JPS62115838A - ウエハ−マ−ク検出方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体ウェハー内に作り込まれたトランジス
ターあるいは半導体集積回路などの素子の電気的特性検
査で、不合格とされた素子に付された不合格マークの検
出方法に関するものである。

従来の技術 所定の製造プロセスを経て半導体ウェハー内に作り込ま
れた多数個の半導体素子は、第Ｓ図に示す工程流れ図の
ように、ブロービング装置１′と電気的特性検査装置等
により個々の電気的特性が検査され、一定の特性条件を
満たさない素子にはインカー６により不合格マーク３が
付され、所定枚数の電気的特性検査が終了したのち、適
正な大きさに不合格マークが付されたか否かを作業者が
顕微鏡を介して目視で検査する方法が採られている。

この方法では、まず、多数個の半導体ウェハーを収納し
たウェハーカセッ）ｆプロービング装置１′のローディ
ングステーンヨン１６にセットする。

半導体ウェハーは、このウェハーカセットから１枚ずつ
測定ステージ４へと自動的に送られ、こ５で半導体ウニ
・・−内に作り込まれた多数個の半導体素子の電気的特
性が個々に検査される。この検査で不合格と判定された
半導体素子には、不良であることを表示するためインク
によるマーク（ドツト）がインカー６によって付される
。

作り込まれた全ての半導体素子の電気的特性検査が終了
した半導体ウエノ・−は、アンローダーステーンヨン１
７へ送られ、こ＼にセットされているウニ・・−カセッ
ト内に収納される。この様な検査が順次進み、所定枚数
の半導体ウニ、、−７５Ｅ収納されたところで、ウエノ
・−カセットは矢印Ｂのように、マーク検査工程へ作業
者によシ運ばれる。

マーク検査工程１８では、前記ウエノ・−カセットから
半導体ウニ・・−を１枚ずつ取り出し、顕微鏡全使用し
て作業者によシ前記不合格マークカ；適正な大きさに付
されたか否かを目視で検査される。

このマーク検査で、前記不合格マークの大きさが適正に
付されている半導体ウエノ・−は、再びウェハーカセッ
トに収納され、矢印Ｃのように次工程へと運ばれるが、
もし不合格マークの大きさが不適正であると判断される
と、半導体ウエノ・−〇電気的特性検査を行ったプロー
ビング装置のインカーｆチェックし、適正なマークサイ
ズとなるように、作業者によシ調整される。

発明が解決しようとする問題点 従来、不良半導体素子に付された不合格マークの検査は
、前記したごとくバッチ処理であ）、検査結果の判明が
遅くその対応が遅れるという欠点とともに、人による検
査はそれぞれの検査員により判定がばらつき易いという
不都合があった・問題点を解決するための手段 本発明のマーク検出方法は、不良半導体素子表面に付さ
れた不合格マークを自動的に検出するための光電センサ
ーによ）、電気的特性検査と並行して前記不合格マーク
が適正な大きさに付されたか否か全光電検出し、自動的
に判断させることによシ前記不都合を解消するものであ
る。

作用 本発明のマーク検出方法によると、半導体ウェハー内に
作り込まｎた半導体素子のうち不良素子表面に付された
不合格マーク金光電検出し、同マ一りの大きさを基準マ
ークサイズと比較し適正な大きさのマークが付されたか
否かを光電信号レベルによって判断するので、迅速かつ
、安定な検査ができる。

実施例 第１図乃至第４図を参照し本発明のマーク検出方法につ
いて説明する。

第１図は本実施列によるマーク検出の作業過程の概要を
示す図である。

第２図はマーク検出部を示す図であり、Ｘ−Ｙテーブル
１４上には電気的特性が検査される半導体ウニ・・−を
載置するウエノ・−載置台１３が取付けられ、半導体ウ
ェハー内に作り込まれた半導体素子のＸおよびＹの寸法
に合わせて前記Ｘ−Ｙテーブル１４は、駆動さ扛、個々
の半導体素子は所定の測定位置へと順次移動される。

プローブコンタクト１２の先端は個々の半導体素子上に
設けられた外部引出電極パッドに合致するように配置さ
れグローブカード基板１１に取付ケラレ、前記プローブ
コンタクト１２の他端は電気的特性検査用の回路、測定
器へと接続されている。

電気的特性検査の結果不良半導体素子に不合格マークを
付するインカー６は、先端に内径１ＭＭ弱の穴径のノズ
ル７を有するインクタンク８、前記ノズル７の穴径より
小径の針９と、前記電気的特性検査機よりの不良信号に
よって前記針９を動作させるソレノイド１ｏから構成さ
れており、前記インクタンクｓ内には電気的特性不良の
半導体素子上に不合格マークを付するインクが充填され
ている。インクは後工程での判別の容易さのため赤色が
多く用いられかつ、マーキングした後に乾燥のため乾燥
炉１９にて約１２０’Ｃにて３０分間の加熱を行い半導
体ウエノ・−上に焼付けるのが一般的である。

前記電気的特性検査機よりの不良信号によりソレノイド
１０’（ｉ−動作させ、ソレノイド１０のプランジャー
に取付けられている針９を下降させ前記不良半導体素子
上の所定の位置にインクを付着させることにより不合格
マーク付けを行う。

