JPS62113335A - マグネトロン陰極構体 - Google Patents
マグネトロン陰極構体Info
- Publication number
- JPS62113335A JPS62113335A JP25075785A JP25075785A JPS62113335A JP S62113335 A JPS62113335 A JP S62113335A JP 25075785 A JP25075785 A JP 25075785A JP 25075785 A JP25075785 A JP 25075785A JP S62113335 A JPS62113335 A JP S62113335A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetron cathode
- cylindrical
- cylindrical insulator
- thermionic
- thorium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Microwave Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はマグネトロン陰極構体における熱電子放射体の
改良構造に関するものである。
改良構造に関するものである。
従来の電子管陰極構体として、特にマグネトロンの様な
直熱式のものでは、第２図に示すような構造が普遍的に
用いられている。−例としては、例えば同一発明者にな
る特願昭５９−１５５２０２号がある。また、特開昭５
９−４０４４１号には、リボン状シート材をらせん状に
巻回したものが開示されている。
直熱式のものでは、第２図に示すような構造が普遍的に
用いられている。−例としては、例えば同一発明者にな
る特願昭５９−１５５２０２号がある。また、特開昭５
９−４０４４１号には、リボン状シート材をらせん状に
巻回したものが開示されている。
第２図において、１は約１％のドリア（ＴｈＯ２）を含
んだいわゆるトリウム入りタングステン線をらせん状に
巻回したフィラメントで、その両端には軸方向への熱電
子の逸脱を防止する上エンドシールド２．下エンドシー
ルド３が高融点金属のモリブデンなどで形成され、固着
されている。また、前記の上下エンドシールド２，３に
は各々、陰極電流を供給するセンタリード４．サイドリ
ード５が接続されており、この両リード４，５はセラミ
ックで形成されたステム６に端子７と共に、銀ろう付け
にて固着されている。
んだいわゆるトリウム入りタングステン線をらせん状に
巻回したフィラメントで、その両端には軸方向への熱電
子の逸脱を防止する上エンドシールド２．下エンドシー
ルド３が高融点金属のモリブデンなどで形成され、固着
されている。また、前記の上下エンドシールド２，３に
は各々、陰極電流を供給するセンタリード４．サイドリ
ード５が接続されており、この両リード４，５はセラミ
ックで形成されたステム６に端子７と共に、銀ろう付け
にて固着されている。
ここにおいてフィラメント１はその表面を炭化し、炭化
タングステン（ＷＣ，Ｗ２Ｃ）の層を形成することによ
って、通゛市による昇温でトリウム入りタングステン線
中のドリア（Ｔｈｅ２）と反応し。
タングステン（ＷＣ，Ｗ２Ｃ）の層を形成することによ
って、通゛市による昇温でトリウム入りタングステン線
中のドリア（Ｔｈｅ２）と反応し。
フィラメント１の表面に、トリウムの還元層が生じ、こ
れによって仕事関数を減じせしめ、熱電子の放射効率を
大幅に向上させている。しかしながら、このフィラメン
ト１の表面に形成する熱電子を取り出すのに不可欠な炭
化処理は同時にフィラメント自体の脆性が大きくなり、
しかもらせん状になっていることから、例えば外部から
のＷＩ＠や振動により前記センタリード４やサイドリー
ド５がたわむと容易に変形してしまい、破断に至る。
れによって仕事関数を減じせしめ、熱電子の放射効率を
大幅に向上させている。しかしながら、このフィラメン
ト１の表面に形成する熱電子を取り出すのに不可欠な炭
化処理は同時にフィラメント自体の脆性が大きくなり、
しかもらせん状になっていることから、例えば外部から
のＷＩ＠や振動により前記センタリード４やサイドリー
ド５がたわむと容易に変形してしまい、破断に至る。
従って、リード自体を太くして剛性を増したり、補強用
のスペーサ（第２図中の破線８で示したもの）を加えた
りして、いずれもコストアップに継がる対策を要してい
る。
のスペーサ（第２図中の破線８で示したもの）を加えた
りして、いずれもコストアップに継がる対策を要してい
る。
本発明の目的は上述のような問題点を解決し、堅牢な構
造で、かつ、熱電子放射効率の高い、マグネトロン陰極
構体を提供することにある。
