JPS62114222A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPS62114222A JPS62114222A JP60253687A JP25368785A JPS62114222A JP S62114222 A JPS62114222 A JP S62114222A JP 60253687 A JP60253687 A JP 60253687A JP 25368785 A JP25368785 A JP 25368785A JP S62114222 A JPS62114222 A JP S62114222A
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- JP
- Japan
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- mark
- wafer
- positioning
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- holes
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体素子等の微細パタンを形成して転写す
る露光装置に関するものである。
る露光装置に関するものである。
半導体素子等の製造工程では微細パタンを高精度に転写
する必要があり、しかも前工程で形成された基板（ウェ
ハ）上のパタンと、新たに転写するパタンとの位置合わ
せを特に精度よく行う必要がある。微細パタンを転写す
る装置としては、回路の原画パタンか描かれたマスク（
またはレティクル）を投影レンズで等倍または縮小し、
紫外光で露光転写する投影露光装置、あるいはＸ線等を
使って転写するＸ線露光装置がある。
する必要があり、しかも前工程で形成された基板（ウェ
ハ）上のパタンと、新たに転写するパタンとの位置合わ
せを特に精度よく行う必要がある。微細パタンを転写す
る装置としては、回路の原画パタンか描かれたマスク（
またはレティクル）を投影レンズで等倍または縮小し、
紫外光で露光転写する投影露光装置、あるいはＸ線等を
使って転写するＸ線露光装置がある。
従来の投影露光装置の構成は、第８図に示すとおり、レ
ティクル６を露光装置の所定位置に正確に位置決めする
ための位置検出器７と微動機構９、投影レンズ４の焦点
位置検出器５と焦点合わせのための微動機Ｎａ１０、ウ
ェハ１を２次元的に移動し位置決めするためのＸＹステ
ージ１１、レティクル６上の回路パタン１４を露光する
ための照明光学系１２．１３、およびパタンの位置合わ
せを行うためのマーク位置検出器８からなっている。上
記の従来装置で回路パタンを転写する際に行う位置合わ
せは、ウェハ１の表面に形成されたターゲットマーク３
を投影レンズ４でレティクル６の面の基準マーク１５の
位置に逆投影し、マーク位置検出器８を用いて上記基準
マーク１５とターゲットマーク３との相互位置が一致す
るように、レティクル６と上記ウェハ１とを相対的に動
かして行っていた。しかし一般に半導体素子の製造工程
は十数工程からなり、各工程ごとにウェハの表面の形状
や材質が変る。したがって位置合わせに用いるターゲッ
トマークも同様に変化する。また各工程ごとにウェハの
表面にホトレジスト２が塗布され、しかも塗布膜厚には
ばらつきを生じることがある。これらの要因によってマ
ーク位置検出器８で検出されるターゲットマーク３のコ
ントラストが低下し、検出精度の低下を招いていた。こ
の結果、パタンの位置合わせ精度が悪くなっていた。
ティクル６を露光装置の所定位置に正確に位置決めする
ための位置検出器７と微動機構９、投影レンズ４の焦点
位置検出器５と焦点合わせのための微動機Ｎａ１０、ウ
ェハ１を２次元的に移動し位置決めするためのＸＹステ
ージ１１、レティクル６上の回路パタン１４を露光する
ための照明光学系１２．１３、およびパタンの位置合わ
せを行うためのマーク位置検出器８からなっている。上
記の従来装置で回路パタンを転写する際に行う位置合わ
