JPS6194407A - Surface acoustic wave variable delay line - Google Patents
Surface acoustic wave variable delay lineInfo
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- JPS6194407A JPS6194407A JP21595384A JP21595384A JPS6194407A JP S6194407 A JPS6194407 A JP S6194407A JP 21595384 A JP21595384 A JP 21595384A JP 21595384 A JP21595384 A JP 21595384A JP S6194407 A JPS6194407 A JP S6194407A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体基板とその上に設けられた圧電体薄膜
から成る圧電、基板と、該圧電基鈑上に弾性表面波（以
下本明細書においてはＳＡＷと略記する。）の伝播距離
が異なるように設けられた少くとも１対の入出力用の櫛
形電極とを含むＳＡＷ遅延線に馳する。Detailed Description of the Invention [Industrial Application Field] The present invention relates to a piezoelectric device consisting of a semiconductor substrate and a piezoelectric thin film provided thereon. A SAW delay line includes at least one pair of input/output comb-shaped electrodes provided to have different propagation distances (abbreviated as SAW in this book).
ＳＡＷ遅延線はレーダーの信号処理やＳＡＷ発振器の遅
延線として用いられている。特に、その遅延時間を変化
させることができる装置は、周波数可変の発撮器やテレ
ビのゴーストキャンセラに応用できるものとして、その
開発が待望されている。SAW delay lines are used for radar signal processing and as delay lines for SAW oscillators. In particular, the development of a device that can change the delay time is eagerly awaited, as it can be applied to frequency-variable image generators and ghost cancellers for televisions.
ＳＡＷ可変遅延線として代表市な装置を第１０図および
第１】肉に示″−ｆｏ図中、１は圧電基板、２は入力用
櫛形電極、３Ａ、３Ｂ、・・・は出力用櫛形電極、４は
スイッチング回路、５は入力端子、６は出力端子を表わ
す。A representative device as a SAW variable delay line is shown in Figure 10 and Figure 1. In the figure, 1 is a piezoelectric substrate, 2 is a comb-shaped electrode for input, 3A, 3B, . . . are comb-shaped electrodes for output. , 4 represents a switching circuit, 5 represents an input terminal, and 6 represents an output terminal.
第１０図はいわゆるタッグ付き遅延線であり、基板面積
は小さくて済むが、各タップ（出力用櫛形電極３Ａ、３
Ｂ、・・・）におけるＳＡＷの反射の定めにタップ間に
相互干渉が生じるという欠点がある。一方、第１１圀に
示す装置では、出力用面形電極３Ａ、３Ｂ、・・・間の
相互干渉は小さいが、広い面積の圧電基板１が全快であ
るという欠点がある。FIG. 10 shows a so-called tagged delay line, which requires a small substrate area, but each tap (output comb-shaped electrode 3A, 3
There is a drawback in that mutual interference occurs between taps in determining SAW reflections in (B, . . . ). On the other hand, in the device shown in the 11th section, although the mutual interference between the output planar electrodes 3A, 3B, .
また両者ともスイッチングのための外部回路４が心安で
あり、製造原価と省窒間の面で問題がある。In addition, both require an external circuit 4 for switching, which poses problems in terms of manufacturing costs and nitrogen savings.
本発明の目的は、スイッチングのための外部回路を心髄
としない、遅延時間可変のＳＡＷ遅延組を提供すること
である。An object of the present invention is to provide a SAW delay set with variable delay time that does not rely on an external circuit for switching.
