JPS619624A - 液晶素子の駆動法 - Google Patents
液晶素子の駆動法Info
- Publication number
- JPS619624A JPS619624A JP59130000A JP13000084A JPS619624A JP S619624 A JPS619624 A JP S619624A JP 59130000 A JP59130000 A JP 59130000A JP 13000084 A JP13000084 A JP 13000084A JP S619624 A JPS619624 A JP S619624A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- display
- state
- electrodes
- terminal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
- G09G3/3651—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix using multistable liquid crystals, e.g. ferroelectric liquid crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/13781—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering using smectic liquid crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/122—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode having a particular pattern
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/06—Details of flat display driving waveforms
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
- G09G3/3655—Details of drivers for counter electrodes, e.g. common electrodes for pixel capacitors or supplementary storage capacitors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は液晶を用いた光シヤツターアレイ、画像表示装
置等の駆動方法に関するものであり、さらに詳しくは双
安定性液晶、特に強誘電性液晶をアクティブマトリック
ス構成により駆動する方法に関するものである。
置等の駆動方法に関するものであり、さらに詳しくは双
安定性液晶、特に強誘電性液晶をアクティブマトリック
ス構成により駆動する方法に関するものである。
［従来の技術］
従来より、走査電極群と信号電極群をマトリクス状に構
成し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素を
形成し−Ｃ画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子は
、よく知られている。この表示素子の駆動法としでは、
走査電極群に、順次、周期的にアドレス信号を選択印加
し、信号電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同
期させて並列的に選択印加する時分割駆動が採用されて
いるが、この表示素子及びその駆動法は、以下に述へる
如き致命的とも看える大きな欠点を有していた。
成し、その電極間に液晶化合物を充填し、多数の画素を
形成し−Ｃ画像或いは情報の表示を行う液晶表示素子は
、よく知られている。この表示素子の駆動法としでは、
走査電極群に、順次、周期的にアドレス信号を選択印加
し、信号電極群には所定の情報信号をアドレス信号と同
期させて並列的に選択印加する時分割駆動が採用されて
いるが、この表示素子及びその駆動法は、以下に述へる
如き致命的とも看える大きな欠点を有していた。
即ち、画素密度を高く、或いは画面を大きくするのかつ
°・「しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比
較的高く、しかも泊費電力が小さいことから、表示素子
として実用に供されているのは殆とか、例えば、Ｍ、
５ｃｈａｄｔとＷ、 Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著、”Ａｐｐｌ
ｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ’Ｌｅｔｔｅｒｓ” 、 Ｖｏ
ｌ、 １８． Ｎｏ、４（１！１７１．２．１５） 、
Ｐ、 １２７〜１１２８の°’Ｖｏ ｌ ｔａｇｅ−
Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ ０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔ
ｙ ｏｆ ａ ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ Ｌｉｑ
ｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ”に示されたＴＮ（ｔｗｉｓｔ
ｅｄ ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶を用いたも（７）？ｌ
−あり、この型の液晶は、無電界状態で正の誘電異方性
をもつ、ネマチ・ンク液晶の分子が、液晶層厚方向で捩
れた構造（ヘリカル構造）を形成し、両電極面でこの液
晶の分子が互いに並行に配列した構造を形成している。
°・「しいことである。従来の液晶の中で応答速度が比
較的高く、しかも泊費電力が小さいことから、表示素子
として実用に供されているのは殆とか、例えば、Ｍ、
５ｃｈａｄｔとＷ、 Ｈｅ１ｆｒｉｃｈ著、”Ａｐｐｌ
ｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ’Ｌｅｔｔｅｒｓ” 、 Ｖｏ
ｌ、 １８． Ｎｏ、４（１！１７１．２．１５） 、
Ｐ、 １２７〜１１２８の°’Ｖｏ ｌ ｔａｇｅ−
Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ ０ｐｔｉｃａｌ Ａｃｔｉｖｉｔ
ｙ ｏｆ ａ ＴｗｉｓｔｅｄＮｅｍａｔｉｃ Ｌｉｑ
ｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ”に示されたＴＮ（ｔｗｉｓｔ
ｅｄ ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶を用いたも（７）？ｌ
−あり、この型の液晶は、無電界状態で正の誘電異方性
をもつ、ネマチ・ンク液晶の分子が、液晶層厚方向で捩
れた構造（ヘリカル構造）を形成し、両電極面でこの液
晶の分子が互いに並行に配列した構造を形成している。
一方、電界印加状態では、正の、１秀電異方性をもつネ
