JPS62116736A - 真空遮断器用電極の製造法 - Google Patents
真空遮断器用電極の製造法Info
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- JPS62116736A JPS62116736A JP25657385A JP25657385A JPS62116736A JP S62116736 A JPS62116736 A JP S62116736A JP 25657385 A JP25657385 A JP 25657385A JP 25657385 A JP25657385 A JP 25657385A JP S62116736 A JPS62116736 A JP S62116736A
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- copper
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- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
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- H01H1/02—Contacts characterised by the material thereof
- H01H1/0203—Contacts characterised by the material thereof specially adapted for vacuum switches
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、真空遮断器用電極の製造方法に関するもので
ある。
ある。
従来から真空遮断器用電極としては、導電性が良いこと
がらＣｕをベースとした合金が多く用いられている。例
えばＣｕ−Ｐｂ系、Ｃｕ−Ｂ１系、あるいは高耐電圧性
をもたせたＣｕ−Ｃｏ−Ｂ１またはｐｂ系の溶製合金が
ある。
がらＣｕをベースとした合金が多く用いられている。例
えばＣｕ−Ｐｂ系、Ｃｕ−Ｂ１系、あるいは高耐電圧性
をもたせたＣｕ−Ｃｏ−Ｂ１またはｐｂ系の溶製合金が
ある。
上記材料において、Ｂｉ、Ｐｂ等の低融点金属の添加の
目的は、一般には電接面の溶着を防ぐことにある。従来
の多くの電極材にはこうした添加元素が加えられたＣｕ
ベース合金が用いられてきている。しかし、Ｂｉ、Ｐｂ
などを添加しない電極材料もいくつかある。例えば、特
開昭５４−７３２８４に開示されている電極接点ＷＣ−
Ａｇ、あるいは特公昭４５−３５１０１に開示されてい
るＣｒ−Ｃｕ系の火花ギャップ用の電極などは低融点金
属を含有せずともかなり良好な耐溶着特性を有し、最近
になって真空遮断器用として用いられつつある。上記接
点のうち、Ｃｒ −Ｃｕ及びＷＣ−Ａｇ系の場合は、マ
トリックスとなるＣｒ及びＷＣが高い融点を有するため
比較的溶着しにくいことにある。しかしながら、上記材
料においてはそれぞれに欠点を有する１例えば、ＷＣ−
Ａｇ系においては、アーク遮断時に電極面の一部が高温
にさらされると、多量の熱電子を放射しやすく、このた
め絶縁回復特性ならびに遮断能力が低下する。したがっ
て、あまり大容量用には適用できないという欠点がある
。一方、Ｃｒ−Ｃｕ系においては、Ｃｒ自体が酸素（ｏ
２）との親和力が非常に大きくこのため、Ｃｒの圧粉体
は、通常、還元性雰囲気中の高い温度で焼結、溶浸など
が行われる。しかし、それでも、Ｃｒ粉末を焼結した場
合には酸化物残渣が存在しなすい。この結果、電極とし
て、さらに高温のアークにさらされると、上記酸化物が
分解され、酸素を放出し、このために遮断不能になる場
合がある。これらの酸化物残渣をできるだけなくすため
に種々の方策がとられる０例えば特開昭５０−５５８７
０に開示されているように、Ｃｒ焼結体の粒子間に残り
やすいＣｒ酸化物を、あらかじめＣｕ粉末を混合、圧粉
しておき、それをＣｕの融点以上、１００℃を超えない
温度で液相焼結し、その後熱間鍛造により緻密化する方
法。
目的は、一般には電接面の溶着を防ぐことにある。従来
