JPS62115085A - 活性がほとんどない固体粒子による予備処理に付された炭化水素仕込物の接触クラツキング方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、予備処理に付された炭化水素仕込物の接触ク
ラッキング方法および本方法を実施゛するために直接使
用される装置に関する。

発明の背景 重質仕込物すなわち通常残渣（常圧残渣、減圧残渣、脱
アスファルト油等）と呼ばれるもの接触クラッキングに
よる高付加価値化は、石油業者にその精製装置の変更を
強いている。

例えば、特に触゛媒毒であるコークスおよび金属を可能
な限り多く除去することから成る予備処理が、以下のよ
うに考えられる。

処理される仕込物が、コンラドソン炭素（ＣＣＲ）およ
び金属の最大含量が各々６〜８％および２０〜３）（　
ＤＤｍ　　（ｐａｒｔ　ｐｅｒ　ｍ１ｌｌｉｏｎ）であ
る時、ＩＩｌ長い管状囲域内の流動床クラッキング型の
方法の適用が考えられる。これとは逆に、もしこの仕込
物がより重質（ＯＣＲ＞１０）であるならば、かつ特に
もし存在するニッケルおよびバナジウムの恐が数百Ｅ）
Ｄｌｌｌに達するならば、現在市場で入手しうる触媒の
成績を考慮に入れると、予備処理が必要であることが明
らかになる。いくつかの予備処理技術が存在するが、こ
れらは特に遅延コークス化、流体コークス化、水素化処
理、脱アスファルト等である。

従来技術およびその問題点 米国特許第４．２４３．５１４号において、予め加熱さ
れた不活性固体粒子への仕込物の混合によって仕込物を
気化させて、このために用意された囲域内で仕込物の予
備処理を実施することが知られている。これらの粒子ｔ
よ２０〜１５０ｐ（２０〜１５０ｘ１０　　”ｎ）の大
きさを有し、例えば粘土泥の微粉砕によって直接発生器
内で生成させられる。得られたミクロン球は、それらの
小さな比表面積を特徴とする。このため転換率が低レベ
ルに限定される。それにもかかわらず、これらのミクロ
ン球により、金属の９０％および当初仕込物中に含まれ
るアスファルトの実質的に全部を捕集することができる
。しかしながら、流動床接触クララヤング（Ｆ、Ｃ，Ｃ
，）の満足すべき仕込物を成す放出された流出物を、予
備処理が行なわれる帯域とは別の離れた接触クラッキン
グ帯域の方へ導かれる前に冷却して、長い行程により、
従って高温における長い滞留時開によって必ず生じる熱
分解のリスクを最少限にするようにしなければならない
。従って、この結果、コークスの形成が促進されるよう
な転換が行なわれる。

問題点の解決手段 従って本発明の目的は、触媒としてはほとんど活性でな
い固体粒子と炭化水素仕込物とを接触させることによっ
てこの仕込物を予備処理することである。この固体粒子
は予め加熱されており、これらは特に強力な脱金属およ
び仕込物中に含まれる潜在的なコークスの実質的な除去
を、熱分解が生じないような滞留時間の間、確実に行な
う。

この技術により、予備処理および流動床接触クラッキン
グが１つの囲域の隣接する２つの帯域内で行なわれるよ
うな一体装置を製作することができる。このような装置
は大きなトランスファー性能のために、仕込物の熱フラ
ッシュを促進し、このことにより形成されたコークスの
通および気相のクラッキング副反応（気体炭化水素およ
び媒等の形成）を減じる。ただしこれはこの反応器が予
備処理の固体とあるいは触媒との急激な混合および良好
な混合の均質性を保証する限りにおいてである。

本発明のもう１つの目的は、仕込物の高付加価値化しろ
るフラクションの増加を伴って、より良好かつより選択
的な転換率を得ることである。その理由は特に、所謂接
触クラッキングが水素供与気体炭化水素雰囲気において
行なわれるからである。

「仕込物」という用語は、従来の仕込物すなわち例えば
４００℃程度の最終沸点を有するもの例えば減圧ガスオ
イルを意味するが、同様により重質な炭化水素油例えば
原油および／または脱ガソリン油、および常圧蒸留残油
または減圧蒸留残油をも意味する。これらの仕込物は、
場合によっては予備的な処理、例えばコバルト・モリブ
デンまたはニッケル・モリブデン型の触媒の存在下の水
素化処理のような処理に付されたものであってもよい。

本発明の好ましい仕込物は、通常７００℃またはそれ以
上までで沸騰するフラクションを有し、アスファルト物
質の高い割合を含んでいてもよく、かつ１０％かそれ以
上までのコンラドソン炭素歯♀を右するものであっても
よい。これらの仕込物は、通常のより軽質な留分によっ
て希釈されてもされなくてもよく、すでにクラッキング
操作を受けた炭化水素留分てあって、例えば軽質再＠環
油〈［ライト・サイクル・オイルＪ　Ｌ、Ｃ＝　Ｏ，）
または重質再循環油（［ヘビー・サイクル・オイルＪ　
Ｈ，Ｃ，Ｏ，’）のように再循環されるものを含んでい
てもよい。本発明の好ましい方法によれば、これらの仕
込物は、それらの処理の前に３）（０〜４５０℃の温度
範囲において予備加熱される。

本発明は上記不都合を解消し、下記接触クラッキング方
法を提案することによって提起された問題を解決する。

本発明による方法は、流動床または同伴床の反応帯域に
おける残留物質含有炭化水素仕込物の接触クラッキング
方法であって、仕込物が少なくとも１回の予備処理に付
される方法において、気化形態の仕込物の少なくとも一
部および触媒粒子の少なくとも一部が少なくとも１つの
予備処理囲域内を流通し、この囲域内において一方で仕
込物の少なくとも前記部分と、他方で触媒粒子とは異な
る固体粒子との接触が行なわれ、前記固体粒子と前記仕
込物が、全体とじて共に同じ方向に、すなわら前記囲域
の上から下へあるいは下から上へ、反応帯域の入口の温
度に実質的に等しい温度で流通すること、および少なく
とも固体粒子と仕込物の前記部分との混合を終えると、
前記仕込物は、残留物質の大部分を除去されて、前記固
体粒子から分離され、前記触媒粒子と共に反応帯域へ送
られることを特徴とする方法である。

本発明による方法は、仕込物の予備処理が、所謂接触ク
ラッキングと一体的に実施される限り、実質的に熱分解
およびこのことによりコークスの優先的形成を減じる仕
込物の熱フラッシュを実施するという利点を示す。

その他に、囲域（らせんの戻りのあるまたは無いらせん
状の流れを有するサイクロンあるいは場合によっては、
らせんの戻りの無いらせん状の流れを有する２つのサイ
クロンあるいは、１方がらせんの戻りが無く、他方が戻
りのあるらせん状の流れを有する２つのサイクロン（第
５図）を用いる方法）の流体力学に固有な高い乱流度に
よって、非常に大きなトランスファー成績に達すること
ができる。これにより仕込物の熱フラッシュが促進され
る。この型の囲域によって気化物質の滞留を調整しかつ
非常に短い時間に限定することができ、従ってタラツキ
ングの副反応を最少にすることができる。予備処理のサ
イクルを接触クラブキング装置に一体化することによっ
て、気化されかつ予備処理された仕込物を、二次副反応
が進む前に、同じ熱レベルにおいて触媒と非常に急速に
接触させる。