光電センサー６ば、前記インカー５の位置から、半導体
ウェハー２内に形成された半導体素子寸法の）の整数倍
（ｎ）の距離（本実施列では２倍）に離間された位置に
半導体素子表面の反射光１５を検出すべく、取付けられ
ておシ、前記インカー５によって付された不合格マーク
３が適正な大きさであるか否かを検出する。

第３図（２Ｌ）および（ｂ）は光電センサーらによる不
合格マーク３の大きさの検出方法を説明する図であり、
何）は半導体ウェハー２内に形成された良品半導体素子
であり前記インカー５による不合格マークは付されてい
ないため表面の反射率は高く、従って反射光量も第３図
（ｂ）のように極大となる。（ロ）乃至に）は半導体ウ
ェハー内に形成された半導体素子のうち電気的特性が不
良のもので、前記インカー５によシネ合格マーク３が付
されたものであシ、（ロ）は該不合格マーク３の大きさ
が適正なサイズであシ表面の反射光量は第３図（ｂ）の
ように小となる。

（ハ）は不合格マーク３の大きさが大き過ぎるものであ
シ、半導体素子表面の反射光量は第３図（ｂ）のように
極小となる。この様な太き過ぎるマークは、インクの飛
散などにより隣接する良品半導体素子表面を汚染する恐
れがある。

に）は不合格マーク３の大きさが小さ過ぎるものであり
反射光量は第３図（ｂ）のどとくや−大となる。

このような小さ過ぎるマークは後工程のダイマウント作
業での半導体素子の良否判定を困難にする。

従って第３図（ｂ）の１乃至１１の範囲（不合格マーク
３の大きさが小さ過ぎるもの）および１１１乃至１ｖの
範囲（不合格マーク３の大きさが太き過ぎるもの）の反
射光量（光電センサーの出力）全光電センサー６に接続
した判断装置（図示せず）によって検出判断し、不合格
マーク３の大きさが適正に付されたか否かを判定する。

第４図は半導体ウエノ・−２内に形成された個々の半導
体素子の電気的特性と、不合格マークの大きさとを順次
検査する様子を説明する図であシ、電気的特性検査は、
イーＣからイーｄ、イーθと順次行い、不良半導体素子
にはインカーにて不合格マーク３を付していく、電気的
特性検査が順次進み・・−〇へと位置移動した時前記不
合格マーク検出用の光電センサー６はイーＣ上に位置し
、バーＣの電気的特性検査と並行して光電センサー６は
半導体素子イーＣの表面反射光量の検出を行う。

たとえばイーＣ位置の半導体素子表面には不合格マーク
３ａが付されているため光電センサーらに入光する反射
光量は減じ光電センサー６の出力は小となる。

電気的特性検査がバーｅへ位置すると光電センサー６は
半導体素子イー６の検出を行い不合格マーク３ｂが付さ
れているため反射光量は減じるが該不合格マーク３ｂの
大きさは大き過ぎるため光電センサー６に入光する反射
光量は極小となシ光電センサー６の出力も極小となる。

電気的特性検査がニーｄへ位置すると光電センサー６は
ローｄの反射光量の検出を行うが、不合格マーク３Ｃは
小さ過ぎるため光電センサー６の出力はや５犬となる。

この様に半導体ウェハー内に形成された個々の半導体素
子の電気的特性検査を行いつ＼並行して光電センサーに
入光する個々の半導体素子表面の反射光量の差を検出す
ることによシネ良半導体素子に付された不合格マークの
大きさを順次検査し、不適正な大きさのマークが１枚の
半導体ウエノ・−に所定の数発見されるとプローブ検査
を停止させ、警報を発し、作業者に知らせる。

発明の効果 本発明のマーク検出方法では、前記したごとく、半導体
ウェハー内に形成された個々の半導体素子の電気的特性
検査と並行して不良半導体素子に付された不合格マーク
を光電センサーによって検出するため、従来のように、
マーク検査に作業者を必要とせず、作業能率を向上させ
ると共に、不合格マークの大きさをマーキング俊速やか
に判断出来る効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のマーク演出方法の作業過程の概要を示
す工程流れ図、第２図はマーク検出部を示す装置の側面
図、第３図は不合格マークの太きさの検出方法を示す状
態特性図、第４図は不合格マークの検出過程を示す平面
状態図、第５図は従来のマーク検出方法の過程の概要を
示す工程流れ図である。 １１３．・・・ブロービング装置、４・・・・・・測定
ステージ、５・・・パ・インカー、６・・・・・光電セ
ンサー。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第２
図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）プロービング装置によって、半導体ウェハー上に
   作り込まれた多数個の半導体素子の電気特性を順次検査
   し、不良と判定された半導体素子にインカーによって不
   合格マークを付し、前記インカーと離間したる位置で前
   記不合格マークを、光電センサーにより検出することを
   特徴とするウェハーマーク検出方法。
2. （２）不合格マークの検出がインカーによって付される
   同不合格マーク形成位置からＸ方向は前記半導体素子１
   個のＸ方向寸法の整数倍、Ｙ方向は前記半導体素子１個
   のＹ方可寸法の整数倍、離間したる位置で、光電センサ
   ーによってなされることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項記載のウェハーマーク検出方法。