マチ・ンク！後品が電界方向に配列し、この結果光調変
調を起すことができる。
マチ・ンク！後品が電界方向に配列し、この結果光調変
調を起すことができる。
この型の液晶を用いてマトリクス電極構造によって表示
素子を構成した場合、走査電極と信号電極か共に訳択さ
れる領域（選択点）には、液晶分子を’：１ｊ：極面に
垂直に配列させるに要する閾値以上の電圧が印加され、
走査電極と信弓−電極か共に選択されない領域（非選択
点）には゛電圧は印加されず、したがって液晶分子は電
極面に対して並行な安定配列を保っている。このような
液晶セルの上下に、互いにクロスニコル関係にある直線
偏光子を配置することにより、選択点では光が透過せす
、非選択点では光が透過するため、画像素子とすること
が可能となる。然し乍ら、マトリクス電極構造を構成し
た場合には、走査電極が選択され、信号電極が選択され
ない領域或いは、走査電極が選択されず、信号電極が選
択される領域（所謂””ｌ′−選択点゛′）にも有限の
電界がかかってしまう。選択点にかかる電圧と、半選択
点にかかる電圧の差が充分に大きく、液晶分子を電界に
垂直に配列させるに要する電圧閾値がこの中間の電圧値
に設定されるならば、表示素子は正常に動作するわけで
ある。しかし、この方式において、走査線Ｍｌ （Ｎ
）を増やして行った場合、画面全体（１フレーム）を走
査する間に一つの選択点に有効な電界がかかっている時
間（ｄｕｔｙ比）は、１／Ｎの割合で１戒少してしまう
。このために、くり返し走査を杓っだ場合の選択点と非
遮択点にかかる実効値としての電圧差は、走査線数が増
えれば増える程小ざくなり、結果的には画像コントラス
トの低下やクロストークが避は難い欠点となっている。
素子を構成した場合、走査電極と信号電極か共に訳択さ
れる領域（選択点）には、液晶分子を’：１ｊ：極面に
垂直に配列させるに要する閾値以上の電圧が印加され、
走査電極と信弓−電極か共に選択されない領域（非選択
点）には゛電圧は印加されず、したがって液晶分子は電
極面に対して並行な安定配列を保っている。このような
液晶セルの上下に、互いにクロスニコル関係にある直線
偏光子を配置することにより、選択点では光が透過せす
、非選択点では光が透過するため、画像素子とすること
が可能となる。然し乍ら、マトリクス電極構造を構成し
た場合には、走査電極が選択され、信号電極が選択され
ない領域或いは、走査電極が選択されず、信号電極が選
択される領域（所謂””ｌ′−選択点゛′）にも有限の
電界がかかってしまう。選択点にかかる電圧と、半選択
点にかかる電圧の差が充分に大きく、液晶分子を電界に
垂直に配列させるに要する電圧閾値がこの中間の電圧値
に設定されるならば、表示素子は正常に動作するわけで
ある。しかし、この方式において、走査線Ｍｌ （Ｎ
）を増やして行った場合、画面全体（１フレーム）を走
査する間に一つの選択点に有効な電界がかかっている時
間（ｄｕｔｙ比）は、１／Ｎの割合で１戒少してしまう
。このために、くり返し走査を杓っだ場合の選択点と非
遮択点にかかる実効値としての電圧差は、走査線数が増
えれば増える程小ざくなり、結果的には画像コントラス
トの低下やクロストークが避は難い欠点となっている。
このような現象は、双安定状態を有さない液晶（電極面
に対し、液晶分子が水平に配向しているのが安定状態て
あり、電界が有効に印加されている間のみ垂直に配向す
る）を、時間的蓄積効果を利用して駆動する（即ち、繰
り返し走査する）ときに生じる木質的には避は難い問題
点である。この点を改良するために、電圧平均化法、２
周波駆動法や多重マトリクス法等が既に提案されている
が、いずれの方法でも不充分であり、表示素子の大画面
化や高密度化は、走査線数が充分に増やせないことによ
って頭打ちになっているのか現状である。
に対し、液晶分子が水平に配向しているのが安定状態て
あり、電界が有効に印加されている間のみ垂直に配向す
る）を、時間的蓄積効果を利用して駆動する（即ち、繰
り返し走査する）ときに生じる木質的には避は難い問題
点である。この点を改良するために、電圧平均化法、２
周波駆動法や多重マトリクス法等が既に提案されている
が、いずれの方法でも不充分であり、表示素子の大画面
化や高密度化は、走査線数が充分に増やせないことによ
って頭打ちになっているのか現状である。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明の目的は、前述したような従来の液晶表示素子に
おける問題点を悉く解決した新規な双安’ｔｊｌ性液晶
、特に強誘電性液晶素子の駆動１人を提供することにあ
る。
おける問題点を悉く解決した新規な双安’ｔｊｌ性液晶
、特に強誘電性液晶素子の駆動１人を提供することにあ
る。
即ち、本発明は電圧応答速度が早く、状ｙハ１記憶性を
有する強誘電性液晶をアクティブマトリンクスにより２
方向の電界を印加して明、暗の２つの状！ルに駆動する
ことにより、画素数の多い大画面の表示及び高速度で画
像を表示する強誘電性液晶の駆動方法を提供することを
目的とするものである。
有する強誘電性液晶をアクティブマトリンクスにより２
方向の電界を印加して明、暗の２つの状！ルに駆動する
ことにより、画素数の多い大画面の表示及び高速度で画
像を表示する強誘電性液晶の駆動方法を提供することを
目的とするものである。
［問題点を解決するための手段］及び［作用コ木発明の
液晶素子の駆動方法は、ＦＥＴ （電界効果トランジス
タ）のゲート以外の端子である第一端子と接続した画素
電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板と該画素
電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有し、前記
画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定状態を有
する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の駆動法で
あって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態となる信
じ一印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子である
第一端子と第二端子の間で電界を形成することによって
、第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御する第一
位相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した電界と
逆極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成すること
によって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御
する第二位相を有し、前記対向電極（複数のストライプ
状対向電極群）に表示信号を印加するとともに各画素に
対応しているＦＥＴ端子のうち、ソース又はドレインを
共通端子に接続してゲートに走査信号を印加する時分割
駆動であり、走査信号線（ゲート）に所定の走査信号を
印加するとともに、選択された表示信号線（ストライプ
状の対向電極群）に所定の表示信号′を印加して、第一