上記目的を達成するために、本発明による胃別に述べた
池類のＳＡＷ可変過延粉は、さらに、互に異なった伝播
距離を有する入力用櫛形電極と出力用の櫛形を力の間に
それぞれ設けられた袂数個の金属電極と、該金属電極と
上記半導体基板の間にバイアス電圧を印加する手段と、
上記バイアス電圧を調節する手段が備えら、れているこ
と′ｆ！：委旨とする。上記入出力用の櫛形電極はそれ
ぞれ１個で、その少くとも一方が階段状に形成されるこ
とも＠線状に形成さ、れることも、またその少くとも一
方が複数個に分割されることもでき、ＳＡＷの伝播方向
に対して直角方向に上記二つの櫛形電極間のＳＡＷの伝
播方向の距離が連続的または不連続的に変化するように
設けられている。上記半導体基板は絶縁層で後れること
ができ、その絶縁層の上に設けられる圧電体薄膜がＳＡ
Ｗが伝播する領域の一部で欠けることができる。あるい
は、上記圧電体薄膜と上記半導体基板の間のＳＡＷが伝
播する領域の一部に金属族を設けることもできる。In order to achieve the above object, the SAW variable over-rolled powder according to the present invention further includes an input comb-shaped electrode and an output comb-shaped electrode having different propagation distances between the forces, respectively. several metal electrodes provided, and means for applying a bias voltage between the metal electrodes and the semiconductor substrate;
Means for adjusting the bias voltage shall be provided.'f! : As a matter of reference. Each of the input/output comb-shaped electrodes is one piece, and at least one of them may be formed in a step-like or linear form, or at least one of them may be divided into a plurality of pieces. The distance between the two comb-shaped electrodes in the SAW propagation direction changes continuously or discontinuously in a direction perpendicular to the SAW propagation direction. The semiconductor substrate can be covered with an insulating layer, and a piezoelectric thin film provided on the insulating layer is SA.
A part of the region where W propagates may be missing. Alternatively, a metal group may be provided in a part of the region where the SAW propagates between the piezoelectric thin film and the semiconductor substrate.
本発明は金属電極に印加されるバイアス電圧によってＳ
ＡＷのスイッチングやに播損失の１ｔｉｌＪ ＠が可能
であるという動作原理に基づいている。The present invention uses a bias voltage applied to a metal electrode to
It is based on the operating principle that 1 tilJ@ of dispersion loss is possible during AW switching.
金属電極が設置されている部分はいわゆるモノリシック
ＭＩＳ（金属／絶縁体／午導体）構造になっている。こ
のような構造物中を伝播するＳＡＷは金属と半導体の間
に印加されるバイアス電圧によってその伝播損失を大き
く変える。伝播損失とバイアス電圧の関係の一しリを温
度をパラメータとして第１２図に示す。第１２図に示す
ように、電圧によって伝播損失が小さい領域と非常に大
きな領域、およびバイアス電圧に応じて伝播損失が単調
に変化する領域があることがわかる。伝播損失が大きな
領域では、それは１００ ｄＢ／ｍにも達する。The part where the metal electrodes are installed has a so-called monolithic MIS (metal/insulator/metallic conductor) structure. The propagation loss of a SAW propagating in such a structure varies greatly depending on the bias voltage applied between the metal and the semiconductor. FIG. 12 shows the relationship between propagation loss and bias voltage using temperature as a parameter. As shown in FIG. 12, it can be seen that there are regions where the propagation loss is small or very large depending on the voltage, and regions where the propagation loss monotonically changes depending on the bias voltage. In regions with large propagation losses, it can reach up to 100 dB/m.
このような電圧ン印加すると、金属電極の部分でＳＡＷ
を急激に減衰させることができ、ＳＡＷの伝播を実質上
阻止することができる。When such a voltage is applied, SAW occurs at the metal electrode part.
can be rapidly attenuated, and the propagation of SAW can be substantially prevented.
第１３図はＣ−■特性（各足−電圧特性）（曲線ｈ）と
伝播損失（曲線ａ）を比較したグラフである。第１３図
に見られろように、ＳＡＷの損失が大きいのは、半専体
表面が深い強反゛転になった時（破線の左側）である。FIG. 13 is a graph comparing the C-■ characteristic (each leg-voltage characteristic) (curve h) and the propagation loss (curve a). As can be seen in FIG. 13, the SAW loss is large when the semi-dedicated surface becomes deep and strongly inverted (to the left of the broken line).
それ以外の電圧領域（弱反転、窒之頒域、蓄積領域ンで
は伝播損失は／）・さい。In other voltage regions (weak inversion, nitrogen voltage region, and accumulation region), the propagation loss is small.
したがって、金属電極に強反転領域の深いバイアス電圧
を印加すれば、その部分でＳＡＷをスイッチオフするこ
とができる。また、強反転領域でそれ程深いバイアスを
印加しなげれば、バイアス電圧によってＳＡＷの伝播損
失を連続的に変化させることもできる。Therefore, by applying a bias voltage deep in the strong inversion region to the metal electrode, the SAW can be switched off at that portion. Furthermore, if a bias is not applied so deeply in the strong inversion region, the propagation loss of the SAW can be continuously changed by the bias voltage.