の多くの電極材にはこうした添加元素が加えられたＣｕ
ベース合金が用いられてきている。しかし、Ｂｉ、Ｐｂ
などを添加しない電極材料もいくつかある。例えば、特
開昭５４−７３２８４に開示されている電極接点ＷＣ−
Ａｇ、あるいは特公昭４５−３５１０１に開示されてい
るＣｒ−Ｃｕ系の火花ギャップ用の電極などは低融点金
属を含有せずともかなり良好な耐溶着特性を有し、最近
になって真空遮断器用として用いられつつある。上記接
点のうち、Ｃｒ −Ｃｕ及びＷＣ−Ａｇ系の場合は、マ
トリックスとなるＣｒ及びＷＣが高い融点を有するため
比較的溶着しにくいことにある。しかしながら、上記材
料においてはそれぞれに欠点を有する１例えば、ＷＣ−
Ａｇ系においては、アーク遮断時に電極面の一部が高温
にさらされると、多量の熱電子を放射しやすく、このた
め絶縁回復特性ならびに遮断能力が低下する。したがっ
て、あまり大容量用には適用できないという欠点がある
。一方、Ｃｒ−Ｃｕ系においては、Ｃｒ自体が酸素（ｏ
２）との親和力が非常に大きくこのため、Ｃｒの圧粉体
は、通常、還元性雰囲気中の高い温度で焼結、溶浸など
が行われる。しかし、それでも、Ｃｒ粉末を焼結した場
合には酸化物残渣が存在しなすい。この結果、電極とし
て、さらに高温のアークにさらされると、上記酸化物が
分解され、酸素を放出し、このために遮断不能になる場
合がある。これらの酸化物残渣をできるだけなくすため
に種々の方策がとられる０例えば特開昭５０−５５８７
０に開示されているように、Ｃｒ焼結体の粒子間に残り
やすいＣｒ酸化物を、あらかじめＣｕ粉末を混合、圧粉
しておき、それをＣｕの融点以上、１００℃を超えない
温度で液相焼結し、その後熱間鍛造により緻密化する方
法。
あるいは酸化物が遮断時に分解した場合にその分解ガス
を吸着させるためのゲッター用の第３元素（Ｔｉ、Ｚｒ
など）を添加する方法などが挙げられる。前者の液相焼
結による酸化物を除去する方法としては、ドイツ連邦共
和国特許出願公開第１６４００３９号公報にも開示され
ているように、Ｃｒ焼結マトリックスをＣｕの溶湯を浸
透させる溶浸工程によって酸化物を分解、除去する方法
が述べられている。以上のような従来技諸において、と
りわけＣｕを溶浸する方法は酸化物を分解、除去するこ
とに効果がある。しかしながら、完全に除去することは
困難で１部分的には酸化物スラグが焼結マトリックスの
空孔をふさぐことがあり、Ｃｕの浸透をさまたげる結果
となり、未溶浸の欠陥空孔が形成されることがある。こ
の欠陥空孔にはガスが吸蔵されやすく、電極とした場合
、遮断操作のくり返しにより著しいガスの放出源となり
、遮断能力を下げてしまうことが多い。この点でＣｒ焼
結マトリックスをなおいっそう清浄化する前処理を加え
る必要があった。
を吸着させるためのゲッター用の第３元素（Ｔｉ、Ｚｒ
など）を添加する方法などが挙げられる。前者の液相焼
結による酸化物を除去する方法としては、ドイツ連邦共
和国特許出願公開第１６４００３９号公報にも開示され
ているように、Ｃｒ焼結マトリックスをＣｕの溶湯を浸
透させる溶浸工程によって酸化物を分解、除去する方法
が述べられている。以上のような従来技諸において、と
りわけＣｕを溶浸する方法は酸化物を分解、除去するこ
とに効果がある。しかしながら、完全に除去することは
困難で１部分的には酸化物スラグが焼結マトリックスの
空孔をふさぐことがあり、Ｃｕの浸透をさまたげる結果
となり、未溶浸の欠陥空孔が形成されることがある。こ
の欠陥空孔にはガスが吸蔵されやすく、電極とした場合
、遮断操作のくり返しにより著しいガスの放出源となり
、遮断能力を下げてしまうことが多い。この点でＣｒ焼
結マトリックスをなおいっそう清浄化する前処理を加え
る必要があった。
以上のようにＣｒ焼結マトリックスをいかに清浄化し、
Ｃｕを高密度に溶浸してやるかが非常に重要な課題であ
る。
Ｃｕを高密度に溶浸してやるかが非常に重要な課題であ
る。
本発明の目的は、Ｃｕ又はＣｕ合金中に真空遮断器用電
極として有効な金属粒子を均一に分散した鋳造合金を用
いることによって、粉末冶金手法で製造される電極材の
欠点をなくした大容量真空遮断器用電極の製造法を提供