このため、本方法はエネルギー消費が少ない。

例えばコークス、金属および硫黄のような残留物質を少
なくとも部分的に除去するために固体粒子流によってこ
のように予備処理された仕込物は、接触クラッキング触
媒に対して受入れられるものとされる。実際この仕込物
は、残留物質の少なくとも９０％が除去されている。

反応帯域の入口の（固体の粒子の全体的な流れ方向に対
して）実質的に上流の囲域の帯域において仕込物の接触
を行なって予備処理工程を実施するのが右利であろう。

この反応帯域は、この帯域の内部に、好ましくは実質的
に囲域の中央部分に開口した入口を有する。この予備処
理は、一定の温度において、残留物質の大部分が除去さ
れた流出物を排出する。ついでこれらの流出物は、同じ
温度においで反応帯域へ送られる。

予備処理帯域は、固体粒子流が到着する囲域の部分、例
えば固体粒子流がこのレベルに通じている場合、その上
部に位置するのがさらに有利であろう。

本発明による方法は、好ましくは下記の工程を含む： ・温度６５０〜１０００℃、直径５０〜２０００／ＩＪ
（５０〜２０００Ｘ１０−８ｔｏ　＞の固体粒子流を、
１０〜８０ｍ／秒の粒子速度を生じるのに適した輸送ガ
ス流中に、前記粒子のらせん状の流れをその囲域内に生
じるように導入する工程、 ・仕込物の少なくとも一部を、微粉砕または噴霧手段に
よって微粉砕して、前記仕込物の出る速度が、１０〜１
５０ｍ／秒になるようにして、微粉砕手段の注入角度が
微粉砕手段が通っている囲域の半径に対してＯ〜８０°
であるような方向に、これを前記囲域内に注入する工程
、・同様に触媒粒子の少なくとも一部を前記囲域内に導
入する工程、 ・仕込物と固体粒子とを、仕込物の滞留時間が０．０１
〜１０秒であるようにして、４５０℃〜６５０℃で接触
させる工程、 ・コークス、金属および硫黄分が仕込物よりも少ない予
備処理流出物を成す炭化水素フラツクションを、残留物
質を°含む固体粒子から分離する工程、 ・予備処理留出物を、クラッキング触媒粒子と共に反応
帯域へ送る工程。

本方法の第１実施態様によれば、固体粒子および触媒粒
子は、′上から下へまたは下から上へ並流で流通しても
よい。第１の場合（第６図参照）、反応帯域は触媒の下
降流通に適している。

第２の場合、反応帯域は上背流通に適している。

反応帯域および固体粒子と仕込物との接触帯域は、一般
に囲域の垂直方向に反応極にある。

本方法の第２の実施方法によれば、固体粒子と触媒粒子
とは向流に流通してらよい。例えば（第１図参照）固体
粒子と仕込物はまず下降流通し、ついで予備処理留出物
と触媒粒子は反応帯域の上昇コースをたどる。あるいは
固体粒子と仕込物は囲域内を上昇し、一方予備処理留出
物と触媒粒子は、反応帯域内で下降コースをたどる。向
流流通の２つの場合、反応帯域および仕込物と固体粒子
との接触帯域は、一般に実質的に囲域の同じ末端に位置
する。

蒸気および炭素原子数１〜３の軽質炭化水素を、予備処
理の固体の輸送ガスとして使用することによって、得ら
れた蒸気を希釈することができる。このようにして濃縮
を減じ、特に水素化雰囲気下で気化操作を行なうことが
できる。

従って仕込物の高付加両値化フラクションの増加をもた
らし、従って以下に示すように、特別な装置（流動化サ
イホン）の存在が一般的装置の種々の雰囲気を単離する
だけにまずまず良好な転換率をもたらすことができる。

本方法は、好ましくは温度５００〜１０００℃において
、酸素または分子状酸素を含むガスの存在下、流動床ま
たは同伴床における固体粒子の再生工程を少なくとも１
つ含んでいる。この再生工程は固体粒子上に存在する残
留物質の少なくとも９０％の燃焼を引き起こすようにす
るものであり、ついで再生粒子から燃焼ガスの大部分を
分離し、前記再生粒子の少なくとも一部を囲域内に再循
環し、再生工程に由来する金属含有の固体粒子を、予備
処理帯域へ再送せずに少なくとも周期的に取出す。

固体粒子の再生は、特に有利には、少なくとも２工程で
実施されつる。第１工程は、Ｌ／Ｄ比（しは管の長さで
あり、Ｄはその直径である）＝２０〜４００の実質的に
垂直で細長い管状帯域において、酸素をベースとする輸
送ガスまたは分子状酸素含有ガスを用いて、５００℃〜
９００℃の温度（王、）において実施され、ついで第２
再生工程が、酸素をベースとする輸送ガスまたは分子状
酸素含有ガスを用いて、６５０〜１０００℃の温度（Ｔ
２）において円筒形の第２帯域内で行なわれる（Ｔ２は
°［Ｉより高い）好ましい方法によれば、固体の粒子と
して、好ましくは細かく分割された形態で（直径く５０
０ｐ（５００×１０・−８１１１））、例えば方解石、
ドロマイトまたは石灰石を第１再生帯域の底部に導入し
て、炭酸塩が固体ど仕込物との接触前にこの同じ帯域内
で分解されるようにしてｂよい（ＣＯ２の損失）。この
ようにして、コークスおよび仕込物の酸化によって再生
された煙のより良好な脱硫を行なうことが可能になる。

もう１つの実施方法によれば、固体粒子の少なくとも一
部を再循環してもよい。最も細かいものは触媒の汚染を
制限するために廃棄される。

同様に、長い間には金属を含みすぎるような固体粒子の
一部を廃棄して、これを新品の固体粒子と代えてもよい
。

固体粒子と触媒との２つの母集団の分離を増したい限り
特別に有利な方法によれば（これは固体粒子の微粉によ
る触媒粒子の汚染を制限する）、下記の２工程で予備処
理を行なうことが可能である。すなわち、第１工程は第
１囲域で行なわれ、この囲域において気化仕込物の少な
くとも一部を固体粒子流と接触させる。この流は分離後
、残渣の入っている固体粒子の大部分を含む第１予備処
理留出物、および残存残渣の入っている固体粒子と少な
くとも一部残渣の除去された仕込物の大部分とを含む第
２予備処理留出物を放出する。第２工程の間、第２８！
出物を第１囲域とは異なる第２囲域に送る。この囲域に
おいて、この後者の仕込物の少なくとも一部に対して、
好まくしは前と同じ少なくとも１回の第２予備処理を行
ない、第１流出物の粒子と共に回収される一２予備処理
より生じる前記粒子からの分離後、この第１および第２
予備処理により生じる予備処理された仕込物を固体粒子
と共に反応帯域に送る。