せは、ウェハ１の表面に形成されたターゲットマーク３
を投影レンズ４でレティクル６の面の基準マーク１５の
位置に逆投影し、マーク位置検出器８を用いて上記基準
マーク１５とターゲットマーク３との相互位置が一致す
るように、レティクル６と上記ウェハ１とを相対的に動
かして行っていた。しかし一般に半導体素子の製造工程
は十数工程からなり、各工程ごとにウェハの表面の形状
や材質が変る。したがって位置合わせに用いるターゲッ
トマークも同様に変化する。また各工程ごとにウェハの
表面にホトレジスト２が塗布され、しかも塗布膜厚には
ばらつきを生じることがある。これらの要因によってマ
ーク位置検出器８で検出されるターゲットマーク３のコ
ントラストが低下し、検出精度の低下を招いていた。こ
の結果、パタンの位置合わせ精度が悪くなっていた。
上記のように従来装置では製造プロセスの影響を受ける
ため、高精度なパタン位置合わせに限界があるという欠
点があった。また、位置合わせの高精度化のためには、
チップごとに位置合わせを行うことが要求されるが、こ
れに対しては、マーク位置検出器の検出光学系が回路パ
タンを露光する光束と干渉しないようにする必要がある
。このため検出光学系は複雑な構造になり、その結果、
検出の高精度化に限界があるという欠点があった。
ため、高精度なパタン位置合わせに限界があるという欠
点があった。また、位置合わせの高精度化のためには、
チップごとに位置合わせを行うことが要求されるが、こ
れに対しては、マーク位置検出器の検出光学系が回路パ
タンを露光する光束と干渉しないようにする必要がある
。このため検出光学系は複雑な構造になり、その結果、
検出の高精度化に限界があるという欠点があった。
なお、この種の装置として関連するものには、例えば特
開昭５３−１４４２７０号、米国特許４３５５８９２号
等が挙げられる。
開昭５３−１４４２７０号、米国特許４３５５８９２号
等が挙げられる。
本発明は、製造プロセスの影響を受けずに高精度な位置
合わせと転写を行うことができる露光装置を得ることを
目的とする。
合わせと転写を行うことができる露光装置を得ることを
目的とする。
本発明による露光装置は、感光剤を塗布した基板上に原
画パタンを露光転写する露光装置において、上記基板の
特定領域に複数個の微小な貫通穴を設け、上記貫通穴の
裏面周辺部に設けた複数個の位置合わせマークと、原画
パタン上の基準マークまたは該基準マークの投影像とを
、上記貫通穴を通して同時に検知するマーク検出器を、
基板裏側に設けたことにより、原画パタンと基板との位
置合わせ、露光時の焦点合わせおよび傾斜量補正。
画パタンを露光転写する露光装置において、上記基板の
特定領域に複数個の微小な貫通穴を設け、上記貫通穴の
裏面周辺部に設けた複数個の位置合わせマークと、原画
パタン上の基準マークまたは該基準マークの投影像とを
、上記貫通穴を通して同時に検知するマーク検出器を、
基板裏側に設けたことにより、原画パタンと基板との位
置合わせ、露光時の焦点合わせおよび傾斜量補正。
マスクの位置合わせを行うようにしたものである。
つぎに本発明の実施例を図面とともに説明する。
第１図は本発明による露光装置の一実施例を示す構成図
、第２図は上記実施例で用いるウェハの部分外ｗ１図、
第３図はウェハおよびマーク検出部の説明図、第４図は
位置合わせ用マークを示す図、第５図はマーク検出器で
得られた検出信号の説明図、第６図はレティクルの位置
決めの説明図、第７図はレティクル位置決めにおけるマ
ークの関係を示す図である。第１図に示す実施例は、縮
小投影露光装置に本発明を適用した例であり、原画パタ
ン１４を露光するための光源】３およびレンズ１２から
なる照明光学系、レティクル６とその微動機構９、投影
レンズ４、感光剤２を塗布したウェハ１を固定台３１に
よって固定したＸＹステージ１１、ウェハ１の裏側に設
置したマーク検出器２４．２５で構成されている。 ２
７，２９はそれぞれ基準マーク１５．１５′の照明装置
である。ウェハ１には複数個の微小な貫通穴２１を設け
