JPS618914A - グロ−放電型成膜装置 - Google Patents
グロ−放電型成膜装置Info
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- JPS618914A JPS618914A JP59129519A JP12951984A JPS618914A JP S618914 A JPS618914 A JP S618914A JP 59129519 A JP59129519 A JP 59129519A JP 12951984 A JP12951984 A JP 12951984A JP S618914 A JPS618914 A JP S618914A
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B09—DISPOSAL OF SOLID WASTE; RECLAMATION OF CONTAMINATED SOIL
- B09C—RECLAMATION OF CONTAMINATED SOIL
- B09C1/00—Reclamation of contaminated soil
- B09C1/02—Extraction using liquids, e.g. washing, leaching, flotation
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、半導体膜を成膜するためのグロー放電型成膜
装置に関する。
装置に関する。
［従来の技術］
従来、太陽電池などの製造に用いるグロー放電型成膜装
置としては、第４図に示すように、グランド電極（３）
上に載置された基板（４）上に、ＲＦｊ 電
極（１）・グランド電極（３）・ｅ−９−（５］なと１
より半導体層が堆積せしめられる、いわゆる平行平板法
による装置が多く用いられている。平行平板法は大きな
面積の成膜には適しているが、電極対を形成するＲＦ電
極（１）の裏側でも放電がおこるため、この放電を抑制
するためのシールド（７）が必要となる。しかし、この
シールドを設けるど放電が不安定になるというような欠
点が生ずる。
置としては、第４図に示すように、グランド電極（３）
上に載置された基板（４）上に、ＲＦｊ 電
極（１）・グランド電極（３）・ｅ−９−（５］なと１
より半導体層が堆積せしめられる、いわゆる平行平板法
による装置が多く用いられている。平行平板法は大きな
面積の成膜には適しているが、電極対を形成するＲＦ電
極（１）の裏側でも放電がおこるため、この放電を抑制
するためのシールド（７）が必要となる。しかし、この
シールドを設けるど放電が不安定になるというような欠
点が生ずる。
シールドをなくした装置として第５図に示す装置が考案
されている。このばあいには、ＲＦ電極（１）の両側の
グランド電極（３ａ）、（３ｂ）上に基板（４ａ）、（
４ｂ）を置き、必要によりヒーター（５ａ）、（５ｂ）
で基板（４ａ）、（４ｂ）を加熱しながら半導体膜を形
成できるため、シールドを設ける必要がなくなり、シー
ルドを設けることによる放電の不安定化がなくなるとい
うメリットがある。しかし、左右の半導体層形成速度が
異なるばあいに、その速度を調節することができないと
いう欠点がある。
されている。このばあいには、ＲＦ電極（１）の両側の
グランド電極（３ａ）、（３ｂ）上に基板（４ａ）、（
４ｂ）を置き、必要によりヒーター（５ａ）、（５ｂ）
で基板（４ａ）、（４ｂ）を加熱しながら半導体膜を形
成できるため、シールドを設ける必要がなくなり、シー
ルドを設けることによる放電の不安定化がなくなるとい
うメリットがある。しかし、左右の半導体層形成速度が
異なるばあいに、その速度を調節することができないと
いう欠点がある。
［発明の解決しようとする問題点コ
。
。
本発明は上記のごとき実情、すなわち、ＲＦ電