ついで固体粒子を再生し、上記方法に従って再生循環す
る。

本発明はまた本方法の実施に直接使用される接触クラッ
キング装置にも関する（第１図参照）。これは下記のも
のを含む。

（１１）　　（第１図において） ・炭化水素仕込物の少なくとも１つのサイクロン型の予
備処理囲域（１）ニー ・液体または気体仕込物の取入れ手段（４０）（５）；
これらの手段は該囲域の内側の周囲の方への前記仕込物
の微粉砕手段を含む（仕込物により生じる流れは、上か
ら下へまたは下から上へ、次に定義する反応器（８）の
入口の方へ進む）、・前記間１４（１）内への触媒粒子
の取入れ手段（３）（７）　（第２図）； ・前記囲域（１）内において、仕込物により生じる流れ
方向への壁上でのらせん運動を固体粒子に与える固体粒
子の取入れ手段（２）：・一方で固体粒子、他方で触媒
粒子と予備処即された仕込物との混合物の分離手段（２
７）　：・固体粒子のタンク（５０）への、前記囲域（
１）に連結された固体粒子の輸送手段（２８）、前記固
体粒子の少なくとも１つの再生手段（３１）、および予
備処理囲域（１）の方への再生された固体粒子の再循環
手段（３８Ｈ３９）　： ・反応器（８）内への、予備処理された仕込物と触媒粒
子との混合物の少なくとも１つの取入れ手段（７ａ）　
：この反応器（８）は管状かつ実質的に垂直な細長い形
の４管であり、予備処理された仕込物と触媒粒子の上か
ら下へのくドロッパー）あるいは下から上へのくライザ
ー）並流流通を伴っている、 ・予備処理された仕込物と触媒粒子とが導入された反応
器（８）の端部の反対の端部における反応流出物と触媒
粒子との分離のストリッピング手段（１４）（９）　　
： ・前記分離手段に連結された反応流出物の取出し手段（
１５Ｈ４２）　： ・これらの触媒粒子の少なくとも１つの最盛期（１８）
の方への、前記分離手段（１４０９）へ連結された触媒
粒子の輸送手段（１６）　；および・前記予備処理囲域
（１）の方への触媒粒子の少なくとも一部の再循環手段
（２４）（２５０２６）。

囲域（サイクロン）内で（例えば秒以下の）短い接触時
間での急速的な分離によって、逆ａ合現象、およびその
他に反応の選択性のレベルでの有害な効果が知られてい
る過剰クララ４：ング現象は制限される。

実　　施　　例 下記に図式的に示した図面を見れば、本発明はより良く
理解されるだろう。図面の中で：・第１図は本発明によ
る接触クラッキング方法であって、仕込物の予備処理を
行ない、固体粒子と仕込物が触媒粒子と向流で同じ方向
に全体として共に流通する方法の実施態様を示す。

・第２図は反応帯域において仕込物の予備処理および触
媒の導入が行なわれる囲域を示す。

・第３図と第４図は、第２図中のＡ−Ａ面とＢ−８面に
沿う横断面図であって、仕込物と固体粒子の注入レベル
における図および予備処理反応留出物の反応器への取入
れレベルにおける図を示す。

・第５図は本発明による接触クラッキング装置の変形例
である。

・第６図は、固体粒子と仕込物が触媒粒子と並流で、同
じ方向に全体として共に流通する方法のもう１つの実施
態様を示す。

・第７図は触媒の予備処理囲域へのもう１つの導入方法
を示す。

下記実施例において、タラツキング反応帯域が仕込物お
よび触媒粒子の上背流通に適している、接触クラッキン
グ装置に一体化させた予備処理サイクルの実施ｔｒ！、
様を示す第１図において（これはスペースのかさぼりを
制限する）、［らせんの戻りｊ　　（ｒｅｌｏｕｒｎｅ
ｍｅｎｔ　ｄｅ　ｌａ　５ｐｉｒａｌｅ）を伴うガスの
らｌυ状流の直接通過を付づ゛る予備処理囲域すなわち
サイクロン（１）は、垂直に配置され、その上部（１ａ
）においてタンク（５０）からの下降管路（３７）から
来る、予め加熱された固体粒子の輸送ガス中サスペンシ
ョンおよび管路（４０）から来る気化される仕込物が供
給される。固体粒子を運ぶ輸送ガスを成す気相は、もし
も気化生成物の分圧を下げたいならば然気であってもよ
いし、あるいは水素化雰囲気中で仕込物の加熱を実施し
たいならば軽質（例えば０１〜Ｃ３）炭化水素あるいは
これら２つのカテゴリーのガスのあらゆる組合せであっ
てもよい。

この気相は管路（４１）を経て到着し、固体粒子をベン
チュリ型あるいは当業者に知られたその伯の型の装置に
よって懸濁させ、これらの固体粒子は管路（２）からサ
イクロンの上部（１ａ）へ出て、接線導入を引き起こす
ようにする。予め加熱（１００〜３５０℃）されてもよ
い仕込物は、後でその特別な形状を示す複数のインジェ
クター（５）を末端に有づ−る管路（４０）によって導
入される。これらのインジェクター（５）はサイクロン
（１）の上部（１ａ）に通じている。この仕込物はこの
ように気化されかつ噴霧されて固体粒子と接触させられ
る。固体粒子は底部の方へのらせん状の流れを有し、遠
心分離され、かつ温度６５０〜１０００℃のものである
。これらはついでコークス、金属および場合によっては
硫黄の大部分を捕集する。このようにして、固体粒子と
仕込物の間の超高速移送が実施される。ついで仕込物の
入ったこれらの粒子は、後で脱着されかつ再生される前
にサイクロン型の分離手段（２７）に貯蔵される。

実質的に中心軸に沿ったサイクロン（１）の下部を通る
触媒到着管路（６）は、その内部に備えられ（第２図）
、再生帯域から来る触媒をサイクロンの中央部（１ｂ）
の方へ導くようにする。このサイクロンで触媒を、気化
されかつ予備処理された仕込物と接触される。さらに予
備処理囲域の圧ノコが反応器（８）の圧力より高くなる
ように、囲域内の触媒粒子の存在を制限するように調整
する。サイクロン（１）と反応器（８）の圧力差は、図
示されていないが当業者に知られた圧力調整手段によっ
て調整される。これらの手段は、例えば再生器および／
またはストリッピング装置出口導管に配置されている。