ているが、上記貫通穴２１は位置合わせに用いるターゲ
ットマーク３を設ける位置にあり、各露光領域ごとに各
領域の周辺部に２．３個づつ設けている。ウェハ１の裏
側にはマーク検出器２４．２５が装置全体に固定されて
いる。またウェハ１はＸ、Ｙ、Ｚ方向に可動であり、レ
ティクル６は微動機構９によってｘ、ｙ、θ−２の４軸
方向に微動可能である。
、第２図は上記実施例で用いるウェハの部分外ｗ１図、
第３図はウェハおよびマーク検出部の説明図、第４図は
位置合わせ用マークを示す図、第５図はマーク検出器で
得られた検出信号の説明図、第６図はレティクルの位置
決めの説明図、第７図はレティクル位置決めにおけるマ
ークの関係を示す図である。第１図に示す実施例は、縮
小投影露光装置に本発明を適用した例であり、原画パタ
ン１４を露光するための光源】３およびレンズ１２から
なる照明光学系、レティクル６とその微動機構９、投影
レンズ４、感光剤２を塗布したウェハ１を固定台３１に
よって固定したＸＹステージ１１、ウェハ１の裏側に設
置したマーク検出器２４．２５で構成されている。 ２
７，２９はそれぞれ基準マーク１５．１５′の照明装置
である。ウェハ１には複数個の微小な貫通穴２１を設け
ているが、上記貫通穴２１は位置合わせに用いるターゲ
ットマーク３を設ける位置にあり、各露光領域ごとに各
領域の周辺部に２．３個づつ設けている。ウェハ１の裏
側にはマーク検出器２４．２５が装置全体に固定されて
いる。またウェハ１はＸ、Ｙ、Ｚ方向に可動であり、レ
ティクル６は微動機構９によってｘ、ｙ、θ−２の４軸
方向に微動可能である。
上記のように構成された本露光装置において、まずパタ
ン位置合わせの方法について説明する。
ン位置合わせの方法について説明する。
第２図はパタン位置合わせを行うウェハ１の部分を示す
外観図である。ウェハ１上の各露光領域の回路パタン３
３の周辺部３２に貫通穴２１−１ 、２１−２等を設け
ているが、上記周辺部３２はスクライブエリアとしても
よい。上記貫通穴２１−１ 、２１−２等は第１回目の
露光、現像処理が終了したのちに形成する。第３図はウ
ェハ１に形成した上記貫通穴２１−１ 、２１−２等の
断面図を示したものである。
外観図である。ウェハ１上の各露光領域の回路パタン３
３の周辺部３２に貫通穴２１−１ 、２１−２等を設け
ているが、上記周辺部３２はスクライブエリアとしても
よい。上記貫通穴２１−１ 、２１−２等は第１回目の
露光、現像処理が終了したのちに形成する。第３図はウ
ェハ１に形成した上記貫通穴２１−１ 、２１−２等の
断面図を示したものである。
貫通穴２１の周辺は裏面にウェハ１の厚さｔを残して、
例えば貫通穴２１の寸法ｄの約２倍の寸法Ｄ（Ｏ＝２ｄ
）の穴を形成する。貫通穴周辺部３４には位置合わせの
ためのターゲットマーク３．３′を形成する。上記位置
にターゲットマーク３．３′を形成することによって、
上記ターゲットマーク３．３′は製造プロセスの影響を
受けすらい。
例えば貫通穴２１の寸法ｄの約２倍の寸法Ｄ（Ｏ＝２ｄ
）の穴を形成する。貫通穴周辺部３４には位置合わせの
ためのターゲットマーク３．３′を形成する。上記位置
にターゲットマーク３．３′を形成することによって、
上記ターゲットマーク３．３′は製造プロセスの影響を
受けすらい。
位置合わせは、まずレティクル６上の基準パタン１５と
ウェハ１上のターゲットマーク３．３′との相互の位置
を求めて行う。基準マーク１５の投影像２６は貫通穴２
１のウェハ１の表面と同一面上に結像している。上記基
準マーク１５とウェハ１上のターゲットマーク３どの様
子は第４図に示すが、これらの両マークは一例を示した
に過ぎず、この他にも種々のマーク形状が考えられる。
ウェハ１上のターゲットマーク３．３′との相互の位置
を求めて行う。基準マーク１５の投影像２６は貫通穴２
１のウェハ１の表面と同一面上に結像している。上記基
準マーク１５とウェハ１上のターゲットマーク３どの様
子は第４図に示すが、これらの両マークは一例を示した
に過ぎず、この他にも種々のマーク形状が考えられる。
基準マーク１５の投影像２６とターゲットマーク３とは