の配向状態に基づく表示状態を書込み、次に別の選択さ
れた表示信号線に所定の表示信号を印加して第二の配向
状態に基づく表示状態の書込みを行うことを特徴とする
ものである。
液晶素子の駆動方法は、ＦＥＴ （電界効果トランジス
タ）のゲート以外の端子である第一端子と接続した画素
電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板と該画素
電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有し、前記
画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定状態を有
する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の駆動法で
あって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態となる信
じ一印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子である
第一端子と第二端子の間で電界を形成することによって
、第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御する第一
位相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した電界と
逆極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成すること
によって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御
する第二位相を有し、前記対向電極（複数のストライプ
状対向電極群）に表示信号を印加するとともに各画素に
対応しているＦＥＴ端子のうち、ソース又はドレインを
共通端子に接続してゲートに走査信号を印加する時分割
駆動であり、走査信号線（ゲート）に所定の走査信号を
印加するとともに、選択された表示信号線（ストライプ
状の対向電極群）に所定の表示信号′を印加して、第一
の配向状態に基づく表示状態を書込み、次に別の選択さ
れた表示信号線に所定の表示信号を印加して第二の配向
状態に基づく表示状態の書込みを行うことを特徴とする
ものである。
本発明の駆動法で用いる強誘電性液晶としては、加えら
れる電界に応じて第一の光学的安定状ＩＵ′；と第二の
光学的安定状態とのいずれかを取る、すなわち電界に対
する双安定状態を有する物質、特にこのような性質を有
する液晶が用いられる。
れる電界に応じて第一の光学的安定状ＩＵ′；と第二の
光学的安定状態とのいずれかを取る、すなわち電界に対
する双安定状態を有する物質、特にこのような性質を有
する液晶が用いられる。
本発明の駆動法で用いることができる双安定性を有する
強誘電性液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメ
クティック液晶が最も好ましく、そのうち力イラルスメ
クティックＣ相（ＳｍＣ＊）又Ｈ相（ＳｍＨ＊）の液晶
が適している。この強誘電性液晶については、”ＬＥ
ＪＯＵＲＮＡＬ ＤＥ ＰＨＹＳＩＯＵＥＬ Ｅ Ｔ
Ｔ Ｅ、ＲＳ″３１３ （Ｌ−Ｅｉ９） １９７５．
ｒ ＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄ Ｃｒ
ｙｓｔａｌｓ Ｊ ；Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔ−ｔｅｒｓ″３１３ （１１） １９８０、ｒ
Ｓｕｂｍｉｃｒｏ ５ｅｃｏｎｄ Ｂ１−５ｔａｂｌ
ｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ
ｉｎ ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ Ｊ ；”固体物
理″１Ｂ （１４１） １９８１ ｒ液晶」′（に記
載されており、本発明ではこれらに開示された強誘電性
液晶を用いることができる。
強誘電性液晶としては、強誘電性を有するカイラルスメ
クティック液晶が最も好ましく、そのうち力イラルスメ
クティックＣ相（ＳｍＣ＊）又Ｈ相（ＳｍＨ＊）の液晶
が適している。この強誘電性液晶については、”ＬＥ
ＪＯＵＲＮＡＬ ＤＥ ＰＨＹＳＩＯＵＥＬ Ｅ Ｔ
Ｔ Ｅ、ＲＳ″３１３ （Ｌ−Ｅｉ９） １９７５．
ｒ ＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃＬｉｑｕｉｄ Ｃｒ
ｙｓｔａｌｓ Ｊ ；Ａｐｐｌｉｅｄ ｐｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔ−ｔｅｒｓ″３１３ （１１） １９８０、ｒ
Ｓｕｂｍｉｃｒｏ ５ｅｃｏｎｄ Ｂ１−５ｔａｂｌ
ｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｏｐｔｉｃ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ
ｉｎ ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌｓ Ｊ ；”固体物
理″１Ｂ （１４１） １９８１ ｒ液晶」′（に記
載されており、本発明ではこれらに開示された強誘電性
液晶を用いることができる。
より具体的には、本発明法に用いられる強誘電性液晶化
合物の例としては、デシロキシベンジリテンーＰ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ
） 、ヘキシルオキシベンシリテン−Ｐ′−７ミノー２
−クロロプロビルシンナメ−１・（ＨＯＢＡＣＰＣ）お
よび４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレソルシリテンー
４′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等か挙けられる
。
合物の例としては、デシロキシベンジリテンーＰ′−ア
ミノ−２−メチルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ
） 、ヘキシルオキシベンシリテン−Ｐ′−７ミノー２
−クロロプロビルシンナメ−１・（ＨＯＢＡＣＰＣ）お
よび４−ｏ−（２−メチル）−ブチルレソルシリテンー
４′−オクチルアニリン（ＭＢＲＡ８）等か挙けられる
。
これらの材料を用いて、素子を構成する場合、諦晶化合
物かＳｍＣ’ｉ相又はＳｍＨ＊相となるような７□′、
に１隻状ｙハｔに保持する為、必要に応じて素子をヒー
ターが埋め込まれた銅ブロック等により支持することが
できる。
物かＳｍＣ’ｉ相又はＳｍＨ＊相となるような７□′、
に１隻状ｙハｔに保持する為、必要に応じて素子をヒー
ターが埋め込まれた銅ブロック等により支持することが
できる。
第１図は、強誘電性１夜品セルの例を模式的に描いたも
ノーｃ’ある。１と１′は、Ｉｒ＋４０３ 、 ’５ｎ
０２やＩＴＯ（Ｉｎｃｌｉｕｍ−Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）
等の透明電極がコートされたり、（扱（ガラス板）であ
り、その間に液晶分子層２がガラス面に垂直になるよう
