Ｅ　　、Ｅ　　・・・・・・・・・「
。Next, in the second 741 to 1928 layers, -F number n
PCB segment areas E, E...
.

にそれぞれ対応している複数ｎ個のフォトレジスト層区
分領１れＪｌ、Ｊ２ｉ・・・・・・・・Ｊｎに対し、上
記複数ｎ個の基板区分領域Δ　、Ａ２ｉ・・・・・・・
・Ａｎにそれぞれ対応している面積を右し■つ複数ｎ個
のＭｌの回路パターン部Ｑ１　、Ｑ１２ｉ・・・・・・
・・Ｑ１ｎからなる第１の回路パターンの複数ｎ個の第
１の回路パターン部Ｑ１　、Ｑ１２ｉ・・・・・・・・
Ｑｌ、をぞれぞれ有する複数ｎ個の第２の露光用マスク
Ｍ２１、Ｍ２２ｉ・・・・・・・・Ｍ２ｎを、上記第３
の位置合ｌ用マークパターンＰ３１、Ｐ３２ｉ・・・・
・・・・ＰＧＩ１にＪ：　７）−（位置決めして用いた
、複数ｎ回の第２の露光を１１う工程をとる。For the plurality of n photoresist layer sectioned regions 1Jl, J2i...Jn corresponding to the plurality of substrate sectioned regions Δ, A2i...
・Multiple n Ml circuit pattern portions Q1, Q12i...
A plurality of n first circuit pattern portions Q1, Q12i of a first circuit pattern consisting of Q1n...
A plurality of n second exposure masks M21, M22i, M2n each having a
Mark patterns for positioning P31, P32i...
...J to PGI1: 7) - (Step 11 of performing second exposure a plurality of n times using positioning).

次に、上記第２の露光の行われた上記第２のフォトレジ
スト層に対する現像を行って、上記第２の露光の行われ
た上記第２のフォトレジスト層から、上記基板上に形成
され且つ上記複数ｎ個の基板区分領域Ｆ　、［２ｉ・・
・・・・・・Ｅｏにそれぞれ対応している複数ｎ個の第
２の加工用マスク区分領域１−１２　　、Ｌ（２２ｉ・
・・・・・・・ト１２１にそれぞれ有している上記複数
ｎ個の第１の回路パターン部Ｑ１　、Ｑ１２ｉ・・・・
・・・・Ｑ１ｎにそれぞれ対応している複数ｎ個の第２
の回路パターン部Ｑ２１、Ｑ２２ｉ・・・・・・・・Ｑ
２ｎからなる第２の回路パターンを有する第２の加工用
マスク層を形成する工程をとる。Next, the second photoresist layer subjected to the second exposure is developed, so that the second photoresist layer subjected to the second exposure is formed on the substrate. The plurality of n substrate division areas F, [2i...
. . . A plurality of n second processing mask segmented regions 1-12, L(22i/
. . . The plurality of n first circuit pattern portions Q1, Q12i, respectively included in the gate 121.
・・・A plurality of n second numbers each corresponding to Q1n
Circuit pattern part Q21, Q22i...Q
A step is taken to form a second processing mask layer having a second circuit pattern of 2n.

次に、上記基板に対し、上記第２の加工用マスク層をマ
スクとして用いた第２の加工を施し、上記基板の」：記
右効領域に、上記第２の回路パターンに対応している第
３の回路パターンを形成する工程をとる。Next, the substrate is subjected to a second processing using the second processing mask layer as a mask, so that a region of the substrate corresponding to the second circuit pattern is formed. A step of forming a third circuit pattern is taken.

以上が、本願第１番目の発明による回路パターン形成法
である。The above is the circuit pattern forming method according to the first invention of the present application.

また、露光装置は、次に述べる手段を有する構成を有す
る。Further, the exposure apparatus has a configuration including the following means.

すなわち、複数ｎ個の基板区分領域［１、Ｅ２ｉ・・・
・・・・・Ｅｏからなる有効領域を有する基板を載置す
る載置台を有する。That is, a plurality of n substrate section areas [1, E2i...
. . . It has a mounting table on which a substrate having an effective area consisting of Eo is mounted.

また、上記基板の有効領域に対応している面積を有する
第１の露光用マスクを保持する第１のホルダを有する。The device also includes a first holder that holds a first exposure mask having an area corresponding to the effective area of the substrate.

さらに、上記複数ｎ個の基板区分領域［１、Ｅ２ｉ・・
・・・・・・Ｅｏにぞれぞれ対応する面積を有する複数
ｎ個の第２の露光用マスクＭ２１、Ｍ２２　　”’　”
’　”’ Ｍ２ｎをほぼ同一面内にＨに並置配列して保持する第２
のホルダを有する。Furthermore, the plurality of n substrate division areas [1, E2i...
. . . A plurality of n second exposure masks M21, M22 each having an area corresponding to Eo ``''''
``'''' A second structure in which M2n is arranged and held parallel to H in almost the same plane.
It has a holder.

また、上記第１の露光用マスクを通じて、または上記第
２の露光用マスクＭ２ｉ　　（＋＝１．２ｉ・・・・・
・・・ｎ）を通じて、上記基板側に向う露光用光を生成
する露光用光生成手段を有する。Also, through the first exposure mask or the second exposure mask M2i (+=1.2i...
. . n) includes an exposure light generating means for generating exposure light directed toward the substrate side.

さらに、上記露光用光を、上記第２の露光用マスクＭ２
ｎに通させる遮光板を有する。Further, the exposure light is transmitted to the second exposure mask M2.
It has a light shielding plate that allows light to pass through.

