JPS62108556A - Semiconductor device - Google Patents
Semiconductor deviceInfo
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- JPS62108556A JPS62108556A JP24708285A JP24708285A JPS62108556A JP S62108556 A JPS62108556 A JP S62108556A JP 24708285 A JP24708285 A JP 24708285A JP 24708285 A JP24708285 A JP 24708285A JP S62108556 A JPS62108556 A JP S62108556A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、樹脂封止型の半導体装置に係わり、特に、高
温高湿下に長時間放置しても、すぐれた信頼性を有する
半導体装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a resin-sealed semiconductor device, and particularly to a semiconductor device that has excellent reliability even when left under high temperature and high humidity for a long time. .
（発明の背景〕
従来、樹脂封止型の半導体装置は、セラミックス封止型
の半導体装置に比べて、高温高湿状態（例えば、６５〜
８５℃、９５％相対湿度雰囲気中、あるいは１２１℃、
２気圧過飽和水蒸気中）での動作信頼性の点で劣ってい
る。(Background of the Invention) Conventionally, resin-sealed semiconductor devices have been exposed to high temperature and high humidity conditions (e.g.
85℃, 95% relative humidity atmosphere, or 121℃,
It is inferior in terms of operational reliability under conditions of 2 atmospheres of supersaturated water vapor.
樹脂封止型の半導体装置においては、樹脂硬化物中を吸
湿、透過する水分や、樹脂とリード線との隙間あるいは
樹脂と半導体素子との界面に生ずる隙間を通じて外部か
ら封止品の内部に、水分が浸入し、素子上のＡＱ配線（
特にポンディングパッド部）が腐食断線し易いためであ
る。In a resin-sealed semiconductor device, moisture that absorbs or permeates through the cured resin material or enters the encapsulated product from the outside through the gap between the resin and the lead wire or the gap that occurs at the interface between the resin and the semiconductor element. Moisture may enter the AQ wiring on the element (
This is because the bonding pad section is particularly susceptible to corrosion and disconnection.
従来、この対策としては、樹脂硬化物の疎水化素子表面
のカップリング剤処理により、樹脂との接着性を図る方
法、カップリング剤を配合した樹脂組成物で封止する方
法などが提案されている。Conventionally, as countermeasures against this problem, methods have been proposed such as treating the surface of the hydrophobized element of a cured resin with a coupling agent to improve adhesion to the resin, and sealing with a resin composition containing a coupling agent. There is.
しかし、樹脂封止型半導体装置の産業用途への適用が検
討されている現在、これらの方法によっても、耐湿信頼
性の確保は、未だ充分とは言えず、更にすぐれた樹脂封
止型半導体装置の開発が強く望まれている。However, as the application of resin-sealed semiconductor devices to industrial applications is currently being considered, even with these methods, moisture-resistance reliability is still not sufficiently ensured, and even better resin-sealed semiconductor devices are needed. The development of this is strongly desired.
一方、メモリ用ＬＳＩなどに於いては、高密度化、高集
積度化のすう勢が著るしく、１セル当りの電荷容量が益
々小さくなってきた。このため。On the other hand, in memory LSIs and the like, there has been a remarkable trend toward higher density and higher integration, and the charge capacity per cell has become smaller and smaller. For this reason.
封止用樹脂組成物中の無機質充填材中に微量含まれてい
るウラン、トリウムから発生するα線エネルギにより、
セル中の電荷容量の調節動作に不良を生ざる（ソフトエ
ラー）問題がある。Due to the α-ray energy generated from trace amounts of uranium and thorium contained in the inorganic filler in the sealing resin composition,
There is a problem in that the adjustment operation of the charge capacity in the cell causes defects (soft errors).
この対策の一つとして、半導体素子及びリード線と封止
材料との間に高純度のα線遮蔽材（例えば、ポリイミド
、シリコーンゲルなど）を設けることが行われている。As one of the countermeasures against this problem, a high-purity α-ray shielding material (for example, polyimide, silicone gel, etc.) is provided between the semiconductor element and lead wires and the sealing material.
しかし、これらのα線遮蔽材は、半導体素子との密着性
、接着性に劣り、上記したＡＱ配線の腐食を防止する観
点からは、マイナス要因である。なお、この種の技術と
して関連するものに、例えば、特開昭６０−８３０９号
がある。However, these α-ray shielding materials have poor adhesion and adhesion with semiconductor elements, which is a negative factor from the viewpoint of preventing the corrosion of the AQ wiring described above. A related technique of this type is, for example, Japanese Patent Application Laid-open No. 8309/1983.