、マーク検出光学系２２．２３でマーク検出器２４．２
５に導かれる。
、マーク検出光学系２２．２３でマーク検出器２４．２
５に導かれる。
マーク検出器２４．２５では２次元的に信号処理を行い
、基準マーク１５とターゲットマーク３との相互位置を
演算する。上記処理を貫通穴２１−１．２１−２におい
てそれぞれＸＹ座標を算出すれば、ウェハ１上の回路パ
タン３３と、つぎに露出転写されるべき回路パタンとの
相互の位置関係ΔＸ、ΔＹ。
、基準マーク１５とターゲットマーク３との相互位置を
演算する。上記処理を貫通穴２１−１．２１−２におい
てそれぞれＸＹ座標を算出すれば、ウェハ１上の回路パ
タン３３と、つぎに露出転写されるべき回路パタンとの
相互の位置関係ΔＸ、ΔＹ。
ΔＺを求めることができる。ΔＸ、ΔＹ、ΔＺが零にな
るように、レティクル６とウェハ１とを相対的に微動し
て位置合すせを行う。また気圧が変動して投影レンズ４
の倍率が変った場合は、上記２つの基準マーク２６．２
６’とターゲットマーク３．３′との相互間隔が等しく
ならないことであるから、同一間隔になるようにレティ
クル６を光軸方向（Ｚ方向）に微動させて倍率の補正を
行う。
るように、レティクル６とウェハ１とを相対的に微動し
て位置合すせを行う。また気圧が変動して投影レンズ４
の倍率が変った場合は、上記２つの基準マーク２６．２
６’とターゲットマーク３．３′との相互間隔が等しく
ならないことであるから、同一間隔になるようにレティ
クル６を光軸方向（Ｚ方向）に微動させて倍率の補正を
行う。
なお、ターゲットマーク３が形成される部分のウェハ１
の厚さｔは、マーク検出光学系の焦点深度以内にするこ
とが望ましい。しかしｔを大きくすることが必要な場合
は、上記マーク検出光学系を２重焦点系にすることによ
って解決できる。
の厚さｔは、マーク検出光学系の焦点深度以内にするこ
とが望ましい。しかしｔを大きくすることが必要な場合
は、上記マーク検出光学系を２重焦点系にすることによ
って解決できる。
つぎに露光、転写するときの焦点合わせおよび露光領域
の傾斜量補正法について説明する。露光領域３３の周辺
にある貫通穴部１例えば２１−１．２１−２，２１−４
の部分にあるターゲットマークをマーク検出器２４で検
出する。第５図に示すように、検出によって得られた信
号のエツジが実線３５のように急峻に立上る場合が合焦
点位置である。焦点合わせおよび傾斜量補正は、ウェハ
１を固定しているステージ１０．１１を光軸方向および
傾斜方向に微動して、マーク信号のエツジが第５図に示
すように急峻になるようにする。
の傾斜量補正法について説明する。露光領域３３の周辺
にある貫通穴部１例えば２１−１．２１−２，２１−４
の部分にあるターゲットマークをマーク検出器２４で検
出する。第５図に示すように、検出によって得られた信
号のエツジが実線３５のように急峻に立上る場合が合焦
点位置である。焦点合わせおよび傾斜量補正は、ウェハ
１を固定しているステージ１０．１１を光軸方向および
傾斜方向に微動して、マーク信号のエツジが第５図に示
すように急峻になるようにする。
つぎにレティクル６を露光装置の所定の位置に位置決め
する方法を説明する。この操作は露光。
する方法を説明する。この操作は露光。
転写に先立って行う必要がある。第６図に示すようにＸ
ＹＺステージ１０．１１上にウェハ１の表面と同一高さ
の位置に位置決めマーク３６．３７を設ける。
ＹＺステージ１０．１１上にウェハ１の表面と同一高さ
の位置に位置決めマーク３６．３７を設ける。
位置決めをするには、まずレティクル６上の基準マーク
１５．１５’が上記位置決めマーク３６．３７の位置に
結像するようにｘＹＺステージ１０．１１を移動させ、
上記基準マークｔｓ、１５’の投影像と、位置決めマー
ク３６．３７との相対位置をマーク検出器２４あるいは
２５で検出する。第７図に示すように、基僧マーク１５
．１５’の投影像２６．２６′と位置決めマーク３６．
３７とは、それぞれ距離したけ離れた位置に２ケ所ある
。２ケ所の各位置において求めた相対位置から得られる
