JPS62109317A - プラズマエツチング装置 - Google Patents
プラズマエツチング装置Info
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- JPS62109317A JPS62109317A JP24874285A JP24874285A JPS62109317A JP S62109317 A JPS62109317 A JP S62109317A JP 24874285 A JP24874285 A JP 24874285A JP 24874285 A JP24874285 A JP 24874285A JP S62109317 A JPS62109317 A JP S62109317A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プラズマを発生させるのに必要なガスを導入
する電極構造を改良したプラズマエツチング装置に関す
るものである。
する電極構造を改良したプラズマエツチング装置に関す
るものである。
〔従来の技術と発明が解決しようとする問題点〕従来、
相対向する電極のいずれかの電極表面からガスを当該電
極間に導入する場合のガス導入部の材質としては、アル
ミニウム、ステンレス鋼、グラファイト、ガラス状カー
ボン、焼結石英の多孔質体、アルミナ焼結体などが用い
られてきた。
相対向する電極のいずれかの電極表面からガスを当該電
極間に導入する場合のガス導入部の材質としては、アル
ミニウム、ステンレス鋼、グラファイト、ガラス状カー
ボン、焼結石英の多孔質体、アルミナ焼結体などが用い
られてきた。
アルミニウム、ステンレス鋼などの材質ヲ用い、これに
多数の孔を機械的にあけたガス導入部を用いた場合には
、当該材質を構成するアルミニウム、ニッケルなどがス
パッタされ、被加工物が汚染されたり、被加工物上に反
応生成物が残ったり、電気的特性が劣化してしまったり
するという問題点があった。また、機械的に孔をあけた
ガラス状カーボンをガス導入部として用いた場合には、
スバ：・りされた際の熱衝撃によって微結晶が生成され
、この生成された微結晶が被加工物上に付着することに
よる汚染が生じてしまうという問題点があった。同様に
、グラファイトをガス導入部として用いた場合にも、グ
ラファイトの一部が剥離し、被加工物上に付着すること
による汚染が生じてしまうという問題点があった。更に
、多孔質の焼結石英をガス導入部として用いた場合には
、二酸化ケイ素の膜をエツチングする際に、当該多孔質
の焼結石英自体もエツチングされてしまうという問題点
があった。
多数の孔を機械的にあけたガス導入部を用いた場合には
、当該材質を構成するアルミニウム、ニッケルなどがス
パッタされ、被加工物が汚染されたり、被加工物上に反
応生成物が残ったり、電気的特性が劣化してしまったり
するという問題点があった。また、機械的に孔をあけた
ガラス状カーボンをガス導入部として用いた場合には、
スバ：・りされた際の熱衝撃によって微結晶が生成され
、この生成された微結晶が被加工物上に付着することに
よる汚染が生じてしまうという問題点があった。同様に
、グラファイトをガス導入部として用いた場合にも、グ
ラファイトの一部が剥離し、被加工物上に付着すること
による汚染が生じてしまうという問題点があった。更に
、多孔質の焼結石英をガス導入部として用いた場合には
、二酸化ケイ素の膜をエツチングする際に、当該多孔質
の焼結石英自体もエツチングされてしまうという問題点
があった。
更に、この焼結石英の場合には、気孔径が９０ないし３
０００人であってかなり小さく、ドライエツチングなど
のように、０．５ないしｌ ｋｇ ｆ ／ｄの差圧で必
要な流量例えば約３００ ｃｃ／ｍｉｎを得ようとする
と、気孔数が多くなって多孔質体の強度が弱くなるとい
う問題がある。また、その製法は、ある程度粒径の揃っ
た粉末ガラスを焼結させるものであるため、気孔径や気
孔数をほしいままにコントロールできない問題点がある
。
０００人であってかなり小さく、ドライエツチングなど
のように、０．５ないしｌ ｋｇ ｆ ／ｄの差圧で必
要な流量例えば約３００ ｃｃ／ｍｉｎを得ようとする
と、気孔数が多くなって多孔質体の強度が弱くなるとい
う問題がある。また、その製法は、ある程度粒径の揃っ
た粉末ガラスを焼結させるものであるため、気孔径や気
孔数をほしいままにコントロールできない問題点がある
。
また、この多孔質体の厚みは、通常これを３ｆｌ以下以
下色することが望ましい。その理由は、厚み分だけの誘
電体が電極間に挿入されて、プラズマ発生のための供給
電力に減衰を生じさせてしまうためである。このため、