実際、第１図によれば、触媒粒子の再生器（１８）から
来る触媒は、ディストリビュータ−（７０）から導入さ
れる蒸気または０１〜Ｃ３軽質炭化水素によって同伴さ
れる。ついでこの触媒は、管路（６）の出口のオリフィ
スを経て、反応器（８）の入口のオリフィス（７）の方
へ入る。この反応器（８）の下端は、サイクロン（１）
内の実質的に中間部（１ｂ）のレベルに含まれる。予備
処理留出物の入口は、反応器（８）の少なくとも１つの
開口部（７ａ）のレベル、有利には少なくとも２つの開
口部（７ａＨ７ｂ）のレベルに備えられ、これらの流出
物が触媒粒子上により良く分散されるようにする。管路
（６）と反応器（８）は、好ましくはそれらの外径が実
質的に同じであるように作られる。好ましいがしかし限
定的なものではない実施態様によれば、かつ触媒粒子の
上への流れ方向を考えるならば、開口部（７ａ）のレベ
ルの下流の管内径は、この同じレベルの上流に位置する
管内径より大きく、開口部（７ｂ）のレベルの下流に位
置する管内径より小さい。この、配置により、触媒粒子
の早い速度での流通が容易になり、それらのサイクロン
（１）内への漏れを抑制する。同様にこの配置により炭
化水素と粒子とのより良好な接触が確保される。本発明
の有利な特徴によれば、開口部（７ａ）（７ｂ）は斜め
に切られて、留出物がサイクロン（１）内で得る円形運
動、１３よび早い速度を入口で保持するようになってお
り（第４図）、これらの開口部は有利には、２つの相の
混合を促進するために、底部へ向けられている。

その際触媒粒子は、早い速度で反応帯域内に入る炭化水
素蒸気によって同伴される。このことにより、蒸気と触
媒との急速かつ均質な接触が促進される。

さらに触媒の保持を増加させるため、従って総反応容積
を減じるために、反応器（８）は、内部にじゃま板また
は内ぼり（図示されていない）、例えばＲＡＳ社のリン
グ、３ｅｒ１社のサドル、ｌ　ｎｔａｌＯＸ社の号ドル
等を備えていてもよい。

混合後、炭化水素蒸気／触媒のサスペンションが到達し
た渇瓜は、所望の転換率および仕込物の組成によって、
約４５０℃〜６５０℃の温度範囲内の様々なものであっ
てしよい。炭化水素蒸気／触媒のサスペンションは、つ
いで反応器（８）を通って上ｎする垂直方向に流れる。

サイクロン（１）内の炭化水素仕込物の７１留時間は、
約０．０１秒〜約１０秒であり、好ましくは約０．２秒
〜約４秒である。

予備処理反応留出物と触媒との接触時間は、一般に４秒
を越えず、有利には２秒以下にとどまる。

バリステイク分離器（９）および少なくとも１つのサイ
クロン（１５）によって、触媒のクラツユ１−ング生成
物の最も大きな部分を分ｔｍ−することができる。

ストリッピング囲域（１２）は、触媒の貯蔵機能を保証
Ｊ−る。サイクロンの脚部（１３）は、圧力の均衡を確
保するために触媒床に沈んでいる。この囲域（１２）の
底部（１４）は、？τ路（６１）から入る灼気によって
触媒上に固定されて残存する生成物を分離する手段を備
えている。これにより生じる炭化水素蒸気は、サイクロ
ン（１５）の通過後出口管路（４２）を経てストリッピ
ング囲域（１２）を離れる。ついで触媒は、管路（１６
）を介して触媒粒子再生器（１８）の方へ進む。この管
路（１６）は、管路（４３）からの流動化ガスの適当な
注入によって流動状態に絶えず保持される。

触媒再生の下記の記載は、例として挙げられているもの
であって、クラッキング触媒の再生の多くの可能性の１
つしか示していない。

触媒上に存在するコークスの酸化に必要な空気は、管路
（１９ａ）からの供給を受けるディストリごュータ−（
１９）によって放出される。

少なくとも１つの除塵サイクロン（２２）によって、特
に触媒の再生により生じる燃焼ガスの排出が管路（４５
）によって確保される。その他のサイクロンの場合のよ
うに、サイクロン（２２）の脚部（２３）は、圧力均衡
を確保するために再生触媒粒子床内に沈んでいる。再生
器（１８）は管路（２４）に再生触媒粒子を供給する。

この管路（２４）は、還元雰囲気のサイクロン（１）と
酸化雰囲気の再生器（１８）との間の空気分離を可能に
する蒸気流動化サイホン（２５）を備えている。同様に
この流動過サイホンによって、装置の運転停止期に際し
、流動化の停止により固体の流れを停止させることがで
きる。

管路（２４）の底部に配置された触媒の流量調整弁（２
６）は、再生器（１８）内に配置された触媒粒子のレベ
ル検知器に従うものであってもよい。あるいはその他の
あらゆる変形方法によって調整されてもよい。この弁は
また、触媒粒子のサイクロン（１）内への流入流［１を
も調節する。このように接触クラッキングおよび触媒再
生のサイクルが実施される。

予備処理サイクルは、下記のように行なわれうる（第１
図）。固体粒子と仕込物との本発明の方法による接触の
後、特に残渣（コークス、金属、硫黄）の入っているこ
れらの粒子は、サイクロン（１）の底部に位置している
ものであって、固体粒子に捕集された炭化水素をも脱着
するための分離器（２７）内の蒸気処理（ストリッピン
グ）に付される。サイクロン（１）の底部に、流１．Ｉ
Ｊ化サイホン（３）（）が備えられた管路（２８）が連
結されている。この流動化サイホン（３）（）の役割は
、サイクロン（１）の還元雰囲気と、１ナイクロン（１
）および固体粒子の流量調整弁（２９）の酸化雰囲気と
を分離することである。この弁（２９）は、サイクロン
（１）内のこれらの固体粒子のレベルに従うものであっ
てもよい。

上貸塔（３１）は、その底部での管路（４４）による空
気供給によって、固体上に沈積したコークスの燃焼の一
部の実施を可能にする。これらの固体は、コークスの酸
化によって発生した煙を脱硫したいならば、方解石、ド
ロマイトまたは石灰石であってもよい。石灰石は、分解
炭酸ガスの大部分が塔（３１）内で固体粒子の第１次再
生時に発生するにうに、好ましくは上背塔（３１）の底
部に導入されてもよい。このために、石灰石は直径５０
０Ｊ（５００Ｘ１０−　Ｂｍ　）以下の細かく分割され
た形態にある。脱炭酸は、サイクロン（１）内での仕込
物との接触前に実質的に完全な脱炭酸が実施されるよう
に、固体粒子の第２の再生手段としてのタンク（５０）
で完全に行なわれる。このタンク（５０）まで上界塔（
３１）が達している。脱硫剤のこの状態によって、同様
に基本的な比Ｃａ　／Ｓに頼らずに、硫黄の効果的捕集
も可能になる。上昇塔（３１）の頂部（３２）は、流動
床中の固体粒子の良好な分配を可能にする形状を有して
いる。

