JPS619710A - Wafer positioning method - Google Patents
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- JPS619710A JPS619710A JP13079584A JP13079584A JPS619710A JP S619710 A JPS619710 A JP S619710A JP 13079584 A JP13079584 A JP 13079584A JP 13079584 A JP13079584 A JP 13079584A JP S619710 A JPS619710 A JP S619710A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体製造装置における半導体ウェハの位置
合わせ方法に関し、特にウエハプローバに適した半導体
ウェハの位置合わせ方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for aligning a semiconductor wafer in a semiconductor manufacturing apparatus, and particularly to a method for aligning a semiconductor wafer suitable for a wafer prober.
従来、半導体ウェハ（以下ウェハという）の位置合わせ
技術としては、レーザ光を照射して位置合わせするもの
と、撮像カメラを用いて位置合わせをするものとがあっ
た。Conventionally, as techniques for positioning semiconductor wafers (hereinafter referred to as wafers), there have been two methods: irradiation with laser light for positioning, and positioning using an imaging camera.
前者は、半導体ウェハチップ（以下チップという）の表
面にレーザ光を照射し、チップ表面での反射によって生
じた散乱光を集光して、この散乱光を信号に変換する。In the former method, a laser beam is irradiated onto the surface of a semiconductor wafer chip (hereinafter referred to as a chip), scattered light generated by reflection on the chip surface is collected, and this scattered light is converted into a signal.
得た信号を基本認識情報と比較し、特徴部を検出するの
であるが、チップの表面を繰り返しスキャンして特徴部
を決定する情報を得るまでに、長い時間を費す欠点があ
る。The obtained signal is compared with basic recognition information to detect the characteristic part, but the drawback is that it takes a long time to repeatedly scan the surface of the chip and obtain the information to determine the characteristic part.
後者は、ウェハ表面を裔倍率にセットして撮像カメラで
特徴部を探索するものであるが、第６図に示すようにウ
ェハを、′最初の探索位置３０からＪＱａ、ＪＯｂ・・
・・・・ＪＯｚへ順番に、吸着されている載置台ととも
に等速度で移動して特徴部を探索するので、多大の時間
を費す欠点がある。In the latter method, the wafer surface is set at the same magnification and the characteristic part is searched for using an imaging camera.As shown in FIG.
. . . Since the characteristic parts are searched for by moving to the JOz at a constant speed together with the suctioned mounting table, there is a drawback that it takes a lot of time.
この発明の、半導体製造装置におけるウェハの位置合わ
せ方法の目的は、従来例の上記欠点を排除したウェハ位
置合わせ方法を提供することである。An object of the present invention is to provide a method for aligning a wafer in a semiconductor manufacturing apparatus that eliminates the above-mentioned drawbacks of the conventional method.
すなわち、ウェハ位置合わせ方法において、巨視的に特
徴情報を検出し、上記特徴情報の一部を限定して微視的
に拡大し、特徴のある位置を検出するようにしたことを
特徴とするものである。That is, the wafer alignment method is characterized in that characteristic information is detected macroscopically, and a portion of the characteristic information is limited and expanded microscopically to detect a characteristic position. It is.
この発明のウェハ位置合わせ方法は、特徴情報を有する
ウェハ表面を、第３図（ａ）のように巨視的にとらえて
特徴部を認識し、上記数個の特徴部から一個の特徴部を
選択し、その特徴部を第３図（ｂ）のように拡大して微
視的［ことらえる。このようにして特徴部の位置を検出
した後、上記特徴部位置から離れた他の特徴部の位置を
上記と同じ方法で検出し、２点間を結ぶ直線と基準直線
とを比較演算して記録手段に記録する。得た結果に基い
て、ウェハを吸着している載置台を周方向に回転させ、
る駆動装置に、信号を上記記録手段から入力して補正し
、ウェハ位置合わせを行う方法である。The wafer alignment method of the present invention macroscopically captures the wafer surface having feature information as shown in FIG. 3(a), recognizes the features, and selects one feature from the several features described above. Then, the characteristic parts are enlarged as shown in Fig. 3(b) and viewed microscopically. After detecting the position of the feature in this way, the position of another feature apart from the above feature is detected using the same method as above, and the straight line connecting the two points is compared with the reference straight line. Record on recording means. Based on the obtained results, the mounting table holding the wafer is rotated in the circumferential direction.
In this method, a signal is inputted from the recording means into a drive device, and corrected, thereby aligning the wafer.