３鶴以下という厚さで、直径１５０ないし２２０ｆｌの
通常の大きさの電極を覆う石英の多孔質焼結体を作ろう
とすると、強度的にかなりの無理を生ずる。更に言えば
、９０ないし大きくても３０００人の細かい気孔径しか
持たない焼結石英では、Ｓｉ０ｇ膜のエツチングなどを
行う場合、エツチング中にガスプラズマの反応で生じた
種々の反応生成物がガス吹き出し口に堆積し、孔がふさ
がれたり、ガス吹き出しに不均一性が生したりして、エ
ツチングに不均一が生しさせてしまうという問題点があ
る。
下色することが望ましい。その理由は、厚み分だけの誘
電体が電極間に挿入されて、プラズマ発生のための供給
電力に減衰を生じさせてしまうためである。このため、
３鶴以下という厚さで、直径１５０ないし２２０ｆｌの
通常の大きさの電極を覆う石英の多孔質焼結体を作ろう
とすると、強度的にかなりの無理を生ずる。更に言えば
、９０ないし大きくても３０００人の細かい気孔径しか
持たない焼結石英では、Ｓｉ０ｇ膜のエツチングなどを
行う場合、エツチング中にガスプラズマの反応で生じた
種々の反応生成物がガス吹き出し口に堆積し、孔がふさ
がれたり、ガス吹き出しに不均一性が生したりして、エ
ツチングに不均一が生しさせてしまうという問題点があ
る。
アルミナ（Ａｌ２Ｏ２）焼結体は、誘電体損失が大きい
ため、電極間に当該焼結体を配置して高周波電力を印加
したのでは、プラズマ発生効率が低下してしまうと共に
、表面がプラズマに曝されスパツクされた時、アルミナ
あるいは分解したアルミニウムが汚染源になってしまう
という問題点があった。
ため、電極間に当該焼結体を配置して高周波電力を印加
したのでは、プラズマ発生効率が低下してしまうと共に
、表面がプラズマに曝されスパツクされた時、アルミナ
あるいは分解したアルミニウムが汚染源になってしまう
という問題点があった。
本発明は、前記問題点を解決するために、相対向する電
極間にガスを導入するガス導入部として、炭素化合物を
主成分とする焼結体を電極に配置すると共に、電極に取
り付けた上記焼結体の内側に導電性の物質を付着させて
、電気的な接続を行う構成を採用することにより、汚染
の発生を少なくし、かつプラズマ生成効率の向上を図る
ようにしている。
極間にガスを導入するガス導入部として、炭素化合物を
主成分とする焼結体を電極に配置すると共に、電極に取
り付けた上記焼結体の内側に導電性の物質を付着させて
、電気的な接続を行う構成を採用することにより、汚染
の発生を少なくし、かつプラズマ生成効率の向上を図る
ようにしている。
第１図は本発明の原理的構成の側面断面図を示す。図中
、１はガスを導入するためのガスパイプ、２は炭素化合
物を主成分とする焼結体からなるガス導入部、３はガス
導入部の内側に付着させたアルミニウムのスパッタ膜等
の導電性物質、４．６は放電させてプラズマを発生させ
るための電極、５はイオンエッチなどを行うための被加
工物、７は高周波電源を表す。
、１はガスを導入するためのガスパイプ、２は炭素化合
物を主成分とする焼結体からなるガス導入部、３はガス
導入部の内側に付着させたアルミニウムのスパッタ膜等
の導電性物質、４．６は放電させてプラズマを発生させ
るための電極、５はイオンエッチなどを行うための被加
工物、７は高周波電源を表す。
第１［ａにおいて、ガス導入部２はガスパイプ１を介し
て流入させたガスを電極４と電極６との間に導入するた
めのものであって、炭素化合物を主成分とする焼結体に
よって構成されるものである。
て流入させたガスを電極４と電極６との間に導入するた
めのものであって、炭素化合物を主成分とする焼結体に
よって構成されるものである。
ガスパイプ１を介して流入したガスは、ガス導入部２か
ら電極４と電極６との間に導入される。電極４と電極６
との間に高周波電源７からの高周波電力を供給すること
によって、導入したガスをプラズマ化して電極６上にｉ
Ｗ置した被加工物５をエツチングしている。
ら電極４と電極６との間に導入される。電極４と電極６
との間に高周波電源７からの高周波電力を供給すること
によって、導入したガスをプラズマ化して電極６上にｉ
Ｗ置した被加工物５をエツチングしている。
第１図に示すように、ガスパイプ１を通して流入したガ
スが、本発明に係わるガス導入部２を介して、被加工物
５に対して均一な態様で吹き付けられている。また、ガ
スを被加工物５に吹き付けるガス導入部２として、炭素
化合物を主成分とする焼結体を用いているため、ガス導
入部２がたとえプラズマにさらされても、アルミニウム
などの金属汚染源がなく、特にフッ素系ガスを用いた場
合、反応生成物はほとんど揮発性であり、被加工物５上
に生成物が堆積されない。更に、炭素化合物を主成分と
する焼結体からなるガス導入部２の内側に導電性物質３
