JPS6183055A - Preparation of thermal head - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To reduce the irregularity in the resistance of the heat generating resistor of a thick film type thermal head, by reducing the resistance value by applying a voltage pulse to the heat generating resistor. CONSTITUTION:The initial setting of a pulse condition such as the peak value Vs of apply voltage or the number (n) of pulses is performed by a calculation part 12. Next, probing is applied to a thermal head 7 of which the resistance value is equal to or more than a predetermined value R0 and, after the above mentioned set pulse is added from a pulse generation circuit 10, the resistance value of the above mentioned thermal head 7 is measured by a resistance meter 11. At this time, the preceding measured value is compared with lately measured value by the calculation part 12 and, when the lately measured value is high, this value is not employed and probing is applied to the separate place of the above mentioned thermal head 7 to again perform measurement and, if the measured resistance value is lower than the preceding one, said value is further compared with the adjusted objective value R0 and the peak value Vs is increased by DELTAV, until the resistance value reaches R0 or less, to adjust the resistance value. By this method, the irregularity in the resistance value is reduced.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は主としてファクシミリやプリンタに使用される
サーマルヘッドの製造方法に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates primarily to a method of manufacturing a thermal head used in facsimiles and printers.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

現像、定着の必要がなく、無騒音、メインテナン７リー
であり、信頼性の高いサーマルヘッドが、感熱記碌紙の
向上とともに普及している０感熱記録は、基板上に設け
た抵抗体に、記録電流を印加し、抵抗体に流れた電流に
より生ずるジュール熱を利用して、抵抗体上忙接する感
熱紙を発色させたり、熱転写紙のインク層を溶融させ、
被転写紙に記録信号情報を印字記録する技術である。0 thermal recording, which does not require development or fixing, is noiseless, requires only 7 maintenance, and has a highly reliable thermal head, has become popular with the improvement of thermal recording paper. , applying a recording current and using the Joule heat generated by the current flowing through the resistor to color the thermal paper that is in contact with the resistor, or to melt the ink layer of the thermal transfer paper.
This is a technology that prints and records recording signal information on transfer paper.

サーマルヘッドの一般構造図を第９図に示す。A general structural diagram of the thermal head is shown in FIG.

サーマルヘッドは絶縁基板（１）上Ｋ　Ａ４Ａｕ、Ｃｕ
等の良電気導体材料にて成膜技術により構成したリード
部（２）とそれに両端を接続した膜状のエレメント抵抗
体（３）で全体で発熱素子を構成される。１絶縁基板（
１）の材料にはアルミナセラミック基板又はグレーズ層
付アルミナセラミック基板を使用する事が多い。エレメ
ント抵抗体（３）の材料として薄膜方式の場合はＴａ２
Ｎ　ｊＴａ−８ｉｎ□、　Ｔａ　−８ｉ　、　Ｎｉ−Ｃ
ｕＴ１□０３等の材料が用いられる。The thermal head is on the insulating substrate (1) K A4Au, Cu
A heat generating element is constituted by a lead part (2) made of a good electrical conductor material such as the following by film-forming technology, and a film-like element resistor (3) connected to both ends thereof. 1 Insulated substrate (
For the material 1), an alumina ceramic substrate or an alumina ceramic substrate with a glaze layer is often used. In the case of a thin film type, Ta2 is used as the material for the element resistor (3).
N jTa-8in□, Ta-8i, Ni-C
A material such as uT1□03 is used.

又、厚膜方式の場合はＲｕ　２０　、　ＰｔＯ”　ノ貴
金属ノ酸化物をガラス材と混合して塗付して焼結する。In the case of a thick film method, noble metal oxides such as Ru 20 and PtO'' are mixed with a glass material, applied, and sintered.

図示しないが、エレメント抵抗体（３）を形成した後こ
れを保護するためのガラス膜を焼成する。Although not shown, after forming the element resistor (3), a glass film for protecting it is fired.

このサーマルヘッドのリード部両端に一定の電圧を一定
時間印加した場合、ジュール熱により抵抗体部に熱が発
生する。この熱は第１０図の様に構成する記録装置のＡ
部分で感熱紙（５）に伝達され感熱紙（５）が発色して
その表面に印画される。なお、第１０図において、第９
図と同一符号は相当部分を示す。Ｐはロール（４）の押
圧力向を示す。When a constant voltage is applied to both ends of the lead portion of this thermal head for a certain period of time, heat is generated in the resistor portion due to Joule heat. This heat is absorbed by the A of the recording device configured as shown in Figure 10.
The light is transmitted to the thermal paper (5) at a certain portion, and the thermal paper (5) develops color and is printed on its surface. In addition, in Fig. 10, the 9th
The same symbols as in the figure indicate corresponding parts. P indicates the pressing force direction of the roll (4).

一般に、例えばファクシミリ用のサーマルヘッドは、発
熱抵抗体として、１ヘッド当シ約２０００個の抵抗体が
独立して並列に設けられている０これらの発熱抵抗体は
、そのジュール熱により表面温度が、２５０”Ｃ〜６０
０℃程度まで加熱され、この温度に到達させるに等しい
印加エネルギーは１、サーマルヘッド各々の解像度によ
り異なるが、約０．２ｍＪ　（ジュール）〜２ｍＪ必要
とされる０従来よりこのサーマルヘッドには、抵抗体の
製造プロセスおよびその材料の違いによシ、厚膜形と薄
膜形および半導体形があった。厚膜形はペースト状の抵
抗材料を用いて、あらかじめ所望とするパターンをスク
リーンやフォトレジスト膜に形成しておき、スクリーン
印刷技術により抵抗材料を印刷、又は埋込み、後工程と
して焼成することで発熱抵抗体が形成される。薄膜形は
主としてタンタル系材料を蒸着又はスパッタリングし、
あらかじめ抵抗体となりうる基本パターンを形成しその
後、フォトエツチングにより所望パターンの独立した抵
抗体に仕上げる。半導体形は、たとえばシリコン基材の
一部に抵抗拡散を行い、抵抗体を形成し、Ｐ−Ｎ接合面
の発熱を利用するもので半導体製造工程とほぼ同一手段
を用いる。Generally, for example, a thermal head for a facsimile has approximately 2000 resistors arranged independently and in parallel as heat generating resistors per head.The surface temperature of these heat generating resistors increases due to their Joule heat. , 250”C~60
The thermal head is heated to about 0°C, and the applied energy equivalent to reaching this temperature is 1. Although it varies depending on the resolution of each thermal head, about 0.2 mJ (joule) to 2 mJ is required. Depending on the manufacturing process and material used for resistors, there are thick film types, thin film types, and semiconductor types. For the thick film type, a desired pattern is formed in advance on a screen or photoresist film using a paste-like resistive material, the resistive material is printed or embedded using screen printing technology, and is fired as a post-process to generate heat. A resistor is formed. The thin film type is mainly made by vapor depositing or sputtering tantalum-based materials,
A basic pattern that can become a resistor is formed in advance, and then an independent resistor with a desired pattern is finished by photo-etching. In the semiconductor type, for example, resistance is diffused into a part of a silicon base material to form a resistor, and heat generated at the P-N junction surface is utilized, and almost the same means as in the semiconductor manufacturing process is used.