することにある。
極として有効な金属粒子を均一に分散した鋳造合金を用
いることによって、粉末冶金手法で製造される電極材の
欠点をなくした大容量真空遮断器用電極の製造法を提供
することにある。
発明の背景にも記したように最近の大量真空遮断器電極
のほとんどの多くは粉末冶金的手法により製造されてい
る。例えば、Ｃｒ粉末を金型成形した後に、非酸化性雰
囲気中、高温度で焼結したマトリックス中の空孔部へＣ
ｕの溶湯を浸透させる工程によって電極素材が製造され
る。これらの問題点としては、第１にプレスを用いた複
雑な工程を用すること、第２に連続空孔を有する焼結技
術、第３にＣｒ粉末表面あるいは空孔内部の酸化物に起
因する遮断能力の低下といった多くの解決すべき問題が
ある。
のほとんどの多くは粉末冶金的手法により製造されてい
る。例えば、Ｃｒ粉末を金型成形した後に、非酸化性雰
囲気中、高温度で焼結したマトリックス中の空孔部へＣ
ｕの溶湯を浸透させる工程によって電極素材が製造され
る。これらの問題点としては、第１にプレスを用いた複
雑な工程を用すること、第２に連続空孔を有する焼結技
術、第３にＣｒ粉末表面あるいは空孔内部の酸化物に起
因する遮断能力の低下といった多くの解決すべき問題が
ある。
本発明者らは、従来技術である粉末冶金的手法にかわる
方法として鋳造により同様の組成の電極が製造すること
ができれば前記した問題点を解決でき、遮断能力も向上
するものと考え、種々検討した結果、Ｃｕ又はＣｕ合金
中に金属粒子が均一に分散された真空遮断器用電極の製
造法において、Ｃｕ又はＣｕ合金溶湯中にあらかじめ溶
湯と金属粒子との濡れを生じさせる元素の少なくとも１
種類を含ませてから金属粒子を溶湯中へ浸透分散させた
後、溶湯を加圧しつつ凝固させることにより前記問題点
を解決した真空遮断器用電極を製造することができた。
方法として鋳造により同様の組成の電極が製造すること
ができれば前記した問題点を解決でき、遮断能力も向上
するものと考え、種々検討した結果、Ｃｕ又はＣｕ合金
中に金属粒子が均一に分散された真空遮断器用電極の製
造法において、Ｃｕ又はＣｕ合金溶湯中にあらかじめ溶
湯と金属粒子との濡れを生じさせる元素の少なくとも１
種類を含ませてから金属粒子を溶湯中へ浸透分散させた
後、溶湯を加圧しつつ凝固させることにより前記問題点
を解決した真空遮断器用電極を製造することができた。
本発明は、Ｃｕ又はＣｕ合金溶湯中へ金属粒子を浸透さ
せるプロセスと金属粒子あるいは合金粒子を分散させた
溶湯を凝固させるプロセスから成る。
せるプロセスと金属粒子あるいは合金粒子を分散させた
溶湯を凝固させるプロセスから成る。
まずＣｕ又はＣｕ合金の溶湯中へ金属粒弊を浸透分散さ
せる方法であるが、通常の鋳造方法では、金属又は合金
溶湯中は金属粒子あるいは合金粒子を添加投入しても溶
湯表面上へ浮上分離したり、溶湯の底に沈降したりして
溶湯中へ浸透分散することができない、そこで浸透方法
について種々検討した結果、溶湯表面上への浮上分離や
沈降、あるいは粒子同志の凝集を抑制するには溶湯と粒
子間の界面のぬれ性を向上させることが重要なポイント
であることがわかった。つまり、Ｃｕ又はＣｕ合金の溶
湯中へあらかじめＴｉ、Ｃｒ、ＺｒｙＶ、Ｎｂから選ば
れた少なくとも一種類を含ませた後に金属粒子を溶湯表
面から投入添加する溶湯中へ浸透分散することがわかっ
た。また、金属粒子を分散浸透させたＣｕ又はＣｕ合金
溶湯を凝固させ、再溶解、再再溶解を繰り返えしても溶
湯中の金属粒子は溶湯表面上に浮上分離あるいは沈降す
ることなく溶湯中にとどまることが明らかになった。
せる方法であるが、通常の鋳造方法では、金属又は合金
溶湯中は金属粒子あるいは合金粒子を添加投入しても溶
湯表面上へ浮上分離したり、溶湯の底に沈降したりして
溶湯中へ浸透分散することができない、そこで浸透方法
について種々検討した結果、溶湯表面上への浮上分離や
沈降、あるいは粒子同志の凝集を抑制するには溶湯と粒
子間の界面のぬれ性を向上させることが重要なポイント
であることがわかった。つまり、Ｃｕ又はＣｕ合金の溶
湯中へあらかじめＴｉ、Ｃｒ、ＺｒｙＶ、Ｎｂから選ば
れた少なくとも一種類を含ませた後に金属粒子を溶湯表