本発明の目的は、上記の状況に鑑みてなされたものであ
る。The object of the present invention has been made in view of the above circumstances.
本発明は、半導体素子及びリード線上に、少なくとも、
含窒素フルオロカーボン重合体を含む樹脂組成物を被覆
してなる半導体装置。The present invention provides at least the following on a semiconductor element and a lead wire:
A semiconductor device coated with a resin composition containing a nitrogen-containing fluorocarbon polymer.
含窒素フルオロカーボン重合体が、ペルフルオロカーボ
ン重合体鎖からなる主鎖と、これに結合したペンダント
鎖からなり、そのペンダント鎖の末端に一般式
％式％
（式中Ｒ１及びＲｚは低級アルキル基又はＲ１及びＲ２
が一体となって形成しているテトラメチレン基もしくは
ペンタメチレン基を表わす）で表わされる第３級アミノ
基を有することを特徴とする半導体装置。また、前記含
窒素フルオロカーボン重合体のペンダント鎖が一般式
（式中又はフッ素原子、塩素原子又は−ＣＦ３基であり
Ｒ１及びＲＺは低級アルキル基又はＲ１とＲ２が一体
となって形成しているテトラメチレン基もしくはペンタ
メチレン基を表わし、ＱはＯないし５の整数、ｍは０又
は１、ｎは１ないし５の整数を表わすが、これらの数は
ペンダントごとに異なってよい。）で表わされる構造で
あることを特徴とする半導体装置。The nitrogen-containing fluorocarbon polymer consists of a main chain consisting of a perfluorocarbon polymer chain and a pendant chain bonded to the main chain, and the end of the pendant chain has the general formula % (wherein R1 and Rz are lower alkyl groups or R1 and R2
1. A semiconductor device characterized by having a tertiary amino group represented by a tetramethylene group or a pentamethylene group, which are integrally formed. Further, the pendant chain of the nitrogen-containing fluorocarbon polymer has the general formula (in the formula, or is a fluorine atom, a chlorine atom, or a -CF3 group, and R1 and RZ are a lower alkyl group or a tetraform formed by R1 and R2 together). Represents a methylene group or a pentamethylene group, Q is an integer of O to 5, m is 0 or 1, and n is an integer of 1 to 5, but these numbers may be different for each pendant.) A semiconductor device characterized by:
また、前記含窒素フルオロカーボン重合体の主鎖が一般
式
（式中ｐ及びｑは整数を表わし、その比ｐ ／ ｑは２
ないし１６の範囲内にある）で表わされる反復単位から
なる線状ベルフルオロカーボンランダ！１重合体鎖であ
ることを特徴とする半導体装置。Further, the main chain of the nitrogen-containing fluorocarbon polymer has a general formula (where p and q represent integers, and the ratio p / q is 2
A linear perfluorocarbon lander consisting of repeating units (within the range of 16 to 16)! A semiconductor device characterized by having a single polymer chain.
また、半導体素子及びリード線上に、少なくとも、含窒
素フルオロカーボン重合体とへテロ環ポリマを含む樹脂
組成物を被覆し、次いで無機質充填材を含む樹脂組成物
で封止してなる半導体装置。Also, a semiconductor device in which a semiconductor element and lead wires are coated with a resin composition containing at least a nitrogen-containing fluorocarbon polymer and a heterocyclic polymer, and then sealed with a resin composition containing an inorganic filler.
また、前記の無機質充填材を含む樹脂組成物が多官能エ
ポキシ化合物と、含窒素フルオロカーボン重合体とを含
むことを特徴とする半導体装置である。Further, the semiconductor device is characterized in that the resin composition containing the inorganic filler contains a polyfunctional epoxy compound and a nitrogen-containing fluorocarbon polymer.
半導体素子及びリード線上に、少なくとも、含窒素フル
オロカーボン重合体とへテロ環ポリマを含む樹脂組成物
を被覆し、次いで無機質充填材を含む樹脂組成物で封止
してなる半導体装置。A semiconductor device comprising a semiconductor element and lead wires coated with a resin composition containing at least a nitrogen-containing fluorocarbon polymer and a heterocyclic polymer, and then sealed with a resin composition containing an inorganic filler.