造で、かつ、熱電子放射効率の高い、マグネトロン陰極
構体を提供することにある。
上記の目的を解決するために、本発明においては、熱な
子の放射面積を極力大きくする為に、熱電子放射体を箔
状にし、かつ堅牢な基体の上へ形成してなる。
子の放射面積を極力大きくする為に、熱電子放射体を箔
状にし、かつ堅牢な基体の上へ形成してなる。
筒状絶縁体に上下のエンドシールドを嵌め込み、トリウ
ム入りタングステンの溶射等により被覆層を形成するの
で、上下のエンドシールド間の導通は完全となる上、振
動を受けた際、従来のらせん状のフィラメントよりも堅
牢で、フィラメントのように断線することも生じない。
ム入りタングステンの溶射等により被覆層を形成するの
で、上下のエンドシールド間の導通は完全となる上、振
動を受けた際、従来のらせん状のフィラメントよりも堅
牢で、フィラメントのように断線することも生じない。
第１図に、本発明によるマグネトロン陰極構体の一実施
例を示す。２２．２３は第２図のものと同一機能を有す
るエンドシールドで、第２ｔ！！１と同様にセンタリー
ド４．サイドリード５に固定されており、この上エンド
シールド２２．下エンドシールド２３は、それぞれ筒状
絶縁体１１の、円筒部両端にはめ込まれている。この筒
状絶縁体の外表面にドリアを１％以上含むトリウム入り
タングステン材の層を溶射、吹付け、メッキ等によって
被覆形成して箔状のコーテイング膜１２を形成し。
例を示す。２２．２３は第２図のものと同一機能を有す
るエンドシールドで、第２ｔ！！１と同様にセンタリー
ド４．サイドリード５に固定されており、この上エンド
シールド２２．下エンドシールド２３は、それぞれ筒状
絶縁体１１の、円筒部両端にはめ込まれている。この筒
状絶縁体の外表面にドリアを１％以上含むトリウム入り
タングステン材の層を溶射、吹付け、メッキ等によって
被覆形成して箔状のコーテイング膜１２を形成し。
熱電子放射体とする。もちろん第２図のものと同様に、
表面の炭化処理を行うことは必要である。
表面の炭化処理を行うことは必要である。
次に他の実施例として、第３図に示すように。
被１漠に例えばレーザー光線などにより、らせん状の切
り込み１３を入れて、電気的な特性の調節を行う。
り込み１３を入れて、電気的な特性の調節を行う。
また、第４図に示すように、トリウム入りタングステン
を溶射する際にマスク１４を用いて例えば、筒状絶縁体
１１を回転しながら表面に溶射膜をらせん状に形成する
ことも出来る。
を溶射する際にマスク１４を用いて例えば、筒状絶縁体
１１を回転しながら表面に溶射膜をらせん状に形成する
ことも出来る。
また、被膜はらせん状、筒状等の他第５図に示すような
縦じま状としても同様の効果が得られる。
縦じま状としても同様の効果が得られる。
また筒状絶縁体の材質としては、約２０００℃の耐熱性
を必要とするので、例えば、金属の酸化物や窒化物から
なるセラッミクが好適であり、例えばジルコニア（Ｚ
ｒ Ｏ２）、ハフニアＯＵＯ，）窒化硼素（Ｂ Ｎ）な
どが挙げられる。
を必要とするので、例えば、金属の酸化物や窒化物から
なるセラッミクが好適であり、例えばジルコニア（Ｚ
ｒ Ｏ２）、ハフニアＯＵＯ，）窒化硼素（Ｂ Ｎ）な
どが挙げられる。
以上のように本発明になるマグネトロン陰極構体では熱
電子放射体が広い表面積が得られる箔状となり、かつ堅
牢な円筒絶縁体の上に形成されるので、機械的に丈夫で
、熱電子放射効率の高い陰極体が得られる。
電子放射体が広い表面積が得られる箔状となり、かつ堅
牢な円筒絶縁体の上に形成されるので、機械的に丈夫で
、熱電子放射効率の高い陰極体が得られる。
陰極自体が丈夫な構造となることによって、これを保持
するリードなどを細くすることが出来、コスト低減とな
り、かつ、陰極自体の寸法もより高精度なものが得られ
、熱電子の安定した放出がなされ、高性能でかつ信頼性
の高いマグネトロン陰極構体が得られる。
するリードなどを細くすることが出来、コスト低減とな
り、かつ、陰極自体の寸法もより高精度なものが得られ
、熱電子の安定した放出がなされ、高性能でかつ信頼性
の高いマグネトロン陰極構体が得られる。
第１図は本発明の一実施例を示す部分図、第２図はマグ
ネトロン陰極構体の従来例を示す図、第３図は本発明の
他の一実施例の概略図、第４図は溶射被膜を形成する方
法の一例を示す図、第５図は本発明の他の一実施例を示
す図である。 １１・・・筒状絶縁体、１２・・・被膜、２２・・・上
エンドシールド、２３・・・下エンドシー第２図
ネトロン陰極構体の従来例を示す図、第３図は本発明の
他の一実施例の概略図、第４図は溶射被膜を形成する方
法の一例を示す図、第５図は本発明の他の一実施例を示
す図である。 １１・・・筒状絶縁体、１２・・・被膜、２２・・・上