レティクル６の位置座標ΔＸＬ、ΔＸＲ，ΔｙＬ、Δθ
Ｒが零になるように、レティクル６が固定された微動機
構９をｘ、ｙ、θ、２の４軸方向に微動して位置決めを
行う。
１５．１５’が上記位置決めマーク３６．３７の位置に
結像するようにｘＹＺステージ１０．１１を移動させ、
上記基準マークｔｓ、１５’の投影像と、位置決めマー
ク３６．３７との相対位置をマーク検出器２４あるいは
２５で検出する。第７図に示すように、基僧マーク１５
．１５’の投影像２６．２６′と位置決めマーク３６．
３７とは、それぞれ距離したけ離れた位置に２ケ所ある
。２ケ所の各位置において求めた相対位置から得られる
レティクル６の位置座標ΔＸＬ、ΔＸＲ，ΔｙＬ、Δθ
Ｒが零になるように、レティクル６が固定された微動機
構９をｘ、ｙ、θ、２の４軸方向に微動して位置決めを
行う。
上記のように、従来は別個に設けた位置検出器（第８図
７）と微動機構９を用いてレティクル６の位置決めを行
っていたが、本発明ではウェハ１の位置合わせ、露光時
の焦点合わせや傾斜量補正とともに、同一のマーク検出
器を用いてマスクの位置合わせを行うことができる。
７）と微動機構９を用いてレティクル６の位置決めを行
っていたが、本発明ではウェハ１の位置合わせ、露光時
の焦点合わせや傾斜量補正とともに、同一のマーク検出
器を用いてマスクの位置合わせを行うことができる。
上記実施例は光を用いる投影露光装置について記したが
、上記以外にもＸ線やイオン線等を使った露光装置にお
いて、上記同様の効果を得ることができる。
、上記以外にもＸ線やイオン線等を使った露光装置にお
いて、上記同様の効果を得ることができる。
上記のように本発明による露光装置は、感光剤を塗布し
た基板上に原画パタンを露光転写する露光装置において
、上記基板の特定領域に複数個の微小な貫通穴を設け、
上記貫通穴の裏面周辺部に設けた複数個の位置合わせマ
ークと、原画パタン上の基準マークまたは該基準マーク
の投影像とを、上記貫通穴を通して同時に検知するマー
ク検出器を、上記基板の裏側に設けたことにより１位置
合わせに用いるターゲットマークは製造プロセスによる
変形を受けず、レジストが表面を覆うことなく、第１層
目で形成したターゲットマークを最終工程まで使用でき
、かつレジスト膜内で発生する干渉縞等の影響がないた
め１位置合わせ精度が向上する。また焦点合わせにおい
ても、ウェハ表面状態の影響を受けず高精度化できる。
た基板上に原画パタンを露光転写する露光装置において
、上記基板の特定領域に複数個の微小な貫通穴を設け、
上記貫通穴の裏面周辺部に設けた複数個の位置合わせマ
ークと、原画パタン上の基準マークまたは該基準マーク
の投影像とを、上記貫通穴を通して同時に検知するマー
ク検出器を、上記基板の裏側に設けたことにより１位置
合わせに用いるターゲットマークは製造プロセスによる
変形を受けず、レジストが表面を覆うことなく、第１層
目で形成したターゲットマークを最終工程まで使用でき
、かつレジスト膜内で発生する干渉縞等の影響がないた
め１位置合わせ精度が向上する。また焦点合わせにおい
ても、ウェハ表面状態の影響を受けず高精度化できる。
さらに上記のように、パタンの位置合わせ、焦点合わせ
および傾斜量補正、レティクル位置決めのためのマーク
検出を、すべて１組のマーク検出器で行うことができる
ため、装置の構成を簡素化し、その結果、高精度で小形
化した低価格の露光装置を得ることができる。
および傾斜量補正、レティクル位置決めのためのマーク
検出を、すべて１組のマーク検出器で行うことができる
ため、装置の構成を簡素化し、その結果、高精度で小形
化した低価格の露光装置を得ることができる。
第１図は本発明による露光装置の一実施例を示す構成図
、第２図は上記実施例に用いるウェハの部分外観図、第
３図は上記ウェハおよびマーク検出部の説明図、第４図
は位置合わせ用マークを示す図、第５図はマーク検出器
で得られた検出信号の説明図、第６図はレティクルの位
置決めの説明図、第７図はレティクル位置決めにおける
マークの関係を示す図、第８図は従来の露光装置を示す