ず極の両側でグロー放電分解し、半導体膜を成膜する
ばあいに生ずる、左右の半導体膜の成膜速度が異なると
いう問題を解消するためになされたものである。
ず極の両側でグロー放電分解し、半導体膜を成膜する
ばあいに生ずる、左右の半導体膜の成膜速度が異なると
いう問題を解消するためになされたものである。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、ＲＦ電極の両側に設置した基板上にグロー放
電分解法により半導体膜を成膜する装置において、電気
的に絶縁され、互に平行に配置されたＲＦ電極の少なく
とも一方に直列に接続されたＲＦ調節手段、ＲＦＩ１節
手段が接続されているばあいにはＲＦ調節手段を介して
、ＲＦｉｉ節手段厚手段されていないばあいには直接、
それぞれのＲＦ電極に接続された１つのマツチング回路
、該ＲＦ電極のそれぞれと対面するように設けられたグ
ランド電極からなることを特徴とするグロー放電型成膜
装置に関する。
電分解法により半導体膜を成膜する装置において、電気
的に絶縁され、互に平行に配置されたＲＦ電極の少なく
とも一方に直列に接続されたＲＦ調節手段、ＲＦＩ１節
手段が接続されているばあいにはＲＦ調節手段を介して
、ＲＦｉｉ節手段厚手段されていないばあいには直接、
それぞれのＲＦ電極に接続された１つのマツチング回路
、該ＲＦ電極のそれぞれと対面するように設けられたグ
ランド電極からなることを特徴とするグロー放電型成膜
装置に関する。
［実施例］
本発明の装置を、その一実施態様を示す第１図に基づき
説明する。
説明する。
ＲＦ電極（１ａ）、（１ｂ）は、平行に配置した２枚の
金属板を絶縁材（２）を介してはさんだもので、それぞ
れの金属板にはそれぞれ直列にＲＦｌｉ節手段であるコ
ンデンサー、たとえば固定コンデンサー （６ｂ）およ
び可変コンデンサー（６ａ）が反応機の外で接続されて
いる。コンデンサーのかわりにＲＦ調節手段としてコイ
ルを用いてもよい。一方、ＲＦ電源から供給されたＲＦ
はマツチング回路をへて２分割され、コンデンサーに供
給される。
金属板を絶縁材（２）を介してはさんだもので、それぞ
れの金属板にはそれぞれ直列にＲＦｌｉ節手段であるコ
ンデンサー、たとえば固定コンデンサー （６ｂ）およ
び可変コンデンサー（６ａ）が反応機の外で接続されて
いる。コンデンサーのかわりにＲＦ調節手段としてコイ
ルを用いてもよい。一方、ＲＦ電源から供給されたＲＦ
はマツチング回路をへて２分割され、コンデンサーに供
給される。
ＲＦ電極（１ａ）、（１ｂ）の両側にはＲＦ電極面と平
行に対向電極となるグランド電極（３ａ）、（３ｂ）が
配置されており、その上に基板（４ａ）、（４ｂ）が載
置される。第１図に示すように、必要に応じてヒーター
（５ａ）、（５ｂ）を配置し、基板（４ａ）、（４ｂ）
を加熱するようにしてもよい。
行に対向電極となるグランド電極（３ａ）、（３ｂ）が
配置されており、その上に基板（４ａ）、（４ｂ）が載
置される。第１図に示すように、必要に応じてヒーター
（５ａ）、（５ｂ）を配置し、基板（４ａ）、（４ｂ）
を加熱するようにしてもよい。
ＲＦ電極（１ａ）、（１ｂ）の分離方法は、ガスを電極
内部から導入するばあいには、第１図に示すように、周
囲で絶縁材（２）をはさんむ構造が好ましいが、このよ
うな方法に限定されるものではなく、電気的に絶縁され
ていればいかなる方法でもよい。
内部から導入するばあいには、第１図に示すように、周
囲で絶縁材（２）をはさんむ構造が好ましいが、このよ
うな方法に限定されるものではなく、電気的に絶縁され
ていればいかなる方法でもよい。
このようにＲＦ電極を電気的に２分割し、該ＲＦ電極の
少なくとも一方にＲＦ調節手段を直列に接続することに
より、ＲＦ電極（１ａ）、（１ｂ）の両側で成膜するこ
とができ、かつ左右の成膜速度が異なるばあいでも、Ｒ