含窒素フルオロカーボン重合体が、ペルフルオロカーボ
ン重合体鎖からなる主鎖と、これに結合したペンダント
鎖からなり、そのペンダント鎖の末端に一般式
−ＣＲ２−Ｎ Ｒ”Ｒ”
（式中Ｒ１及びＲ２は低級アルキル基又はＲ１７３びＲ
２が一体となって形成しているテトラメチしン基もしく
はペンタメチレン基を表わす）で表土される第３級アミ
ノ基を有することを特徴とすお半導体装置。The nitrogen-containing fluorocarbon polymer consists of a main chain consisting of a perfluorocarbon polymer chain and a pendant chain bonded to the main chain, and the end of the pendant chain has the general formula -CR2-N R"R" (wherein R1 and R2 are Lower alkyl group or R173 and R
2 represents a tetramethydine group or a pentamethylene group) formed together with a tertiary amino group.
ペンダント鎖が一般式
（式中Ｘはフッ素原子、塩素原子又は−〇 Ｆ ａ邦で
あり、Ｒ１及びＲ２は低級アルキル基又はＲ１とＲ２が
一体となって形成しているテトラメチレン基もしくはペ
ンタメチレン基を表わし、Ωは〇ないし５の整数、ｍは
０又は１、ｎは１ないし５の整数を表わすが、これらの
数はペンダントごとに異なってよい、）で表わされる構
造である半導体装置。The pendant chain has the general formula (in the formula, Ω is an integer from 0 to 5, m is 0 or 1, and n is an integer from 1 to 5, but these numbers may be different for each pendant.
主鎖が一般式
％式％
（式中Ｐ及びｑは整数を表わし、その比ｐ／ｑは２ない
し１６の範囲内にある）で表わされる反復単位からなる
線状ペルフルオロカーボンランダム重合体鎖である半導
体装置。A linear perfluorocarbon random polymer chain whose main chain is composed of repeating units of the general formula %, where P and q represent integers and the ratio p/q is within the range of 2 to 16. A certain semiconductor device.
ペテロ環ポリマが、ポリイミドであることを特徴とする
半導体装置。A semiconductor device characterized in that the Peter ring polymer is polyimide.
無機質充填材を含む樹脂組成物が、エポキシ樹脂組成物
であることを特徴とする半導体装置。A semiconductor device, wherein the resin composition containing an inorganic filler is an epoxy resin composition.
本発明において、用いうる含窒素フルオロカーボン重合
体としては、例えば、
（１） −＋−４ＣＦｚ ＣＦｚＨＣＦｚ ＣＦ ＋−
モｐ’ｌｑ’
ＣＦｚ
５Ｃ−ＣＦ
０−ＣＦｚ ＣＦｚ ＣＨｚＮ（ＣＨｚ）２ＣＦｚ
ＣＦ２ＣＦＺ ＣＦ２ＧＨｚＮ（ＣＨｚ）ｚＣＨｚＮ（
ＣＨｚ）ｚ
「
ＣＦｚＣＦｘＣＨｚＮ（ＣＨｚＣＨ２）ｇＦ２
薯
ＣＦｚ
ＣＦｚ−ＣＦ
０−ＣＦ２ ＣＨ２Ｎ（ＣＨｚ）ｚ
ＣＦ２
などがある。In the present invention, examples of nitrogen-containing fluorocarbon polymers that can be used include (1) -+-4CFz CFzHCFz CF +-
Mop'lq' CFz 5C-CF 0-CFz CFz CHzN(CHz)2CFz CF2CFZ CF2GHzN(CHz)zCHzN(
CHz)z CFzCFxCHzN(CHzCH2)gF2 CFzCFz-CF0-CF2 CH2N(CHz)z CF2 etc.
また、本発明の複覆用樹脂組成物において用いうる。ヘ
テロ環ポリマとしては、ポリイミド、ポリベンズイミダ
ゾール、ポリベンズチアゾール、ポリオキサジアゾール
、ポリピラゾール、ポリキノキサリン、ポリチアゾール
、ポリテトラアゾピレン、ポリ−４−フェニル−１，２
，４−トリアゾール、ポリキナゾリンジオン、ポリベン
ゾオキザジソジオンなどがある。また、上記へテロ環ポ
リマの骨格中に、アミド結合、エステル結合、エーテル
結合、スルフィド結合、スルホン結合、ウレタン結合、
シロキサン結合などを含むことも出来る。Moreover, it can be used in the resin composition for double covering of the present invention. Examples of the heterocyclic polymer include polyimide, polybenzimidazole, polybenzthiazole, polyoxadiazole, polypyrazole, polyquinoxaline, polythiazole, polytetraazopyrene, poly-4-phenyl-1,2
, 4-triazole, polyquinazolinedione, and polybenzooxadisodione. In addition, in the skeleton of the heterocyclic polymer, amide bonds, ester bonds, ether bonds, sulfide bonds, sulfone bonds, urethane bonds,
It can also contain siloxane bonds and the like.