面から投入添加する溶湯中へ浸透分散することがわかっ
た。また、金属粒子を分散浸透させたＣｕ又はＣｕ合金
溶湯を凝固させ、再溶解、再再溶解を繰り返えしても溶
湯中の金属粒子は溶湯表面上に浮上分離あるいは沈降す
ることなく溶湯中にとどまることが明らかになった。
本発明で検討した金属粒子は、Ｃｒ、Ｇｏ。
Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ｆｅとその合金粒子である。これら金
属あるいは合金粒子を、あらかじめＴｉ。
属あるいは合金粒子を、あらかじめＴｉ。
Ｃｒ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂから選ばれた少なくとも一種類を
含むＣｕ又はＣｕ合金の溶湯中へ投入添加した結果、い
ずれの金属あるいは合金粒子とも溶湯表面上へ浮上分離
あるいは沈降することなく溶湯中へ浸透分散することを
確認した。
含むＣｕ又はＣｕ合金の溶湯中へ投入添加した結果、い
ずれの金属あるいは合金粒子とも溶湯表面上へ浮上分離
あるいは沈降することなく溶湯中へ浸透分散することを
確認した。
本発明においてＣｕ又はＣｕ合金溶湯中は浸透分散でき
る金属粒子の大きさは、Ｃｕ又はＣｕ合金鋳塊中の金属
粒子分布状態に決定され、Ｔ ａ 。
る金属粒子の大きさは、Ｃｕ又はＣｕ合金鋳塊中の金属
粒子分布状態に決定され、Ｔ ａ 。
Ｗ粒子の場合は５〜２００．ｕｍ、Ｃｒ、Ｃｏ。
Ｍｏ、Ｆｅの場合は５〜５００μｍの範囲であれば良い
ことがわかった。つまり、いずれの金属粒子でも粒子径
が５μｍ以下の場合、溶湯中へ浸透分散することができ
る。しかし鋳塊中に分布する金属粒子は凝集し、粒子−
ケーケは分散することができない、一方、Ｔａ、Ｗの粒
子径が２００μｍ以上になると鋳塊中に分布する粒子は
鋳塊底部へ沈降する傾向になる。また、Ｃｒ、Ｃｏ。
ことがわかった。つまり、いずれの金属粒子でも粒子径
が５μｍ以下の場合、溶湯中へ浸透分散することができ
る。しかし鋳塊中に分布する金属粒子は凝集し、粒子−
ケーケは分散することができない、一方、Ｔａ、Ｗの粒
子径が２００μｍ以上になると鋳塊中に分布する粒子は
鋳塊底部へ沈降する傾向になる。また、Ｃｒ、Ｃｏ。
Ｍｏ、Ｆｅの粒径が５００μｍ以上になると電極の接触
時に金属粒子同志の接触が多くなり遮断特性を低下させ
ることがわかった。
時に金属粒子同志の接触が多くなり遮断特性を低下させ
ることがわかった。
溶湯中へ浸透分散できる金属粒子の量は粒子径により変
化する０例えば、粒径５μｍの粒子を体積比で３０％以
上投入分散すると溶湯の流動性が悪く鋳造することがで
きない。これに対し粒径５００μｍでは体積比４５％ま
で投入分散しても鋳造することがわかった。
化する０例えば、粒径５μｍの粒子を体積比で３０％以
上投入分散すると溶湯の流動性が悪く鋳造することがで
きない。これに対し粒径５００μｍでは体積比４５％ま
で投入分散しても鋳造することがわかった。
一方、金属あるいは合金粒子を溶湯中に浸透分散させる
ためのＴｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ等の添加量は粒子の
添加量１〜４５体積比において０．０５〜３．０ａｔ１
０の範囲であれば十分で、粒子が均一に分散した鋳塊が
得られる。添加量が３ ａ ｔ ／ ０以上になると添
加元素がマトリックスと反応して金属間化合物がマトリ
ックス中に生成して粗大化する傾向になり遮断性能を低
下させる因子となる。
ためのＴｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ等の添加量は粒子の
添加量１〜４５体積比において０．０５〜３．０ａｔ１
０の範囲であれば十分で、粒子が均一に分散した鋳塊が
得られる。添加量が３ ａ ｔ ／ ０以上になると添
加元素がマトリックスと反応して金属間化合物がマトリ
ックス中に生成して粗大化する傾向になり遮断性能を低
下させる因子となる。
金属あるいは合金粒子を分散する素地の組成は一般的な
鋳造法と同様にＡ ｇ ＨＰ ｂ ｙ Ｂ ｉｇ Ｔ
ｅ Ｈ５ａ等の金属元素を合金化することも可能である
。