以下に、図面を参照しながら、実施例ビ用いて本発明を
一層詳細に説明するが、それらは例示に過ぎず、本発明
の伜を越えることなしにいろいろな変形や改良があり得
ることは勿論である。Hereinafter, the present invention will be explained in more detail using examples with reference to the drawings, but these are merely illustrative, and it is understood that various modifications and improvements may be made without exceeding the scope of the present invention. Of course.
第１図は本発明の一夫施の態様によるＳＡＷ可変遅延線
の斜視図で、図中第１Ｏ図および第１１囚と共通する引
用番号は第１Ｏ図および第１１図におけるものと同じ部
分７表わす。FIG. 1 is a perspective view of a SAW variable delay line according to an embodiment of the present invention, in which reference numbers common to FIGS. 1O and 11 represent the same parts 7 as in FIGS. 1O and 11. .
＃−導体基板７とその上に設けられた圧電体薄膜８は圧
電基板１乞形成している。牛導体基板７の圧電体薄膜８
とは反対側の面には裏面電極９が設けられており、その
電極９は接地されている。圧電基板１０表面の一方の端
には入力用の櫛形電極２が設けられており、他方の端に
は袂数個の出力用の櫛形電極３Ａ、３Ｂ、３Ｃ，３Ｄが
設けられている。それらの電極３Ａ、３Ｂ、３Ｃ，３Ｄ
から人力用の櫛形電極２までの距廂は互に異っており、
電極２を出１こＳＡＷか出力用のｆ＠形電極３Ａ。The #-conductor substrate 7 and the piezoelectric thin film 8 provided thereon form a piezoelectric substrate 1. Piezoelectric thin film 8 on conductive substrate 7
A back electrode 9 is provided on the opposite surface, and the electrode 9 is grounded. A comb-shaped electrode 2 for input is provided at one end of the surface of the piezoelectric substrate 10, and several comb-shaped electrodes 3A, 3B, 3C, and 3D for output are provided at the other end. Those electrodes 3A, 3B, 3C, 3D
The distances from the comb-shaped electrode 2 for human power use are different from each other.
Output the electrode 2 to the f@ type electrode 3A for SAW or output.
３Ｂ、３Ｃ，３Ｄに達するのに委する時間は互に異って
いる。電極３Ａ、３Ｂ、３Ｃ，３Ｄはいずれも出力端子
６に接続されている。電極２から′成極３Ａ、３Ｂ、３
Ｃおよび３ＤへのＳＡＷの伝播路上には金属電極それぞ
れＩＯＡ、ＩＯＢ、ＩＯＣおよび１０ Ｄが設けられて
おり、それらの電極にはバイアス電圧それぞれｖＡ、
ＶＢ、 ＶｏおよびＶＤが印加される。前述の動作
原軸によって、バイアス電圧ｖＡ、ＶＢ、ｖｏ、ＶＤが
手動体表面が強反転になるような価に設定されると、金
属電１１０Ａ、１（ＪＢ。The time taken to reach 3B, 3C, and 3D is different. Electrodes 3A, 3B, 3C, and 3D are all connected to output terminal 6. From electrode 2' polarization 3A, 3B, 3
Metal electrodes IOA, IOB, IOC and 10D are provided on the SAW propagation path to C and 3D, respectively, and bias voltages vA and 10D are applied to these electrodes, respectively.
VB, Vo and VD are applied. According to the aforementioned principle of operation, when the bias voltages vA, VB, vo, and VD are set to such a value that the surface of the manual body is strongly inverted, the metal electrodes 110A, 1 (JB).