また、上記第１のホルダを、上記第１の露光用マスクが
上記基板の有効領域と対向している位置に移動ざＵ゛る
第１のホルダ移動手段を有する。The apparatus further includes a first holder moving means for moving the first holder to a position where the first exposure mask faces the effective area of the substrate.

さらに、上記第２のホルダを、上記第２の露光用マスク
Ｍ２ｉが上記基板の上記基板区分領域Ｅｎと対向してい
る位置に移動させる第２のホルダ移動手段を有する。Furthermore, it has a second holder moving means for moving the second holder to a position where the second exposure mask M2i faces the substrate division area En of the substrate.

なおさらに、上記遮光板を、上記露光用光が上記第２の
露光用マスクＭ２ｎのみを通る位置に移動させる遮光板
移動手段を有する。Furthermore, the light shielding apparatus further includes a light shielding plate moving means for moving the light shielding plate to a position where the exposure light passes only through the second exposure mask M2n.

以上が、本願第２番目の発明による露光装置の構成であ
る。The above is the configuration of the exposure apparatus according to the second invention of the present application.

作用・効果 本願第１番目の発明による回路パターン形成法によれば
、基板に、その有効領域の複数ｎ個の区分領域Ａ　１Δ
２ｉ・・・・・・・・Ａｎにそれぞれ対応している面積
を有する複数ｎ個の第２の露光用マスクＭ２１、Ｍ２２
ｉ・・・・・・・・Ｍ２ｎを用いて、それらの回路パタ
ーン部からなる回路パターンに対応している回路パター
ンを形成することができる。Effects and Effects According to the circuit pattern forming method according to the first invention of the present application, a plurality of n divided areas A 1Δ of the effective area are formed on the substrate.
2i......A plurality of n second exposure masks M21, M22 each having an area corresponding to An.
i...M2n can be used to form a circuit pattern corresponding to the circuit pattern made up of these circuit pattern parts.

従って、第２の露光用マスクＭ２１・〜Ｍ２ｎ。Therefore, the second exposure masks M21 to M2n.

の回路パターン部から＜＜る回路パターンが、上述した
従来の回路パターン形成法に用いる露光用マスクの回路
パターンと同じであれば、基板に、上述した従来の回路
パターン形成法の場合と同じ回路パターンを形成りるこ
とができる３゜しかしながら、本願第１番口の発明によ
る回路パターン形成法の場合、基板に回路パターンを形
成するために用いＣいる複数ｎ個の露光用マスクＭ２２
へ・Ｍ２ｎのイれぞれが、基板の右動ダ１域に比し小な
る面積を右し、イしで、イの面積は、露光用マスクＭ２
１〜Ｍ２ｎの数ｎを人と４ることにＪ、って所望の小さ
な面積にすることができる。従−）で、複数「）個の露
光用マスクＭ２１−Ｍ２ｎのそれぞれを、微細４１回路
パターン部を右！するｂのどじ（、容易に用息イするこ
とができる。If the circuit pattern from the circuit pattern portion is the same as the circuit pattern of the exposure mask used in the conventional circuit pattern forming method described above, the same circuit as in the conventional circuit pattern forming method described above However, in the case of the circuit pattern forming method according to the first aspect of the present invention, a plurality of n exposure masks M22 are used to form a circuit pattern on a substrate.
Each of M2n and A has a smaller area than the right-hand movement area of the substrate.
If the number n of 1 to M2n is 4 people, J can be made into a desired small area. You can easily take a breather by turning each of the plurality of exposure masks M21-M2n to the right side of the fine 41 circuit pattern section.

また、このようイＣ小面梢を右７する複数ｎ個の露光用
７スクＭ２１へ−Ｍ２ｎ．を順次用（亘ｊＪ根上に形成
された第２の〕Ｊ　ｌ−レジスト層に対し露光−４る場
合、それを、大面積を右４る露光用マスクを用いて基板
上に形成されたフ４１〜レジスｌ一層に対し露光１−る
従来の場合に比し、容易に行うことができる。In addition, a plurality of n 7 exposure screens M21-M2n. When sequentially exposing (second) resist layer formed on the substrate, it is exposed to a large-area exposure mask formed on the substrate. This can be easily carried out compared to the conventional case where one layer of resist 1 is exposed to light.

従って、本願第１番目の発明（４二よる回路パターン形
成法に、１、れば、上述した従来の回路パターン形成法
の場合に比し、基板に、微細な回路パターンを容易に形
成ｊることがでさる。Therefore, in the circuit pattern forming method according to the first invention of the present application (42), it is possible to easily form a fine circuit pattern on a substrate, compared to the above-mentioned conventional circuit pattern forming method. That's a big deal.

また、本願第２番目の発明にＪ、る露光装置ににれば、
基＆１−に形成され−（いるフォ１−レジス１〜層の全
域に対する露光用マスクを用いた露光を、１個の第１の
露光用マスクを用いた１回の露光によって行わＵるごと
と、複数ｎ個の第２の露光用マスクＭ２ｎ−・Ｍ２ｎを
順次用いた複数０回の露光によって行わせることとを、
選択して行うことがＣきる。In addition, in the exposure apparatus according to the second invention of the present application,
Exposure of the entire region of the photoresist 1 to layer formed on the base &1- (with the exposure mask) is carried out in one exposure using one first exposure mask. , performing a plurality of zero exposures using a plurality of n second exposure masks M2n-/M2n sequentially,
You can choose and do it.