以下図面に基いて、この発明のウェハ位置合わせ方法の
一実施例を説明する。An embodiment of the wafer alignment method of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図において、ウェハ表面を巨視的に検出する手段と
微視的に検出する手段とを説明する。巨視的に検出する
手段において、光源７から発す′る光は、レンズ乙を通
してウェハ表面上（図示せず）に照射される。次いで巨
視的な面積（第２図のＡ）から反射した反射光を、ミラ
ーｊ、レンズク、ミラーＪ、およびビームスプリッタ認
を通して撮像カメラ／に入射させるものである。Referring to FIG. 1, a means for macroscopically detecting the wafer surface and a means for microscopically detecting the wafer surface will be explained. In the macroscopic detection means, light emitted from a light source 7 is irradiated onto the wafer surface (not shown) through a lens A. Next, the reflected light reflected from the macroscopic area (A in FIG. 2) is made to enter the imaging camera/through a mirror J, a lens, a mirror J, and a beam splitter.
次に、ウェハ７１７表面を微視的に検出する手段におい
ては、同じく第１図、に示すように、光源／３から発す
る光はレンズ／、２を通してウェハ１１７表面上（図示
せず）に照射される。なお巨視的に検出する時と、微視
的に検出する時の場所が異るため、異った距離を演算処
理手段により演算し、ウェハを吸着してある載置台を２
次元的に移動させて１選択した特徴部を検出できるよう
にしてある。Next, in the means for microscopically detecting the surface of the wafer 717, as shown in FIG. be done. In addition, since the locations for macroscopic detection and microscopic detection are different, different distances are calculated by the calculation processing means, and the mounting table on which the wafer is adsorbed is divided into two locations.
It is arranged so that one selected feature can be detected by moving it dimensionally.
次いで、微視的な面積（第２図のＢ）から反射した反射
光を、レンズ／／で拡大し、ミラー１０、ミラー？、レ
ンズ８．および上記ビームスプリッタρを通して撮像カ
メラ／に入射させるものである。Next, the reflected light reflected from the microscopic area (B in FIG. 2) is magnified by the lens //, and the mirror 10, the mirror ? , lens 8. and the beam is made incident on the imaging camera/through the beam splitter ρ.
なお、上記ビームスプリッタ−から撮像カメラ／に入射
する光軸は、上記巨視的に検出する手段と、この微視的
に検出する手段とにおいて同軸にしておく。Incidentally, the optical axes that enter the imaging camera from the beam splitter are coaxial between the macroscopic detection means and the microscopic detection means.
上記した巨視的に検出する手段により撮像カメラ／に入
射する光情報と、上記微視的に検出する手段により撮像
カメラ／に入射する光情報は、切替手段により切替えら
れる。この切替手段は、ビームプリッタ−の前に位置さ
せた遮蔽板−／と、遮蔽板駆動手段、２．２とからなり
、遮蔽板−／を駆動することにより切替えるものである
。この切替手段には、上記巨視的に検出する手段とｍｉ
的に検出する手段とを切替える信号を制御手段から入力
される。The optical information that enters the imaging camera/by the above-mentioned macroscopic detection means and the optical information that enters the imaging camera// by the microscopic detection means are switched by the switching means. This switching means consists of a shielding plate located in front of the beam splitter and a shielding plate driving means 2.2, and is switched by driving the shielding plate. This switching means includes the macroscopic detection means and mi
A signal is input from the control means to switch between the detection means and the detection means.
処理手段は、上記巨視的検出手段により検出された光情
報を入力し、基本認識情報と比較して判別した特徴情報
を微視的に検出して特徴のある位置を記録する。The processing means receives the optical information detected by the macroscopic detection means, microscopically detects the characteristic information determined by comparing it with the basic recognition information, and records the characteristic position.
次にこの発明のウェハ位置合わせ方法の動作について説
明する。Next, the operation of the wafer alignment method of the present invention will be explained.
第２図に示すように、巨視的に検出する手段でウェハ７
９表面のＡ部面積を撮像カメラ／でとらえ、該撮像カメ
ラ／でとらえたＡ部面積のパターンは、第３図（ａ）で
示すように１例えばスクライブラインの交点を基本認識
情報としてすでに記録させであるデータと比較した後、
複数個の特徴部３／を検出するが、上記撮像カメラ／が
とらえたパターンの中央に一番近い特徴部を選択する。As shown in FIG. 2, the wafer 7 is detected by means of macroscopic detection.