上記へテロ環ポリマの中では、特にポリイミドが素子上
への塗膜性の点より有効である。ポリイミドの中でも特
に、ビフェニルテトラカルボン酸無水物とジアミンとの
脱水縮合反応によって得られるポリイミドが、素子に対
する応力が小さく有効である。Among the above-mentioned heterocyclic polymers, polyimide is particularly effective in terms of coating properties on devices. Among polyimides, polyimides obtained by a dehydration condensation reaction of biphenyltetracarboxylic anhydride and diamine are particularly effective because they cause less stress on the element.
また、本発明においては、素子上に予めカップリング剤
を処理して用いつる。カップリング剤としては、エポキ
シシラン、アミノシラン、メルカプトシラン、フルオロ
シラン、ビニルシランなど公知のシラン系カップリング
剤、アルミニラＡ 。Further, in the present invention, a coupling agent is applied on the element in advance. Examples of coupling agents include known silane coupling agents such as epoxysilane, aminosilane, mercaptosilane, fluorosilane, and vinylsilane, and aluminira A.
チタン、ジルコニウムなどの金属アルコキサイドあるい
はキレート系ジルコアルミネート系などの公知のカップ
リング剤、などがある。Examples include metal alkoxides such as titanium and zirconium, and known coupling agents such as chelate zircoaluminates.
また本発明において用いることが出来る封止用樹脂組成
物としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、
メラミン樹脂、尿素樹脂、ジアリルフタレート樹脂、不
飽和ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、付加型ポリイミ
ド樹脂、シリコーン樹脂、ポリパラビニルフェノール樹
脂、フッ素樹脂、ポリフェニレンスルフィド、ポリアミ
ド、ポリエーテル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリ
プロピレンなどがある。In addition, examples of the sealing resin composition that can be used in the present invention include epoxy resin, phenol resin,
Melamine resin, urea resin, diallyl phthalate resin, unsaturated polyester resin, urethane resin, addition type polyimide resin, silicone resin, polyparavinylphenol resin, fluororesin, polyphenylene sulfide, polyamide, polyether, polyetheretherketone, polypropylene, etc. There is.
これらの中でも、エポキシ樹脂組成物は封止用樹脂組成
物として有用である。Among these, epoxy resin compositions are useful as sealing resin compositions.
これらの樹脂組成物中には、上記した含窒素フルオロカ
ーボン重合体を添加し配合組成物とすることも出来る。The above-described nitrogen-containing fluorocarbon polymer can also be added to these resin compositions to form a blended composition.
この場合には、素子上に予め、被覆層を設けることなく
、直接、封止用樹脂組成物で封止成形しても差しつかえ
はない。In this case, there is no problem in directly encapsulating the element with the encapsulating resin composition without providing a coating layer on the element in advance.
エポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールＡのジグ
リシジルエーテル、ブタジエンジエポキサイド、３，４
−エポキシシクロヘキシルメチル−（３，４−エポキシ
）シクロヘキサンカルボキシレート、ビニルシクロヘキ
サンジオキサイド、４．４′−ジ（１，２−エポキシエ
チル）ジフェニルエーテル、４．４’ −（１，２−エ
ポキシエチル）ビフェニル、２，２−ビス（３，４−エ
ポキシシクロヘキシル）プロパン、レゾルシンのジグリ
シジルエーテル、フロログルシンのジグリシジルエーテ
ル、メチルフロログルシンのジグリシジルエーテル、ビ
ス−（２，３’−エポキシシクロペンチル）エーテル、
２−（３，４−エポキシ）シクロヘキサン−５，５−ス
ピロ（３，４−エポキシ）−シクロヘキサン−ｍ−ジオ
キサン、ビス−（３，４−エポキシ−６−メチルシクロ
ヘキシル）アジペート、Ｎ、Ｎ’ −ｍ−フェニレンビ
ス（４，５−エポキシ−１，２−シクロヘキサン）ジカ
ルボキシイミドなどの２官能のエポキシ化合物、バラア
ミノフェノールのトリグリシジルエーテル、ポリアリル
グリシジルエーテル、１，３゜５−トリ（１，２−エポ
キシエチル）ベンゼン、２．２’ 、４．４’−テトラ
グリシドキシベンゾフニノン、フエノールホルムルデヒ
ドノボラックのポリグリシジエーテル、グリセリンのト
リグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンのトリ
グリシジルエーテルなど３官能以上のエポキシ化合物が
用いられる。Examples of the epoxy resin include diglycidyl ether of bisphenol A, butadiene diepoxide, 3,4