このため、基板上に形成され”Ｃいるフォトレジス（・
層の全域に対４る露光用マスクを用いた露光を１個の第
１の露光用マスクを用いた露光によって行わＵることが
できるようにすることによって、本願第１番目の発明に
よる回路パターン形成法にお（Ｊる第１０フ４１〜レジ
ス１〜層に対する−に連した露光を容易に行わけ−るこ
とができ、また、基板上に形成されたフォト１ノジス１
〜層の全域に対する露光用マスクを用いた露光を、複数
ｎ個の第２の露）に用マスクＭ２１〜Ｍ２ｎを順次用い
た複数［）回の露光によってｔＪ　’５ことがでさるＪ
：うにづ−ることによって、本願第１番目の発明による
回路パターン形成法にｉ１３　ＬＪる第２の７オトレジ
スト層に対りるＬ述した露光を容易に行わＵることがで
さる１、 従って、本願第２番口の発明による露光装置によれば、
本願第１番［１の発明り、ｍ　、１．る回路パターン形
成法にお６１）る第１及び第２のノＡ１−１ノジスト層
に対するｌ述し人ｌ露光りｆＴ　：ｂ　＋４る場合に用
いてされめて好適Ｐｄする１ｎ １巖！ 次に、図面を伴イｉつ−Ｃ１本願第１Ｍ１″ｌの発明に
よる回路バク−ン形成法の実施例、及びイれに用い得る
本願第２Ｍ１１の発明による露光装置の実施例を、本願
第２番口の発明による露光装置の実施例を用いた本に１
第１番目の発明による回路パターン形成払の実施例で・
述べ、Ｊ、う、。For this reason, a “C” photoresist (・
The circuit pattern according to the first invention of the present application can be obtained by making it possible to perform exposure using four exposure masks over the entire area of the layer by exposure using one first exposure mask. It is possible to easily carry out the exposures associated with the formation method (10th layer 41 - resist 1 - layer), and the photo 1 nozzle 1 formed on the substrate.
~ Exposure using the exposure mask for the entire region of the layer can be performed for a plurality of n second exposures by a plurality of [) times of exposure using the exposure masks M21 to M2n sequentially to tJ '5.
: By applying the same method, the exposure described above can be easily carried out on the second seven photoresist layers in the circuit pattern forming method according to the first invention of the present application. According to the exposure apparatus according to the invention of the second part of the present application,
This application No. 1 [Invention of 1, m, 1. In the circuit pattern forming method according to 61), the first and second A1-1 photoresist layers are exposed to light fT:b +4, and are preferably used for Pd. Next, an embodiment of the circuit backbone forming method according to the invention of No. 1M1''l of the present application and an example of an exposure apparatus according to the invention of No. 2M11 of the present application that can be used in accordance with the invention of No. 2M1 of the present application will be described with reference to drawings. 1 in the book using the embodiment of the exposure apparatus according to the invention of No. 2
In the embodiment of the circuit pattern forming method according to the first invention.
Said, J...

複数ｎ個、例えば２個の基板区分領域Ｆ１及び「２から
なるイｊ効領域を有する基板１を予め用意する（第１図
Δ及びＢ）、。A substrate 1 having a plurality of n, for example two, effective regions F1 and 2 is prepared in advance (Δ and B in FIG. 1).

しかしで、−での基板１−Ｌに、イの有効領域の全域に
わたって延長しているフＡトレジス１〜層Ｒ１を、例え
ば塗布によって形成４る（第２図Δ及びＢ）。However, on the substrate 1-L at -, a layer of photoresist 1 to R1 extending over the entire effective area of A is formed, for example by coating (FIGS. 2 Δ and B).

次に、す板１を、本願第２番目の発明による露光装置の
載置台２１」こ載置し、次−（゛、この載置台２１に載
置された基板１のｉ、＝　１ｉ位置に、基板１の有効領
域に対応しＬ：面積を石し１−Ｐつ基板１０基板区分領
ｔｆｉ［及び、にそれぞれ対応している２個の露光用マ
スク区分領域Ｄ１及びＤ２にイれぞれ２個の位置合せ用
マークパターン１〕１　　及びＰ１２を右４るととｂに
、［］必要に応じて回路パターンを右しＣいる（以］−
１その回路パターンを有し、Ｔいないものとして述べる
）露光用マスクＭ１を、本願第２番目の発明にＪ、るホ
ルダ３を用いて、基板１に対して位置決めして持来し、
そして、基板１１−のフォトレジスト層Ｒ１に対し、露
光用マスクＭ１を用いた、本願第２番目の発明ににるラ
ンプ、反銅鏡などを含んで構成されている露光用光〈１
−成丁Ｉ″Ｑ（図示せず）からの］コリメートされた露
光用光としての紫外線りによる等倍露光を行う（第３図
Δ及びＢ）。Next, the substrate 1 is placed on the mounting table 21 of the exposure apparatus according to the second invention of the present application, and then -(゛, i, = 1i position of the substrate 1 placed on this mounting table 21). , corresponds to the effective area of the substrate 1, and has an area of 1-P. Place the two alignment mark patterns 1] 1 and P12 on the right 4 and b, [] If necessary, place the circuit pattern on the right C (below) -
1) Positioning and bringing the exposure mask M1 with respect to the substrate 1 using the holder 3 according to the second invention of the present application,
The photoresist layer R1 of the substrate 11- is then exposed to the exposure light <1, which is composed of a lamp, an anti-copper mirror, etc. according to the second invention of the present application, using the exposure mask M1.
- Exposure is carried out at the same magnification using ultraviolet rays as collimated exposure light (from I″Q (not shown)) (FIG. 3 Δ and B).