9 The area of part A on the surface is captured by an imaging camera, and the pattern of the area of part A captured by the imaging camera is as shown in FIG. 3(a). After comparing with the data,
A plurality of feature parts 3/ are detected, and the feature part closest to the center of the pattern captured by the imaging camera/ is selected.
次に、再び第２図で示すように、微視的に検出する手段
でＢ部の極少面積を拡大して撮像カメラ／でとらえる。Next, as shown in FIG. 2 again, the extremely small area of section B is enlarged using microscopic detection means and captured by an imaging camera.
上記撮像カメラｌでとらえたＢ部面積のパターンは、第
３図（ｂ）で示すように−個の特徴部Ｊ／Ｅの位置を記
録する。その際、Ａ部面積を上記撮像カメラ／でとらえ
たパターンの。The pattern of area B captured by the imaging camera 1 records the positions of - number of characteristic parts J/E, as shown in FIG. 3(b). At that time, the area of part A of the pattern captured by the above-mentioned imaging camera.
中央に一番近い特徴部を選択し、同時に上記切替手段の
遮蔽板駆動手段、２２で遮蔽板−／を駆動し。The feature closest to the center is selected, and at the same time the shielding plate driving means 22 of the switching means drives the shielding plate -/.
巨視的レンズ系軸から微視的レンズ系軸に切替える。こ
の切替手段の切替信号等による制御は、すべて上記制御
手段により行う。Switch from the macroscopic lens system axis to the microscopic lens system axis. Control of this switching means using switching signals and the like is entirely performed by the above-mentioned control means.
上記の動作で第４図に示すように５最低２ケ所の特徴部
を結んだ直線成分が、基本直線成分に対して傾きθを生
じた場合に演算し、その結果に基いて、制御手段から制
御信号を出力し、ウェハを吸着してある載置台の駆動手
段を制御して、載置台を修正して一致させるものである
。As shown in Figure 4, the above operation calculates when the straight line component connecting at least two characteristic parts 5 has an inclination θ with respect to the basic straight line component, and based on the result, the control means The device outputs a control signal to control the driving means of the mounting table on which the wafer is adsorbed, and corrects the mounting table to match the wafer.
第５図は、この発明のウェハ位置合わせ方法の他の実施
例を示すものであり、以下図面に基いて説明する。FIG. 5 shows another embodiment of the wafer alignment method of the present invention, which will be described below with reference to the drawings.
第５図において撮像カメラバミラー５、レンズ乙、光源
２およびウェハ／ｌＩは、第１図に示すものと同様であ
る。ダＯはウェハ７９表面の特徴を検出する手段で、ウ
ェハ７９表面を巨視的および微視的に同一光軸上で撮像
カメラ／にとらえるための、ズームレンズ系により構成
されている。In FIG. 5, the imaging camera mirror 5, lens A, light source 2, and wafer/lI are the same as those shown in FIG. The DAO is a means for detecting features on the surface of the wafer 79, and is constituted by a zoom lens system for macroscopically and microscopically capturing the surface of the wafer 79 on the same optical axis with an imaging camera.
この実施例の動作について説明する。上記ズームレンズ
系１１０においては、上記光源７より光をレンズ乙を通
してウェハ／ｌ１表面（図示せず）上に照射し、巨視的
な面積Ａから反射した反射光はミラーＪを通り、巨視的
な面積Ａをとらえるようにセットされたズームレンズ系
ダＯを通って撮像カメラ／に入射する。上記入射したパ
ターンは、第３図（ａ）に示すようにとらえて、ウエノ
Ａ／ダ表面上を巨視的に検出する手段で検出する。The operation of this embodiment will be explained. In the zoom lens system 110, light from the light source 7 is irradiated onto the wafer/l1 surface (not shown) through the lens B, and the reflected light reflected from the macroscopic area A passes through the mirror J and The light passes through a zoom lens system DA which is set to capture an area A and enters an imaging camera/. The incident pattern is captured as shown in FIG. 3(a) and detected by macroscopic detection means on the Ueno A/DA surface.