配向したＳｍＣ４相の液晶が封入されている。太線で示
した線３が液晶分子を表わしており、この液晶分子３は
、その分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐよ）
４をイ〕している。７ｉ１．；板１と１′−Ｌの電極間
に一定の１、′ζ１仙以」−の電圧を印加すると、液晶
分子３のらせん構造がほどけ、双極子モーメンＩ・（Ｐ
、） ４はすべて電界方向に向くよう、液晶分子３の配
向方向を変えることができる。液晶分子３は細長い形状
を有しており、その長袖方向と短軸方向て屈折イ・り異
方性を示し、従って例えはカラス面の上ドに−ＩＪ：い
にクロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置けは、
電圧印加極性によっ−Ｃ光学特性が変わる１イ（高光学
変調素子となることは、容易に理解される。さらに！ｆ
ｋ品セルの厚さを充分にｌ・すくした場合（例えは１座
）には、第２図に示すように電界を印加していない状ｙ
ハチでも液晶分子のらせん構造は、はどけ（非らせん４
＾１造）、その双極子モーメントＰ又はＰ′は上向き（
４ａ）又は下向（４ｂ）のとちらかの状態をとる。この
ようなセルに第２図に示す如く一足の■Ｉ値以」−の極
性の異なる電界Ｅ又はＥ′を所定時間付与すると、ｙ、
極子モーメントは電界Ｅ又はＥ′の電界ベクトルに対応
して上向き４ａ又は、下向き４ｂと向きを変え、それに
応じて液晶分子は第一の配向状態５があるいは第二の配
向状ｊｍ’４５ ′の何れか一力に配向する。
ノーｃ’ある。１と１′は、Ｉｒ＋４０３ 、 ’５ｎ
０２やＩＴＯ（Ｉｎｃｌｉｕｍ−Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）
等の透明電極がコートされたり、（扱（ガラス板）であ
り、その間に液晶分子層２がガラス面に垂直になるよう
配向したＳｍＣ４相の液晶が封入されている。太線で示
した線３が液晶分子を表わしており、この液晶分子３は
、その分子に直交した方向に双極子モーメント（Ｐよ）
４をイ〕している。７ｉ１．；板１と１′−Ｌの電極間
に一定の１、′ζ１仙以」−の電圧を印加すると、液晶
分子３のらせん構造がほどけ、双極子モーメンＩ・（Ｐ
、） ４はすべて電界方向に向くよう、液晶分子３の配
向方向を変えることができる。液晶分子３は細長い形状
を有しており、その長袖方向と短軸方向て屈折イ・り異
方性を示し、従って例えはカラス面の上ドに−ＩＪ：い
にクロスニコルの位置関係に配置した偏光子を置けは、
電圧印加極性によっ−Ｃ光学特性が変わる１イ（高光学
変調素子となることは、容易に理解される。さらに！ｆ
ｋ品セルの厚さを充分にｌ・すくした場合（例えは１座
）には、第２図に示すように電界を印加していない状ｙ
ハチでも液晶分子のらせん構造は、はどけ（非らせん４
＾１造）、その双極子モーメントＰ又はＰ′は上向き（
４ａ）又は下向（４ｂ）のとちらかの状態をとる。この
ようなセルに第２図に示す如く一足の■Ｉ値以」−の極
性の異なる電界Ｅ又はＥ′を所定時間付与すると、ｙ、
極子モーメントは電界Ｅ又はＥ′の電界ベクトルに対応
して上向き４ａ又は、下向き４ｂと向きを変え、それに
応じて液晶分子は第一の配向状態５があるいは第二の配
向状ｊｍ’４５ ′の何れか一力に配向する。
このような強誘電性液晶を光学変調素子として用いるこ
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第２図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状態５に配向す
るが、この状ｙ！１．は電界を切っても安定である。又
、逆向きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第二の配
向状態５′に配向して、その分子の向きを変えるが、や
はり電界を切ってもこの状態に留っている。又、与える
電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状
態にやはり維持されている。このような応答速度の速さ
と、双安定性が有効に実現されるには、セルとしては出
来るだけ薄い方が好ましく、一般的には、０．５川〜２
０ル、特に１ル〜５川が適している。この種の強誘電性
液晶を用いたマトリクス電極構造を有する液晶−電気光
学装置は、例えばクラークとラガバルにより、米国特許
第４３８７９２４号明細書で提案されている。
との利点は２つある。第１に、応答速度が極めて速いこ
と、第２に液晶分子の配向が双安定状態を有することで
ある。第２の点を例えば第２図によって説明すると、電
界Ｅを印加すると液晶分子は第一の配向状態５に配向す
るが、この状ｙ！１．は電界を切っても安定である。又
、逆向きの電界Ｅ′を印加すると、液晶分子は第二の配
向状態５′に配向して、その分子の向きを変えるが、や
はり電界を切ってもこの状態に留っている。又、与える
電界Ｅが一定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状
態にやはり維持されている。このような応答速度の速さ
と、双安定性が有効に実現されるには、セルとしては出
来るだけ薄い方が好ましく、一般的には、０．５川〜２
０ル、特に１ル〜５川が適している。この種の強誘電性
液晶を用いたマトリクス電極構造を有する液晶−電気光
学装置は、例えばクラークとラガバルにより、米国特許
第４３８７９２４号明細書で提案されている。
本発明は、アクティブマトリックスを構成するＴＰＴ
（薄膜トランジスタ）等のＦＥＴ （電界効果トラ
ンジスタ）構造の素子が、ドレインとソースの印加電圧
を逆にする事により、いずれをドレインとしていずれを
ソースとしても使用しうるという事にもとづいている。
（薄膜トランジスタ）等のＦＥＴ （電界効果トラ
ンジスタ）構造の素子が、ドレインとソースの印加電圧
を逆にする事により、いずれをドレインとしていずれを
ソースとしても使用しうるという事にもとづいている。
アクティブマトリックスを構成する素子としてはＦＥＴ
構造の素子であれはアモルファスシリコンＴＰＴ 、多
結晶シリコンＴＦＴ ′：ｇのいずれであっても使用し
うる。又ＦＥＴ構造以外のバイポーラトランジスタであ
っても同様に行う事も可能である。
構造の素子であれはアモルファスシリコンＴＰＴ 、多
結晶シリコンＴＦＴ ′：ｇのいずれであっても使用し
うる。又ＦＥＴ構造以外のバイポーラトランジスタであ
っても同様に行う事も可能である。
Ｎ型ＦＥＴは、■ をドレイン電圧、Ｖｃ をゲート
電圧、■、をソース電圧、■、をゲー トソース間の閾
値電圧とするとｖ ＞■ であり Ｓ す、ｖｏ＞ＶＳ十ｖ、の時導通状態となり、ｖＧくｖ、
＋Ｖ、の時非導増状態となる。
電圧、■、をソース電圧、■、をゲー トソース間の閾
値電圧とするとｖ ＞■ であり Ｓ す、ｖｏ＞ＶＳ十ｖ、の時導通状態となり、ｖＧくｖ、
＋Ｖ、の時非導増状態となる。
Ｐ型ＦＥＴ ｉ、： オイテはＶＤくｖｓとし、ｖＧ
くｖ８＋ｖＰで導通状７ｇ トＡ”す、ｖＧ＞ｖｓ＋ｖ
Ｐて非導通状態となる。
くｖ８＋ｖＰで導通状７ｇ トＡ”す、ｖＧ＞ｖｓ＋ｖ
Ｐて非導通状態となる。
Ｐ型であってもＮ型であってもＦＥＴの端子のいずれが
ドレインとして作用し、いずれがソースとして作用する