-Epoxycyclohexylmethyl-(3,4-epoxy)cyclohexanecarboxylate, vinylcyclohexane dioxide, 4.4'-di(1,2-epoxyethyl)diphenyl ether, 4.4'-(1,2-epoxyethyl) Biphenyl, 2,2-bis(3,4-epoxycyclohexyl)propane, diglycidyl ether of resorcinol, diglycidyl ether of phloroglucin, diglycidyl ether of methylphloroglucin, bis-(2,3'-epoxycyclopentyl) ether ,
2-(3,4-epoxy)cyclohexane-5,5-spiro(3,4-epoxy)-cyclohexane-m-dioxane, bis-(3,4-epoxy-6-methylcyclohexyl)adipate, N,N' -m-phenylenebis(4,5-epoxy-1,2-cyclohexane)dicarboximide and other difunctional epoxy compounds, triglycidyl ether of paraaminophenol, polyallyl glycidyl ether, 1,3゜5-tri( 1,2-epoxyethyl)benzene, 2.2',4.4'-tetraglycidoxybenzofuninone, polyglycidyl ether of phenolformaldehyde novolac, triglycidyl ether of glycerin, triglycidyl ether of trimethylolpropane Trifunctional or higher functional epoxy compounds are used.
また、次式
で表わされるトリス（ヒドロキシフェニル）メタンベー
スのエポキシ化合物は本発明の被覆用、封止用を問わず
樹脂組成物の素子に対する低応力化。Further, the tris(hydroxyphenyl)methane-based epoxy compound represented by the following formula reduces stress on the element of the resin composition regardless of whether it is used for coating or sealing of the present invention.
高絶縁性付与の観点から有効である。This is effective from the viewpoint of imparting high insulation properties.
上記化合物は、用途、目的に応じて１種以上併用して使
用することも出来る。これらのエポキシ樹脂には硬化剤
が併用される。それらは、垣内弘著：エポキシ樹脂（昭
和４５年９月発行）１０９〜１４９ページ、Ｌｅｅ、Ｎ
ｅｖｉｌｌａ著： ＩＩＥｐｏｘｙ Ｒｅｓｉｎｓ（Ｍ
ｃ Ｇｒａｙ−１１ｉ１１ Ｂｏｏｋ Ｃｏｍｐａｎ
ｙ Ｉｎｃ、Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ。One or more of the above compounds can be used in combination depending on the use and purpose. A curing agent is used in combination with these epoxy resins. They are: Hiroshi Kakiuchi: Epoxy Resin (published September 1970), pages 109-149, Lee, N.
Written by evilla: IIEpoxy Resins (M
c Gray-11i11 Book Compan
y Inc., New York.
１９５７年発行）６３〜１４１ページ、Ｐ ｍ Ｅ 、
Ｂｒｕｎｉｓ著； Ｅｐｏｘｙ Ｒｅ５ｉｎｓ Ｔｅｃ
ｈｎｏｌｏｇｙ （ＩｎｔｅｒｓｃｉａｎｃｅＰｕｂｌ
ｉｓｈｅｒｓ、Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ’、１９６８年発行）
４５〜１１１ページなどに記載の化合物であり、例えば
脂肪族ポリアミン、芳香族ポリアミン、第２および第３
アミンを含むアミン類、カルボン酸類、カルボン酸無水
物類、脂肪族および芳香族ポリアミドオリゴマーおよび
ポリマー類、三フッ化ホウ素−アミンコンプレックス類
、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ウレア樹脂、ウレタ
ン樹脂などの合成樹脂初期縮合物類、その他、ジシアン
ジアミド、カルボン酸ヒドラジド、ポリアミノマレイミ
ド類などがある。Published in 1957) pages 63-141, PmE,
Written by Brunis; Epoxy Re5ins Tec
hnology (IntersciencePubl
ishers, New York', published in 1968)
Compounds described on pages 45 to 111, such as aliphatic polyamines, aromatic polyamines, secondary and tertiary polyamines, etc.
Synthetic resins such as amines including amines, carboxylic acids, carboxylic acid anhydrides, aliphatic and aromatic polyamide oligomers and polymers, boron trifluoride-amine complexes, phenolic resins, melamine resins, urea resins, urethane resins Initial condensates, and others include dicyandiamide, carboxylic acid hydrazide, and polyaminomaleimide.
上記硬化剤は、用途、目的に応じて１種以上使用するこ
とが出来る。One or more of the above curing agents can be used depending on the use and purpose.