Ｆ調節手段を調節して成膜速度を任意に調節することが
できる。
少なくとも一方にＲＦ調節手段を直列に接続することに
より、ＲＦ電極（１ａ）、（１ｂ）の両側で成膜するこ
とができ、かつ左右の成膜速度が異なるばあいでも、Ｒ
Ｆ調節手段を調節して成膜速度を任意に調節することが
できる。
絶縁材（２）で分離したＲＦ電極間の距離は任意である
が、通常は１〜２００＃ｌ１ｌＩである。ＲＦ電極と基
板との間隔は、５〜５０＃１程度であることが放電の安
定性や均一性の点から好ましく、１０〜３０ｍ＋程度で
あることがさらに好ましい。
が、通常は１〜２００＃ｌ１ｌＩである。ＲＦ電極と基
板との間隔は、５〜５０＃１程度であることが放電の安
定性や均一性の点から好ましく、１０〜３０ｍ＋程度で
あることがさらに好ましい。
ＲＦ電極の面積は１１１を以内が好ましいが、それ以上
の面積が必要なばあいには、１ＴＩｔ以内に分割したＲ
Ｆ電極を複数枚ならべて、第２図に示すような構造にし
て使用すればよい。必要により長手方向に電極を直流的
に接続してもよい。電極対を多数直線状に配置すると、
成膜面積を大きくすることができ、理論的には無限大に
大きくすることができる。なお平行平板法では、１つの
電極面積は１ｍｌ程度が限度である。
の面積が必要なばあいには、１ＴＩｔ以内に分割したＲ
Ｆ電極を複数枚ならべて、第２図に示すような構造にし
て使用すればよい。必要により長手方向に電極を直流的
に接続してもよい。電極対を多数直線状に配置すると、
成膜面積を大きくすることができ、理論的には無限大に
大きくすることができる。なお平行平板法では、１つの
電極面積は１ｍｌ程度が限度である。
ＲＦ電極の両側にはＲＦ電極と平行して基板を移動させ
るように、基板移動手段（図示されていない）を設けて
もよい。該基板移動手段は、基板をＲＦ電極部に運搬し
、成膜後移動させるだけの働きであってもよい。しかし
、成膜中に基板とＲＦ電極との距離をほぼ一定に保持し
たまま、基板を一方向へ移動させたり、繰返して振幅移
動させてもよい。このように成膜中に基板を移動させる
と、形成される膜の厚さ分布を極めて小さくすることが
できる。このような基板移動手段の具体例としては、多
室インライン形の装置があげられる。
るように、基板移動手段（図示されていない）を設けて
もよい。該基板移動手段は、基板をＲＦ電極部に運搬し
、成膜後移動させるだけの働きであってもよい。しかし
、成膜中に基板とＲＦ電極との距離をほぼ一定に保持し
たまま、基板を一方向へ移動させたり、繰返して振幅移
動させてもよい。このように成膜中に基板を移動させる
と、形成される膜の厚さ分布を極めて小さくすることが
できる。このような基板移動手段の具体例としては、多
室インライン形の装置があげられる。
ＲＦ電極およびその両側に搬送された基板は、互いにほ
ぼ平行であれば水平になっていてもよく、垂直になって
もよく、その他の角度をもってかたむいて存在していて
もよいが、これらが垂直に近い状態で配置されているば
あいには、成膜面上にごみが落下したりすることもない
の−ｒ、、 ｍＭ’ｘＷＩＡＢｍｔｃ’ｊａ ｎ層。
１基板として長尺連続基板を用い、
連続成膜するばあいには、基板を一方へ移動させる方法
が適しているが、通常は短尺の基板が用いられる。
ぼ平行であれば水平になっていてもよく、垂直になって
もよく、その他の角度をもってかたむいて存在していて
もよいが、これらが垂直に近い状態で配置されているば
あいには、成膜面上にごみが落下したりすることもない
の−ｒ、、 ｍＭ’ｘＷＩＡＢｍｔｃ’ｊａ ｎ層。
１基板として長尺連続基板を用い、
連続成膜するばあいには、基板を一方へ移動させる方法
が適しているが、通常は短尺の基板が用いられる。
基板を加熱しうるように、必要により設けらているヒー
ターにより基板を加熱してもよい。
ターにより基板を加熱してもよい。
基板温麿は、形成される膜の種類、使用目的などによっ
ても異なるが、通常５０〜４００℃程度が好ましい。
ても異なるが、通常５０〜４００℃程度が好ましい。
第３図に示すように、ＲＦ電極対を、直線状に配置した
ものをたとえば１〜１００対、好ましくは１〜１０対平
行に設置すると、同時に多数の基板上に半導体層を形成
する口とができ、成膜面積を大きくすることかできる。
ものをたとえば１〜１００対、好ましくは１〜１０対平
行に設置すると、同時に多数の基板上に半導体層を形成
する口とができ、成膜面積を大きくすることかできる。
本発明の装置が設けられている非晶質半導体膜などの成
膜装置にはとくに限定はなく、通常使用されているタイ
プの成膜装置であればすべて使用しうる。たとえば多室
構造の装置であってもよく、このばあいには多室構造を
構成する室のうちの少なくとも一室（たとえばｐ層、１
層、ｎ層を形成する部屋のうちの一室）に本発明の装置
が用いられていてもよい。前記のような多室構造の装置
を用いるはあいには、各室を基板が通過するため、隔壁
にはスリットやゲートバルブが設けられているが、ゲー
トバルブがなくてスリットが設けられており、通常の差
動排気手段を有する差動排気室が設けられていて基板連
続移動させることができるものであることが、生産性を
あげるという点から好ましい。
膜装置にはとくに限定はなく、通常使用されているタイ
プの成膜装置であればすべて使用しうる。たとえば多室
構造の装置であってもよく、このばあいには多室構造を
構成する室のうちの少なくとも一室（たとえばｐ層、１
層、ｎ層を形成する部屋のうちの一室）に本発明の装置
が用いられていてもよい。前記のような多室構造の装置
を用いるはあいには、各室を基板が通過するため、隔壁
にはスリットやゲートバルブが設けられているが、ゲー
トバルブがなくてスリットが設けられており、通常の差
動排気手段を有する差動排気室が設けられていて基板連
続移動させることができるものであることが、生産性を
あげるという点から好ましい。
前記のごとく第１図に示されているような本発明の装置
が、非晶質半導体膜などを製造するグロー放電分解成膜
装置として設けられ、周波数１〜１００ＭＨｚ程度、成
膜単位面積当りのＲＦパワーが０．００３〜０．２Ｗ／
ｃｄ、微結晶化させるときには０．１〜５ｗ／ｉ程度の
条件で、反応性ガス、たとえばケイ素化合物、炭素化合
物、チッ素化合物、ドーピングガス、不活性ガスなどか
らなる原料ガスの０．０１〜５ Ｔｏｒｒ程度の存在下
でグロー放電を行ない、基板上にｏ、ｏｏｓ〜１００如
程度の厚さに半導体層が成膜される。
が、非晶質半導体膜などを製造するグロー放電分解成膜
装置として設けられ、周波数１〜１００ＭＨｚ程度、成
膜単位面積当りのＲＦパワーが０．００３〜０．２Ｗ／
ｃｄ、微結晶化させるときには０．１〜５ｗ／ｉ程度の
条件で、反応性ガス、たとえばケイ素化合物、炭素化合
物、チッ素化合物、ドーピングガス、不活性ガスなどか
らなる原料ガスの０．０１〜５ Ｔｏｒｒ程度の存在下
でグロー放電を行ない、基板上にｏ、ｏｏｓ〜１００如
程度の厚さに半導体層が成膜される。
本発明の装置のごとき装置を用いて成膜すると、均一な
品質の膜がえられ、かつ寄生放電が少ないので粉が出に
くく、ピンホールの少ない膜がえられ、大面積化が容易
であり、またグロー放電が極めて安定でＲＦの利用効率
も高いというような特徴を有している。その上シリコン
を含むｐｉｎ 、 ｐｎ、ヘテロまたはホモ接合太陽電
池、センサ、ＴＦＴ （ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎ
ｓｉｓｔｏｒ）、ＣＣＤ（ｃｈａｒｇｅ ｃｏｕｐｌｅ
ｄ ｄｅｖｉｃｅ）などのデバイス、とくに非晶質シリ
コンを含む太陽電池のばあいにはプラズマ安定性が効率