流動床におけるコークスの燃焼が続行されるタンク（５
０）は、環状５Ａ置（３４）によって放出されかつ管路
（４４）で放出空気を補う流動化空気を供給される。

塔と濃密流動床との間のコークスの酸化に必要な全空気
の分配は、好ましくは８００　’Ｃ（ｄ近に維持されな
ければならない塔の温度に従う。

タンク（５０）は、熱い固体粒子の出口温度を調整する
ように、仕切のある流動床熱交換器に関するフランス特
許第２．５７５．５４６号に記載された技術に従って、
少なくとも１本の熱交換管（３３）を備えていてもよい
。この囲域はまた貯蔵機能をも保証する。燃焼の煙はサ
イクロン（３５）を通った後で、管路（５１）を経てタ
ンク（５０）から出る。このサイクロン（３５）の脚部
（３６）は、流動床中に沈んでいる。

再生固体は、その他の管路のように流動化サイホン（３
８）を備えている下降管路（３７）によって再び取られ
る。この流動化サイホン（３８）はタンク（５０）の酸
化雰囲気を、サイクロン（１）および固体流硲調整弁（
３９）の還元雰囲気から分離する。

この弁（３９）は、サイクロン（１）へ出る固体粒子の
流量を調整する。

触媒の流動化と同様に固体粒子の流動化をも保つために
、少なくとも１回の流動化蒸気の取入れが、種々の管路
に、例えば管路（４３）から管路（１６）へ、管路（４
６）から管路（２８）へ、管路（４７）から管路（３７
）へ導入されてもよい。

第２図は、予備処理囲域の高部または上部（１ａ）のレ
ベルおよび触媒管路の中央部（１ｂ）のレベルにおける
ナイフロン（１）のより詳細を示す。

管路（４０）から到着する仕込物は分割され、例えば円
筒形の反応器（８）の外壁上に配置された当業者に既知
の少なくとも１つの微粉砕および噴霧インジェクター（
５）のレベルで注入される。

これらのインジェクターは、導管の軸にＩ直な円に沿っ
てまたはらせｌυに沿って配置されてもよい。これらの
インジェクターは、気化される仕込物を、サイクロン内
に入りかつその周囲に沿って非常に速いスピードで流通
する熱い固体上にできるだけ均質に分配されるように配
置されている。小滴の大きさは一般に１０〜３）（０ｔ
ＩＩＩ（１０〜３）（０Ｘ１０−”　ｍ　）である。

仕込物のサイクロン内への取入れ速度および排出速度は
、小滴が壁を覆っている熱い固体に衝突するようになる
前に実質的に気化されるようにして調整される。第３図
が示しているように、インジェクターは仕込物を、有利
にはらせんの流れ方向へ、インジェクター（５）の通る
管の半径に対して約Ｏ〜８０”の角度で、好ましくは約
３）（〜６０”　（７）角１ｆｆｔ−１一般に１０〜１
５ｏｆｆｌ／秒、好ましくは３）（〜８０１１／秒の様
々な速度で、固体粒子の方へ送るようにして、サイクロ
ン（１）の上部（１ａ）に配置されていてもよい。

これらの固体粒子は、一般に１０〜８０ｍ／秒、好まし
くは２０〜４０ｍ／秒の速さで、サイクロン（１）内へ
接線方向に入る。

もう１つの実施方法を示す第５図によれば、予備処理方
法は２つのサイクロンすなわち十つは上記サイクロン（
１）で、もう１つは第２のサイクロン（６０）内で実施
されてもよい。前記固体粒子は管路（２）を経て第１の
サイクロン（１）内に￥１１着する。このサイクロンは
本発明の方法により、上記されているように、管路（４
０）とインジェクター（５）により仕込物を受取る。汚
染残渣（金属、コークス）を吸着した固体の一部は、蒸
気分離手段（５３）を経て通り、炭化水素を脱♀１する
。これらの炭化水素は、固体粒子のもう１つの部分と共
におよびその汚染残渣の一部が除去された仕込物と共に
、管路（５２）を経て排出される。この管路（５２）は
、サイクロン（１）の実質的に中間の部分に達している
。汚染残渣の入っている固体は、サイクロン（１）を流
動化ナイホン（３）（）に結びつける脚部（５４ａ）に
よって、底部を経てナイフロン（１）を出る。第１サイ
クロンの留出物は、管路（５２）を経て、らせんの戻り
のあるらせん状の流れを有する第２のサイクロン（６０
）内へ、例えば２０〜１００ｍ／秒の速さで出る。本発
明による予備処理は、このサイクロン（６０）の上部（
６０ａ）において続行される。固体粒子で捕集されかつ
第２の蒸気分離手段（５５）によって脱着された炭化水
素が添加され、かつ金属、コークスおよび硫黄の大部分
が除去された仕込物を、触媒と接触させる。この触媒は
、第１の実施態様に従って記載された速度と実質的に匹
敵しうる速度で、管路（６）を経て、中央部（６０ｂ）
に上界して到着する。第５図によって示されたこの実施
態様によって、上昇するクラッキング反応器（８）が、
実質的にこの同じレベルに通じている。汚染残渣の入っ
ている固体粒子は、脚部（５４ｂ）を経て第２のサイク
ロン（６０）を出る。脚部（５４ｂ）は、流動化サイホ
ン（３）（）に達しており、脚部（５４ａ）もまた同サ
イホン（３）（）に達している。これらの固体粒子はつ
いで管路（２８）を経て、固体粒子の再生帯域すなわら
上昇基（３１）とタンク（５０）の方へ進む。

第５図に示されていないもう１つの実施態様によれば、
反応器（８）は下降型であってもよく、その時サイクロ
ン（６０）は、らせんの戻りの無いらせん状の流れを有
し、管路（６）からの触媒供給もまた下降である。

２つのサイクロンのこのカスケード型配置は、２つの種
類の粒子間、１゛なわち予備処理固体とクラッキング触
媒との間の分離を改善する。この配置はまた予備処理剤
の塵埃による触媒の汚染をも制限する。

もう１つの実施態様によれば、もう１度触媒の汚染を制
限するために、最も細かい粒子を再循環しなくてもよい
。これらの条件下において、捕集された固体粒子の一部
を除去するために、これらの粒子の再生囲域の外に、固
体粒子の再生器のサイクロンを配置してもよい。この解
決法は、脱金属、脱コークスおよび／または脱硫剤が安
ければそれだけ一層考えられる。

第６図は、クラッキング反応器（８）が不時型であるよ
うな接触クラッキング装置に一体化された第１図のもの
と同じ予備処理サイクルのもう１つの実施態様を例証的
に示す。固体粒子と仕込物は、囲域内を全体として共に
、同じ方向に触媒と並流で、上から下へ流通する。

サイクロン（１）は、この場合ガスのらせんの戻りの無
いらせん状の流れを有する、直接通行のユニフロー型の
ものである。この第６図に、第５図の同じ装置を、同じ
参照番号をつけて示した。さらに、反応器（８）が開口
しているストリッピング囲域の底部（１４）は、パリス
ティック分離器（９）と組合わされた２つのサイク【］
ン（１０）（１１）を図式的かつ例証的に示す。この分
離器（９）によって触媒の分離が可能になり、この触媒
は管路（４２）から排出される。