次に、上述したＪ：うに露光の行われたフォトレジスト
層Ｒ１に対する現像を行って、そのフォトレジスト層Ｒ
１がら、基板１上に形成され月つ基板１の２個の基板区
分領域Ｆ１及びＥ２にそれぞれ対応している２個の加工
用マスク区分領域１］１１及び１１１２にイれぞれ２個
の位置合せ用マークパターンＰ１　　、ＰＩ３・・・・
・・・・・Ｐ１ｎに対応している２個の位買合ゼ用マー
クパターンＰ２１及びＰ２２を有する加工用マスク層に
１を得る（第４図Δ及びＢ）。Next, the photoresist layer R1 exposed to J: sea urchin described above is developed, and the photoresist layer R1 is developed.
1, two processing masks are formed on the substrate 1 and correspond to the two substrate section regions F1 and E2 of the substrate 1, respectively. Alignment mark patterns P1, PI3...
. . . 1 is obtained in the processing mask layer having two mark patterns P21 and P22 for position matching corresponding to P1n (FIG. 4 Δ and B).

次に、基板１に対し、加工用マスクｌ１ＭＫ１をマスク
どして用いた種々の加工を施し、次で、加工用マスク層
に１を基板１上から除去し、基板１のも動領域に、その
２個の基板区分領域Ｅ１及びＥ２において、位置合ゼ用
マークパターンＰ２１及びＰ２２にそれぞれ対応してい
る２個の位置合せ用マークパターンＰ３１及びＰ３２を
それぞれ形成づ−る（第５図Ａ及びＢ）。Next, the substrate 1 is subjected to various processing using the processing mask l1MK1 as a mask, and then the processing mask layer 1 is removed from the substrate 1, and the moving area of the substrate 1 is Two alignment mark patterns P31 and P32 corresponding to alignment mark patterns P21 and P22, respectively, are formed in the two substrate division areas E1 and E2 (FIGS. 5A and 5A). B).

次に、上述したようにして位置合せ用マークパターンＰ
３１及びＰ３２を形成している基板１上に、その有効領
域の全域に亘って延長しているフォ１〜レジス１〜ＥＲ
２を、例えば塗布によって形成する（第６図Ａ及びＢ）
。Next, as described above, the alignment mark pattern P
31 and P32 are formed on the substrate 1, which extends over the entire effective area thereof.
2, for example by coating (Fig. 6A and B).
.

次に、フォ１〜レジスト層Ｒ２を形成している基板１を
、再度、本願第２番目の発明にＪ：る露光装置の載置台
２−Ｆに載置し、次で、その基板１の上方位置に、基板
１の２個の基板区分領域Ａ１及び△２にそれぞれ対応し
ている面積を有し且つ２個の回路パターン部Ｑ１１及び
Ｑ１２からなる回路パターンＣ１の２個の回路パターン
部Ｑ１１及びＱ１２をそれぞれ有する２個の−１）ブー 露光用マスクＭ２１及びＭ２２の一方である露光用マス
クＭ２１を、本願第２番目の発明によるホルダ４を用い
Ｃ，２；を板１の１．（板区分領域△１に対して位置合
り用マークパターンＰ３１によって位置決めして持来し
、次に、）Ａ］〜レジスト層Ｒ２の、基板１の２個のｔ
ｉｔ板区分領域Ｅ１及びＥ２にそれぞれ対応している２
個のノＡトレジスト層区分領［Ｊ　　及びＪ２の一方で
あす るフォトレジスト層区分領域Ｊ１に対し、露光用マスク
Ｍ２１を用いた、−に述した本願第２番目の発明による
露光用光生成手段からのコリメートされた紫外線りによ
る等倍露光を行う（第７図Ａ及びＢ）。Next, the substrate 1 on which the resist layers R2 to F1 are formed is again placed on the mounting table 2-F of the exposure apparatus according to the second invention of the present application. At the upper position, two circuit pattern portions Q11 of the circuit pattern C1 have areas corresponding to the two board division areas A1 and Δ2 of the substrate 1, respectively, and are composed of two circuit pattern portions Q11 and Q12. The exposure mask M21, which is one of the two -1) boo exposure masks M21 and M22 having C and Q12, respectively, is placed on the plate 1 using the holder 4 according to the second invention of the present application. (Positioning and bringing to the board division area Δ1 using the alignment mark pattern P31, and then)
2 corresponding to IT board division areas E1 and E2, respectively.
The exposure light generating means according to the second invention of the present application using the exposure mask M21 for the photoresist layer section J1 which is one of the photoresist layer sections [J and J2] Exposure is carried out using collimated ultraviolet light from the substrate (FIGS. 7A and B).

この場合、露光用マスクＭ２　及びＭ２２は、本願第２
番目の発明にＪこるホルダ４に、互にはぼ同一面内に並
置配列して保持されている。また、フォトレジスト層区
分領域Ｊ１に対する露光時に、露光用マスクＭ２１及び
Ｍ２２の配列面の上方位置に、本願第２番目の発明にＪ
、る遮光板５を、紫外ＦＡＬが露光用マスクＭ２１のみ
を通るＪ：うに、ホルダ４に乃至基板１対して位置決め
して配し、よって、フ、ｔ　Ｉ−レジス］〜層区分領域
Ｊ１に対する露光時に、紫外線りが７オトレジスト層区
分領域Ｊ２に対しても、それに対して位置決めされてい
ない露光用マスクＭ２２を通じて露光されることがない
ようにしている。In this case, the exposure masks M2 and M22 are
In the holder 4 according to the second aspect of the invention, they are held in juxtaposition in substantially the same plane. In addition, when exposing the photoresist layer division region J1, a J film according to the second invention of the present application is placed above the arrangement plane of the exposure masks M21 and M22.
, the light shielding plate 5 is positioned and arranged with respect to the holder 4 to the substrate 1 so that the ultraviolet FAL passes only through the exposure mask M21. During exposure, ultraviolet rays are prevented from being exposed to the seven photoresist layer section J2 through the exposure mask M22 which is not positioned relative thereto.