次に、ウェハ表面を微視的に検出する手段は、光源７よ
りレンズ乙を通してウェハ表面」二の、光を照射されて
いる巨視的な面積Ａから反射した反射光をミラー５を通
し、微視的な選択された面積Ｂをとらえるようにセット
されたズームレンズ系ｌＩＯを通って撮像カメラ／に入
射させる。この入射したパターンを第３図（ｂ）に示す
ようにとらえ、ウェハ７９表面上を微視的に検出する。Next, the means for microscopically detecting the wafer surface is to microscopically detect the reflected light from the macroscopic area A of the wafer surface 2 which is irradiated with light from the light source 7 through the lens A and through the mirror 5. It enters the imaging camera/ through a zoom lens system IIO set to capture a selected visual area B. This incident pattern is captured as shown in FIG. 3(b), and the surface of the wafer 79 is microscopically detected.
巨視的に検出する゛手段と微視的に検出する手段とを切
替える切替手段は、上述のように巨視的にとらえた多数
の特徴部３／の中から一個を選択した信号を制御手段に
入力し、この制御手段により切替信号をズームレンズ系
ｌＩＯの駆動手段に出力して４微視的に検出するレンズ
系手段になるようにレンズを移動させる。特徴部３／の
位置を検出した後は、上述のものと同様に動作させるこ
とにより、ウェハ／ダの位置合わせを行う。The switching means for switching between the macroscopic detection means and the microscopic detection means inputs into the control means a signal that selects one of the large number of macroscopic features 3/ as described above. Then, this control means outputs a switching signal to the driving means of the zoom lens system IIO to move the lens so that it becomes a lens system means for microscopic detection. After detecting the position of the feature part 3/, the wafer/da is aligned by operating in the same manner as described above.
以上のように、この発明のウェハの位置合わせ方法によ
れば、従来のようにウェハ／ダ上のチップを拡大した状
態を維持して限りなく探索し、特徴部を捕獲するもので
はなく、ウェハ７９表面上を巨視的にとらえて特徴部を
把握した後、把握した特定の特徴部を微視的に拡大して
特徴部の位置を正確に検出するものである。したがって
埃や傷による誤確認を改善でき、確実な特徴部の検出が
できることとなってより正確な位置合わせができるよう
になった。As described above, according to the wafer alignment method of the present invention, the wafer is After macroscopically grasping the feature on the 79 surface, the identified specific feature is microscopically enlarged to accurately detect the position of the feature. Therefore, erroneous confirmation due to dust or scratches can be improved, and characteristic parts can be detected reliably, making it possible to perform more accurate positioning.
また、ウェハ゛／表面の特徴部を検出する際に、従来の
ようにウェハ７１７表面を拡大した状態で特徴情報を抽
出するまでスキャンを施す工程がなくなるため、特徴部
を抽出する時間が大幅に短縮され、特徴部の抽出工程が
飛距的に改善される。Additionally, when detecting features on the wafer/surface, the conventional process of scanning the wafer 717 surface in an enlarged state until the feature information is extracted is eliminated, which greatly reduces the time it takes to extract features. This improves the feature extraction process.
第１図はこの発明のウェハの位置合わせ方法の一実施例
を示す斜視図、第２図はウェハ表面の拡大斜視図、第３
図（ａ）はウェハ表面を巨視的にとらえた状態の平面図
、（ｂ）は微視的にとらえた状態の平面図、第４図（ａ
）、（ｂ）はウェハの傾きθを示すそれぞれ平面図、第
５図はこの発明のウェハの位置合わせ方法の他の実施例
を示す斜視図、第６図はウェハの位置合わせ方法の従来
例を示す平面図である。
／・・・撮像カメラ
−・・・ビームスプリッタ
３．６、？、１０・・・ミラー
ダ、乙、８、／／、／、、２・・・レンズ７、／３・・
・光源
／ダ・・・ウエハ
７．５・・・チップ。
／乙・・スクライブライン
、２／・・・遮蔽板
、２．２・・・駆動手段
ＪＯａ−ｂ、ｚ・・・探索位置
、３／Ａ−Ｆ・・特徴部
図母
第２図
１ｉ１３図
第４ 図
（ａ） （ｂ）
箆５図
（、円） 昭和６０年 １月２１日特許庁
長官 志 賀 学 殿
昭和５９年特許願第１３０７９５号
２ 発明の名称
ウェハ位置合わせ方法
３ 補正をする者
事件との関係 特許出願人
住所（居所）東京都新宿区西新宿−丁目２６番２号氏名
（名称）東京エレクトロン株式会社４代理人〒４００
住所 山梨県甲府市丸の内２丁目８番１１号昭和 年
月 日（発送日）
６ 補正により増加する発明の数
７ 補正の対象
明細書の発明の詳細な説明の欄。
明細書第１０頁第４行目以下に次の文章を加入する。
「なお、上記各実施例に記載されている構成部品の相対
的な配置および数量などは、この発明の範囲をそれらに
限定する趣旨のものではなく、単なる説明例にすぎない
。」
以上FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of the wafer alignment method of the present invention, FIG. 2 is an enlarged perspective view of the wafer surface, and FIG.