鋳造法と同様にＡ ｇ ＨＰ ｂ ｙ Ｂ ｉｇ Ｔ
ｅ Ｈ５ａ等の金属元素を合金化することも可能である
。
次に金属あるいは合金粒子を浸透分散させた溶湯を凝固
させる方法であるが、一般の鋳造法同様に別に用意した
金型に鋳込み鋳造することができる。しかし、浸透分散
した溶湯を加圧しながら凝固させることにより、鋳塊の
健全性、粒子の均一分散性はより向上する。加圧鋳造方
法は、金属あるいは合金粒子を浸透分散した溶湯を別に
用意した３００〜５００℃に予熱した金型に鋳込み、た
だちに金型上部よりプランジャーを用いて２００〜２０
００ｋｇ／ｄの圧力で加圧しつつ凝固させる。金型の予
熱が３００℃以下であると金型の接触する溶湯の冷却速
度が大きいために加圧の効果が発揮されない。また５０
０℃以上であると溶湯の冷却速度が遅くなり加圧の効果
が発揮されない。一方、溶湯に加圧する圧力は２００ｋ
ｇ／Ｊ以下であると、溶湯の冷却速度が遅くなり加圧の
効果がない。また２０００ｋｇ、／Ｊ以上になってもそ
の効果は２００〜２０００ｋｇ／ｃｄと同様であること
を確認している。
させる方法であるが、一般の鋳造法同様に別に用意した
金型に鋳込み鋳造することができる。しかし、浸透分散
した溶湯を加圧しながら凝固させることにより、鋳塊の
健全性、粒子の均一分散性はより向上する。加圧鋳造方
法は、金属あるいは合金粒子を浸透分散した溶湯を別に
用意した３００〜５００℃に予熱した金型に鋳込み、た
だちに金型上部よりプランジャーを用いて２００〜２０
００ｋｇ／ｄの圧力で加圧しつつ凝固させる。金型の予
熱が３００℃以下であると金型の接触する溶湯の冷却速
度が大きいために加圧の効果が発揮されない。また５０
０℃以上であると溶湯の冷却速度が遅くなり加圧の効果
が発揮されない。一方、溶湯に加圧する圧力は２００ｋ
ｇ／Ｊ以下であると、溶湯の冷却速度が遅くなり加圧の
効果がない。また２０００ｋｇ、／Ｊ以上になってもそ
の効果は２００〜２０００ｋｇ／ｃｄと同様であること
を確認している。
以下１本発明の実施例について説明する。
実施例１
黒鉛るつぼ中で２０３３ ｇのＣｕ溶解し、１１５０℃
に保持した。アルミナ保護管を用いて溶湯を攪拌し。
に保持した。アルミナ保護管を用いて溶湯を攪拌し。
渦の中央部へ粒径４０μｍのＣｒ粒子５６．７ ｇを
流し込むように投入添加し、Ｃｒ粒子の溶湯中への浸透
分散性を検討した。その結果、投入添加したＣｒ粒子は
溶湯表面上浮上分離し、溶湯中へは浸透分散しなかった
。同様にＧｏｙＷ、Ｍｏ。
流し込むように投入添加し、Ｃｒ粒子の溶湯中への浸透
分散性を検討した。その結果、投入添加したＣｒ粒子は
溶湯表面上浮上分離し、溶湯中へは浸透分散しなかった
。同様にＧｏｙＷ、Ｍｏ。
Ｔａ、Ｆｅの各粒子及びその合金粒子について検討した
結果、いずれの粒子も溶湯中へは浸透分散しなかった。
結果、いずれの粒子も溶湯中へは浸透分散しなかった。
以上のように通常の鋳造法では各種粒子は溶湯中へ浸透
分散できないことがわかる。
分散できないことがわかる。
実施例２
黒鉛るつぼ中で２０４４ ｇのＣｕ−０，５Ｔｉ 合金
を溶解し、１１５０℃に保持した。実施例１と同様の方
法でＣｒ、Ｃｏ＋ ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｆｅの各粒子及び
その合金粒子の浸透分散性について検討した結果、いず
れの粒子も溶湯中へ浸透分散し、Ｔｉ元素の添加が侵透
分散性に有効であることがわかった。同様にした浸透分
散性の及ぼす添加元素の影響について検討した。その結
果Ｃｒ、Ｚｒ。
を溶解し、１１５０℃に保持した。実施例１と同様の方
法でＣｒ、Ｃｏ＋ ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｆｅの各粒子及び
その合金粒子の浸透分散性について検討した結果、いず
れの粒子も溶湯中へ浸透分散し、Ｔｉ元素の添加が侵透
分散性に有効であることがわかった。同様にした浸透分
散性の及ぼす添加元素の影響について検討した。その結
果Ｃｒ、Ｚｒ。
Ｖ、Ｎｂをそれぞれ０．５ｗｔ１０程度添加した溶湯で
あればＣｒ、Ｃｏｗ ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｆｅの各粒子及