かは、電圧の印加の方向によって定まる。すなわちＮ型
では電圧の低い方がソースであり、Ｐ型では電圧の高い
方がソースとして作用する。
ドレインとして作用し、いずれがソースとして作用する
かは、電圧の印加の方向によって定まる。すなわちＮ型
では電圧の低い方がソースであり、Ｐ型では電圧の高い
方がソースとして作用する。
強誘電性液晶においては、液晶セルに印加する、正、負
の電圧に対していずれを「明」状態とし、イずれを「υ
１“７」状態とするかはセルの上ドに配置するクロスニ
コル状態にした一対の偏光子の偏１光軸と、液晶分子長
袖との向きにより自由に設定できる。
の電圧に対していずれを「明」状態とし、イずれを「υ
１“７」状態とするかはセルの上ドに配置するクロスニ
コル状態にした一対の偏光子の偏１光軸と、液晶分子長
袖との向きにより自由に設定できる。
本発明は液晶セルに印加される電界をアクティブマトリ
ックスの各素子の端子間電圧を制御する事によって制御
し、表示を行なうものであるから、各信号の電圧レベル
は以下の実施例にとられれる事なく、各信号の電位差を
相対的に維持すれば、実施する事が可能である。
ックスの各素子の端子間電圧を制御する事によって制御
し、表示を行なうものであるから、各信号の電圧レベル
は以下の実施例にとられれる事なく、各信号の電位差を
相対的に維持すれば、実施する事が可能である。
［実施例］
次に、本発明のアクティブマトリックスによる強１誘電
性液晶の駆動方法の具体例を第３図〜第７１／１に基づ
いて説明する。
性液晶の駆動方法の具体例を第３図〜第７１／１に基づ
いて説明する。
第３図はアクティブマトリックスの回路図、第４図は対
応画素の番地を示す説明図及び第５図は対応画素の表示
例を示す説明図である。
応画素の番地を示す説明図及び第５図は対応画素の表示
例を示す説明図である。
６は走査電極群であり、７は表示電極群である。
第６図（ａ）は走査信号を示す図であって、位相ｔｌ
＋ｔ２ ＋・・・においてそれぞれ選択された走査
電極に印加される電気信号とそれ以外の走査電極（選択
されない走査電極）に印加される電気信号を示している
。第６図（ｂ）は、表示信号を示す図であって位相ｔｌ
＋ｊ２ ＋・・・においてそれぞれ選択された表示
電極と選択されない表示電極に与えられる電気信号を示
している。
＋ｔ２ ＋・・・においてそれぞれ選択された走査
電極に印加される電気信号とそれ以外の走査電極（選択
されない走査電極）に印加される電気信号を示している
。第６図（ｂ）は、表示信号を示す図であって位相ｔｌ
＋ｊ２ ＋・・・においてそれぞれ選択された表示
電極と選択されない表示電極に与えられる電気信号を示
している。
第６図においては、それぞれ横軸が時間を、縦軸が電圧
を表す。例えば、動画を表示するような場合には、走査
電極群６は逐次、周期的に選択される。選択された走査
電極に与えられる電気信号は、第６図（ａ）に示される
如く「明」書込み時では、＋■ｏであり、「暗」書込み
時では、０である。
を表す。例えば、動画を表示するような場合には、走査
電極群６は逐次、周期的に選択される。選択された走査
電極に与えられる電気信号は、第６図（ａ）に示される
如く「明」書込み時では、＋■ｏであり、「暗」書込み
時では、０である。
また、それ以外の選択されない走査電極に与えられる電
気信号は第６図（ａ）に示す如＜ Ｖｃである。一方
、選択された表示電極に与えられる電気信号は、第６図
（ｂ）に示される如く「明」書込み時には＋Ｖ。てあり
、「暗」書込み時には−Ｖ。である。また選択されない
表示電極に与えられる電気信号はいずれも０である。以
上に於て各々の電圧値は、以下の関係を満足する所望の
値に設定される。
気信号は第６図（ａ）に示す如＜ Ｖｃである。一方
、選択された表示電極に与えられる電気信号は、第６図
（ｂ）に示される如く「明」書込み時には＋Ｖ。てあり
、「暗」書込み時には−Ｖ。である。また選択されない
表示電極に与えられる電気信号はいずれも０である。以
上に於て各々の電圧値は、以下の関係を満足する所望の
値に設定される。
走査電極ｍ＝ｑラインに表示電極ｎ ＝１１の信号線で
、「明」を書込み、次に走査電極ｍ＝ｑラインに表示電
極ｎ＝、Ｑ２で「暗」の書込みをする場合、 ｖ ｃＩｌｌｖ ｐ ＞ Ｖ Ｌ Ｃ’＋ Ｖ Ｓ
、 （ｍ＝ｑ 、ｎ ２文１）Ｖｓ ＋ｖＬｃく
ｖｃｎ （ｎ ２文１ ）ｖＧｍ＝
ｏ （ｍ＝ｑ、ｎ＝文、）
ｖＳ −ｖＬＣ””Ｃｎ （ｎ ＝
ｕｐ ）ｖ ｃｍｖ ｐ ＜ ｖｃｎ、
（ｍ≠ｑ ）但し、各記号は下記の車項を表わす。
、「明」を書込み、次に走査電極ｍ＝ｑラインに表示電
極ｎ＝、Ｑ２で「暗」の書込みをする場合、 ｖ ｃＩｌｌｖ ｐ ＞ Ｖ Ｌ Ｃ’＋ Ｖ Ｓ
、 （ｍ＝ｑ 、ｎ ２文１）Ｖｓ ＋ｖＬｃく
ｖｃｎ （ｎ ２文１ ）ｖＧｍ＝
ｏ （ｍ＝ｑ、ｎ＝文、）
ｖＳ −ｖＬＣ””Ｃｎ （ｎ ＝
ｕｐ ）ｖ ｃｍｖ ｐ ＜ ｖｃｎ、
（ｍ≠ｑ ）但し、各記号は下記の車項を表わす。
■ 、ゲート電極（走査信号）電圧
ｍ
Ｖ ：対向電極（表示信号）電圧
Ｃｎ
■、：ソース又はドレイン（共通端子）電圧ｖＬＣ’強
誘電性液晶の閾値電圧の絶対値ｖ、：ゲート、ソース間
の閾値 以上の動作をｑ＝ｌ−Ｎまて繰返し書込みを行う。この
際、対向電極は第１２図に示す様にストライプ形状のも
のとすることができる。
誘電性液晶の閾値電圧の絶対値ｖ、：ゲート、ソース間
の閾値 以上の動作をｑ＝ｌ−Ｎまて繰返し書込みを行う。この
際、対向電極は第１２図に示す様にストライプ形状のも
のとすることができる。
この様な電気信号が与えられたときの各画素のうち、例
えば第４図中の画素の書込み動作を第７状態を表わす。
えば第４図中の画素の書込み動作を第７状態を表わす。
すなわち、第７図より明らかな如く、位相１．において
選択された走査線上にある画素Ｐ には、閾値Ｖ
を越えるＶ Ｌ Ｃ＜ Ｖ ｓＮ＋１．Ｎ
ＬＣＶｃの電圧が印加される。したがって
、第４図において画素”Ｎ＋１．Ｎは配向を変え「暗」
に転移（スインチ）する。次に、位相ｔ２において、選
択された走査線上にある画素Ｐ 、ＰＮ＋２．ＮにＮ
、Ｎ は閾イ１（ｉ−Ｖ ヲｄえる電圧Ｖ Ｌ Ｃ＞ Ｖ
Ｓ Ｖ Ｃが印加される。したがって画素Ｐ
、ＰＮ、Ｎ Ｎ＋２．Ｎ は「明」に転移（スイッチ）する。位相ｔ２以降の位相
ｔ３〜ｔ６の動作は、前記ｔ１〜ｔ２と同じように、選
択された走査線上及び表示線にある画素にまず「暗ｊが
書込まれ、次に同一走査線上にある前回庶択されなかっ
た画素に「明」が書込まれていく。以上、各動作でわか
る通り、選択された走査電極線上に表示電極が選択され
たが否かに紀、じて、選択された場合には、液晶分子は
第一の配向状態あるいは第二の配向状態に配向を揃え、
画素はＯＮ （明）あるいはＯＦＦ （暗）となり、
選択されない走査線上では、すべての画素に印加される
電圧は、いずれも閾値電圧を越えない。従って、第７図
に示される如く、選択された走査線−」二以外の各画素
における液晶分子は配向状態を変えることなく前回走査
されたときの信号状態（ＱＮ−１）に対応した配向を、
そのまま保持している。即ち、走査電極が選択されたと
きにその１ティン分の信号の書き込みが行われ、１フレ
ームが終了して次回選択されるまでの間は、その信号状
ｙｕ４を保持し得るわけである。従って、走査電極数が
増えても、実質的なデユーティ比はかわらず、コントラ
ストの低下は全く生じない。