を付着させて導電性を持たせているため、電力の損失が
少なく、安定かつ高密度のプラズマを効率良好に発生さ
せることができる。
スが、本発明に係わるガス導入部２を介して、被加工物
５に対して均一な態様で吹き付けられている。また、ガ
スを被加工物５に吹き付けるガス導入部２として、炭素
化合物を主成分とする焼結体を用いているため、ガス導
入部２がたとえプラズマにさらされても、アルミニウム
などの金属汚染源がなく、特にフッ素系ガスを用いた場
合、反応生成物はほとんど揮発性であり、被加工物５上
に生成物が堆積されない。更に、炭素化合物を主成分と
する焼結体からなるガス導入部２の内側に導電性物質３
を付着させて導電性を持たせているため、電力の損失が
少なく、安定かつ高密度のプラズマを効率良好に発生さ
せることができる。
第２図は本発明の１実施例構成の側面断面図を示す。図
中、８は処理槽、９はガス導入部２と電極４とを電気的
に接続等するための電極リングを表す。尚、図中１ない
し７は第１図に示すものに夫々対応するものである。
中、８は処理槽、９はガス導入部２と電極４とを電気的
に接続等するための電極リングを表す。尚、図中１ない
し７は第１図に示すものに夫々対応するものである。
第２図において、ガスパイプ１を介して流入したガスは
、電極４とガス導入部２との間に形成された空間に拡が
る。そして、炭素化合物を主成分とする焼結体からなる
ガス導入部２を通過したガスが、電極６上に載置した被
加工物５に吹き付けられる。この状態で電極４と電極６
との間に高周波電源７によって発生された高周波電力を
供給すると、プラズマが電極間に発生し、被加工物５を
エツチングすることができる。
、電極４とガス導入部２との間に形成された空間に拡が
る。そして、炭素化合物を主成分とする焼結体からなる
ガス導入部２を通過したガスが、電極６上に載置した被
加工物５に吹き付けられる。この状態で電極４と電極６
との間に高周波電源７によって発生された高周波電力を
供給すると、プラズマが電極間に発生し、被加工物５を
エツチングすることができる。
この際、ガス導入部２として炭素化合物を主成分とする
焼結体を用いることが、被加工物５に対する汚染を防ぎ
、効率良くプラズマを生成させるのに有効である。炭素
化合物特に共有結合性の炭化物が化学的に安定でプラズ
マに浸食されにくい。
焼結体を用いることが、被加工物５に対する汚染を防ぎ
、効率良くプラズマを生成させるのに有効である。炭素
化合物特に共有結合性の炭化物が化学的に安定でプラズ
マに浸食されにくい。
利用できる共有結合性の炭化物としては炭化珪素（Ｓｉ
Ｃ）、炭化ホウ素（Ｂ、Ｃ）などがあるが、製造上強度
的に強く、また純度の高い材料が得やすい炭化珪素を用
いることが使用上有利である。
Ｃ）、炭化ホウ素（Ｂ、Ｃ）などがあるが、製造上強度
的に強く、また純度の高い材料が得やすい炭化珪素を用
いることが使用上有利である。
また、本発明のように、ガス噴出孔の直径を０゜２ない
し０．５ｍｍ程度に選ぶことで、孔部分に強放電が発生
し難（なり、適当な間隔で孔を設けることで均一性の良
いガスを噴出させることができる。更に、多孔質体とし
て平均気孔径を２０ないし５００μｍ程度とすることに
より、反応生成物による目詰まりを防止し、かつ機械的
に孔をあけた場合に比し均一性に富んだガスを吹きつけ
ることができる。
し０．５ｍｍ程度に選ぶことで、孔部分に強放電が発生
し難（なり、適当な間隔で孔を設けることで均一性の良
いガスを噴出させることができる。更に、多孔質体とし
て平均気孔径を２０ないし５００μｍ程度とすることに
より、反応生成物による目詰まりを防止し、かつ機械的
に孔をあけた場合に比し均一性に富んだガスを吹きつけ
ることができる。
炭素化合物として炭化珪素を用いた場合、石英やアルマ
イト（アルミニウム陽極酸化被膜）に比べ、耐蝕性にす
ぐれ、例えばＳ ｉＯｚ膜を食刻するときに用いられる
ＣＦ、 、ＣＨＦ、などのフッ素ガスのプラズマにも良
く耐え、均一なエツチングが可能である。また、アルミ
ナに比べ耐熱衝撃温度が１００ないし２００°Ｃ程度高
く、冷却の困難なプラズマ露出面のあるガス噴出板には
特に有利である。
イト（アルミニウム陽極酸化被膜）に比べ、耐蝕性にす
ぐれ、例えばＳ ｉＯｚ膜を食刻するときに用いられる
ＣＦ、 、ＣＨＦ、などのフッ素ガスのプラズマにも良
く耐え、均一なエツチングが可能である。また、アルミ
ナに比べ耐熱衝撃温度が１００ないし２００°Ｃ程度高
く、冷却の困難なプラズマ露出面のあるガス噴出板には
特に有利である。
焼結体に付加される導電性膜は、必要な付着強度を得る
ために、スパッタリング等の方法で例えば１μｍ以上の
厚さに施されるものである。この導電性膜を付着させた