以上・３種の製造方法のうち実用化が実施されているの
は、厚膜形と薄膜形である。ところで薄膜形は、その製
造工程は多大であるが、発熱抵抗体の抵抗値のばらつき
は少なく、微細ノくターンが形成できるという大きな利
点を持っている０反面厚膜形は、比較的短い製造工程に
よって安価に製造可能であるが、発熱抵抗体の抵抗値の
ばらつきが大きいという重大な欠点を持ち合わせていた
。感熱記録は、抵抗体の抵抗値により決定され、発生す
るジュール熱を利用するため、抵抗値のばらつきはｉ然
その上に印字される画質の濃度ムラの原因となる。１ 第１１図はサーマルヘッドを構成する各エレメント抵抗
体の抵抗値Ｒ１，Ｒ２，−−−Ｒ，、の−例を示すり通
常薄膜形の抵抗値ばらつきは、土５％〜±１５チ以内に
均一化されているのに対し、厚膜形は土１５チ〜土３０
チにばらついており、薄膜形より劣っているのに一生流
を成しているのは、過負荷電力、耐摩耗性に代表される
信頼性の良さと低コストという大きな利点を持ち合わせ
ている故である。厚膜形でも最近は、微細パターンの形
成は薄膜形に劣らず作成することが可能となった。たと
えば導体パターンの形成においては、印刷膜厚は従来３
μｍ以上必要とされていたが、３０００Å以下の導体膜
厚でも構成できる０この利点は、フォトエツチング時の
エツチングファクターが従来２０μｍｌ−萎したのに比
べ、薄膜形と同程度、即ちほぼ零のエツチング７アクタ
となることによる。−刃厚膜形の抵抗値のばらつきの改
善に関しては、メツシュスクリーンやメタルマスクスク
リーンの改良など従来のスクリーン印刷技術の向上のほ
かに、たとえば特公昭５９−２２６７５号に記載されで
ある厚膜抵抗体のフォトエツチングや、特公昭５７−１
８５０６号に記載されである厚膜抵抗体をフォトレジス
トパターンに埋込む方法、特開昭５４−９９４４３号に
記載しである厚膜抵抗体の表面研磨処理をする方法等が
ある。さらには昭５５−４’Ｆ３９’／に記載しである
ように薄膜導体に厚膜抵抗を印刷したものがある。Of the above three manufacturing methods, the ones that have been put into practical use are the thick film type and the thin film type. By the way, the thin film type requires a long manufacturing process, but has the great advantage of having little variation in the resistance value of the heating resistor and being able to form fine turns.On the other hand, the thick film type requires a relatively short manufacturing process. Although it can be manufactured at low cost depending on the process, it has a serious drawback of large variations in the resistance value of the heating resistor. Thermosensitive recording is determined by the resistance value of a resistor and utilizes the generated Joule heat, so variations in resistance value naturally cause density unevenness in the image quality printed thereon. 1 Figure 11 shows an example of the resistance values R1, R2, ---R, etc. of each element resistor that makes up the thermal head. Normally, the resistance value variation of the thin film type is within 5% to ±15 inches. The thickness of the thick film type is 15 cm to 30 cm.
The reason why it has become popular even though it is inferior to thin film type is that it has great advantages such as high reliability represented by overload power and wear resistance, and low cost. It is. Recently, it has become possible to form fine patterns with thick film types as well as with thin film types. For example, in the formation of conductor patterns, the printing film thickness is conventionally 3
This advantage is that the etching factor during photoetching is about the same as that of the thin film type, that is, almost zero, compared to the conventional etching factor of 20 μml. 7 Actor. - In order to improve the variation in the resistance value of thick film type blades, in addition to improving conventional screen printing technology such as improving mesh screens and metal mask screens, for example, the thick film method described in Japanese Patent Publication No. 59-22675 Photo-etching of resistors, Special Publication No. 57-1
There is a method of embedding a thick film resistor in a photoresist pattern as described in Japanese Patent Laid-Open No. 8506, and a method of surface polishing a thick film resistor as described in Japanese Patent Laid-Open No. 54-99443. Furthermore, there is one in which a thick film resistor is printed on a thin film conductor, as described in 1982-4'F39'/.

これらは、発熱抵抗体の形状を均一化し、その効果によ
る抵抗値のばらつきを改善しようとしたものである。These attempts are to make the shape of the heating resistor uniform and to improve the variation in resistance value caused by this effect.

また、厚膜抵抗材料の改良も進められてきた〇厚膜抵抗
材料としては、たとえば、特開昭５３−９５Ｑ号および
特開昭５３−９５４３号に記載の酸化ルテニウと、高融
点７リツトガラス、酸化ジルコニウム等が適当である。Improvements in thick film resistance materials have also been made. Thick film resistance materials include, for example, ruthenium oxide described in JP-A-53-95Q and JP-A-53-9543, high melting point 7 lithium glass, Zirconium oxide and the like are suitable.

しかしこれらは主として、厚膜形サーマルヘッドとして
の信頼性を保持するために改良されたものであり、発熱
抵抗値のバラツキの改善とはなっていない。ところで厚
膜抵抗体の形状が幾度学的に薄膜抵抗体と同等に整った
とした場合、本当に抵抗値のばらつきが薄膜抵抗体と同
等になるのかという疑問がある。理論的には抵抗体の抵
抗値は次式で示される。However, these improvements were mainly made to maintain reliability as a thick-film thermal head, and did not improve the variation in heating resistance values. By the way, if the shape of a thick film resistor is geometrically arranged to be the same as that of a thin film resistor, there is a question as to whether the variation in resistance value will really be the same as that of a thin film resistor. Theoretically, the resistance value of the resistor is expressed by the following equation.

Ｒ＝ｐ・□　（Ω） −ｔ ここで、ｐ：抵抗体の比抵抗（Ω−ａｍ）ｔ：抵抗体の
長さくａｍ） Ｗ：抵抗体の＠　　（ａｍ） ｔ：抵抗体の厚み（ａｍ） スクリーンで印刷された発熱抵抗体は通常その抵抗体の
長さくｔ）、抵抗体の幅（Ｗ）、抵抗体の厚み（１）共
に、わずかにばらつくが、終局的に問題となるのは厚膜
抵抗材料が基本的にある大きさの粒径を保持する酸化ル
テニウム、ガラスフリット。R=p・□ (Ω) −t Here, p: Specific resistance of the resistor (Ω-am) t: Length of the resistor (am) W: @ (am) of the resistor t: Thickness of the resistor ( am) Screen-printed heating resistors usually have slight variations in the resistor length (t), resistor width (W), and resistor thickness (1), but this ultimately becomes a problem. A thick film resistive material is basically a ruthenium oxide glass frit that maintains a certain particle size.