Figure (a) is a macroscopic plan view of the wafer surface, (b) is a microscopic plan view, and Figure 4 (a) is a plan view of the wafer surface viewed microscopically.
) and (b) are plan views showing the inclination θ of the wafer, FIG. 5 is a perspective view showing another embodiment of the wafer alignment method of the present invention, and FIG. 6 is a conventional example of the wafer alignment method. FIG. /...Imaging camera-...Beam splitter 3.6,? , 10... Mirada, Otsu, 8, //, /, , 2... Lens 7, /3...
・Light source/da...wafer 7.5...chip. /B...Scribe line, 2/...Shielding plate, 2.2...Drive means JOa-b, z...Search position, 3/A-F...Characteristic part map Figure 2, Figure 1i13 Figure 4 (a) (b) Figure 5 (circle) January 21, 1985 Director General of the Patent Office Manabu Shiga 1985 Patent Application No. 130795 2 Name of the invention Wafer alignment method 3 Make corrections Patent Applicant Address (Residence) Nishi-Shinjuku-chome 26-2, Shinjuku-ku, Tokyo Name: Tokyo Electron Co., Ltd. 4 Agent Address 400 Address 2-8-11 Marunouchi, Kofu City, Yamanashi Prefecture Showa Year, month, date (shipment date) 6 Number of inventions increased by amendment 7 Column for detailed explanation of the invention in the specification subject to amendment. Add the following sentence from the fourth line on page 10 of the specification. "The relative arrangement and quantity of the components described in each of the above embodiments are not intended to limit the scope of the present invention thereto, but are merely illustrative examples."
Claims (1)
入力し、すでに記録してある基本認識情報と比較して判
別した特徴情報を微視的に検出する検出手段と、 ［３］上記特徴情報のある位置を記録する機能を有する
処理手段と、 ［４］上記処理手段で記録した特徴のある位置を出力さ
せる出力手段とからなり、巨視的に特徴情報を検出し、
上記特徴情報の一部を限定して微視的に拡大し、特徴の
ある位置を検出するようにしたことを特徴とするウェハ
位置合わせ方法。[Claims] 1. A wafer alignment method comprising: [1] a detection means for macroscopically detecting feature information; and [2] a signal of the feature information detected by the detection means is input and has already been recorded. [3] a processing means having a function of recording the position where the feature information is located; [4] the processing means; It consists of an output means that outputs the recorded characteristic position, macroscopically detects the characteristic information,
A wafer alignment method characterized in that a portion of the characteristic information is limited and microscopically expanded to detect a characteristic position.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59130795A JP2560002B2 (en) | 1984-06-23 | 1984-06-23 | Wafer prober |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59130795A JP2560002B2 (en) | 1984-06-23 | 1984-06-23 | Wafer prober |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS619710A true JPS619710A (en) | 1986-01-17 |
| JP2560002B2 JP2560002B2 (en) | 1996-12-04 |
Family
ID=15042871
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59130795A Expired - Lifetime JP2560002B2 (en) | 1984-06-23 | 1984-06-23 | Wafer prober |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2560002B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013055233A (en) * | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Method of detecting chip arrangement on wafer in prober |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6090403B1 (en) * | 2015-10-15 | 2017-03-08 | 株式会社明電舎 | Vehicle restraint device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5625775A (en) * | 1979-08-09 | 1981-03-12 | Canon Kk | Electronic equipment |
| JPS5886739A (en) * | 1981-11-19 | 1983-05-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Automatically positioning method for wafer |
-
1984
- 1984-06-23 JP JP59130795A patent/JP2560002B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5625775A (en) * | 1979-08-09 | 1981-03-12 | Canon Kk | Electronic equipment |
| JPS5886739A (en) * | 1981-11-19 | 1983-05-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Automatically positioning method for wafer |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013055233A (en) * | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Method of detecting chip arrangement on wafer in prober |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2560002B2 (en) | 1996-12-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |