JPS6187872A - 平行平板型プラズマｃｖｄ装置のアノ−ド電極 - Google Patents
平行平板型プラズマｃｖｄ装置のアノ−ド電極Info
- Publication number
- JPS6187872A JPS6187872A JP20815984A JP20815984A JPS6187872A JP S6187872 A JPS6187872 A JP S6187872A JP 20815984 A JP20815984 A JP 20815984A JP 20815984 A JP20815984 A JP 20815984A JP S6187872 A JPS6187872 A JP S6187872A
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- JP
- Japan
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- cylinder
- anode electrode
- gas
- piston
- pipe
- Prior art date
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- Pending
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は平行平板型プラズマＣＶＤ装置の均一成膜に係
り、特に他の成膜条件の変化に対応して均一成膜を実現
する場合に好適な濃度分布可変ガス吹出口に関する。
り、特に他の成膜条件の変化に対応して均一成膜を実現
する場合に好適な濃度分布可変ガス吹出口に関する。
従来の装置は、特開昭５６−９４７４８に記載のように
、アノード電極内に仕切り板が固定されており、ある特
定の成膜条件にのみ対応する様になっていた。しかし、
同一の装置を分解、追加工することなく他の成膜条件に
対応させる点については配慮されていなかった。
、アノード電極内に仕切り板が固定されており、ある特
定の成膜条件にのみ対応する様になっていた。しかし、
同一の装置を分解、追加工することなく他の成膜条件に
対応させる点については配慮されていなかった。
本発明の目的は、成膜条件の変化に対応して原料ガス吹
出口に任意の濃度分布を与え、成膜条件が変わっても均
一な膜厚分布を実現するガス吹出口を提供することにあ
る。
出口に任意の濃度分布を与え、成膜条件が変わっても均
一な膜厚分布を実現するガス吹出口を提供することにあ
る。
原料ガスを一様な濃度で吹出した場合、２枚の平行平板
電極の間の領域では濃度はほぼ一様となるが、プラズマ
の電子密度のばらつきや、流速の違いによって発生する
ラジカルの濃度に分布が生ずる。したがって、電子密度
や流速のばらつきを相殺する様に原料ガスの濃度にあら
かじめ分布を与えておけば１発生するラジカルの濃度を
一様にすることができ、均一な膜厚分布が得られる。こ
のとき、成膜条件によって原料ガスの濃度に与えるべき
分布が異なるから、ガス吹出口を数個の同心円状の板で
仕切り、高濃度の原料ガスと不活性のキャリアガスの吹
出しの位置を単純な機構で変え得る様にした。
電極の間の領域では濃度はほぼ一様となるが、プラズマ
の電子密度のばらつきや、流速の違いによって発生する
ラジカルの濃度に分布が生ずる。したがって、電子密度
や流速のばらつきを相殺する様に原料ガスの濃度にあら
かじめ分布を与えておけば１発生するラジカルの濃度を
一様にすることができ、均一な膜厚分布が得られる。こ
のとき、成膜条件によって原料ガスの濃度に与えるべき
分布が異なるから、ガス吹出口を数個の同心円状の板で
仕切り、高濃度の原料ガスと不活性のキャリアガスの吹
出しの位置を単純な機構で変え得る様にした。
以下、本発明の一実施例を第１図、第２図により説明す
る。第１図は平行平板型プラズマＣＶＤ装置の真空チャ
ンバ内の構造を示す断面図である。アノード電極１とカ
ソード電極２に高周波電力を印加し、これらの間にプラ
ズマ領域生させるつアノード電極より吹出した原料ガス
は、プラズマ領域を通過する際に活性化され、基板３上
に膜を堆積する。
る。第１図は平行平板型プラズマＣＶＤ装置の真空チャ
ンバ内の構造を示す断面図である。アノード電極１とカ
ソード電極２に高周波電力を印加し、これらの間にプラ
ズマ領域生させるつアノード電極より吹出した原料ガス
は、プラズマ領域を通過する際に活性化され、基板３上
に膜を堆積する。
第２図は、原料ガスに任意の濃度分布をつけるためのガ
ス吹出口兼アノード電極である。電極の外壁１に多孔板
４がついており、中央部にシリンダー７が組込まれてい
る。多孔板の穴は数枚の円錐状の仕切り６によって、シ
リンダ７の側壁に設けられた穴に通じている。またシリ
ンダ７のｌ！Ｉｍ上部にパイプ９が取付けられており、
このパイプより不活性のキャリアガスン導入する。一方
シリンダ７内をパイプ８乞取付ケたピストン５がスライ
ドする。パイプ８からは高濃度の原料ガスを導入する。
ス吹出口兼アノード電極である。電極の外壁１に多孔板