触媒粒子の再生は、第６図に例えば下記のように例証さ
れる： 上昇基より成る触媒粒子再生器（１８）により、第１触
媒再生と貯蔵および再生囲域（２１）内までのそれの引
き上げとが確保される。この囲域は、再生３　（１８）
の出口においてバリステイク分ｌＩ！を器（２０）を内
装している。少なくとも１つの除塵サイクロン（２２）
は、特に触媒再生により生じる燃焼ガスの管路（４５）
による排出を確実に行なう。

サイクロン（２２）の脚部（２３）は、圧力均衡を確保
するために、再生された触媒粒子床中に沈んでいる。再
生器［（２１）は管路（２４）に触媒粒子を供給する。

この脚部（２４）は、還元雰囲気の予備処理囲域として
のサイクロン（１）と酸化雰囲気の再生囲域（２１）と
の間の空気分離を可能にする蒸気流ｏＪ化サイホン（２
５）を備えている。この流動化サイホンはまた装置の運
転停止期に流動化のに＋止によって、固体粒子の流れを
止めることもできる。

脚部（２４）の底部に配置された触媒の流量調整弁（２
６）は、再生囲域（２１）内に配置された触媒粒子のレ
ベル検知器に従うものであってもよいし、あるいはその
他のあらゆる変形方法によって調節されてもよい。この
弁はまたユニフロー型サイクロン（１）内への粒子の取
入れ流量をも調節する。

第７図に、予備処理囲域としてのサイクロン（１）内へ
の触媒のもう１つの導入方法を示した。

これは第２図によって示された装置の場合と同じ根拠で
、第１図および第６図によって示された予備処理サイク
ルとクラッキングサイクル、すなわら上界型または不時
型反応器（８）を用いてらせｌυの戻りのあるまたは無
いサイクロン内において無差別に適用されうる。

第７図によれば、実質的に中実軸に沿ったｌサイクロン
（１）の上部を通る触媒到着管路（１３）は、その内部
に備えられていで、再生された触媒をサイクロンの中央
部（１ｂ）の方へ募く。このサイクロンで触媒は、気化
されかつ予備処理された仕込物と接触さけられる。実際
再生器から来る触媒は、ディストリビュータ−（３）に
より導入される蒸気または軽質（Ｃ＋〜Ｃ３）炭化水素
によって、流動床（４）内に落ちる。この触媒は、つい
で流動床の断面に均一に分配された小孔（５６）内にあ
ふれることによって入る。小孔（５６）は触媒粒子およ
び炭化水素蒸気を、反応器（８）のオリフィス（７）の
方へ導く。この反応器（８）の上端は、実質的に中央部
（１ｂ）のレベルのサイクロン（１）内に含まれる。

反応器（８）の混合物取入れ用の開口部（７ａ）および
触媒の管路（６）の出口は、好ましくは触媒の流れに実
質的に接線方向の炭化水素蒸気の高速度での導入を可能
にするように、斜めに切られた形を有している。この配
置により、反応器（８）の外への触媒の分散を大部分回
避できる。

さらに小孔（５６）の重力により流れる触媒粒子は、速
い速度で反応帯域に入る炭化水素蒸気によって加速され
る。これにより蒸気と触媒との急速かつ均質な接触が促
進される。

図示されていない装置によって上流で予備加熱された液
体炭化水素仕込物すなわちガスオイルまたはより高い沸
点を有する炭化水素は、仕込物の揮発性成分の分圧を減
じるために、ある吊の分散蒸気と共に導入されてもにい
。

予備処理固体粒子は、一般に（窒素吸収を用いた所謂Ｂ
ＥＴ法で）１００ｍ２／（］以下、好ましくは５０ｍ２
／ａ以下、さらに好ましくは３）（１！２／（］以下の
比表面積を有していてもよい。これらは、好ましくは５
０〜２０００ｍ（５０〜２０００Ｘ１０−８ｍ　）　、
より詳しくは１００〜３）（０ｐ（１００〜３）（０Ｘ
１０−１１１１）の様々な大きさである。これらの微小
球は、弱い触媒活性を有しており（１００％の値が任意
にクラッキング触媒の通常の平均活性に相当する場合、
例えば約１０％以下）、廉価なものである。従って時々
その一部を捨て、これをより新鮮な同じ量のものに代え
て、許容される金属含量を維持ηるようにづることが推
奨される。実際それらを分析すると、これらの微小球は
、鉱物の他に、シリカ、アルミナおよびチタン、鉄およ
びアルカリ土の形態の少ａの不純物を含むことがわかる
。使用される固体粒子は例えば米国特許第４，２４３．
５１４号に記載されており、例えば比表面積の小さい方
解石、ドロマイ］へ、石灰石、ボーキサイト、バライト
、クロム鉄鉱、ジルコニア、マグネシア、パーライト、
アルミナおよびシリカ等である。

触媒は、一般にクラッキング反応において使用されるし
のである。好ましくは一般に１００ｍ２／（］（ＢＥＴ
法）以上の比表面積のゼオライト・ベースの触媒を使用
する。これらの中でも、水蒸気の存在下において良好な
熱安定性を右づるものを使用する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の接触クラッキングの実施態様を示すフ
ローシート、第２図は予備処理囲域を示す垂直断面図、
第３図は第２図中のＡ−Ａ面に沿う断面図、第４図は第
２図中のＢ−８面に沿う断面図、第５図は予備処理囲域
の変形例を示寸フＥ丁１−シート、第６図は本発明の接
触クラッキングのもう１つの実施態様を示すフローシー
ト、第７図はもう１つの予備処理囲域を示す垂直断面図
である。 （１）・・・サイクロン（予備処理囲域）、（１ａ）・
・・上部、（１ｂ）・・・中央部、（２）・・・管路（
固体粒子取入れ手段）　、（３）・・・ディストリビュ
ータ−（触媒粒子取入れ手段’）　、（４）・・・流動
床、（５）・・・インジェクター（仕込物取入れ手段）
　、（６）・・・管路、（７）・・・オリフィス（触媒
粒子取入れ手段）、（７８Ｈ７ｂ）・・・開口部（混合
物取入れ手段）　、（８）・・・反応器（反応帯域）　
、（９）・・・バリステイク分＋！ｌｉｔ器（分離手段
）　、（１０）（１１）・・・サイクロン、（１２）・
・・ストリッピング囲域、（１３）・・・丈イクロンの
脚部、（１４）・・・ストリッピング囲域の底部（分離
１手段）、（１５）・・・サイクロン（反応流出物取出
し手段）　、（１６１・・・管路（触媒粒子輸送１段）
、（１８）・・・触媒粒子再生器、（１９）・・・ディ
ストリビュータ−１、（１９ａ）・・・管路、（２０）
・・・バリステイク分離器、（２１）・・・再生囲域、
（２２）・・・除咋すイクロン、（２３）・・・脚部、
（２４）・・・管路（触媒粒子再循環−Ｔ一段）、（２
５）・・・流動化サイホン（触媒粒子再循環手段）、（
２６）・・・流ｍ調整弁（触媒粒子再循環手段）、（２
７）・・・分離器（分離手段）　、（２８）・・・管路
（固体粒子輸送手段）　、（２９）・・・流ｍ調整弁、
（３）（）・・・流動化サイホン、（３１）・・・上界
基（固体粒子再生手段）　、（３２）・・・頂部、（３
３）・・・熱交換管（エネル１ニー交換器）　、（３４
）・・・環状装置（供給手段）、（３５）・・・サイク
ロン（分離手段）　、（３６）・・・脚部、（３７）・
・・下降管路、（３８）・・・流動化サイホン（再生固
体粒子再循環手段）　、（３９）・・・流ｍ調整弁（再
生固体粒子再循環手段）　、（４０）・・・管路（仕込
物取入れ手段）　、（４１）・・・管路（固体粒子取入
れ手段）、（４２）・・・管路、（４３）・・・管路、
（４４）・・・管路、（４５）・・・管路、（４６）・
・・管路、（４７）・・・管路、（５０）・・・タンク
（固体粒子再生手段）　、（５１）・・・管路（分離手
段）　、（５２）・・・管路（輸送手段）　、（５３）
・・・然気分離手段、（５４ａ）（５４ｂ）−・・脚部
（輸送手段）　、（５５）・・・蒸気分離装置く分離手
段）　、（５６）・・・小孔、（６０）・・・サイクロ
ン（予備処理囲域）　、（６０ａ）・・・上部、（６０
ｂ）・・・中央部、（６１）・・・管路、（７０）・・
・ディストリビュータ−０ 以上 特許出願人　アンスアイテユ・フランセ°デュ・ベトロ
ール