の再現性に大きく影響するので、本発明の装置を用いる
と、１０％以上の高変換効率が大面積で再現性よくえら
れる。
品質の膜がえられ、かつ寄生放電が少ないので粉が出に
くく、ピンホールの少ない膜がえられ、大面積化が容易
であり、またグロー放電が極めて安定でＲＦの利用効率
も高いというような特徴を有している。その上シリコン
を含むｐｉｎ 、 ｐｎ、ヘテロまたはホモ接合太陽電
池、センサ、ＴＦＴ （ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎ
ｓｉｓｔｏｒ）、ＣＣＤ（ｃｈａｒｇｅ ｃｏｕｐｌｅ
ｄ ｄｅｖｉｃｅ）などのデバイス、とくに非晶質シリ
コンを含む太陽電池のばあいにはプラズマ安定性が効率
の再現性に大きく影響するので、本発明の装置を用いる
と、１０％以上の高変換効率が大面積で再現性よくえら
れる。
また電子写真用感光材料、ＬＳＩのパシベーション膜、
プリント基板用絶縁膜などの用途にも好適に用いられる
。
プリント基板用絶縁膜などの用途にも好適に用いられる
。
つぎに本発明を実施例にもとづき説明する。
実施例１
第１図と同様のグロー放電型成膜装置を用いた実施例に
ついて説明する。
ついて説明する。
ｊ コンデンサーを接続し、４ｍの絶縁材
をはさんだＲＦ電極（５６０ｘ ５６０ａｎ）に、１３
．５６ＭＨｚのＲＦ発振機とマツチング回路を通して２
分割したＲＦをコンデンサーを経て導入した。使用した
コンデンサーは固定の２５０ｐＦとＨａｘ ５００ｐＦ
の可変コンデンサーであった。基板として４００角のＩ
ＴＯ／５００２ガラス基板を用いて、基板温度２００℃
でＳｉＨ４／ ＣＨａ ＝ ５０／ ５０、Ｂ ２ Ｈ
ｓ ／ （Ｓｉｎ＜ ＋ＣＨａ ） ＝ ０．０５％（
モル％、以下同様）からなるｐ層を１００人、Ｓ ｉ
ｔｌ ４からなるｉ層を６０００人、ＰＨ３／ ５ｉＨ
ａ ＝ ０．２％からなるｎ層を５００人成躾した。コ
ンデンサーは２５０９Ｆと３５０１１Ｆで用いた。つい
でＡＩを約１０００人魚着しＡＭ−１，１００１Ｗ／ｃ
ｄのソーラーシミュレーターを用いて太陽電池の変換効
率の分布を求めたところ、最少１０．４％最大１１．７
％、平均１１％と極めて均一で高効率がえられることが
判った。また成膜速度を１０人／ＳｅＣで成膜しても効
率はほとんど変化しなかった。
をはさんだＲＦ電極（５６０ｘ ５６０ａｎ）に、１３
．５６ＭＨｚのＲＦ発振機とマツチング回路を通して２
分割したＲＦをコンデンサーを経て導入した。使用した
コンデンサーは固定の２５０ｐＦとＨａｘ ５００ｐＦ
の可変コンデンサーであった。基板として４００角のＩ
ＴＯ／５００２ガラス基板を用いて、基板温度２００℃
でＳｉＨ４／ ＣＨａ ＝ ５０／ ５０、Ｂ ２ Ｈ
ｓ ／ （Ｓｉｎ＜ ＋ＣＨａ ） ＝ ０．０５％（
モル％、以下同様）からなるｐ層を１００人、Ｓ ｉ
ｔｌ ４からなるｉ層を６０００人、ＰＨ３／ ５ｉＨ
ａ ＝ ０．２％からなるｎ層を５００人成躾した。コ
ンデンサーは２５０９Ｆと３５０１１Ｆで用いた。つい
でＡＩを約１０００人魚着しＡＭ−１，１００１Ｗ／ｃ
ｄのソーラーシミュレーターを用いて太陽電池の変換効
率の分布を求めたところ、最少１０．４％最大１１．７
％、平均１１％と極めて均一で高効率がえられることが
判った。また成膜速度を１０人／ＳｅＣで成膜しても効
率はほとんど変化しなかった。
また半導体層の厚さは左右はとんど同じで均一であった
。
。
実施例２
−！ 実施例１の右側のコンデンサーを２５０ｐＦに固定し、
左側のコンデンサーを１０〜５００９Ｆに変えたほかは
実施例１と同様にしてｉ層の成膜速度を求めた。その結
果を第１表に示す。
−！ 実施例１の右側のコンデンサーを２５０ｐＦに固定し、
左側のコンデンサーを１０〜５００９Ｆに変えたほかは
実施例１と同様にしてｉ層の成膜速度を求めた。その結
果を第１表に示す。