次に、上述したように露光されているフォ１〜レジスト
層Ｒ２を有している基板１の上方位置に、上述した２個
の露光用マスクＭ２１及びＭ２２の他方である露光用マ
スクＭ２２を、上述した本願第２番目の発明にＪ：るホ
ルダ４を用いて、基板１の基板区分領域Δ２に対して位
置合「用マークパターンＰ３１によって位置決めして持
来し、次に、フォトレジスト層Ｒ２の上述した２個のフ
Ａ１〜レジスＩ−Ｆｔ区分領域Ｊ１及びＪ２の他方であ
るフッ１１〜レジメ１一層区分領域Ｊ２に対し、露光用
マスクＭ２２を用いた、上述した＝１リメー１〜された
紫外線りによる等倍露光を行う（第８図Ａ及びＢ）。こ
の場合、フォ１へレジス１一層［メ分ダ１域Ｊ２ｔ、−
二対りる露光時に、露光用マスクＭ２ｎ及びＭ２２の配
列面の」−ｈ位置に、上述した本願第２番「１の発明（
、二上ろ遮光板５を、紫外線１が露光用マスクＭ２ｎの
みを通るように、ホルダ４乃〒基板１に対し−Ｃ位ｉ７
１゛決めしζ−配し、９Ｊ、−）で、フーＡ１〜レジス
１〜層区分領域Ｊ２に対りる露光＋１．’ｌ　ｋ７、紫
外線ｌ−がフｓ１−レジスト層１３分領域ＪｉＬ二対し
て１）イれに対しＣ位置決Ｖ）され−４いない露光用マ
スクＭ２１を通じＣ露光されることがＰｉ７い、１、−
）にしくいる１ｎ次に、上述しツノこＪ、う（２ニノＡ
１・１ノジスＩ−ｒ？区分領１或Ｊ　及びＪ２に露光の
行われたライ１−１フジス１へ層［く２４右（Ｊろ１．
を板１を、）ｊホしＩ、一本願第２番目の発明にＪ、る
露光１４置の載ＩＮ台２１から取出し、イしく、１；り
ｌｉ　シ／；−１−）ｌに露）■の（’ｉ　ｉ’）　４
またノｉ−ｔ−レジス１一層１＜２にス・１りる現像４
行）（、その）ｉ　ｌ−１ノジスト層１り２行日）、ｊ
ｅｔ枚１十に形成され丁且つ、基板１０２個の１１を仮
１ス分領１！＆　ｌ’：　１及び［２にぞれぞれ対応し
くいる２個の加二１川く・スフ区分領域１（２１及びｌ
Ｉ２２ｔこイＰｔ　’ｆれ石している１−述した回路パ
ターンＣ１の２個の回路バター７部Ｑ１　及びＱ１２に
で−れｆれ対応（）Ｃいる２個の回路バ今−ン部Ｑ　２
１及びＱ２２からイー声る回ト′８パノノーンＣ２４゛
ζ−１Ｌｊる加十用ンスク層に２を形成する（第９図八
及びＦ３　）　。Next, an exposure mask M22, which is the other of the two exposure masks M21 and M22 mentioned above, is placed above the substrate 1 having the photo resist layer R2 exposed as described above. Using the holder 4 according to the second invention of the present application described above, the substrate 1 is positioned and brought to the substrate section area Δ2 according to the alignment mark pattern P31, and then the photoresist layer R2 is placed. The exposure mask M22 is used to apply the above-mentioned = 1 rem 1 to 1 layer division area J2, which is the other of the two sectional areas J1 and J2 of the above-mentioned two wafers A1 to registration I-Ft. Exposure is carried out at the same magnification using ultraviolet rays (FIG. 8A and B).
At the time of two pairs of exposure, the above-mentioned invention No. 2 of the present invention (1)
, the upper light shielding plate 5 is placed between the holder 4 and the -C position i7 with respect to the substrate 1 so that the ultraviolet rays 1 pass only through the exposure mask M2n.
1゛determining ζ-distribution, 9J,-), the exposure for Fu A1 to resist 1 to layer division area J2 is +1. It is Pi7 that the ultraviolet rays L- are exposed to the resist layer 13 area JiL2 through the exposure mask M21 which is not positioned at the resist layer 13. ,−
), then the above-mentioned Tsunoko J, U(2Nino A)
1.1 Nojis I-r? Layers 1-1 and Fujis 1 where exposure has been carried out in section areas 1 or J and J2 (Jro 1.
Take out the plate 1 from the mounting table 21 of 14 exposure positions according to the second invention of the present application, and expose it to 1; ) ■ ('i i') 4
Also, the development 4 in which the resist 1 is layered 1<2.
row) (, its) i l-1 nosist layer 1 2 row day), j
It is formed into 10 sheets, and 11 of 102 substrates are temporarily divided into 1 space 1! &l': Two K21 river/suf division areas 1 (21 and l) corresponding to 1 and [2, respectively.
I22t Pt 'frestone 1 - The two circuit butter 7 parts of the circuit pattern C1 described above are connected to Q1 and Q12. 2
From 1 and Q22, 2 is formed on the auxiliary mask layer (FIG. 9 and F3).