酸化ジルコニウム等の焼成時に生ずる結合度の差異によ
り生ずる抵抗体の比抵抗そのもののばらつきであり、結
果生ずる抵抗値のはらつきである０これは厚膜製造工程
の厳密なスクリーン印刷、および焼成条件、さらにはそ
れら発熱抵抗体を製造の前工程抜工程度の改善によって
も解決されない。This is a variation in the specific resistance of the resistor itself caused by differences in the degree of bonding that occur during firing of zirconium oxide, etc., and the resulting fluctuation in resistance value. This is due to the strict screen printing and firing conditions of the thick film manufacturing process, Furthermore, the problem cannot be solved even by improving the pre-processing process for manufacturing these heating resistors.

これは、酸化ルテニウム等の粒径が特開昭５３−９５４
４号に記載にもあるように５μｍと無視できない大きさ
であるということ、また、厚膜抵抗体の抵抗値の決定に
は主として酸化ルテニウムガラス７リツトとの接触界面
のＭ、−Ｉ、−Ｍ、　（メタルーインシエレーターメタ
ル）の不均質結合状態による原因が終局的にあるからで
ある。基本的に厚膜抵抗材料がその焼成温度、雰囲気、
焼成スピードに同一材料にもかかわらず抵抗値が大幅に
変化するのは％　Ｍ＠””−””ａの結合状態が変化す
るためと推定できる。This is because the particle size of ruthenium oxide, etc. is
As stated in No. 4, the size is 5 μm, which cannot be ignored, and the determination of the resistance value of a thick film resistor is mainly based on M, -I, - at the contact interface with the ruthenium oxide glass 7 liters. This is because the cause is ultimately due to the inhomogeneous bonding state of M, (metal-incillator metal). Basically, thick film resistance materials are
The reason why the resistance value changes significantly despite the firing speed and the same material is presumed to be due to the change in the bonding state of %M@""-""a.

そこで、酸化ルテニウム、ガラス７リツト等の粒径をさ
らに緻密化した厚膜抵抗材料が最近市販されるようにな
った。しかし、目標とする効果は得られなかった。Therefore, thick film resistive materials such as ruthenium oxide and glass 7 lithium oxide, which have finer grain sizes, have recently become commercially available. However, the desired effect was not achieved.

以上から、接触界面の不均一による厚膜抵抗の　　□ば
らつきを改善しないことＫは、結局抵抗値のばらつきが
改善されないことがわかる０ところで、抵抗体のばらつ
きの改善に関しては従来からレーザートリミング法など
を利用して、抵抗値の調整等を主として厚戻回路基板、
薄膜回路基板等で実施されている。また、特開昭５８−
７３６０号又は特開昭５８−７３６０号記載の液体噴射
記録ヘッドでは薄膜抵抗素子をレーザートリミングし、
電気−熱変換特性に合わせるように抵抗値を調整してい
る。From the above, it can be seen that not improving the variation in thick film resistance due to non-uniformity of the contact interface means that the variation in the resistance value will not be improved in the end.In order to improve the variation in the resistor, there have been conventional methods such as laser trimming. Mainly uses thick return circuit boards to adjust resistance values, etc.
This is implemented on thin film circuit boards, etc. Also, JP-A-58-
In the liquid jet recording head described in No. 7360 or JP-A-58-7360, the thin film resistive element is laser trimmed,
The resistance value is adjusted to match the electrical-thermal conversion characteristics.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

厚膜抵抗体の抵抗値のばらつきを改善する従来の方法は
いづれも不十分なものであった。発熱抵抗体上部に位置
し感熱紙を圧接する回転ローラの躍動による機械的振動
があるため、衝撃に弱い化学的トリミング方法は使用で
きない。また、均一な温度分布を必要とするので発熱抵
抗体の形状も重要な要素となるため、レーザ、ダイヤモ
ンドカット、サンドブラスト等の機械的トリミング法で
は、形状の変化によりサーマルヘッドの性能を悪化させ
るため使用できなかった。All conventional methods for improving the variation in resistance values of thick film resistors have been insufficient. Chemical trimming methods, which are susceptible to impact, cannot be used because of the mechanical vibration caused by the movement of the rotating roller located above the heating resistor and pressing against the thermal paper. In addition, since uniform temperature distribution is required, the shape of the heating resistor is also an important factor. Mechanical trimming methods such as laser, diamond cutting, and sandblasting can deteriorate the performance of the thermal head due to changes in shape. Couldn't use it.

この発明は厚膜形サーマルヘッドの発熱抵抗体の形状を
変えることなく、その抵抗値を変化して製造する方法を
提供することを目的とする０〔問題点を解決するための
手段〕 この発明はサーマルヘッドの発熱抵抗体に電圧パルスを
印加することにより抵抗値を減少させ、抵抗のばらつき
を減少せしめる。An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a thick-film thermal head by changing its resistance value without changing the shape of the heating resistor. By applying a voltage pulse to the heating resistor of the thermal head, the resistance value is reduced and the variation in resistance is reduced.

〔作用〕[Effect]

この発明では電圧パルスの印加によって発熱抵抗体の抵
抗値が減少することを利用して、抵抗値のばらつきを著
しく減少させることができる０これにより、サーマルヘ
ッドの印字画質の濃度ムラを著しく減少させることがで
きる。In this invention, by utilizing the fact that the resistance value of the heating resistor decreases due to the application of a voltage pulse, it is possible to significantly reduce the variation in the resistance value.Thus, the density unevenness of the printed image quality of the thermal head can be significantly reduced. be able to.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

この発明によるサーマルヘッドの生産方法は主要な生産
プロセスの後に、発熱抵抗体の抵抗値を減少させるプロ
セスｅ−４施する。即ち、基板上に発熱抵抗体、リード
線、保護ガラス膜を形成した後に、本発明による抵抗値
を減少させるプロセスを実施する。In the method for producing a thermal head according to the present invention, after the main production process, process e-4 is performed to reduce the resistance value of the heating resistor. That is, after forming the heating resistor, lead wire, and protective glass film on the substrate, the process of reducing the resistance value according to the present invention is performed.

第１図は本発明によるサーマルヘッドの生産方法の原理
を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing the principle of a method for producing a thermal head according to the present invention.