選択された走査線上にある画素Ｐ には、閾値Ｖ
を越えるＶ Ｌ Ｃ＜ Ｖ ｓＮ＋１．Ｎ
ＬＣＶｃの電圧が印加される。したがって
、第４図において画素”Ｎ＋１．Ｎは配向を変え「暗」
に転移（スインチ）する。次に、位相ｔ２において、選
択された走査線上にある画素Ｐ 、ＰＮ＋２．ＮにＮ
、Ｎ は閾イ１（ｉ−Ｖ ヲｄえる電圧Ｖ Ｌ Ｃ＞ Ｖ
Ｓ Ｖ Ｃが印加される。したがって画素Ｐ
、ＰＮ、Ｎ Ｎ＋２．Ｎ は「明」に転移（スイッチ）する。位相ｔ２以降の位相
ｔ３〜ｔ６の動作は、前記ｔ１〜ｔ２と同じように、選
択された走査線上及び表示線にある画素にまず「暗ｊが
書込まれ、次に同一走査線上にある前回庶択されなかっ
た画素に「明」が書込まれていく。以上、各動作でわか
る通り、選択された走査電極線上に表示電極が選択され
たが否かに紀、じて、選択された場合には、液晶分子は
第一の配向状態あるいは第二の配向状態に配向を揃え、
画素はＯＮ （明）あるいはＯＦＦ （暗）となり、
選択されない走査線上では、すべての画素に印加される
電圧は、いずれも閾値電圧を越えない。従って、第７図
に示される如く、選択された走査線−」二以外の各画素
における液晶分子は配向状態を変えることなく前回走査
されたときの信号状態（ＱＮ−１）に対応した配向を、
そのまま保持している。即ち、走査電極が選択されたと
きにその１ティン分の信号の書き込みが行われ、１フレ
ームが終了して次回選択されるまでの間は、その信号状
ｙｕ４を保持し得るわけである。従って、走査電極数が
増えても、実質的なデユーティ比はかわらず、コントラ
ストの低下は全く生じない。
第５図に於て、走査′電極Ｇ’Ｇ 、ＧＮ＋２．・
・・Ｎ’ Ｎ＋１ と表示電極ＣＣＣ・・・の交点で形成するＮ’ Ｎ
＋１’ Ｎ＋２’ 画素のうち、斜線部の画素は’ ＩＪＩｆ Ｊ状７Ｕ：
に、白地で示した画素は「明」状態に対応するものとす
る。今、第５図中の表示電極ＳＮ上−の表示に注［１す
ると、走査電極ＧＮ、ＧＮ＋２に対応する画素では「明
」状態であり、それ以外の画素は’ ｌｌｉ’ｆ Ｊ状
ｙト；である。前記、位相ｔ１〜ｔ６の各動作によって
、第５図の表示パターンが完成する。
・・Ｎ’ Ｎ＋１ と表示電極ＣＣＣ・・・の交点で形成するＮ’ Ｎ
＋１’ Ｎ＋２’ 画素のうち、斜線部の画素は’ ＩＪＩｆ Ｊ状７Ｕ：
に、白地で示した画素は「明」状態に対応するものとす
る。今、第５図中の表示電極ＳＮ上−の表示に注［１す
ると、走査電極ＧＮ、ＧＮ＋２に対応する画素では「明
」状態であり、それ以外の画素は’ ｌｌｉ’ｆ Ｊ状
ｙト；である。前記、位相ｔ１〜ｔ６の各動作によって
、第５図の表示パターンが完成する。
なお、第６図において駆動波形は走査信号、表示信号と
も３レベルをもつ電圧信号であるが、共通電極として使
用している対向電極の電位を、第一の表示状態書込みの
時はＧＮＤに、第二の表示状態１；；込みのν１には＋
■８にすることより、走査信１ｊ、表示信号とも２レヘ
ルの電圧信号で駆動することかできる。
も３レベルをもつ電圧信号であるが、共通電極として使
用している対向電極の電位を、第一の表示状態書込みの
時はＧＮＤに、第二の表示状態１；；込みのν１には＋
■８にすることより、走査信１ｊ、表示信号とも２レヘ
ルの電圧信号で駆動することかできる。
第８［／１に２レベルの電圧による駆動波形の例を小す
。
。
本発明の強誘電性液晶の駆動方法において、走査電極と
（ｉＭ号電極の配置は任意であり、例えは第９図（ａ）
、 （ｂ）に示すように一夕１ｊに画素を配置する
ことも可能であり、この様に配置するとシャック−アレ
・ｒ等として利用することができる。
（ｉＭ号電極の配置は任意であり、例えは第９図（ａ）
、 （ｂ）に示すように一夕１ｊに画素を配置する
ことも可能であり、この様に配置するとシャック−アレ
・ｒ等として利用することができる。
次に、以上に説明した実施例において、強誘゛屯性ｌ（
ｋ品として口ＯＢＡＭＢＧを駆動するのに好ましい具体
的数値を示すと、例えば 人力周波数ｆ、＝ ｌＸｌＯ４〜ｌＸｌ０６Ｈ２１０＜
Ｉ ｖ６１ ＜８０Ｖ （波高値）０．３ ＜ ｌ
ＶＳｌ ＜ＩＯＶ （波高値）か挙げられる。
ｋ品として口ＯＢＡＭＢＧを駆動するのに好ましい具体
的数値を示すと、例えば 人力周波数ｆ、＝ ｌＸｌＯ４〜ｌＸｌ０６Ｈ２１０＜
Ｉ ｖ６１ ＜８０Ｖ （波高値）０．３ ＜ ｌ
ＶＳｌ ＜ＩＯＶ （波高値）か挙げられる。
第１Ｏ図は本発明において使用されるＴＦＴにおけるＦ
ＥＴの構成を示す断面図、第１１図はＴＰＴを用いた強
誘電性液晶セルの断面図、第１２図はＴＰＴ基板の斜視
図、第１３図はＴＰＴ基板の平面図、第１４図は第１３
図のＡ−Ａ ′線で切断した部分断面図、第１５図は第
１３図のＢ−Ｂ ′線で切断した部分断面図であり、以
上に示す各図はいずれも本発明の一実施ｙル様を示すも
のである。
ＥＴの構成を示す断面図、第１１図はＴＰＴを用いた強
誘電性液晶セルの断面図、第１２図はＴＰＴ基板の斜視
図、第１３図はＴＰＴ基板の平面図、第１４図は第１３
図のＡ−Ａ ′線で切断した部分断面図、第１５図は第
１３図のＢ−Ｂ ′線で切断した部分断面図であり、以
上に示す各図はいずれも本発明の一実施ｙル様を示すも
のである。
第１１図は、本発明の方法て用いうる液晶素子の１つの
具体例を表わしている。カラス、プラスチンク″ターの
基板２０の上にゲート電極２４、絶縁膜２２（水素原子
をドーピングした窒化シリコン膜など）を介して形成し
た半導体膜１６（水素原子を１・−ヒンジしたアモルフ
ァスシリコン）と、この半導体膜１日に接する２つ端子
８とＬｌで構成したＴＰＴと、ＴＰＴの端子１１と接続
しだ画素電極１２（ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕｍ Ｔｉｎ
Ｏ！１ｄｅ）か形成されている。
具体例を表わしている。カラス、プラスチンク″ターの
基板２０の上にゲート電極２４、絶縁膜２２（水素原子
をドーピングした窒化シリコン膜など）を介して形成し
た半導体膜１６（水素原子を１・−ヒンジしたアモルフ
ァスシリコン）と、この半導体膜１日に接する２つ端子
８とＬｌで構成したＴＰＴと、ＴＰＴの端子１１と接続
しだ画素電極１２（ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕｍ Ｔｉｎ
Ｏ！１ｄｅ）か形成されている。
さらに、この上に絶縁層１３（ポリイミＩ・、ポリアミ
ド、ポリヒニルアルコール、ポリパラキシリレン、Ｓｉ
Ｏ、ＳｉＯ２） とアルミニウムやクロムなとからなる
光遮蔽膜９が設けられている。対向基板となる基板２０
′の」二には対向電極２＋ （ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕ
ｎ Ｔｉｎ Ｏ＋＋１ｄｅ）と絶縁膜２２が形成されて
いる。
ド、ポリヒニルアルコール、ポリパラキシリレン、Ｓｉ
Ｏ、ＳｉＯ２） とアルミニウムやクロムなとからなる
光遮蔽膜９が設けられている。対向基板となる基板２０
′の」二には対向電極２＋ （ＩＴＯ； Ｉｎｄｎｉｕ
ｎ Ｔｉｎ Ｏ＋＋１ｄｅ）と絶縁膜２２が形成されて
いる。
この基板２０と２０′の間には、前述の強誘電性液１、
ｘｊＪ ２３か挟持されている。又、この基板２ｏと２
０′の周囲部には強調心性液晶２３を封止するためのシ
ール材２５か設けられている。
ｘｊＪ ２３か挟持されている。又、この基板２ｏと２