１０Ｃ，１０Ｄの下にある部分を云わるＳＡＷは急激に
減衰させられる。一方、牛纒体嵌面が全２状態、または
弱反転、または十分な蓄槓状懇になるようなバイアス電
圧に設定することによって、ＳＡＷの減衰を十分に小さ
くすることもできる。したがつて、金属電極１０Ａ、
ＩＯＢ、 ＩＯＣ，ＩＯＤに印加されるバイアス電圧ｖ
Ａ、ＶＢ、ｖｏ、ＶＤを制御することによって、出力側
の櫛形電極３Ａ、３Ｂ、３Ｃ，３ＤまでＳＡＷが到達す
るか否かをオン−オフすることが可能となる。また、バ
イアス電圧ＶＡ 、 ＶＢ −ｖｏ ｅ ｖＤ’ｌ
ｉＪ１節するＣ、！−によ一層）てＳＡＷの伝播損失
を連続的に変化させることもできるので、各遅延吻の出
力レペルビ適度に制御することもできる。The SAW below 10C and 10D is rapidly attenuated. On the other hand, the attenuation of the SAW can also be made sufficiently small by setting the bias voltage such that the cow's body fitting surface is in all two states, in weak inversion, or in a sufficient convergence state. Therefore, the metal electrode 10A,
Bias voltage v applied to IOB, IOC, IOD
By controlling A, VB, vo, and VD, it is possible to turn on and off whether the SAW reaches the comb-shaped electrodes 3A, 3B, 3C, and 3D on the output side. Moreover, the bias voltage VA, VB −vo e vD'l
iJ1 clause C,! Since the propagation loss of the SAW can be changed continuously, the output level of each delay can be appropriately controlled.
この場合、単にバイアス電圧を切り換えることによって
ＳＡＷの伝播の制御を行なうことができるので、従来方
式のようなＲＦ倍信号スイッチングに較べて回路上簡単
になるという利点がある。In this case, since the propagation of the SAW can be controlled simply by switching the bias voltage, there is an advantage that the circuit is simpler than the conventional system of RF multiplied signal switching.
また、牛導体基板は、圧電基板に較べて低価格であり、
かつ大面積なものが入手でき、さらに、圧電薄膜の堆積
のコストを考慮しても、本発明で用いる基板は従来方式
の圧電基板よりも低コストで製造できるという長所があ
る。In addition, the cow conductor board is cheaper than the piezoelectric board,
Furthermore, even considering the cost of depositing the piezoelectric thin film, the substrate used in the present invention has the advantage that it can be manufactured at a lower cost than conventional piezoelectric substrates.
第１図に示す装置では出力用の櫛形電極３Ａ。In the device shown in FIG. 1, a comb-shaped electrode 3A is used for output.
３Ｂ、３Ｃ，３Ｄが分割され、全体の出力がそれらの連
列出力として取り出されているが、第２図のような構成
をとることもできる。Although 3B, 3C, and 3D are divided and the entire output is taken out as their serial output, a configuration as shown in FIG. 2 can also be adopted.
第２図に示す装置においては、出力用の櫛形電極３は１
個であるが、階段状に形成され、弾性表面波の伝播方向
に対して直角方向に上記二つの櫛形電極間の弾性表面波
の伝播方向の距離が不連続的に変化するように設けられ
ている。第２図に示すｉｆｃ置が第１図に示す装置と全
（同様に動作することは明らかである。In the device shown in FIG. 2, the comb-shaped electrode 3 for output is 1
The two comb-shaped electrodes are formed in a step-like manner, and are provided so that the distance between the two comb-shaped electrodes in the direction of propagation of surface acoustic waves changes discontinuously in the direction perpendicular to the direction of propagation of surface acoustic waves. There is. It is clear that the ifc arrangement shown in FIG. 2 operates similarly to the apparatus shown in FIG.
さらに、出力用の櫛形電極３を第３図に示すような形状
に形成することもできる。Furthermore, the output comb-shaped electrode 3 can also be formed in a shape as shown in FIG.
第２図および第３図に示″ｆ装置においては、出力用櫛
形電極３は、入力用櫛形電極２と出力用櫛形電＠！、３
の間隔が５ＡＶＶの伝播方向に対して直角な方向に不連
続的または連続的に変化するように形成されている。こ
のようにすることによって、連延時間χより細か（変え
ることができ、出力Ｚ外部に取り出丁ボンティングの工
程も減少できるという利点が鞠られる。In the "f" device shown in FIGS. 2 and 3, the output comb-shaped electrode 3 is composed of the input comb-shaped electrode 2 and the output comb-shaped electrode @!, 3.
The distance between the 5AVV and 5AVV is formed so that it changes discontinuously or continuously in a direction perpendicular to the propagation direction of the 5AVV. By doing this, the advantage is that the continuous time χ can be changed more precisely, and the process of bonding the output Z to the outside can be reduced.