エンドシールド、２３・・・下エンドシー第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、筒状絶縁体を基体とし、該筒状絶縁体の両端には軸
方向への熱電子の逸脱を防止する一対のエンドシールド
を有するマグネトロン陰極構体において、前記筒状絶縁
体に１％以上のトリア（ＴｈＯ＿２）を含むトリウム入
りタングステンの被覆層を形成して熱電子放射体として
なることを特徴とするマグネトロン陰極構体。 ２、上記被覆層は筒状もしくは該被覆層に切り込みをい
れてらせん状、帯状に形成したことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載のマグネトロン陰極構体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25075785A JPS62113335A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | マグネトロン陰極構体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25075785A JPS62113335A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | マグネトロン陰極構体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62113335A true JPS62113335A (ja) | 1987-05-25 |
Family
ID=17212585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25075785A Pending JPS62113335A (ja) | 1985-11-11 | 1985-11-11 | マグネトロン陰極構体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62113335A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5461441A (en) * | 1993-06-25 | 1995-10-24 | Nikon Corporation | Camera with switching mechanism for selective operation of a retractable lens barrel and closeable lens barrier and method of operation |
| US6329753B1 (en) | 1998-01-08 | 2001-12-11 | Litton Systems, Inc. | M-type microwave device with slanted field emitter |
| US6388379B1 (en) | 1998-01-08 | 2002-05-14 | Northrop Grumman Corporation | Magnetron having a secondary electron emitter isolated from an end shield |
-
1985
- 1985-11-11 JP JP25075785A patent/JPS62113335A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5461441A (en) * | 1993-06-25 | 1995-10-24 | Nikon Corporation | Camera with switching mechanism for selective operation of a retractable lens barrel and closeable lens barrier and method of operation |
| US6329753B1 (en) | 1998-01-08 | 2001-12-11 | Litton Systems, Inc. | M-type microwave device with slanted field emitter |
| US6388379B1 (en) | 1998-01-08 | 2002-05-14 | Northrop Grumman Corporation | Magnetron having a secondary electron emitter isolated from an end shield |
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