特に、フェノールボラック樹脂は、硬化樹脂の金属イン
ナートに対する密着性、成形時の作業性などの点から、
上記半導体封止用材料の硬化剤成分として、好適である
。In particular, phenol borac resin has been evaluated in terms of adhesion of the cured resin to the metal inner layer and workability during molding.
It is suitable as a curing agent component of the above-mentioned semiconductor encapsulation material.
該樹脂組成物には、エポキシ化合物とノボラック型フェ
ノール樹脂の硬化反応を促進する効果が知られている公
知の触媒を使用することが出来る。In the resin composition, a known catalyst known to be effective in accelerating the curing reaction between an epoxy compound and a novolac type phenol resin can be used.
かかる触媒としては、例えば、トリエタノールアミン、
テトラメチルブタンジアミン、テトラメチルペタンジア
ミン、テトラメチルヘキサンジアミン、トリエチレンジ
アミン、ジメチルアニリンなどの三級アミン、ジメチル
アミノエタノール。Such catalysts include, for example, triethanolamine,
Tertiary amines such as tetramethylbutanediamine, tetramethylpetanediamine, tetramethylhexanediamine, triethylenediamine, dimethylaniline, dimethylaminoethanol.
ジメチルアミノペタノールなどのオキシアルキルアミン
やトリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、Ｎ−メ
チルモルホリン、Ｎ−エチルモルホリンなどのアミン類
がある。Examples include oxyalkylamines such as dimethylaminopetanol, and amines such as tris(dimethylaminomethyl)phenol, N-methylmorpholine, and N-ethylmorpholine.
また、セチルトリメチルアンモニウムブロマイド、セチ
ルトリメチルアンモニウムクロライド。Also, cetyltrimethylammonium bromide, cetyltrimethylammonium chloride.
ドデシルトリメチルアンモニウムアイオダイド。Dodecyltrimethylammonium iodide.
トリメチルドデシルアンモニウムクロライド、ベンジル
ジメチルテトラデシルアンモニウムクロライド、ベンジ
ルメチルパルミチルアンモニウムクロライド、アリルド
デシルトリメチルアンモニウムブロマイド、ベンジルジ
メチルステアリルアンモニウムブロマイド、ステアリル
トリメチルアンモニウムクロライド、ベンジルジメチル
テトラデシルアンモニウムアセテートなどの第４級アン
モニウム塩がある。Quaternary ammonium salts such as trimethyldodecyl ammonium chloride, benzyldimethyltetradecylammonium chloride, benzylmethylpalmitylammonium chloride, allyldodecyltrimethylammonium bromide, benzyldimethylstearylammonium bromide, stearyltrimethylammonium chloride, benzyldimethyltetradecylammonium acetate, etc. be.
また、２−エチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダ
ゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール。Also, 2-ethylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole.
２−メチル−４−エチルイミダゾール、１−ブチルイミ
ダゾール、１−プロピル−２−メチルイミダゾール、１
−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチ
ル−２−メチルイミダゾール。2-methyl-4-ethylimidazole, 1-butylimidazole, 1-propyl-2-methylimidazole, 1
-benzyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole.
１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール。1-cyanoethyl-2-undecylimidazole.
１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール。1-cyanoethyl-2-phenylimidazole.
１−アジン−２−メチルイミダゾール、１−アジン−２
−ウンデシルイミダゾールなどのイミダゾール類、トリ
フェニルホスフィンテトラフェニルボレート、テトラフ
ェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリエチ
ルアミンテトラフェニルボレート、Ｎ−メチルモルホリ
ンテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイ
ミダゾールテトラフェニルボレート、２−エチル−１，
４−ジメチルイミダゾールテトラフェニルボレートなど
のテトラフェニルボロン塩などがある。1-Azine-2-methylimidazole, 1-Azine-2
- Imidazoles such as undecyl imidazole, triphenylphosphine tetraphenylborate, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, triethylamine tetraphenylborate, N-methylmorpholine tetraphenylborate, 2-ethyl-4-methylimidazole tetraphenylborate, 2- ethyl-1,
Examples include tetraphenylboron salts such as 4-dimethylimidazole tetraphenylborate.