０′の周囲部には強調心性液晶２３を封止するためのシ
ール材２５か設けられている。
この様なセル構造の液晶素子の両側にはクロスニコル状
態の偏光子１８と１８′が配置され、観察渚Ａが大川光
重。よりの反射光重、にょって表示４人ｙパてを見るこ
とかできる様に偏光子１８′の背後に反射板１８（乱反
射性アルミニウムシーｉ・又は板）が１□９けられてい
る。
態の偏光子１８と１８′が配置され、観察渚Ａが大川光
重。よりの反射光重、にょって表示４人ｙパてを見るこ
とかできる様に偏光子１８′の背後に反射板１８（乱反
射性アルミニウムシーｉ・又は板）が１□９けられてい
る。
又、上記の各図においてソース電極、ｉ・レイン′屯イ
！ｉとは、ドレインからソースへ電流が流れる場合に限
定した命名である。ＦＥＴの働きではソースかドレイン
として働く場合も可能である。
！ｉとは、ドレインからソースへ電流が流れる場合に限
定した命名である。ＦＥＴの働きではソースかドレイン
として働く場合も可能である。
［発明の効果］
−１−記の４ｉ１’Ｊ ］′ｈよりなるＡ、、発明の強
調゛市性液晶の駆動方法を用いることにより、アクティ
ツマ（・リックスに画素数の多い大画面の表示及び高速
度で解。
調゛市性液晶の駆動方法を用いることにより、アクティ
ツマ（・リックスに画素数の多い大画面の表示及び高速
度で解。
明な両像を表示することができる。
第、１図及び第２図は、本発明の方法に用いる強誘電性
液晶を模式的に表わす斜視図、第３図は本発明の方法に
用いるマトリックス電極の回路図、第４図は対応画素の
番地を示す説明図、第５図は対応画素の表丞例を示す説
明図、第６図（ａ）及び（ｂ）は走査電極及び表示電極
に印加する電気信号を表わす説明図、第７図は各画素へ
の書込み動作を表わす説明図、第８図は２レベルの電圧
による！５（駆動波形の説明図、第９図（ａ）及び（ｂ
）はアクティブマトリックス回路と画素配（買の例を示
す配線図、第１０図はＴＦＴにおけるＦＥＴの構成を示
す断面図、第１１図はＴＰＴを用いた強調′屯性液晶セ
ルの断面図、第１２図はＴＰＴ基板の斜視図、第１３図
はＴＰＴ基板の平面図、第１４図はＡ−Ａ′線線部分断
面図及第第１５図Ｂ−Ｂ ′部分断面図である。 １．１′、透明電極がコー］・されたノ、（板２、液晶
分子層 ３、液晶分子 ４；双極子モーメント（Ｐ工） ４ａ；上向き双極子モーメント ４ｂ、下向き双極子モーメント ５：第一の配向状態 ル ５′；第二の配向状ｙル ９；光遮蔽膜 １０；ｎ＋層 １１： ドレイン′ＩＴｒ、極（ソース電極）１２；
画素電極 １３；絶縁層 １４；基板 １５；半導体直下の光遮蔽膜１６：半
導体 １７；ゲート配線部の透明電極１８：反射板
１９．ｌ！１′、偏光板２０．２０′；ガラス、プラ
スチック等の透明基板２１；対向電極 ２２；絶縁膜 ２３；強誘電性液晶層 ２４；ゲート電極 ２５；シール材 ２６．薄膜半導体 ２７：ゲート配線 ２８；パネルノ、（板２８；光遮断
効果を有するケート部 １′〜Ｍ′、走査電極 １−Ｎ、表示電極 り、共通電極 ＬＣ；フイ支晶
液晶を模式的に表わす斜視図、第３図は本発明の方法に
用いるマトリックス電極の回路図、第４図は対応画素の
番地を示す説明図、第５図は対応画素の表丞例を示す説
明図、第６図（ａ）及び（ｂ）は走査電極及び表示電極
に印加する電気信号を表わす説明図、第７図は各画素へ
の書込み動作を表わす説明図、第８図は２レベルの電圧
による！５（駆動波形の説明図、第９図（ａ）及び（ｂ
）はアクティブマトリックス回路と画素配（買の例を示
す配線図、第１０図はＴＦＴにおけるＦＥＴの構成を示
す断面図、第１１図はＴＰＴを用いた強調′屯性液晶セ
ルの断面図、第１２図はＴＰＴ基板の斜視図、第１３図
はＴＰＴ基板の平面図、第１４図はＡ−Ａ′線線部分断
面図及第第１５図Ｂ−Ｂ ′部分断面図である。 １．１′、透明電極がコー］・されたノ、（板２、液晶
分子層 ３、液晶分子 ４；双極子モーメント（Ｐ工） ４ａ；上向き双極子モーメント ４ｂ、下向き双極子モーメント ５：第一の配向状態 ル ５′；第二の配向状ｙル ９；光遮蔽膜 １０；ｎ＋層 １１： ドレイン′ＩＴｒ、極（ソース電極）１２；
画素電極 １３；絶縁層 １４；基板 １５；半導体直下の光遮蔽膜１６：半
導体 １７；ゲート配線部の透明電極１８：反射板
１９．ｌ！１′、偏光板２０．２０′；ガラス、プラ
スチック等の透明基板２１；対向電極 ２２；絶縁膜 ２３；強誘電性液晶層 ２４；ゲート電極 ２５；シール材 ２６．薄膜半導体 ２７：ゲート配線 ２８；パネルノ、（板２８；光遮断
効果を有するケート部 １′〜Ｍ′、走査電極 １−Ｎ、表示電極 り、共通電極 ＬＣ；フイ支晶
Claims (1)
- （１）ＦＥＴのゲート以外の端子である第一端子と接続
した画素電極を該ＦＥＴに対応して複数設けた第一基板
と該画素電極に対向する対向電極を設けた第二基板を有
し、前記画素電極と対向電極の間に電界に対して双安定
状態を有する強誘電性液晶を挟持した構造の液晶素子の
駆動法であって、前記ＦＥＴのゲートがゲートオン状態
となる信号印加と同期させてＦＥＴのゲート以外の端子
である第一端子と第二端子の間で電界を形成することに
よって、第一の配向状態に強誘電性液晶の配列を制御す
る第一位相と、前記第一端子と第二端子の間で形成した
電界と逆極性の電界を第一端子と第二端子の間で形成す
ることによって、第二の配向状態に強誘電性液晶の配列
を制御する第二位相を有し、前記対向電極に表示信号を
印加するとともに各画素に対応しているＦＥＴ端子のう
ち、ソース又はドレインを共通端子に接続して、ゲート
に走査信号を印加する時分割駆動であり、走査信号線に
所定の走査信号を印加するとともに、選択された表示信
号線に所定の表示信号を印加して、第一の配向状態に基
づく表示状態を書込み、次に別の選択された表示信号線
に所定の表示信号を印加して第二の配向状態に基づく表
示状態の書込みを行うことを特徴とする液晶素子の駆動
法。記載の液晶素子の駆動法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59130000A JPS619624A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | 液晶素子の駆動法 |
| US06/724,828 US4697887A (en) | 1984-04-28 | 1985-04-18 | Liquid crystal device and method for driving the same using ferroelectric liquid crystal and FET's |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59130000A JPS619624A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | 液晶素子の駆動法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS619624A true JPS619624A (ja) | 1986-01-17 |
Family