びその合金粒子は浸透分散することがわかった。
あればＣｒ、Ｃｏｗ ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｆｅの各粒子及
びその合金粒子は浸透分散することがわかった。
実施例３
黒鉛るつぼ中で１８９０ ｇのＣｕ ０．５Ｔｉ 合
金を溶解し、１１５０℃に保持した。 １１５０℃に保
持したＣ ｕ −０、５Ｔ ｉ 溶湯中へアルミナ保
護管を用し１て溶湯を攪拌し、渦の中央部へ粒径４０μ
ｍのＣｒ粒子２１０ｇを流し込むように投入添加し、溶
湯中へ浸透分散させた１次にＣｒ粒子分散溶湯を別途用
意した３００℃に予熱した５０Ｘ２ＱＸ２００ Ｑの金
型に溶湯を攪拌しながら鋳込み、ただちにプランジャー
を用いて６００ ｋｇ／ｃｄの加圧で加圧しつつ凝固さ
せ、鋳塊を得た。Ｃｒ粒子分散鋳塊のミクロ組織を観察
した結果、Ｃｒ粒子は素地中に均一に分散し、鋳造欠陥
等はほとんど見あたらない。
金を溶解し、１１５０℃に保持した。 １１５０℃に保
持したＣ ｕ −０、５Ｔ ｉ 溶湯中へアルミナ保
護管を用し１て溶湯を攪拌し、渦の中央部へ粒径４０μ
ｍのＣｒ粒子２１０ｇを流し込むように投入添加し、溶
湯中へ浸透分散させた１次にＣｒ粒子分散溶湯を別途用
意した３００℃に予熱した５０Ｘ２ＱＸ２００ Ｑの金
型に溶湯を攪拌しながら鋳込み、ただちにプランジャー
を用いて６００ ｋｇ／ｃｄの加圧で加圧しつつ凝固さ
せ、鋳塊を得た。Ｃｒ粒子分散鋳塊のミクロ組織を観察
した結果、Ｃｒ粒子は素地中に均一に分散し、鋳造欠陥
等はほとんど見あたらない。
実施例４
実施例３と同様の方法で、Ｃｒ粒子の分散量を種々本え
た各種Ｃｕ −Ｃｒ粒子分散鋳造鋼合金鋳塊を溶製し、
それぞれの電流遮断性能及び耐電圧特性を調べた結果を
第１図に示す。なお従来材の真空溶浸のみの材料を１０
０％とした場合の本発明材のそれぞれの性能比較値であ
る。試験方法は、周波数約５０ Ｈｚで高電圧（６００
〜７００Ｖ）をかけ遮断電流を行５００Ａステップで増
加させながら遮断し、この遮断途上において遮断不能と
なる電流の限界値を求め、従来材のその値と比較したも
のである。
た各種Ｃｕ −Ｃｒ粒子分散鋳造鋼合金鋳塊を溶製し、
それぞれの電流遮断性能及び耐電圧特性を調べた結果を
第１図に示す。なお従来材の真空溶浸のみの材料を１０
０％とした場合の本発明材のそれぞれの性能比較値であ
る。試験方法は、周波数約５０ Ｈｚで高電圧（６００
〜７００Ｖ）をかけ遮断電流を行５００Ａステップで増
加させながら遮断し、この遮断途上において遮断不能と
なる電流の限界値を求め、従来材のその値と比較したも
のである。
尚１本発明は「真空遮断器用電極の製造法」としている
が１本質的には金属粒子分散鋳造合金の製造法である。
が１本質的には金属粒子分散鋳造合金の製造法である。
マトリックスと金属粒子の組合せにより機能性材料とし
て見なおせるものと考えられる。例えば軽量耐摩耗材料
等があげられる。
て見なおせるものと考えられる。例えば軽量耐摩耗材料
等があげられる。
本発明による電極によれば、一般的な鋳造方法で製造で
きるので、粉末冶金手法に較べ経済的でかつ欠陥の少な
い電極ができるので高性能電極ができる６また、鋳造法
であるためにマトリックス組成は任意に変えることがで
きる。
きるので、粉末冶金手法に較べ経済的でかつ欠陥の少な
い電極ができるので高性能電極ができる６また、鋳造法
であるためにマトリックス組成は任意に変えることがで
きる。
第１図は本発明の真空遮断器用電極の製造法により製造
したＣｒ粒子分散鋳造合金の電気的性能比較値説明図で
ある０１．− 、 代理人 弁理士 小川勝馬 １、
したＣｒ粒子分散鋳造合金の電気的性能比較値説明図で
ある０１．− 、 代理人 弁理士 小川勝馬 １、
Claims (1)
- １、銅又は銅合金マトリックス中に、銅との融点の差が
４００℃以上あるいは銅と固溶しない金属粒子を均一に
分散させた真空遮断器用電極の製造法において、銅又は
銅合金溶湯と金属粒子との濡れを生じさせる元素、チタ
ン、クロム、ジルコニウム、バナジウム、ニオブから選
ばれた少なくとも一種類を銅又は銅合金溶湯中へ含ませ