構成図である。 １・・・基板（ウェハ） ２・・・感光剤３．３′
・・・位置合わせマーク １４・・・原画パタン １５，１５’・・・基準
マーク２１．２１−１．２１−２・・・貫通穴２４．２
５・・・マーク検出器
、第２図は上記実施例に用いるウェハの部分外観図、第
３図は上記ウェハおよびマーク検出部の説明図、第４図
は位置合わせ用マークを示す図、第５図はマーク検出器
で得られた検出信号の説明図、第６図はレティクルの位
置決めの説明図、第７図はレティクル位置決めにおける
マークの関係を示す図、第８図は従来の露光装置を示す
構成図である。 １・・・基板（ウェハ） ２・・・感光剤３．３′
・・・位置合わせマーク １４・・・原画パタン １５，１５’・・・基準
マーク２１．２１−１．２１−２・・・貫通穴２４．２
５・・・マーク検出器
Claims (2)
- （１）感光剤を塗布した基板上に原画パタンを露光転写
する露光装置において、上記基板の特定領域に複数個の
微小な貫通穴を設け、上記貫通穴の裏面周辺部に設けた
複数個の位置合わせマークと、原画パタン上の基準マー
クまたは該基準マークの投影像とを、上記貫通穴を通し
て同時に検知するマーク検出器を、基板裏側に設けたこ
とを特徴とする露光装置。 - （２）上記位置合わせマークは、基板と同一高さのＸＹ
ステージ上の位置に設けた位置決めマークであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の露光装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60253687A JPS62114222A (ja) | 1985-11-14 | 1985-11-14 | 露光装置 |
| US06/927,939 US4798470A (en) | 1985-11-14 | 1986-11-07 | Pattern printing method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60253687A JPS62114222A (ja) | 1985-11-14 | 1985-11-14 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62114222A true JPS62114222A (ja) | 1987-05-26 |
Family
ID=17254749
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60253687A Pending JPS62114222A (ja) | 1985-11-14 | 1985-11-14 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62114222A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02207520A (ja) * | 1989-02-07 | 1990-08-17 | Canon Inc | 露光装置 |
| JP2003057853A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-28 | Orc Mfg Co Ltd | 整合マークおよび整合機構ならびに整合方法 |
| JP2007512694A (ja) * | 2003-11-28 | 2007-05-17 | ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング | マスク位置調節装置における直接的アライメント |
| JP2009037026A (ja) * | 2007-08-02 | 2009-02-19 | Ushio Inc | 帯状ワークの露光装置及び帯状ワークの露光装置におけるフォーカス調整方法 |
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