４がついており、中央部にシリンダー７が組込まれてい
る。多孔板の穴は数枚の円錐状の仕切り６によって、シ
リンダ７の側壁に設けられた穴に通じている。またシリ
ンダ７のｌ！Ｉｍ上部にパイプ９が取付けられており、
このパイプより不活性のキャリアガスン導入する。一方
シリンダ７内をパイプ８乞取付ケたピストン５がスライ
ドする。パイプ８からは高濃度の原料ガスを導入する。
したがって原料ガスは、ピストン５よりも下にあるシリ
ンダ側壁の穴より出て、円錐状の仕切り６で狭まれた領
域を通り多孔板２の穴よりチャンバ内へ吹出シ、一方キ
ャリアガスは、ピストンより上にあるシリンダ側壁の穴
より出て、同様にチャンバ内へ吹出す。多孔板の穴のう
ち、ある半径内より内側にある穴からは高濃度の原料ガ
スが、これより外側にある穴からはキャリアガスが吹出
すことになり、またこの半径をピストンのスライドによ
り変えることができる。
ンダ側壁の穴より出て、円錐状の仕切り６で狭まれた領
域を通り多孔板２の穴よりチャンバ内へ吹出シ、一方キ
ャリアガスは、ピストンより上にあるシリンダ側壁の穴
より出て、同様にチャンバ内へ吹出す。多孔板の穴のう
ち、ある半径内より内側にある穴からは高濃度の原料ガ
スが、これより外側にある穴からはキャリアガスが吹出
すことになり、またこの半径をピストンのスライドによ
り変えることができる。
一般には中央部がガス流速が速く、プラズマ領域の滞在
時間が短かいので活性化されｆｆ＜＜中央部を高濃度に
してやる必要があるが、成膜条件によっては、パイプ８
にキャリアガス、パイプ９に高濃度の原料ガスを導入し
て、多孔板の周辺部を高濃度とすることも可能である。
時間が短かいので活性化されｆｆ＜＜中央部を高濃度に
してやる必要があるが、成膜条件によっては、パイプ８
にキャリアガス、パイプ９に高濃度の原料ガスを導入し
て、多孔板の周辺部を高濃度とすることも可能である。
本発明によれば、成膜条件の変更（例えば、圧力の変化
、ＲＦパワーの変化、原料ガスの変更など）によるプラ
ズマの電子密度の変化や流速の変化に応じて、これらを
相殺する様にガス吹出口における原料ガスの濃度分布を
変えることができる。またその際１ｆ、装置の分解、追
加工は必要でなくピストンのスライドのみで調整可能で
あるから、簡便に均一成膜が実現できる効果がある。ま
た、ピストンとシリンダとの摺動面は成膜中に動かすこ
とはないので、そのシールは特に技術的に困Ｗな点はな
い。
、ＲＦパワーの変化、原料ガスの変更など）によるプラ
ズマの電子密度の変化や流速の変化に応じて、これらを
相殺する様にガス吹出口における原料ガスの濃度分布を
変えることができる。またその際１ｆ、装置の分解、追
加工は必要でなくピストンのスライドのみで調整可能で
あるから、簡便に均一成膜が実現できる効果がある。ま
た、ピストンとシリンダとの摺動面は成膜中に動かすこ
とはないので、そのシールは特に技術的に困Ｗな点はな
い。
第１図は本発明に係る平行平板型プラズマＣＶＤ装置の
チャンバ内の構造を示す断面図、第２図は本発明の実施
例であるガス吹出口兼アノード電極の断面図である。 １・・・アノード電極、 ２・・・カソード電極、
３１１．基板、 ４・・・多孔板、５・・
・ピストン、 ６・・・円錐上仕切り、７・・
・シリンダ、 ８・・・ガス導入パイプ、９・
・・ガス導入パイ１つ
チャンバ内の構造を示す断面図、第２図は本発明の実施
例であるガス吹出口兼アノード電極の断面図である。 １・・・アノード電極、 ２・・・カソード電極、
３１１．基板、 ４・・・多孔板、５・・
・ピストン、 ６・・・円錐上仕切り、７・・
・シリンダ、 ８・・・ガス導入パイプ、９・
・・ガス導入パイ１つ
Claims (1)
- １、真空排気手段とガス供給手段と多孔のガス吹出口を
有するアノード電極とこれに対向し基板を取付けたカソ
ード電極と、これらの電極を含み所定の低圧雰囲気を保
持するチャンバを有する平行平板型プラズマＣＶＤ装置
において、多孔のガス吹出口を有するアノード電極内に
、ガス供給口を有しかつ側面に多孔の吹出口を有するシ
リンダと、該シリンダの小孔ヒアノード電極の小孔とを
連結する流路を形成する複数個の部材と、該シリンダ内
を摺動可能に、かつ中央部にガス供給口を備えたピスト
ンを取付けたことを特徴とする平行平板型プラズマＣＶ
Ｄ装置のアノード電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20815984A JPS6187872A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | 平行平板型プラズマｃｖｄ装置のアノ−ド電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20815984A JPS6187872A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | 平行平板型プラズマｃｖｄ装置のアノ−ド電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6187872A true JPS6187872A (ja) | 1986-05-06 |