ときには、例えば高速エツチングを行うために電極４と
電極６との間の電極間距離を小さくした場合にも、導電
性物質３を付着させない場合に比し、プラズマを格段に
安定に発生させることができると共に、電極間距離を一
層小さくしてプラズマ密度を高くし、エツチング速度を
高めることができる。
ために、スパッタリング等の方法で例えば１μｍ以上の
厚さに施されるものである。この導電性膜を付着させた
ときには、例えば高速エツチングを行うために電極４と
電極６との間の電極間距離を小さくした場合にも、導電
性物質３を付着させない場合に比し、プラズマを格段に
安定に発生させることができると共に、電極間距離を一
層小さくしてプラズマ密度を高くし、エツチング速度を
高めることができる。
以上説明したように、本発明によれば、相対向する電極
間にガスを導入するガス導入部として、炭素化合物を主
成分とする焼結体を電極に取り付けた構成を採用してい
るため、被加工物に与える汚染がなく、かつ炭素化合物
の焼結体によって構成されるガス導入部の内面に導電性
物質を付着させているため、安定かつ高密度のプラズマ
を発生させることができる。
間にガスを導入するガス導入部として、炭素化合物を主
成分とする焼結体を電極に取り付けた構成を採用してい
るため、被加工物に与える汚染がなく、かつ炭素化合物
の焼結体によって構成されるガス導入部の内面に導電性
物質を付着させているため、安定かつ高密度のプラズマ
を発生させることができる。
第１図は本発明の原理的構成の側面断面図、第２図は本
発明の１実施例構成の側面断面閲を示す。 図中、１はガスパイプ、２はガス導入部、３は導電性物
質、４．６は電極、５は被加工物、７は高周波電源を表
す。
発明の１実施例構成の側面断面閲を示す。 図中、１はガスパイプ、２はガス導入部、３は導電性物
質、４．６は電極、５は被加工物、７は高周波電源を表
す。
Claims (4)
- （１）相対向する電極間に当該電極面から噴射されたガ
スを導入し、電極間に高周波電力を供給してプラズマを
発生させることにより、電極上に配置した被加工物を食
刻するプラズエッチング装置において、相対向する電極
のいずれかの対向面に共有結合性の炭素化合物を主成分
とする焼結体を配置し、この焼結体を通して噴射された
ガスをプラズマ化させて被加工物を食刻するよう構成し
たことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - （２）前記焼結体に直径０．２ないし０．５ｍｍの孔を
多数もうけたことを特徴とする特許請求の範囲第（１）
項記載のプラズマエッチング装置。 - （３）前記焼結体が２０ないし５００μｍの平均気孔径
をもつ多孔質体であることを特徴とする特許請求の範囲
第（１）項記載のプラズマエッチング装置。 - （４）前記焼結体が相対向する他の電極に面していない
内側面を良導電性にし、該良導電性にした部分を当該焼
結体が配置された側の電極に電気的に接続するよう構成
したことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の
プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24874285A JPS62109317A (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24874285A JPS62109317A (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | プラズマエツチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62109317A true JPS62109317A (ja) | 1987-05-20 |
| JPH0560650B2 JPH0560650B2 (ja) | 1993-09-02 |
Family
ID=17182685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24874285A Granted JPS62109317A (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62109317A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62252942A (ja) * | 1986-04-17 | 1987-11-04 | Tokai Carbon Co Ltd | プラズマエツチング用電極板 |