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. （１）流動床または同伴床の反応帯域における残留物質
   含有炭化水素仕込物の接触クラッキング方法であって、
   仕込物が少なくとも１回の予備処理に付される方法にお
   いて、気化形態の前記仕込物の少なくとも一部および触
   媒粒子の少なくとも一部が少なくとも１つの予備処理囲
   域内を流通し、この囲域内において一方で仕込物の少な
   くとも前記部分と、他方で触媒粒子とは異なる（触媒活
   性がほとんどない）固体粒子との接触が行なわれ、前記
   固体粒子と前記仕込物が、全体として共に同じ方向に、
   すなわち前記囲域の上から下へあるいは下から上へ、反
   応帯域の入口の温度に実質的に等しい温度で流通するこ
   と、および少なくとも固体粒子と仕込物の前記部分との
   混合を終えると、前記仕込物は、残留物質の大部分を除
   去されて、前記固体粒子から分離され、前記触媒粒子と
   共に反応帯域へ送られることを特徴とする方法。
2. （２）反応帯域が前記予備処理囲域の内部に通じる入口
   を有しており、かつ前記予備処理が、前記反応帯域の入
   口の実質的に上流に位置する前記囲域において実施され
   る、特許請求の範囲第１項記載の方法。
3. （３）前記予備処理が下記工程： ・温度６５０〜１０００℃、直径５０〜２０００μｍ（
   ５０〜２０００×１０＾−＾８ｍ）の固体粒子流を、１
   ０〜８０ｍ／秒の粒子速度を生じるのに適した輸送ガス
   流中に、固体粒子のらせん状の流れを生じるように導入
   する工程、 ・仕込物の少なくとも一部を、微粉砕または噴霧手段に
   よって微粉砕して、仕込物の出る速度が、１０〜１５０
   ｍ／秒になるようにして、微粉砕手段の注入角度が、微
   粉砕手段が通っている囲域の半径に対して０〜８０°で
   あるような方向に、これを前記囲域内に注入する工程、
   ・同様に触媒粒子の少なくとも一部を前記囲域内に導入
   する工程、 ・仕込物と固体粒子とを、仕込物の滞留時間が０．０１
   〜１０秒であるようにして、４５０℃〜６５０℃で接触
   させる工程、 ・コークス、金属および硫黄分が仕込物よりも少ない予
   備処理流出物を成す炭化水素フラクションを、残留物質
   を含む固体粒子から分離する工程、 ・前記予備処理流出物を、クラッキングの触媒粒子と共
   に前記反応帯域へ送る工程、 を含む、特許請求の範囲第１または２項記載の方法。
4. （４）温度５００〜１０００℃において、酸素の存在下
   または分子状酸素を含むガスの存在下に、流動床におけ
   るこのように分離された固体粒子の少なくとも１回の再
   生を行ない、固体粒子上に存在する残留物質の少なくと
   も９０％の燃焼を引き起こすようにし、再生粒子から燃
   焼ガスの大部分を分離し、前記再生粒子の少なくとも一
   部を囲域内に再循環し、再生工程に由来する、金属含有
   固体粒子を、予備処理帯域へ再送せずに少なくとも周期
   的に取出すことを特徴とする、特許請求の範囲第１〜３
   項のうちいずれか１項記載の方法。
5. （５）前記再生を少なくとも２工程で実施し第１工程が
   、Ｌ／Ｄ比（Ｌは管の長さであり、Ｄはその直径である
   ）＝２０〜４００の実質的に垂直で細長い管状帯域にお
   いて、酸素をベースとする輸送ガスまたは分子状酸素含
   有ガスを用いて、５００℃〜９００℃の温度（Ｔ＿１）
   において実施され、ついで第２再生工程が、第２帯域内
   で、酸素をベースとする輸送ガスまたは分子状酸素含有
   ガスを用いて、６５０〜１０００℃の温度（Ｔ＿２）に
   おいて行なわれ、Ｔ＿２はＴ＿１より高いことを特徴と
   する、特許請求の範囲第４項記載の方法。
6. （６）固体粒子が、比表面積の小さい方解石、ドロマイ
   ト、石灰石、ボーキサイト、バライト、クロム鉄鉱、マ
   グネシア、パーライト、アルミナおよびシリカから成る
   群から選ばれる、特許請求の範囲第１〜５項のうちいず
   れか１項記載の方法。
7. （７）輸送ガスが、蒸気または炭素原子数１〜３の炭化
   水素である、特許請求の範囲第３項記載の方法。
8. （８）予備処理が次の２工程で行なわれる：すなわち第
   １工程は第１囲域で行なわれ、この囲域において気化仕
   込物の少なくとも一部を固体粒子の流動化流と接触させ
   、この流動化流は分離後、残渣の入っている固体粒子の
   大部分を含む第１予備処理流出物、および残存する残渣
   の入っている固体粒子と少なくとも一部残渣の除去され
   た仕込物の大部分とを含む第２予備処理流出物を放出す
   るものであり、第２工程の間、第２流出物を第１囲域と
   は異なる第２囲域に送り、この第２囲域において、前記
   仕込物の少なくとも一部に対して、少なくとも１回の第
   ２予備処理を行ない、かつ第１流出物の粒子と共に回収
   される第２予備処理より生じる前記粒子からの分離後、
   この第１および第２予備処理により生じる予備処理され
   た仕込物を触媒粒子と共に反応帯域に送る、特許請求の
   範囲第１〜７項のうちいずれか１項記載の方法。
9. （９）前記固体粒子と前記仕込物が、全体として共に触
   媒粒子と並流で流通する、特許請求の範囲第１〜８項の
   うちいずれか１項記載の方法。
10. （１０）前記固体粒子と前記仕込物が、全体として共に
    触媒粒子と向流で流通する、特許請求の範囲第１〜８項
    のうちいずれか１項記載の方法。
11. （１１）（第１図において） ・炭化水素仕込物の少なくとも１つのサイクロン型の予
    備処理囲域（１）、 ・液体または気体仕込物の取入れ手段（４０）（５）、
    これらの手段は該囲域の内側の周囲の方への前記仕込物
    の微粉砕手段を含む（仕込物により生じる流れは、上か