Family
ID=16551624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20815984A Pending JPS6187872A (ja) | 1984-10-05 | 1984-10-05 | 平行平板型プラズマｃｖｄ装置のアノ−ド電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6187872A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62172716A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-29 | Canon Inc | 堆積膜形成装置 |
| JPS63274126A (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-11 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 高周波印加電極構成体 |
| JPH0189957U (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-13 | ||
| JPH02200784A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-09 | Koujiyundo Kagaku Kenkyusho:Kk | Ｃｖｄ電極 |
| JPH05345979A (ja) * | 1992-06-15 | 1993-12-27 | Chugai Ro Co Ltd | プラズマ成膜装置における成膜方法 |
| US5532190A (en) * | 1994-05-26 | 1996-07-02 | U.S. Philips Corporation | Plasma treatment method in electronic device manufacture |
| KR20030078203A (ko) * | 2002-03-28 | 2003-10-08 | (주)한백 | 유기금속화학증착장치용 반응기의 가스분사장치 |
| KR20140095440A (ko) * | 2013-01-24 | 2014-08-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
-
1984
- 1984-10-05 JP JP20815984A patent/JPS6187872A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62172716A (ja) * | 1986-01-27 | 1987-07-29 | Canon Inc | 堆積膜形成装置 |
| JPS63274126A (ja) * | 1987-05-06 | 1988-11-11 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 高周波印加電極構成体 |
| JPH0189957U (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-13 | ||
| JPH0543096Y2 (ja) * | 1987-12-09 | 1993-10-29 | ||
| JPH02200784A (ja) * | 1989-01-30 | 1990-08-09 | Koujiyundo Kagaku Kenkyusho:Kk | Ｃｖｄ電極 |
| JPH05345979A (ja) * | 1992-06-15 | 1993-12-27 | Chugai Ro Co Ltd | プラズマ成膜装置における成膜方法 |
| US5532190A (en) * | 1994-05-26 | 1996-07-02 | U.S. Philips Corporation | Plasma treatment method in electronic device manufacture |
| KR20030078203A (ko) * | 2002-03-28 | 2003-10-08 | (주)한백 | 유기금속화학증착장치용 반응기의 가스분사장치 |
| KR20140095440A (ko) * | 2013-01-24 | 2014-08-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 |
| JP2014143101A (ja) * | 2013-01-24 | 2014-08-07 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
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