本発明においては樹脂組成物に、目的と用途に応じて、
各種の無機物質や添加剤を配合して用いることが出来る
。それらの具体例をあげればジルコン、シリカ、溶融石
英ガラス、アルミナ、水酸化アルミニウム、ガラス、石
英ガラス、ケイ酸ガルシウム２石コウ、炭酸カルシウム
、マグネサイト、クレー、カオリン、タルク、鉄粉、銅
粉、マイカ、アスベスト、炭化珪素、窒化ホウ素、二硫
化モリブデン、鉛化合物、鉛酸化物、亜鉛等、チタン白
、カーボンブラックなどの充填剤、あるいは、高級脂肪
酸、ワックス類などの離型剤、エポキシシラン、ビニル
シラン、アミノシラン、ボラン系化合物、アルニキシチ
タネート系化合物、アルミニウムキレート化合物などの
カップリング剤などである。さらに、アンチモン、リン
化合物。In the present invention, depending on the purpose and use of the resin composition,
Various inorganic substances and additives can be mixed and used. Specific examples include zircon, silica, fused silica glass, alumina, aluminum hydroxide, glass, quartz glass, dicalcium silicate, calcium carbonate, magnesite, clay, kaolin, talc, iron powder, copper powder. , mica, asbestos, silicon carbide, boron nitride, molybdenum disulfide, lead compounds, lead oxide, zinc, etc., fillers such as titanium white, carbon black, higher fatty acids, mold release agents such as waxes, epoxy silane, etc. , vinylsilane, aminosilane, borane compounds, alnyxytitanate compounds, aluminum chelate compounds, and other coupling agents. Additionally, antimony and phosphorus compounds.
臭素や塩素を含む公知の難燃化剤を用いることが出来る
。Known flame retardants containing bromine or chlorine can be used.
５００ ｍ ４１の三角フラスコ中に、２５０ｍｎのＮ
−メチルピロリドンを採り、含窒素フルオロカーボン重
合体として１次式
％式％
〔式中のｐ’ ／ｑ’ ＝６．４ である。〕で表わさ
れる反復単位を有する重合体を第１表に記した所定配合
量を加え９種類の素子被覆用樹脂組成物を作成した。In a 500 m Erlenmeyer flask, 250 m N
- Methylpyrrolidone was taken, and as a nitrogen-containing fluorocarbon polymer, the linear formula % formula % [in the formula, p'/q' = 6.4] was obtained. ] Nine types of element coating resin compositions were prepared by adding the polymer having the repeating unit represented by the formula in the predetermined amounts shown in Table 1.
次いで、Ｎａ２． Ｎα３の溶液には、それぞれポリイ
ミド前駆体（ビフェニルテトラカルボン酸＝無水物とＰ
−フェニレンジアミンとの反応により得られたポリアミ
ック酸フェス）、及びトリス（ヒドロキシフェニル）メ
タンベースのエポキシ化合物ＸＤ−９０５３（ダウケミ
カル社製）をそれぞれ別化に添加して被覆用樹脂組成物
を作成した。Then, Na2. In the solution of Nα3, polyimide precursors (biphenyltetracarboxylic acid anhydride and P
- A coating resin composition was prepared by adding separately a polyamic acid methane (obtained by reaction with phenylenediamine) and a tris(hydroxyphenyl)methane-based epoxy compound XD-9053 (manufactured by Dow Chemical Company). did.
次いで、該被覆用組成物は、２５６にビットメモリ用Ｌ
ＳＩ （Ｄ−ＲＡＭ）素子上に滴下され、１０〜７０μ
ｍの膜厚の被覆層（処理条件１００℃、１ｂｔ２００℃
２時間加熱）を形成した。Then, the coating composition is applied to the bit memory L at 256.
Dropped onto SI (D-RAM) element, 10-70μ
Coating layer with a film thickness of m (processing conditions 100°C, 1bt200°C
(heated for 2 hours).
この後、次に示す方法により作成されたエポキシ樹脂組
成物により、１８０℃、１．５分、７０ｈｇｆ／ｃｌの
条件でトランスファ成形され樹脂封止型半導体装置を得
た。Thereafter, a resin-sealed semiconductor device was obtained by transfer molding an epoxy resin composition prepared by the method shown below at 180° C. for 1.5 minutes at 70 hgf/cl.
得られた半導体装置は、１２１℃、２気圧過飽和水蒸気
（プレッシャ、クツカニＰＣＴ）中に所定時間放置した
後、取り出され、電気的動作のチェックを拠余し、耐湿
信頼性の評価を行った。The obtained semiconductor device was left in supersaturated steam (pressure, Kutsukani PCT) at 121° C. for a predetermined period of time, then taken out, electrical operation was checked, and moisture resistance reliability was evaluated.
第１表に、耐湿信頼性の評価結果を示した。Table 1 shows the evaluation results of moisture resistance reliability.