同様に、入力用の櫛形電極２を第４図に示すように電極
２Ａ、２Ｂ、２Ｃ，２ＤＫ分割することも、第５図に示
すように一つの電極２ビ階段状に形成することも、第６
図に示すようにＳＡＷの伝播路に対して傾斜して設ける
ことも可能である。Similarly, the input comb-shaped electrode 2 may be divided into electrodes 2A, 2B, 2C, and 2DK as shown in FIG. 6th
As shown in the figure, it is also possible to provide it at an angle with respect to the propagation path of the SAW.
なお、金属電極１０Ａ、ｌＯＢ、・・・は第１図から第
６図までに示すようにその端面がＳＡＷの進行方向に対
し斜めになるように設定するのが望ましい。The metal electrodes 10A, 1OB, . . . are desirably set so that their end faces are oblique to the direction of movement of the SAW, as shown in FIGS. 1 to 6.
そのようにすることによって、端面でのＳＡＷの反射の
影＊”ｒｅ減することができるからである。This is because by doing so, the shadow of reflection of the SAW on the end face can be reduced.
本発明で用いる半導体基板７は、第７図に示すように、
その表面を酸化または屋化し、酸化膜や窒化膜などの絶
縁膜１】で覆われてもよい。The semiconductor substrate 7 used in the present invention, as shown in FIG.
The surface may be oxidized or anodized and covered with an insulating film such as an oxide film or a nitride film.
また、同じ（圧電基板１に関し、第８図に示すように、
５ＡＷ（７）伝播路を二つの領域に分け、一方の領域に
はＳＡＷの伝播を制御するための金属電極１０Ａ、１０
Ｂ、・・・を設け、他方の領域には半導体基＠７または
絶縁膜１】と圧電体薄膜８の界面に金属層１２χ設ける
構造にしても良い。このような構造は、金属層１２が存
在する部分ではＳＡＷのポテンシャルがシールドされて
半導体とＳＡＷが相互作用しな（なり、ＳＡＷの減衰が
極めて小さくなるので、長い遅延時間が必要な場合に有
利である。Also, the same (regarding the piezoelectric substrate 1, as shown in FIG. 8,
5AW (7) The propagation path is divided into two regions, and one region has metal electrodes 10A, 10 for controlling the propagation of the SAW.
B, . Such a structure is advantageous when a long delay time is required because the potential of the SAW is shielded in the area where the metal layer 12 is present and the semiconductor and SAW do not interact (this makes the attenuation of the SAW extremely small). It is.
さらに、第９因に示すように、入力用櫛形市水２と金属
電極１０Ａ、１０Ｂ、・・・が存在する部分、および出
力用櫛形電極３が存在する部分には圧電薄膜８を設け、
途中のＳＡＷの伝播路には圧電薄膜がないような構造の
基板ン用いることもできる。Furthermore, as shown in the ninth factor, a piezoelectric thin film 8 is provided in the part where the input comb-shaped city water 2 and the metal electrodes 10A, 10B, . . . are present, and the part where the output comb-shaped electrode 3 is present,
It is also possible to use a substrate having a structure in which there is no piezoelectric thin film in the SAW propagation path.
この構造は、圧電薄膜８がない部分では、結晶の半導体
基板７をＳＡＷが伝播するから、５ＡＷＯ減哀が極めて
小さく、第９図に示す装置と［町じ（、長い遅延時間が
心髄な場合に有利である。In this structure, since the SAW propagates through the crystalline semiconductor substrate 7 in the area where the piezoelectric thin film 8 is not present, the 5AWO reduction is extremely small. It is advantageous for
υ上説明した通り、本発明によれば従来の遅延時間可変
のＳＡＷ遅延素子に較べて出力な選択するためのＲＦス
イッチング素子を別個に設ける必要がないので、省窒間
と低コスト化を図ることができる。本発明では単にバイ
アス電圧を切換えるだけでスイッチングと同等の機能が
実現できるので、回路上も簡単になるからである。また
、本発明で用いる基板は半導体に圧電体薄膜を堆＆する
ものであるから、従来の圧電体結晶基板に較べて低コス
トで、しかも大面積にできるという利点も得られる。υAs explained above, according to the present invention, compared to the conventional SAW delay element with variable delay time, there is no need to separately provide an RF switching element for selecting the output, thereby saving nitrogen and reducing costs. be able to. This is because according to the present invention, a function equivalent to switching can be achieved by simply switching the bias voltage, so the circuit becomes simpler. Further, since the substrate used in the present invention has a piezoelectric thin film deposited on a semiconductor, it has the advantage that it can be made at a lower cost and have a larger area than conventional piezoelectric crystal substrates.