次に、基板１（、二対し、加工用マスク層に２をマスク
と１）−（用いｌ：＝　ＪＪｎ　ＩをＱｌｉＩ−＋、１
．を板１の有効領域に、［述した回路パターンＣ２ｌＪ
：対応している回路パターンＣ３を形成し、次Ｃ１必要
に応じ（、＋ＩｆｌＴ用マスク謂マス２をＩＭｌｉ十か
ら除ム（ｊる（第１０Ｎへ及びＢ　）　、。Next, the substrate 1 (, 2 pairs, 2 as a mask and 1 as a processing mask layer) - (using l:= JJn I, QliI - +, 1
．． into the effective area of board 1, [described circuit pattern C2lJ
: Form the corresponding circuit pattern C3, and then remove the mask for C1 (+IflT mask, so-called square 2, from IMli (to the 10th N and B), if necessary).

以１のようにしく、基板１１Ｊ、［ヨ１的とする回路パ
ターンＣ３を形成する。As described above, a circuit pattern C3 is formed on the substrate 11J.

＜、−１１３、−１述におい７−は、本願第１番目の発
明（こよろ回路パターン形成法の且つ、の実施例、及び
本願第２番目の発明に３１、る露光装置の１′つの実ｌ
ｋ１例を示したに１１−まり、本発明の精神を脱する。<, -113, -1-1 description 7- is an embodiment of the first invention of the present application (the method of forming a circuit pattern) and 1' of the exposure apparatus according to the second invention of the present application. Real l
Having shown only one example, this departs from the spirit of the invention.

＝と４−、、（、に種々の変型、変型をｒｚＬｉツるで
あ／−７）う。= and 4-, , (, there are various modifications and variations on rzLi/-7).

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図Ａ及び１〕、第２図八及び［３、）′１３図Ａ及
びＢ、第４図八及びＢ、第５図八及び［３、第６図八及
び１３、第７図Ａ及び［１、第８図八及びＢ１１００Δ
及び［１、第１０Ｎへ及び１３は、本願第２番［°１の
発明に、Ｊ、イ）露光装置の実施例を用いた、本発明ｔ
ｒｌ　Ｊ、る回路パターン形成法の実施例を示夏ｊ、順
次の１稈にｉｔ５　ｆ−Ｊる路線的要部の甲面図及びそ
の横］１１面図Ｃｉｌする、１１・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・隼：ｔ４＆２ｉ・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・１１！！　：Ｐｉ　Ｐｉ３
．４・・・・・・・・・・・・・・・ホルダ５・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・遮光板ＣＬ　Ｃ２
，０３ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・回路パターンＤ
１、ＩＩ）２ｉ・・・・・・・・露光用マスク区分領域
［１、「２ｉ・・・・・・・・導Ｊ板区分領域し　　　
・・・　・・・　・・・　・・・　・・・　・・・　紫
　４ｒｌ　　線Ｅに　１　、　　Ｒ２ｉ・・　・・・　
・・・　−）　号　１〜１ノ　ジ　ス　１・層ＰＩ　　
、Ｐｌ　　、Ｐ２ｎ、Ｐ２　　、Ｐ３１．１　　２　　
　ｌ　　　２ Ｐ３２ｉ・・・・・・・・・・・・・・位ｉｉ’１合１
Ｊ用・イ′−イｌパター−２４＝ ン ＫＩ　Ｋ２ｉ・・・・・・・・加工用マスク層）−ＩＩ
　　、Ｈｌ　　、Ｈ２１，Ｈ２２ｉ・・・・・・・・・
・・・・・・・・加Ｉ用マスク層区分領域（：）１　　
、Ｑｌ　　、Ｑ２１　、Ｑ２２ｉ・・・・・・・・・・
・・・・・・・回路パターン部、Ｊ　　、　、１．、・
・・・・・・・・−ノｓ−ｔ−１ノジスｉ一層区分領１
或 出願人　　［１木電（１−電話株式会ン１第３図Ａ 第３図Ｂ 亀 第４図Ｂ 第５図Ａ 第５＠Ｂ 第６図Ａ 第６回Ｂ ２８画Ａ 第８図Ｂ 第９図Ａ 第９図Ｂ 第１Ｃ武Ａ 第１０図Ｂ Ｍ下ぐ］１Figure 1 A and 1], Figure 2 8 and [3,)'13 Figure A and B, Figure 4 8 and B, Figure 5 8 and [3, Figure 6 8 and 13, Figure 7 A and [1, Figure 8 8 and B1100Δ
and [1, No. 10N and 13 refer to No. 2 of the present application [°1], J, A) The present invention t using the embodiment of the exposure apparatus
rl J, I will show you an example of the circuit pattern forming method.・・・・・・
・・・・・・・・・・・・Hayabusa: t4&2i・・・・・・
・・・・・・・・・・・・11! ! :Pi Pi3
．． ４・・・・・・・・・・・・・・・Holder 5・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・ Light shielding plate CL C2
,03 ・・・・・・・・・・・・・・・Circuit pattern D
1, II) 2i...Exposure mask segmented area [1, "2i...J guide plate segmented area
・・・ ・・・ ・・・ ・・・ ・・・ ・・・ Purple 4rl 1 to line E, R2i...
... -) No. 1 to 1 No. 1 layer PI
, Pl , P2n, P2 , P31.1 2
l 2 P32i・・・・・・・・・・・・Position ii'1 go 1
J/I′-Il pattern 24 = NKI K2i... Processing mask layer)-II
, Hl, H21, H22i...
・・・・・・Mask layer division area for addition I (:) 1
, Ql , Q21 , Q22i...
......Circuit pattern part, J, , 1. ,・
......-nos-t-1 nojisu i layer division area 1
Applicant [1 Mokuden (1-Telephone Co., Ltd. 1 Figure 3 A Figure 3 B Turtle Figure 4 B Figure 5 A 5@B Figure 6 A 6th B 28th picture A Figure 8 B Figure 9A Figure 9B 1C Take A Figure 10B M down] 1