この発明は厚膜抵抗体に電圧を印加すると抵抗値が低下
するという現象を利用している。この現象はＭ　Ｉ　Ｓ
　（ｈｉｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−８ｅｍｉｃｏ
ｎｄｕｃｔｏｒ）構造をもつ厚膜抵抗体の絶縁物（工ｎ
５ｕｌａｔｏｒ）が電圧によりブレークスルーするため
であるとも考えられている。ともかく、抵抗体の物理的
性質が電圧印加により変化していることは確実である。This invention utilizes the phenomenon that when a voltage is applied to a thick film resistor, the resistance value decreases. This phenomenon is M.I.S.
(hietal-Insulator-8emico
Thick film resistor with insulator structure
It is also believed that this is due to the breakthrough of the 5ulator) caused by voltage. In any case, it is certain that the physical properties of the resistor change due to the application of voltage.

第１図は当初の抵抗値がＲ１，Ｒ２，Ｒ３である発熱抵
抗体の抵抗値をＲｏに調整する場合を示しているＯ 先づ最初に各発熱抵抗体の抵抗値を測定し、目標とする
抵抗値Ｒ８と比較する。Ｒ４のようＫＲｏより低い抵抗
値をもつ発熱抵抗体に対しては電圧パルスは印加しない
。Ｒｏより大きい抵抗値Ｒ１，Ｒ２゜Ｒ３を持つ発熱抵
抗体に対し電圧パルスを印加するＯ 最初に波高値の初期設定がＶ。である電圧パルスを印加
して抵抗値を減少させる。減少後の抵抗値を測定し、そ
の値がＲ８以上であればＶ。＋ΔＶの波高値の電圧パル
スを印加する。その後抵抗値を測定し、その値がＲ８以
上であればＶ。＋２ΔＶの波高値を持つ電圧パルスを印
加する０このように抵抗値がＲ８以下になるまで次第に
印加電圧パルスの波高値を高くしながら次第に抵抗値を
減少させて行く。抵抗値がＲ８以下になればそこでｙＩ
整を終了する。このようにして発熱体の抵抗値をＲ８以
下の一定範囲内に揃える。抵抗値のばらつきを少なくす
るのがこの発明の目的であるから、抵抗値がＲ６以下に
なりさえすれば良いのでなく、Ｒｏ以下の一定範囲内に
あることを要する。そのため少しづつ抵抗値を減少させ
て行き、Ｒ，以下になった時点で止めるのである。Figure 1 shows the case where the resistance values of heating resistors whose initial resistance values are R1, R2, and R3 are adjusted to Ro. Compare it with the resistance value R8. No voltage pulse is applied to a heating resistor such as R4 having a resistance value lower than KRo. A voltage pulse is applied to the heating resistor having resistance values R1, R2°R3 that are larger than Ro. First, the initial setting of the peak value is V. A voltage pulse is applied to reduce the resistance value. Measure the resistance value after the decrease, and if the value is R8 or more, it is V. A voltage pulse with a peak value of +ΔV is applied. After that, measure the resistance value, and if the value is R8 or more, it is V. A voltage pulse having a peak value of +2ΔV is applied. In this way, the resistance value is gradually decreased while gradually increasing the peak value of the applied voltage pulse until the resistance value becomes R8 or less. If the resistance value becomes R8 or less, then yI
Finish the adjustment. In this way, the resistance value of the heating element is made to be within a certain range of R8 or less. Since the purpose of the present invention is to reduce the variation in resistance value, it is not enough that the resistance value is R6 or less, but it is required that it be within a certain range of Ro or less. Therefore, the resistance value is decreased little by little and stopped when it becomes less than R.

第２図および第３図は本発明の製造方法を実施しない場
合と実施した場合の発熱抵抗体の抵抗値の分布を示す図
である。何個かの発熱抵抗体を一グループとし、その中
の最大値を白丸印、平均値を黒丸印、最小値をＸ印で示
している。FIGS. 2 and 3 are diagrams showing the distribution of resistance values of the heating resistor when the manufacturing method of the present invention is not implemented and when it is implemented. A number of heating resistors are grouped into one group, and the maximum value is indicated by a white circle, the average value is indicated by a black circle, and the minimum value is indicated by an X.

実施しない場合は抵抗値のばらつきは非常に大きいが、
実施した場合はほとんどばらつきがなくなっていること
がわかる。If it is not carried out, the variation in resistance value will be very large, but
It can be seen that when implemented, there is almost no variation.

第４図はこの発明の生産方法に使用する装置の一例を示
す構成図である。第５図は第４図の主要な信号の波形図
である。FIG. 4 is a configuration diagram showing an example of an apparatus used in the production method of the present invention. FIG. 5 is a waveform diagram of the main signals in FIG. 4.

（６）は調整対象のサーマルヘッド（７）に探針（グロ
ーブ）を押し当てるプルービング装置、（８）は印加電
圧パルスを所望の発熱抵抗体に導くリレー網、（９）は
電圧印加と抵抗測定とを切り換えるスイッチ、叫は調整
電圧パルスを発生するパルス発生回路、（ロ）は抵抗計
、＠は計算部、（至）はその入出力部、α→は中央演算
処理装置ｃ以下ＣＰＵと称す）、（２）はメモリ、α・
はキーボード、Ｑ″りはプリンタである。(6) is a proving device that presses a probe (globe) against the thermal head (7) to be adjusted; (8) is a relay network that guides the applied voltage pulse to the desired heating resistor; (9) is the voltage application and resistance The switch for switching between measurement and measurement, the pulse generator circuit that generates the adjustment voltage pulse, (b) the resistance meter, @ the calculation section, (to) its input/output section, α→ the central processing unit c or below, and the CPU. ), (2) is the memory, α・
is the keyboard, and Q'' is the printer.

本発明により抵抗値を減少させる手順について説明する
。The procedure for reducing the resistance value according to the present invention will be explained.