−封止用樹脂組成物の製造方法−
エポキシ化合物として、ＸＤ−９０５３（エポキシ当量
、２２０）１００重量部、硬化剤として、トリメリット
酸トリグリセライド：リカレジレＴＭ丁Ａ（新日本理化
社：軟化点６５−８５℃）５０重量部、促進剤として、
トリエチルアシレテトラフェニルボレート、２重量部、
カップリング剤として、ＫＢＭ−３０３（エポキシシラ
ン：信越化学社ｍ＞２重量部、離型剤として、ステアリ
ン酸カルシウムとへキストワックスそれぞれ１重量部、
充填剤として、溶融石英ガラス粉、４５０重量部、シロ
キサン変性エポキシ樹脂３重量部１着色剤としてカーボ
ンブラック２重量部を配合した１次いで、７０〜８５℃
の２軸コニーダにより混線後、冷却粗粉砕して、封止用
樹脂組成物を作成した。- Manufacturing method of resin composition for sealing - As an epoxy compound, 100 parts by weight of XD-9053 (epoxy equivalent, 220), as a curing agent, trimellitic acid triglyceride: Licarere TM Ding A (Shin Nihon Rika Co., Ltd.: softening point 65 -85°C) 50 parts by weight, as an accelerator,
Triethylacyletetraphenylborate, 2 parts by weight,
As a coupling agent, KBM-303 (epoxy silane: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. m > 2 parts by weight, as a release agent, 1 part by weight each of calcium stearate and Hoechst wax,
450 parts by weight of fused silica glass powder as a filler, 3 parts by weight of a siloxane-modified epoxy resin, 2 parts by weight of carbon black as a coloring agent, and then 70 to 85°C.
After mixing using a twin-screw co-kneader, the mixture was cooled and coarsely pulverized to prepare a sealing resin composition.
Claims (1)
ルオロカーボン重合体を含む樹脂細樹脂組成物を被覆し
てなることを特徴とする半導体装置。 ２、ペンダント鎖が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｘはフッ素原子、塩素原子又は−ＣＦ＿１基であ
り、Ｒ＾１及びＲ＾２は低級アルキル基又はＲ＿１とＲ
＿２が一体となつて形成しているテトラメチレン基もし
くはペンタメチレン基を表わし、ｌは０ないし５の整数
、ｍは０又は１、ｎは１ないし５の整数を表わすが、こ
れらの数はペンダントごとに異なつてよい。）で表わさ
れる構造である特許請求の範囲第１項記載の半導体装置
。 ３、主気が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中ｐ及びｑは整数を表わし、その比ｐ／ｑは２ない
し１６の範囲内にある）で表わされる反復単位からなる
線状ペルフルオロカーボンランダム重合体積である特許
請求の範囲第１項又は第２項記載の半導体装置。[Scope of Claims] 1. A semiconductor device characterized in that a semiconductor element and lead wires are coated with a thin resin composition containing at least a nitrogen-containing fluorocarbon polymer. 2. The pendant chain has a general formula ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ (In the formula,
_2 represents a tetramethylene group or a pentamethylene group formed together, l is an integer of 0 to 5, m is 0 or 1, n is an integer of 1 to 5, but these numbers are pendant It can be different for each. ) The semiconductor device according to claim 1, which has a structure represented by: 3. Main Qi consists of repeating units expressed by the general formula ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ (In the formula, p and q represent integers, and the ratio p/q is within the range of 2 to 16) The semiconductor device according to claim 1 or 2, which is a linear perfluorocarbon random polymerization volume.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24708285A JPS62108556A (en) | 1985-11-06 | 1985-11-06 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24708285A JPS62108556A (en) | 1985-11-06 | 1985-11-06 | Semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62108556A true JPS62108556A (en) | 1987-05-19 |
Family
ID=17158159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24708285A Pending JPS62108556A (en) | 1985-11-06 | 1985-11-06 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62108556A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01128552A (en) * | 1987-11-13 | 1989-05-22 | Asahi Glass Co Ltd | Semiconductor device |
| US5162956A (en) * | 1989-09-20 | 1992-11-10 | Sony Corporation | Cassette holder assembly having multiple projections differentiated in dimension |
-
1985
- 1985-11-06 JP JP24708285A patent/JPS62108556A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01128552A (en) * | 1987-11-13 | 1989-05-22 | Asahi Glass Co Ltd | Semiconductor device |
| US5162956A (en) * | 1989-09-20 | 1992-11-10 | Sony Corporation | Cassette holder assembly having multiple projections differentiated in dimension |
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