Claims (1)

【特許請求の範囲】 １、複数ｎ個の基板区分領域Ｅ＿１、Ｅ＿２・・・・・
・・・・Ｅ＿ｎからなる有効領域を有する基板上に、そ
の上記有効領域の全域にわたつて延長している第１のフ
ォトレジスト層を形成する工程と、上記第１のフォトレ
ジスト層に対し、上記 基板の上記有効領域に対応した面積を有し且つ上記複数
ｎ個の基板区分領域Ｅ＿１、Ｅ＿２・・・・・・・・・
Ｅ＿ｎにそれぞれ対応している複数ｎ個の露光用マスク
区分領域Ｄ＿１、Ｄ＿２・・・・・・・・・Ｄ＿ｎにそ
れぞれ複数ｎ個の第１の位置合せ用マークパターンＰ１
＿１、Ｐ１＿２・・・・・・・・・Ｐ１＿ｎを少なくと
も有する第１の露光用マスクを用いた第１の露光を行う
工程と、 上記第１の露光の行われた上記第１のフォ トレジスト層に対する現像を行って、上記第１の露光の
行われた上記第１のフォトレジスト層から、上記基板上
に形成され且つ、上記複数ｎ個の基板区分領域Ｅ＿１、
Ｅ＿２・・・・・・・・・Ｅ＿ｎにそれぞれ対応してい
る複数ｎ個の第１の加工用マスク区分領域Ｈ１＿１、Ｈ
１＿２・・・・・・・・・Ｈ１＿ｎにそれぞれ上記複数
ｎ個の位置合せ用マークパターンＰ１＿１、Ｐ１＿２・
・・・・・・・・Ｐ１＿ｎに対応している複数ｎ個の第
２の位置合せ用マークパターンＰ２＿１、Ｐ２＿２・・
・・・・・・・Ｐ２＿ｎを少なくとも有する第１の加工
用マスク層を得る工程と、 上記基板に対し、上記第１の加工用マスク 層をマスクとして用いた第１の加工を施し、次で、上記
第１の加工用マスクを上記基板上から除去し、上記基板
の上記有効領域に、その上記複数ｎ個の基板区分領域Ｅ
＿１、Ｅ＿２・・・・・・・・・Ｅ＿ｎにおいて、上記
第２の位置合せ用マークパターンＰ２＿１、Ｐ２＿２・
・・・・・・・・Ｐ２＿ｎにそれぞれ対応している複数
ｎ個の第３の位置合せ用マークパターンＰ３＿１、Ｐ３
＿２・・・・・・・・・Ｐ３＿ｎをそれぞれ形成する工
程と、 上記第３の位置合せ用マークパターンＰ３ ＿１、Ｐ３＿２・・・・・・・・・Ｐ３＿ｎを形成して
いる上記基板上に、その上記有効領域の全域に亘って延
長している第２のフォトレジスト層を形成する工程と、 上記第２のフォトレジスト層の、上記複数 ｎ個の基板区分領域Ｅ＿１、Ｅ＿２・・・・・・・・・
Ｅ＿ｎにそれぞれ対応している複数ｎ個のフォトレジス
ト層区分領域Ｊ＿１、Ｊ＿２・・・・・・・・・Ｊ＿ｎ
に対し、上記複数ｎ個の基板区分領域Ａ＿１、Ａ＿２・
・・・・・・・・Ａ＿ｎにそれぞれ対応している面積を
有し且つ複数ｎ個の第１の回路パターン部Ｑ１＿１、Ｑ
１＿２・・・・・・・・・Ｑ１＿ｎからなる第１の回路
パターンの複数ｎ個の第１の回路パターン部Ｑ１＿１、
Ｑ１＿２・・・・・・・・・Ｑ１＿ｎをそれぞれ有する
複数ｎ個の第２の露光用マスクＭ２＿１、Ｍ２＿２・・
・・・・・・・Ｍ２＿ｎを、上記第３の位置合せ用マー
クパターンＰ３＿１、Ｐ３＿２・・・・・・・・・Ｐ３
＿ｎによって位置決めして用いた、複数ｎ回の第２の露
光を行う工程と、 上記第２の露光の行われた上記第２のフォ トレジスト層に対する現像を行って、上記第２の露光の
行われた上記第２のフォトレジスト層から、上記基板上
に形成され且つ上記複数ｎ個の基板区分領域Ｅ＿１、Ｅ
＿２・・・・・・・・・Ｅ＿ｎにそれぞれ対応している
複数ｎ個の第２の加工用マスク区分領域Ｈ２＿１、Ｈ２
＿２・・・・・・・・・Ｈ２＿ｎにそれぞれ有している
上記複数ｎ個の第１の回路パターン部Ｑ１＿１、Ｑ１＿
２・・・・・・・・・Ｑ１＿ｎにそれぞれ対応している
複数ｎ個の第２の回路パターン部Ｑ２＿１、Ｑ２＿２・
・・・・・・・・Ｑ２＿ｎからなる第２の回路パターン
を有する第２の加工用マスク層を形成する工程と、 上記基板に対し、上記第２の加工用マスク 層をマスクとして用いた第２の加工を施し、上記基板の
上記有効領域に、上記第２の回路パターンに対応してい
る第３の回路パターンを形成する工程とを有することを
特徴とする回路パターン形成法。 ２、複数ｎ個の基板区分領域Ｅ＿１、Ｅ＿２・・・・・
・・・・Ｅ＿ｎからなる有効領域を有する基板を載置す
る載置台と、 上記基板の有効領域に対応している面積を 有する第１の露光用マスクを保持する第１のホルダと、 上記複数ｎ個の基板区分領域Ｅ＿１、Ｅ＿２・・・・・
・・・・Ｅ＿ｎにそれぞれ対応する面積を有する複数ｎ
個の第２の露光用マスクＭ２＿１、Ｍ２＿２・・・・・
・・・・Ｍ２＿ｎをほぼ同一画面内に互に並置配列して
保持する第２のホルダと、 上記第１の露光用マスクを通じて、または 上記第２の露光用マスクＭ２＿ｉ（ｉ＝１、２・・・・
・・・・・ｎ）を通じて、上記基板側に向う露光用光を
生成する露光用光生成手段と、 上記露光用光を、上記第２の露光用マスク Ｍ２＿ｉに通させる遮光板と、 上記第１のホルダを、上記第１の露光用マ スクが上記基板の有効領域と対向している位置に移動さ
せる第１のホルダ移動手段と、 上記第２のホルダを、上記第２の露光用マ スクＭ２＿ｉが上記基板の上記基板区分領域Ｅ＿ｉと対
向している位置に移動させる第２のホルダ移動手段と、 上記遮光板を、上記露光用光が上記第２の 露光用マスクＭ２＿ｉのみを通る位置に移動させる遮光
板移動手段とを有することを特徴とする露光装置。[Claims] 1. A plurality of n substrate division areas E_1, E_2...
. . . Forming a first photoresist layer extending over the entire effective area on a substrate having an effective area consisting of E_n; and for the first photoresist layer, The plurality of n substrate division areas E_1, E_2, which have an area corresponding to the effective area of the substrate, and
A plurality of n first alignment mark patterns P1 for each of a plurality of n exposure mask division areas D_1, D_2, D_n, respectively corresponding to E_n.
A step of performing a first exposure using a first exposure mask having at least P1_n, and the first photoresist layer subjected to the first exposure. is formed on the substrate from the first photoresist layer subjected to the first exposure, and the plurality of n substrate segmented areas E_1,
E_2...... A plurality of n first processing mask division areas H1_1, H each corresponding to E_n
1_2......H1_n is provided with the plurality of n alignment mark patterns P1_1, P1_2, respectively.
....N plurality of second alignment mark patterns P2_1, P2_2 corresponding to P1_n...