計算部（２）から印加電圧の波高値ｖ８の設定信号、１
回の電圧印加に含まれるパルス数ｎの設定信号が与えら
れている。計算部＠からの電圧印加開始信＄　５ＴＡＲ
Ｔを受けるとパルス発生回路ａ０はＥＮＡ１３ＬＫ信号
を計算部に返送する０又、スイッチ（９）がパルス発生
回路ＯＱ側に切り換わる。ＥＮＡＢＬＥ信号が出力され
ている期間は波高値ＶＳの変更と５ＴＡＲＴ信号の発生
は禁止される。これは電圧パルス印加中にお、いては、
波高値ｖ８の変更をすべきではないし、また現在の電圧
パルスの印加が終了するまでは次の電圧パルス印加の開
始信号５ＴＡＲＴ　ｔ−発するべきではないからである
。５ＴＡＲＴ信号印加後一定時間Ｔ１が経過すると、パ
ルス発生回路ｑＯは波高値がＶＢのｎ個のパルスをスイ
ッチ（９）、リレー網（８）を経てサーマルヘッド（７
）の発熱抵抗体に印加する。パルス電圧の印加が終了し
た後で２時間経過後スイッチ（９）は抵抗計０℃側へ切
り換えられる。A setting signal for the peak value v8 of the applied voltage from the calculation unit (2), 1
A setting signal for the number n of pulses included in one voltage application is given. Voltage application start signal from calculation unit @ 5TAR
When T is received, the pulse generating circuit a0 returns the ENA13LK signal to the calculating section, and the switch (9) is switched to the pulse generating circuit OQ side. During the period when the ENABLE signal is output, changing of the peak value VS and generation of the 5TART signal are prohibited. This occurs during voltage pulse application.
This is because the peak value v8 should not be changed, and the start signal 5TART t- for applying the next voltage pulse should not be issued until the application of the current voltage pulse is finished. 5 When a certain period of time T1 has elapsed after the application of the TART signal, the pulse generation circuit qO sends n pulses with a peak value of VB to the thermal head (7) via a switch (9) and a relay network (8).
) is applied to the heating resistor. Two hours after the end of the application of the pulse voltage, the switch (9) is switched to the 0° C. side of the resistance meter.

そして更ＫＴ３時間後にはＥＮＡＢＬＥ信号が解除され
て次の電圧印加が可能になる。時間Ｔ３の間に抵抗値の
測定が行われ、その測定結果が計算部（６）へ送られる
。計算部（２）ではＣＰＵＱ４Ｊが測定値を前回の測定
値と比較する。そして、前回の測定値を基準として一定
の範囲内にない場合は接触不良であると判断する。一定
の範囲の設定方法は種々あるが、前回測定値に比してよ
り高い値であるか否か比較するようにするのが最も簡単
な方法である。以下−例としてこの方法の場合を述べる
。Then, after a further KT3 time, the ENABLE signal is canceled and the next voltage application becomes possible. The resistance value is measured during time T3, and the measurement result is sent to the calculation section (6). In the calculation unit (2), CPUQ4J compares the measured value with the previous measured value. If the measured value is not within a certain range based on the previous measurement value, it is determined that there is a contact failure. There are various ways to set a certain range, but the simplest method is to compare the value to see if it is higher than the previous measured value. The case of this method will be described below as an example.

もし、前回の測定値よシも高い値が得られたならば、ｃ
ｐＵ０４はこの測定値を採用せず、ブロービング装置（
６）に対し測定対象のサーマルヘッド（７）への探針の
接触を解き、再接触さるべくリプロープ信号を送出する
。そして抵抗値の再測定が行われる。第１図から理解で
きるように、電圧パルスの印加によって抵抗値が増加す
ることはあり得ないのであって、もし増加することがあ
ればそれは探針（プローブ）の接触不良によるものと考
えられるからである。If a value higher than the previous measurement value is obtained, c
pU04 does not adopt this measurement value and uses a blobbing device (
6), the probe is released from contact with the thermal head (7) to be measured, and a reprobe signal is sent to bring the probe into contact again. Then, the resistance value is measured again. As can be understood from Figure 1, it is impossible for the resistance value to increase due to the application of a voltage pulse, and if it does increase, it is likely due to poor contact of the probe. It is.

この場合の探針の再接触であるが、前と同じ箇所に再接
触したのでは再び接触不良になる可能性がある。そこで
、再接触は藺の箇所ではなく、少し離れた箇所に対して
行う。探針の接触はリード線の先に設けられるパッドと
呼ばれる箇所にされるが、再接触は同一パッド内の少し
離れた位置にする。In this case, if the probe contacts the same point again, there is a possibility that the probe will contact again. Therefore, recontact is not done at the affected area, but at a slightly distant area. The probe makes contact at a point called a pad provided at the end of the lead wire, but makes contact again at a slightly distant location within the same pad.

抵抗測定値が前回の測定値より低ければＣＰＵα◆はこ
の測定値を採用して調整目標値Ｒ８と比較する。Ｒｏ以
下に達していなければＣＰＵａ養はＥＲＡＢＬＥ信号が
解除された後に、印加する電圧パルスの波高値の設定値
Ｖｓ　ｆΔＶだけ高めてパルス発生回路（１０に与えた
後、次回の電圧パルスの印加のための開始信号５ＴＡＲ
Ｔ　ｔ−発生する。If the measured resistance value is lower than the previous measured value, the CPU α◆ adopts this measured value and compares it with the adjustment target value R8. If the voltage has not reached Ro or below, the CPUa charge is increased by the set value Vs fΔV of the peak value of the voltage pulse to be applied after the ERABLE signal is released, and then applied to the pulse generation circuit (10) before applying the next voltage pulse. Start signal for 5TAR
T t- occurs.

このようにして、次第に印加電圧パルスの波高値を高め
ながら発熱抵抗体の抵抗値を減少させて行く。抵抗値が
調整目標値Ｒ８以下となれば、その発熱抵抗体の抵抗値
の調整は終了する。In this way, the resistance value of the heating resistor is decreased while gradually increasing the peak value of the applied voltage pulse. When the resistance value becomes equal to or less than the adjustment target value R8, the adjustment of the resistance value of the heating resistor is completed.

時限Ｔ１．Ｔ２．Ｔ３を設けているのはスイッチ＜９Ｌ
Ｕレー網（８）のチャタリングによる影響を避けるため
である。スイッチ（９）、リレー網（３）が完全に切り
換、ｔらｈる前に、パルス発生回路αＱから電圧パルス
を発生させても、そのパルスはサーマルヘッド（７）に
は印加されない。また、スイッチ（９）　、　！Ｊレー
網（８）が完全に切り換えられる前に抵抗値の測定を行
っても正確な測定はできない。Time limit T1. T2. T3 is provided for switch <9L
This is to avoid the influence of chattering in the U-Ray network (8). Even if a voltage pulse is generated from the pulse generating circuit αQ before the switch (9) and the relay network (3) are completely switched and turned off, the pulse will not be applied to the thermal head (7). Also, switch (9), ! Even if the resistance value is measured before the J-Ray network (8) is completely switched, accurate measurement cannot be made.