［以下余白］
［発明の効果コ
以上のように、分離した電極に直列に接続したコンデン
サーの容量を変えることにより、左右の半導体層の成膜
速度を大巾に変えることができるので、左右の半導体層
の成膜速度が異なるばあいには、コンデンサーの容量を
変えることで成膜速度を簡単に同一にすることができる
。
サーの容量を変えることにより、左右の半導体層の成膜
速度を大巾に変えることができるので、左右の半導体層
の成膜速度が異なるばあいには、コンデンサーの容量を
変えることで成膜速度を簡単に同一にすることができる
。
第１図は本発明の装置の一実施態様に関する説明図、第
２〜３図はそれぞれ本発明の装置の異なった実施態様の
電極対配置に関する説明図、第４〜５図はいずれも従来
から使用されている成膜装置に関する説明図である。 （図面の主要符号） （１）、（１ａ）、（Ｉｂ） ： ＲＦ電極（２）：絶
縁剤 （３）、（３ａ）、（３ｂ） ニゲランド電極（６ａ）
：可変コンデンサー （６ｂ）：固定コンデンサー ２１図 第２国 第３図
２〜３図はそれぞれ本発明の装置の異なった実施態様の
電極対配置に関する説明図、第４〜５図はいずれも従来
から使用されている成膜装置に関する説明図である。 （図面の主要符号） （１）、（１ａ）、（Ｉｂ） ： ＲＦ電極（２）：絶
縁剤 （３）、（３ａ）、（３ｂ） ニゲランド電極（６ａ）
：可変コンデンサー （６ｂ）：固定コンデンサー ２１図 第２国 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ＲＦ電極の両側に設置した基板上にグロー放電分解
法により半導体膜を成膜する装置において、電気的に絶
縁され、互に平行に配置されたＲＦ電極の少なくとも一
方に直列に接続されたＲＦ調節手段、ＲＦ調節手段が接
続されているばあいにはＲＦ調節手段を介して、ＲＦ調
節手段が接続されていないばあいには直接、それぞれの
ＲＦ電極に接続された１つのマッチング回路、該ＲＦ電
極のそれぞれと対面するように設けられたグランド電極
からなることを特徴とするグロー放電型成膜装置。 ２ 前記ＲＦ調節手段が固定または可変のコンデンサー
である特許請求の範囲第１項記載の成膜装置。 ３ 前記互に平行に配置されたＲＦ電極およびグランド
電極からなる電極対を１〜１００対平行に配置した特許
請求の範囲第１項記載の成膜装置。 ４ 前記基板を前記ＲＦ電極との距離を保持したまま移
動させる手段を有する特許請求の範囲第１項記載の成膜
装置。 ５ 前記移動手段が繰返しの振幅移動手段である特許請
求の範囲第４項記載の成膜装置。 ６ 前記移動手段が一方向への移動手段である特許請求
の範囲第４項記載の成膜装置。 ７ 前記グロー放電を行なうばあいの周波数が１〜１０
０ＭＨｚとなる電極対を有する特許請求の範囲第１項、
第２項、第３項、第４項、第５項または第６項記載の成
膜装置。 ８ 前記基板を加熱しうるようにヒーターが設けられて
いる特許請求の範囲第１項、第２項、第３項、第４項、
第５項、第６項または第７項記載の成膜装置。 ９ 前記グロー放電型成膜装置が多室構造を有する特許
請求の範囲第１項、第２項、第３項、第４項、第５項、
第６項、第７項または第８項記載の成膜装置。 １０ 前記多室構造が、スリットを有する隔壁で仕切ら
れ、仕切られた室が差動排気される手段を有する特許請
求の範囲第１項、第２項、第３項、第４項、第５項、第
６項、第７項、第８項または第９項記載の成膜装置。
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1985
- 1985-06-29 CN CN 85104968 patent/CN1014082B/zh not_active Expired
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