| JPS62281426A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-07 | Teru Ramu Kk | 半導体処理装置 |
| JPS6415930A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-19 | Hitachi Ltd | Plasma processing device |
| JPH02186656A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-20 | Hitachi Ltd | 低発塵装置 |
| US5006220A (en) * | 1987-10-26 | 1991-04-09 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Electrode for use in the treatment of an object in a plasma |
| JPH07169749A (ja) * | 1994-09-19 | 1995-07-04 | Tokai Carbon Co Ltd | プラズマエッチング用電極板 |
| US6376977B1 (en) | 1999-06-08 | 2002-04-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicon electrode plate |
| USRE41266E1 (en) | 1990-09-18 | 2010-04-27 | Lam Research Corporation | Composite electrode for plasma processes |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58209111A (ja) * | 1982-05-31 | 1983-12-06 | Toshiba Corp | プラズマ発生装置 |
| JPS594028A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-10 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置 |
| JPS6226820A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-04 | Ibiden Co Ltd | 炭化珪素質プラズマ分散板 |
| JPS62100477A (ja) * | 1985-10-25 | 1987-05-09 | イビデン株式会社 | ドライ・エツチング装置用の炭化珪素質部品 |
-
1985
- 1985-11-08 JP JP24874285A patent/JPS62109317A/ja active Granted
Patent Citations (4)
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| US5022979A (en) * | 1987-10-26 | 1991-06-11 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Electrode for use in the treatment of an object in a plasma |
| JPH02186656A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-20 | Hitachi Ltd | 低発塵装置 |
| USRE41266E1 (en) | 1990-09-18 | 2010-04-27 | Lam Research Corporation | Composite electrode for plasma processes |
| JPH07169749A (ja) * | 1994-09-19 | 1995-07-04 | Tokai Carbon Co Ltd | プラズマエッチング用電極板 |
| US6376977B1 (en) | 1999-06-08 | 2002-04-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silicon electrode plate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0560650B2 (ja) | 1993-09-02 |
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