ID=15023668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59130000A Pending JPS619624A (ja) | 1984-04-28 | 1984-06-26 | 液晶素子の駆動法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS619624A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4768863A (en) * | 1985-07-05 | 1988-09-06 | Vdo Adolf Schindling Ag | Liquid crystal cell having MIM elements on both substrates |
| US5122424A (en) * | 1989-10-05 | 1992-06-16 | Litton Systems, Inc. | Abrasion-resistant, infrared transmitting optical components |
| US5555110A (en) * | 1992-12-21 | 1996-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Company, Ltd. | Method of driving a ferroelectric liquid crystal display |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS614026A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-09 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
| JPS614021A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-09 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
-
1984
- 1984-06-26 JP JP59130000A patent/JPS619624A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS614026A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-09 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
| JPS614021A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-09 | Canon Inc | 液晶素子の駆動法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4768863A (en) * | 1985-07-05 | 1988-09-06 | Vdo Adolf Schindling Ag | Liquid crystal cell having MIM elements on both substrates |
| US5122424A (en) * | 1989-10-05 | 1992-06-16 | Litton Systems, Inc. | Abrasion-resistant, infrared transmitting optical components |
| US5555110A (en) * | 1992-12-21 | 1996-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Company, Ltd. | Method of driving a ferroelectric liquid crystal display |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4973135A (en) | Active matrix display panel having plural stripe-shaped counter electrodes and method of driving the same | |
| US4697887A (en) | Liquid crystal device and method for driving the same using ferroelectric liquid crystal and FET's | |
| US5227900A (en) | Method of driving ferroelectric liquid crystal element | |
| US4770501A (en) | Optical modulation device and method of driving the same | |
| KR20020095167A (ko) | 쌍안정 키랄 네마틱 액정 디스플레이와 이러한디스플레이의 구동 방법 | |
| JPS6244247B2 (ja) | ||
| JP2805253B2 (ja) | 強誘電性液晶装置 | |
| JPH079508B2 (ja) | 液晶表示素子及びその駆動方法 | |
| JPS60262133A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614021A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS619624A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS60230121A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPH028814A (ja) | 液晶装置 | |
| JPS60262136A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614026A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS617829A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPH0453293B2 (ja) | ||
| JPS60262134A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS60262137A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614022A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS60262135A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPH0453292B2 (ja) | ||
| JPS614027A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614023A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
| JPS614028A (ja) | 液晶素子の駆動法 |