印加する電圧パルスは、単一パルスで与えても良いが、
むしろ数個のパルスからなるパルス群で与える方が制御
が容易である。電圧パルスのエネルギーは波高値とパル
ス巾Δｔによって規定されるが、これがあまりに大きく
なると発熱抵抗体が破壊される。そこで、電圧パルスの
エネルギーがある程度であって発熱抵抗体を破壊する危
険があるときは電圧パルスの波高値に応じてパルス巾を
減少させるよう調整しなければならない。単一パルスの
パルス巾を調整するよりはむしろ、複数のパルスカラす
るパルス群の各パルスの巾Δｔは一定としておいて、パ
ルス周期Ｔとパルス巾へｔとの比Δｔ／Ｔを波高値の変
化に応じて発熱抵抗体を破壊しない値以下に調整する力
が容易である。あるいは、Δｔ／Ｔを一定としておき、
波高値の変化に応じてパルス群を構成するパルスｌ（ｎ
を変化させても良い。電圧パルスのエネルギーが十分小
さ゛　い場合は単一パルス又はパルス群のいづれで与え
ても良い。The voltage pulse to be applied may be a single pulse, but
Rather, it is easier to control by applying a pulse group consisting of several pulses. The energy of the voltage pulse is defined by the peak value and the pulse width Δt, but if this becomes too large, the heating resistor will be destroyed. Therefore, if the voltage pulse has a certain amount of energy and there is a risk of destroying the heating resistor, the pulse width must be adjusted to decrease in accordance with the peak value of the voltage pulse. Rather than adjusting the pulse width of a single pulse, the width Δt of each pulse in a group of multiple pulses is kept constant, and the ratio Δt/T of the pulse period T to the pulse width t is calculated as the change in peak value. It is easy to adjust the force to below a value that does not destroy the heating resistor. Alternatively, by keeping Δt/T constant,
Pulses l(n
may be changed. If the energy of the voltage pulse is sufficiently small, it may be applied either as a single pulse or as a group of pulses.

印加する電圧パルスの波高値が低いと抵抗値が減少する
現象は見られなくなる。そこで、抵抗値の減少が期待で
きるような波高値から第１回の電圧パルスの印加は開始
される。第１図のＶ。は第１回の印加電圧パルスの波高
値を示す。When the peak value of the applied voltage pulse is low, the phenomenon that the resistance value decreases is no longer observed. Therefore, the first voltage pulse application is started from a peak value at which a decrease in resistance value can be expected. V in Figure 1. indicates the peak value of the first applied voltage pulse.

調整目標抵抗値Ｒ８，パルスの飲ｎの変更はキーボード
αＱを使って行われる。調整後の抵抗値及びＣＰＵＱ養
の計算結果はプリンタＱ７）に打ち出される。The adjustment target resistance value R8 and the pulse width n are changed using the keyboard αQ. The calculated results of the adjusted resistance value and CPUQ are outputted to the printer Q7).

第６図は第４図の装置による発熱抵抗体の抵抗値調整方
法のフローチャート図である。FIG. 6 is a flowchart of a method for adjusting the resistance value of a heating resistor using the apparatus shown in FIG. 4.

ステップ（１）では波高値Ｖｓ　、パルス数ｎ等のパル
ス条件の初期設定を行う。次いで、ステップ（２）でブ
ロービング装置（６）によるサーマルヘッド（７）への
ブロービングと、リレー網（８）の切換えとを行う。In step (1), pulse conditions such as the peak value Vs and the number of pulses n are initialized. Next, in step (2), the blowing device (6) blows the thermal head (7) and the relay network (8) is switched.

その後、ステップ（財）１ｇ！３では設定された波高値
をもつｎ個のパルス列を印加し、抵抗値の測定を行う。After that, step (goods) 1g! In step 3, n pulse trains having a set peak value are applied, and the resistance value is measured.

今回の測定値と前回の測定値との比較をステップ（ハ）
で行い、前回の測定値より大であればステップ（至）で
再びブロービングを行う。前回測定値より小であれば調
整目標抵抗値Ｒ６との比較をステップ圀で行う。測定値
がＲ８以下であればその発熱抵抗体についての調整は終
了する。Ｒｏ以下になっていなければ、印加電圧パルス
の波高値をΔＶだけ増してパルスを印加する（ステップ
翰）。Step (c) to compare the current measurement value with the previous measurement value.
If the measured value is larger than the previous measurement, blobbing is performed again at step (to). If it is smaller than the previous measured value, a comparison with the adjusted target resistance value R6 is performed in the step area. If the measured value is R8 or less, the adjustment for that heating resistor is completed. If the voltage is not below Ro, the peak value of the applied voltage pulse is increased by ΔV and a pulse is applied (step 3).

このようにして調整は測定値がＲ６以下となるまで原則
として続けられる。ただし中にはパルス電圧をいくら印
加しても抵抗値が減少しない特異な素子もある。又パル
ス発生回路叫が発生しうるパルス電圧の波高値には制限
がある。そこで、抵抗値がＲ８以下とならなくてもパル
ス電圧の印加回数がある一定数に達するとそこで調整を
終了する。ステップ翰はそのために設けられている。In principle, adjustment is continued in this manner until the measured value becomes R6 or less. However, there are some unique elements whose resistance value does not decrease no matter how much pulse voltage is applied. Furthermore, there is a limit to the peak value of the pulse voltage at which the pulse generator circuit can cause noise. Therefore, even if the resistance value does not become R8 or less, the adjustment is terminated when the number of pulse voltage applications reaches a certain number. The step fence is provided for this purpose.

数個の発熱抵抗体を−グループとして抵抗値の測定が行
われることは既に第２図、第３図で述べた〇 一グループのｐｅ１！Ｍが終るとＣＰ　ｒ：Ｉ　Ｑ＜は
平均値。It has already been mentioned in Figures 2 and 3 that the resistance value is measured by grouping several heating resistors into pe1 of the 01 group! After M, CP r:I Q< is the average value.

標準偏差を求めるための演算ΣＲ１ΣＲ２を行う。Calculation ΣR1ΣR2 is performed to obtain the standard deviation.

そしてプリンタ（１７）は−グループの最大値、平均値
。And the printer (17) - the maximum value of the group, the average value.

最小値が第３図のようにプリントされる。サーマルヘッ
ドの全発熱抵抗について調整が終るとＣＰＵα荀は標準
偏差σを計算する。その結果はプリンタαηに打ち出さ
れる。The minimum value is printed as shown in FIG. When all the heating resistances of the thermal head are adjusted, the CPU α calculates the standard deviation σ. The result is output to the printer αη.

第７図は第４図のパルス発生回路αＱの詳細説明図であ
る。図において、■、（至）１輪はフリップフロップ回
路、ｏｎ　、　ｍ　、（６）はタイマ回路、（至）はパ
ルス発生器、（ト）は単安定マルチ回路、（至）はトラ
ンジスタ、（ロ）は電圧電源、（至）は計数器、（至）
は比較器である。FIG. 7 is a detailed explanatory diagram of the pulse generating circuit αQ of FIG. 4. In the figure, ■, (to) 1 wheel is a flip-flop circuit, on, m, (6) is a timer circuit, (to) is a pulse generator, (g) is a monostable multi-circuit, (to) is a transistor, ( b) is the voltage power supply, (to) is the counter, (to)
is a comparator.