. . . Obtaining a first processing mask layer having at least P2_n; performing a first processing on the substrate using the first processing mask layer as a mask; and then performing a first processing using the first processing mask layer as a mask. , the first processing mask is removed from the substrate, and the plurality of n substrate division areas E are applied to the effective area of the substrate.
_1, E_2......E_n, the second alignment mark patterns P2_1, P2_2.
......N plurality of third alignment mark patterns P3_1, P3 each corresponding to P2_n
_2...P3_n is formed on the substrate on which the third alignment mark patterns P3_1, P3_2...P3_n are formed. , forming a second photoresist layer extending over the entire effective area;・・・・・・
A plurality of n photoresist layer division regions J_1, J_2, respectively corresponding to E_n...J_n
In contrast, the plurality of n board division areas A_1, A_2・
・・・・・・A plurality of n first circuit pattern portions Q1_1, Q each having an area corresponding to A_n.
A plurality of n first circuit pattern portions Q1_1 of the first circuit pattern consisting of 1_2...Q1_n,
A plurality of n second exposure masks M2_1, M2_2, each having Q1_2...Q1_n.
......M2_n, the third alignment mark pattern P3_1, P3_2...P3
a step of performing second exposure a plurality of n times using positioning according to _n; and developing the second photoresist layer on which the second exposure has been performed, and performing the second exposure step. from the second photoresist layer formed on the substrate and forming the plurality of n substrate section regions E_1, E.
_2...... A plurality of n second processing mask division areas H2_1, H2 each corresponding to E_n
_2......The plurality of n first circuit pattern parts Q1_1, Q1_ respectively included in H2_n
2... A plurality of n second circuit pattern parts Q2_1, Q2_2, each corresponding to Q1_n.
.....A step of forming a second processing mask layer having a second circuit pattern consisting of Q2_n, and a step of forming a second processing mask layer on the substrate using the second processing mask layer as a mask. 2. A method for forming a circuit pattern, comprising the step of performing the processing of step 2 to form a third circuit pattern corresponding to the second circuit pattern in the effective area of the substrate. 2. Plurality n of board division areas E_1, E_2...
... A mounting table on which a substrate having an effective area consisting of E_n is placed, a first holder holding a first exposure mask having an area corresponding to the effective area of the substrate, and the plurality of above-mentioned ones. n board division areas E_1, E_2...
・・・・Multiple n each having an area corresponding to E_n
second exposure masks M2_1, M2_2...
....A second holder that holds M2_n in a juxtaposed arrangement with each other in substantially the same screen, and through the first exposure mask or the second exposure mask M2_i (i=1, 2. ...
... n), an exposure light generating means for generating exposure light directed toward the substrate side; a light shielding plate that allows the exposure light to pass through the second exposure mask M2_i; a first holder moving means for moving the first holder to a position where the first exposure mask faces the effective area of the substrate; a second holder moving means for moving the light-shielding plate to a position facing the substrate division area E_i of the substrate; and moving the light shielding plate to a position where the exposure light passes only through the second exposure mask M2_i. 1. An exposure apparatus comprising: means for moving a light shielding plate.