第１図は本発明の一実施の愈＆によるＳＡＷ可変遅延線
の斜視図、第２図は本発明の一つの実施の他株によるＳ
ＡＷ可変遅延鹸の上面図、第３図から第６図までは本発
明のさらに他の四つの異なる実施の態様によるＳＡＷ可
笈遅延線の一部上面図、第７図から第９図までは本発明
のさらに他の三つの異なる実施の態様によるＳＡＷ可変
遅延線の断面図、第１（］図および第１１図は二つの従
来のＳＡＷ可変遅延線の上面図、第１２図は渦度乞パラ
メータとして伝播損失とバイアス電圧の関係を示すグラ
フ、第１３図は伝播損失および高周波容量と７（イアス
ミ圧の関係を示すグラフである。
１・・・圧電基板、２．２Ａ、２Ｂ・・・人力用櫛形電
極、３．３Ａ、３Ｂ・・・出力用櫛形電極、４・・・ス
イッチング回路、５・・・入力端子、６・・・出力端子
、７・・・半導体基板、８・・・圧電体薄膜、９・・・
裏面電極、１０Ａ、ｌＯＢ・・・金属電極、１１・・・
絶縁膜、１２・・・金属薄膜。
特許出願人 クラリオン株式会社
代理人 升埋士 水 １）武 三 部第１図
第２図
第３１図
第４図
第６図
第７図
第８図
第９図
第１Ｏ図
第１Ｉ図
第１２図
ノう；ミ
バイアス電万 （Ｖ）
第１３図
イ式
ノＶイアス電ノ王 （ＶｌFIG. 1 is a perspective view of a SAW variable delay line according to one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a perspective view of a SAW variable delay line according to another embodiment of the present invention.
3 to 6 are partial top views of SAW variable delay lines according to four other different embodiments of the present invention, and FIGS. 7 to 9 are top views of the SAW variable delay line. FIGS. 1 and 11 are top views of two conventional SAW variable delay lines, and FIG. 12 is a cross-sectional view of SAW variable delay lines according to three different embodiments of the present invention, A graph showing the relationship between propagation loss and bias voltage as parameters, and FIG. 13 is a graph showing the relationship between propagation loss, high frequency capacity, and Iasumi pressure. 1... Piezoelectric substrate, 2.2A, 2B... Comb-shaped electrode for human power, 3.3A, 3B... Comb-shaped electrode for output, 4... Switching circuit, 5... Input terminal, 6... Output terminal, 7... Semiconductor substrate, 8... Piezoelectric thin film, 9...
Back electrode, 10A, lOB...metal electrode, 11...
Insulating film, 12...metal thin film. Patent Applicant Clarion Co., Ltd. Agent Masuji Mizu 1) Takeshi Part 1 Figure 2 Figure 31 Figure 4 Figure 6 Figure 7 Figure 8 Figure 9 Figure 1O Figure 1I Figure 12 Nou; Mibias Denman (V) Figure 13
Claims (6)
成る圧電基板と、該圧電基板上に弾性表面波の伝播距離
が異なるように設けられた少くとも１対の入出力用の櫛
形電極とを含む弾性表面波遅延線において、さらに、上
記異なつた伝播距離を有する入力用の櫛形電極と出力用
の櫛形電極の間にそれぞれ設けられた複数個の金属電極
と、該金属電極と上記半導体基板の間にバイアス電圧を
印加する手段と、上記バイアス電圧を調節する手段が備
えられていることを特徴とする弾性表面波可変遅延線。(1) A piezoelectric substrate consisting of a semiconductor substrate and a piezoelectric thin film provided on the piezoelectric substrate, and at least one pair of input/output comb-shaped electrodes provided on the piezoelectric substrate so that surface acoustic waves propagate at different distances. The surface acoustic wave delay line further includes a plurality of metal electrodes each provided between the input comb-shaped electrode and the output comb-shaped electrode having different propagation distances, and the metal electrode and the semiconductor. A surface acoustic wave variable delay line comprising means for applying a bias voltage between substrates and means for adjusting the bias voltage.