計算部＠から開始信号５ＴＡＲＴ信号を受けると、フリ
ップフロップ回路■、＠３はセットされる。フリップフ
ロップ回路（７）からは計算部へＥＮＡＢＬＥ信号が送
られる。ＥＮＡＢＬＥ信号が継続している間は波高値信
号ｖ８の変更と、５ＴＡＲＴ信号の発生は禁止すれる。When the start signal 5TART signal is received from the calculation unit @, the flip-flop circuits ① and @3 are set. An ENABLE signal is sent from the flip-flop circuit (7) to the calculation section. While the ENABLE signal continues, changes in the peak value signal v8 and generation of the 5TART signal are prohibited.

フリップフロップ回路（転）の出力によりスイッチ（９
）のコイル（９１）が通電し、接点（ｇ２）ｙ（９３ン
が図とは反対側に切替えられる。フリップフロップ回路
（１）がセットされてからＴ１時間後にタイマ回路（財
）は出力する。これによｆ）クリップフロップ回路（イ
）がセットされるとゲート（ロ）が開かれ、パルス発生
器（至）の発生したパルスが単安定マルチ回路（７）に
与えられる。単安定マルチ回路（７）はパルス発生器（
至）のパルス巾を所望のパルス巾Δｔをもつパルスに整
形する。Δｔは単安定マルチ回路缶中の抵抗とコンデン
サによって定められる。第８図にパルス哨生器（至）の
出力パルス波形とＪ４Ｌ安定マルチ回路（至）の出力波
形を示す。The switch (9) is activated by the output of the flip-flop circuit (inverter).
) coil (91) is energized, and contact (g2) y (93) is switched to the opposite side from the diagram.The timer circuit outputs after T1 time after the flip-flop circuit (1) is set. As a result, f) When the clip-flop circuit (a) is set, the gate (b) is opened and the pulses generated by the pulse generator (to) are given to the monostable multi-circuit (7). The monostable multicircuit (7) is a pulse generator (
) is shaped into a pulse having a desired pulse width Δt. Δt is determined by the resistors and capacitors in the monostable multicircuit can. Figure 8 shows the output pulse waveform of the pulse generator (to) and the output waveform of the J4L stable multi-circuit (to).

単安定マルチ回路（至）のパルスにより、トランジスタ
（７）のゲートドライブ電流が供給されてトランジスタ
（至）はパルスが存在する期間ΔｔはＣ１Ｍ状態となる
。トランジスタ（至）がＯＮ状態の期間に電圧電源（２
）の出力電圧がスイッチ（９）の接点（９ｚ）、（９ｓ
）、リレー網（３）を経てサンプルに印加される。電圧
電源（ロ）の波高値は計算部＠からの波高値信号ｖ８に
よって決定されている。The gate drive current of the transistor (7) is supplied by the pulse of the monostable multi-circuit (to), and the transistor (to) is in the C1M state for a period Δt during which the pulse exists. During the period when the transistor (to) is in the ON state, the voltage power supply (2
) output voltage is the contact point (9z) of switch (9), (9s
) is applied to the sample via the relay network (3). The peak value of the voltage power source (b) is determined by the peak value signal v8 from the calculation unit @.

ゲートｅ４を通過するパルスはカウンタ＠によって計数
される。カウンタ（至）の計数値は比較器（至）によっ
て計算部（２）から与えられる数ｎと比較される。The pulses passing through gate e4 are counted by counter@. The count value of the counter (to) is compared with the number n given from the calculation section (2) by the comparator (to).

計数値がｎに達すると比較器（至）の出力によりフリッ
プフロップ回路に）をリセットする０これによりゲート
曽は閉じられ、サンプルへの１回のパルス電圧の印加が
終了する。When the count value reaches n, the output of the comparator resets the flip-flop circuit. This closes the gate and ends the application of one pulse voltage to the sample.

比較器■の出力はタイマ回［ｆ）にも与えられる。The output of the comparator (2) is also given to the timer [f].

時限Ｔ２後にタイマ回路（ト）は出力し、これによって
７リツプフロツプ（財）はリセットされ、スイッチ（旬
は抵抗計測に切換えられる。スイッチ（９）が切換えら
れると、接点（９ｚ）、（９３）は図示の位置に切換え
られ、抵抗計αηによってサンプルの発熱抵抗体の抵抗
値が測定される。After the time limit T2, the timer circuit (G) outputs an output, which resets the 7 lip-flop and switches the switch (9) to resistance measurement. When the switch (9) is switched, the contacts (9z), (93) is switched to the position shown in the figure, and the resistance value of the heating resistor of the sample is measured by the resistance meter αη.

タイマ回路■が出力してから７３時間経過するとタイマ
回路（ロ）が出力し、それにより７リツプフロツプ回路
−がリセットされθ端子出力は１〃レベルとなり、　Ｅ
ＮＡＢＬＥ信号は消滅する。とれにより次の電圧パルス
の印加力；可能になる。When 73 hours have passed since the timer circuit (■) outputs, the timer circuit (B) outputs an output, which resets the 7-lip-flop circuit - and the θ terminal output becomes level 1, and E
The NABLE signal disappears. This enables the application of the next voltage pulse.

本発明による抵抗値の変化の実験結果の一例を示すと、
本発明を実施しない場合は絶対値で±２０チ、標準偏差
σが５．６％であるのに対し、本発明を実施すると絶対
値で土３チ、標準偏差がｏ、４％になる等大幅に抵抗値
のばらつきが改善された。これによってサーマルヘッド
の印字の濃度ムラをほとんどなくすることができた。An example of the experimental results of resistance value changes according to the present invention is as follows:
When the present invention is not carried out, the absolute value is ±20 cm and the standard deviation σ is 5.6%, whereas when the present invention is implemented, the absolute value is ±20 cm and the standard deviation is 0.4%. The variation in resistance values has been significantly improved. This made it possible to almost eliminate density unevenness in printing by the thermal head.

発明者等は抵抗値の調整のために印加する電圧パルスの
波高値の初期設定値（第１図Ｖ。〕を欽十ｖ１印加パル
ス電圧の１回毎の増加分ΔＶを１ｖないし敗Ｖ、１回の
電圧印加に含まれるパルス波ｎ１ｌｏ〜２０．　　ユ個
のパルス巾Δｔを１μないし数μ秒、パルス間隔を数十
−秒として発熱体の抵抗値の調整を行った。The inventors set the initial setting value of the peak value of the voltage pulse applied to adjust the resistance value (V in FIG. The resistance value of the heating element was adjusted by setting the pulse width Δt of the pulse waves n1lo to 20.0 included in one voltage application to 1 μ to several μ seconds and the pulse interval to several tens of seconds.