てから金属粒子を溶湯中へ浸透分散し、溶湯を加圧しつ
つ凝固させることを特徴とする真空遮断器用電極の製造
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25657385A JPS62116736A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | 真空遮断器用電極の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25657385A JPS62116736A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | 真空遮断器用電極の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62116736A true JPS62116736A (ja) | 1987-05-28 |
Family
ID=17294513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25657385A Pending JPS62116736A (ja) | 1985-11-18 | 1985-11-18 | 真空遮断器用電極の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62116736A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04206411A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Hitachi Ltd | 真空遮断器用電極材料及び真空遮断器 |
| JP2006032036A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Toshiba Corp | 真空バルブ用接点材料 |
| US9090910B2 (en) | 2008-07-16 | 2015-07-28 | Kbi Biopharma, Inc. | Methods and systems for manipulating particles using a fluidized bed |
-
1985
- 1985-11-18 JP JP25657385A patent/JPS62116736A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04206411A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-28 | Hitachi Ltd | 真空遮断器用電極材料及び真空遮断器 |
| JP2006032036A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Toshiba Corp | 真空バルブ用接点材料 |
| US9090910B2 (en) | 2008-07-16 | 2015-07-28 | Kbi Biopharma, Inc. | Methods and systems for manipulating particles using a fluidized bed |
| US9279133B2 (en) | 2008-07-16 | 2016-03-08 | Ksep Systems, Llc | Methods and systems for manipulating particles using a fluidized bed |
| US10208283B2 (en) | 2008-07-16 | 2019-02-19 | Sartorius Stedim North America Inc. | Methods and systems for manipulating particles using a fluidized bed |
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