弾性表面波の伝播方向に対して直角方向に上記二つの櫛
形電極間の弾性表面波の伝播方向の距離が連続的に変化
するように設けられていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の弾性表面波可変遅延線。(2) The number of comb-shaped electrodes for input and output is one each,
Claim 1, characterized in that the distance between the two comb-shaped electrodes in the direction of propagation of surface acoustic waves changes continuously in the direction perpendicular to the direction of propagation of surface acoustic waves. The surface acoustic wave variable delay line described in .
に分割されており、弾性表面波の伝播方向に対して直角
方向に、上記二つの櫛形電極間の弾性表面波の伝播方向
の距離が不連続的に変化するように設けられていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の弾性表面波可
変遅延線。(3) At least one of the input/output comb-shaped electrodes is divided into a plurality of pieces, and the direction of propagation of the surface acoustic wave between the two comb-shaped electrodes is perpendicular to the propagation direction of the surface acoustic wave. The variable surface acoustic wave delay line according to claim 1, wherein the variable surface acoustic wave delay line is provided so that the distance changes discontinuously.
に１個に形成され、弾性表面波の伝播方向に対して直角
方向に上記二つの櫛形電極間の弾性表面波の伝播方向の
距離が不連続的に変化するように設けられていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の弾性表面波可変
遅延線。(4) At least one of the input/output comb-shaped electrodes is formed in a step-like manner, and the propagation direction of the surface acoustic wave between the two comb-shaped electrodes is perpendicular to the propagation direction of the surface acoustic wave. The variable surface acoustic wave delay line according to claim 1, wherein the variable surface acoustic wave delay line is provided so that the distance changes discontinuously.
波が伝播する領域の一部に金属膜が設けられていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項から第４項までのい
ずれか一つに記載の弾性表面波可変遅延線。(5) Claims 1 to 4 are characterized in that a metal film is provided in a part of the area where surface acoustic waves propagate between the piezoelectric thin film and the semiconductor substrate. The surface acoustic wave variable delay line according to any one of the above.
の上に設けられる圧電体薄膜が弾性表面波が伝播する領
域の一部で欠けていることを特徴とする特許請求の範囲
第１項から第４項までのいずれか一つに記載の弾性表面
波可変遅延線。(6) Claims characterized in that the semiconductor substrate is covered with an insulating layer, and the piezoelectric thin film provided on the insulating layer is missing in a part of the region where surface acoustic waves propagate. The surface acoustic wave variable delay line according to any one of items 1 to 4.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21595384A JPS6194407A (en) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | Surface acoustic wave variable delay line |
| NL8502807A NL8502807A (en) | 1984-10-15 | 1985-10-14 | ACOUSTIC SURFACE WAVE DEVICE. |
| FR8515216A FR2571907B1 (en) | 1984-10-15 | 1985-10-14 | SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE |
| GB08525365A GB2167257B (en) | 1984-10-15 | 1985-10-15 | Surface acoustic wave device |
| DE19853536704 DE3536704C2 (en) | 1984-10-15 | 1985-10-15 | SAW component |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21595384A JPS6194407A (en) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | Surface acoustic wave variable delay line |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6194407A true JPS6194407A (en) | 1986-05-13 |
Family
ID=16680980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21595384A Pending JPS6194407A (en) | 1984-10-15 | 1984-10-15 | Surface acoustic wave variable delay line |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6194407A (en) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5058968A (en) * | 1973-09-25 | 1975-05-22 | ||
| JPS56141607A (en) * | 1980-04-05 | 1981-11-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Variable frequency oscillator of elastic surface wave |
| JPS59215952A (en) * | 1983-05-23 | 1984-12-05 | Toyota Motor Corp | Exhaust recirculation controlling method in diesel engine |
-
1984
- 1984-10-15 JP JP21595384A patent/JPS6194407A/en active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5058968A (en) * | 1973-09-25 | 1975-05-22 | ||
| JPS56141607A (en) * | 1980-04-05 | 1981-11-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Variable frequency oscillator of elastic surface wave |
| JPS59215952A (en) * | 1983-05-23 | 1984-12-05 | Toyota Motor Corp | Exhaust recirculation controlling method in diesel engine |
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