時限Ｔ１．Ｔ３は１０ｍ秒前後に１時限Ｔ２は＆ｍ秒に
設定して、発明者等は抵抗値の調整を行った。Time limit T1. The inventors adjusted the resistance value by setting T3 to around 10 m seconds and one time period T2 to &m seconds.

抵抗値の調整に用いるパラメータの具体的な数値は以上
て述べた一例に限られるものではなく、この発明の効果
を奏する範囲内で種々の数値をとりうることは言うまで
もない。It goes without saying that the specific numerical values of the parameters used for adjusting the resistance value are not limited to the example described above, and can take various numerical values within the range that produces the effects of the present invention.

第６図のステップ（ハ）においては前回の抵抗測定値と
大小比較を行っているが、これに代えて前回の抵抗測定
値に比して一定の範囲内、例えば０．９〜１．０倍の範
囲内にあるか否かを確認し、この範囲内圧ないときは抵
抗値の再測定をするようにしても良い。In step (c) of Fig. 6, the magnitude is compared with the previous resistance measurement value, but instead of this, the resistance measurement value is compared to the previous resistance measurement value within a certain range, for example, 0.9 to 1.0. It is also possible to check whether the pressure is within the double range and re-measure the resistance value if the pressure is not within this range.

この発明に係るサーマルヘッドの製造装置の一例を第４
図、第７図に示したが、この発明はこれらに限られない
。An example of the thermal head manufacturing apparatus according to the present invention is shown in the fourth example.
Although shown in FIG. 7, the present invention is not limited thereto.

パルス電圧の波高値７８とパルス数ｎを計算部＠からパ
ルス発生回路αＱに自動的に与えているが、これらを手
動操作にて設定するようにする事もできる。それは、パ
ルス発生回路に波高値ｖ８とパルス数ｎを設定するスイ
ッチを設ける仁とによって容易に実施できる。又計算部
（２）からの自動設定と手動操作の両者を併用しても良
い。Although the peak value 78 of the pulse voltage and the number n of pulses are automatically given to the pulse generation circuit αQ from the calculation unit @, these can also be set manually. This can be easily implemented by providing the pulse generation circuit with a switch for setting the peak value v8 and the number of pulses n. Further, both automatic setting from the calculation section (2) and manual operation may be used together.

スイッチ（９）はａｇ７図の例ではコイル（９１）に通
電して接点（９２）、（９３）を駆動するリレーである
が、これに代えてサイリスタスイッチを用いることも可
能である。The switch (9) is a relay that energizes the coil (91) to drive the contacts (92) and (93) in the example of the ag7 diagram, but a thyristor switch may be used instead.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

この発明に係るサーマルヘッドの製造方法は、電圧パル
スを発熱抵抗体に印加して抵抗値を減少させるようにし
たので、サーマルヘッドの発熱抵抗体の抵抗値のばらつ
きを少なくして、サーマルヘッドの印字濃度のむらを著
しく減少させることができる。In the method for manufacturing a thermal head according to the present invention, voltage pulses are applied to the heating resistor to reduce the resistance value, so variations in the resistance value of the heating resistor of the thermal head are reduced, and the thermal head is Unevenness in print density can be significantly reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図はこの発明に係るサーマルヘッドの製造方法の原
理説明図、第２図、第３図はこの発明に　　□係るサー
マルヘッドの製造方法を実施しない場合と、実施した場
合の抵抗値の分布を示す図、＃！４図はこの発明に係る
サーマルヘッドの製造方法を実施する装置の一実施例を
示す構成図、第５図は第４図の主要部の波形図、１ＩＸ
６図はこの発明に係るサーマルヘッドの製造方法の一実
施手順を示す膜構成図、第１０図は感熱記録装置におけ
るサーマルヘッドの使用状態を説明する図、第１ユ図は
一般的なサーマルヘッドにおける抵抗値の分布の一例を
示す図である。 図において、（１）は絶縁基板、（２）はリード線、（
３）は発熱抵抗素子、（６）はブロービング装置、（７
）はサーマルヘッド、（３）ハリレー網、（９）ハスイ
ッチ、αＱはパルス発生回路、（ロ）は抵抗計、（２）
は計算部、（１４）はＣＰＵ１ｅ（１）、（６）、−は
タイマ回路、に）はパルス発生器、（至）は単安定マル
チ回路、□□□は電圧電源、■は計数器、翰は比較器で
ある。 なお、各図中の同一符号は同−又は相当部分を示す。Figure 1 is an explanatory diagram of the principle of the method for manufacturing a thermal head according to the present invention, and Figures 2 and 3 are diagrams showing the distribution of resistance values when the method for manufacturing a thermal head according to the present invention is not implemented and when it is implemented. Diagram showing #! 4 is a configuration diagram showing an embodiment of an apparatus for carrying out the method of manufacturing a thermal head according to the present invention, FIG. 5 is a waveform diagram of the main part of FIG. 4, and 1IX
Figure 6 is a film configuration diagram showing one implementation procedure of the method for manufacturing a thermal head according to the present invention, Figure 10 is a diagram illustrating how the thermal head is used in a thermal recording device, and Figure 1 is a diagram showing a general thermal head. FIG. 3 is a diagram showing an example of the distribution of resistance values in FIG. In the figure, (1) is an insulated substrate, (2) is a lead wire, (
3) is a heating resistance element, (6) is a blobbing device, (7
) is the thermal head, (3) Harri relay network, (9) C switch, αQ is the pulse generation circuit, (B) is the resistance meter, (2)
is the calculation unit, (14) is the CPU1e (1), (6), - is the timer circuit, (to) is the pulse generator, (to) is the monostable multi-circuit, □□□ is the voltage power supply, ■ is the counter, The pen is a comparator. Note that the same reference numerals in each figure indicate the same or corresponding parts.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] （１）サーマルヘッドの発熱抵抗体に電圧パルスを印加
した後に前記発熱抵抗体の抵抗値を測定し、抵抗値が所
定値以上であれば、再度電圧パルスを印加することを特
徴とするサーマルヘッドの製造方法。(1) A thermal head characterized in that after applying a voltage pulse to a heating resistor of the thermal head, the resistance value of the heating resistor is measured, and if the resistance value is a predetermined value or more, the voltage pulse is applied again. manufacturing method. （２）電圧パルスが単一のパルスであることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のサーマルヘッドの製造方
法。(2) The method for manufacturing a thermal head according to claim 1, wherein the voltage pulse is a single pulse. （３）電圧パルスが複数のパルスからなるパルス群であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のサーマ
ルヘッドの製造方法。(3) The method for manufacturing a thermal head according to claim 1, wherein the voltage pulse is a pulse group consisting of a plurality of pulses.