    ら下へまたは下から上へ、次に定義する反応器（８）の
    入口の方へ進む）、・前記囲域（１）内への触媒粒子の
    取入れ手段（３）（７）（第２図）、 ・前記囲域（１）内において、仕込物により生じる流れ
    方向への壁上でのらせん運動を固体粒子に与える固体粒
    子の取入れ手段（２）、 ・一方で固体粒子、他方で触媒粒子と予備処理された仕
    込物との混合物の分離手段（２７）、・固体粒子のタン
    ク（５０）への、前記囲域（１）に連結された固体粒子
    の輸送手段（２８）、前記固体粒子の少なくとも１つの
    再生手段（３１）、および予備処理囲域（１）の方への
    再生された固体粒子の再循環手段（３８）（３９）、 ・反応器（８）内への、予備処理された仕込物と触媒粒
    子との混合物の少なくとも１つの取入れ手段（７ａ）、
    この反応器（８）は管状かつ実質的に垂直な細長い形の
    導管であり、予備処理された仕込物と触媒粒子の上から
    下への（ドロッパー）あるいは下から上への（ライザー
    ）並流流通を伴っている、 ・予備処理された仕込物と触媒粒子とが導入された反応
    器（８）の端部の反対の端部における反応流出物と触媒
    粒子との分離手段（１４）（９）、・前記分離手段（１
    ４）（９）に連結された反応流出物の取出し手段（１５
    ）（４２）、 ・これらの触媒粒子の少なくとも１つの再生器（１８）
    の方への、前記分離手段（１４）（９）に連結された触
    媒粒子の輸送手段（１６）および ・前記予備処理囲域（１）の方への触媒粒子の少なくと
    も一部の再循環手段（２４）（２５）（２６）、を含む
    、残留物質含有炭化水素仕込物の接触クラッキング装置
    。
12. （１２）固体粒子の前記再生手段が、 ・固体粒子の前記輸送手段に連結された管状かつ実質的
    に垂直な細長い形の第１の再生手段（３１）、 ・固体粒子を流動化させ、かつ前記粒子に負荷された残
    渣の燃焼を少なくとも一部引き起こすのに適した、前記
    再生手段（３１）の底部へ燃焼ガス（Ｏ＿２、空気）を
    供給する第１手段（４４）、・円形の第２の再生手段（
    ５０）であって、この再生手段（５０）の底部へ燃焼ガ
    スが第２の供給手段（３４）によって供給され、かつ一
    方で前記第１の手段（３１）、他方で前記再循環手段（
    ３８）（３９）へ連結されている再生手段であり、この
    第２の再生手段（５０）は残存残渣の燃焼を継続するの
    に適している、 ・前記第２の再生手段（５０）の少なくとも１つのエネ
    ルギー交換器（３３）、および ・前記燃焼の結果生じる煙の分離手段（３５）（５１）
    、 を含む特許請求の範囲第１１項記載の装置。
13. （１３）固体粒子の再循環手段が、前記固体粒子再生手
    段（５０）に連結された流動化サイホン（３８）と、前
    記サイホン（３８）と予備処理囲域（１）との間に置か
    れた流量調整弁（３９）を含んでいる、特許請求の範囲
    第１１または１２項記載の装置。
14. （１４）触媒粒子の再循環手段が、前記再生器（１８）
    と囲域（１）の方への流量調整弁（２６）との間に置か
    れた流動化サイホン（２５）を含み、前記弁（２６）が
    再生器（１８）内の触媒粒子のレベル検知器に従うもの
    である、特許請求の範囲第１１〜１３項のうちいずれか
    １項記載の装置。
15. （１５）（第５図参照） ・「らせんの戻り」（ｒｅｌｏｕｒｎｅｍｅｎｔ　ｄｅ
    　ｌａ　ｓｐｉｒａｌｅ）の無い直接通過を有するサイ
    クロン型の第１の予備処理囲域（１）、 ・前記仕込物の微粉砕手段を含む囲域（１）の内側の周
    囲の方への液体または気体仕込物の取入れ手段（４０）
    （５）、仕込物から生じる流れは上から下へ向けられる
    、 ・前記囲域内において仕込物より生じる流れの方向へ、
    壁上においてこれらの粒子にらせん運動を与える固体粒
    子の取入れ手段（第１図の（２）（４１））、 ・一方で第１の囲域（１）内の通過により生じる少なく
    とも一部残渣の入っている固体粒子と、他方で、少なく
    とも一部残渣が入っている固体粒子と予備処理された仕
    込物との第１の混合物との第１の分離手段（５３）、 ・残渣の入っている前記固体粒子および前記混合物の輸
    送手段（５２）、 ・前記混合物輸送手段（５２）に連結されかつらせんの
    戻りのあるまたは無いらせん状の流れを有するサイクロ
    ン型の第２の予備処理囲域（６０）、・前記第２の囲域
    （６０）への触媒粒子の取入れ手段（３）（７）、 ・一方で固体粒子と、他方で触媒粒子と第２の囲域（６
    ０）内の通過により生じる予備処理された仕込物との混
    合物との第２の分離手段（５５）、・管状かつ実質的に
    垂直な細長い形の導管である反応器（８）内への第２の
    混合物の取入れ手段（第２図の（７ａ）（７ｂ））、 および ・前記第１および第２の分離手段（５３）（５５）に連
    結された再生手段（３１）の方への輸送手段（５４ａ）
    （５４ｂ） を含む、特許請求の範囲第１１〜１４項のうちいずれか
    １項記載の装置。
16. （１６）固体粒子の取入れ手段（２）が、予備処理囲域
    （１）の上部（１ａ）に位置しており、かつ反応器（８
    ）が予備処理仕込物および触媒粒子の上昇循環に適して
    いる、特許請求の範囲第１１〜１５項のうちいずれか１
    項記載の装置。
17. （１７）固体粒子の取入れ手段（２）が、予備処理囲域
    （１）の上部（１ａ）に位置しており、かつ反応器（８
    ）が、予備処理された仕込物および触媒粒子の下降流通
    に適している、特許請求の範囲第１１〜１５項のうちい
    ずれか１項記載の装置。