JPS6180814A - Linear energy beam irradiation equipment - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To enable connecting a limited irradiation region due to each square aperture within the irradiated region on a matter to be treated by irradiating a beam plural times rotating plural square apertures provided on a concentric circle rotating a linear energy beam source the equal angle with the rotation angle of a turn table on which the matter to be treated is placed. CONSTITUTION:Irradiation ray turning means 71 which turn the irradiation rays due to a linear energy beam on a matter to be treated the equal angle with the rotation angle of a turn table 2 at the center of one point on the radial direction of the turn table 2 in accordance with the rotation of the turn table 2 are provided and irradiation region limiting means 20 provided with plural square apertures 21a-21e, 22a-22e on a concentric circle are also provided. By irradiating a beam plural times appropriately rotating the irradiation region limiting means 20, a limited irradiation region due to each square aperture 21a-21e is connected within an irradiated region connected in a wide (circular) arc formed on the matter 1 to be treated.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えば絶縁基板上の多結晶シリコン膜を再結
晶化して単結晶シリコン股を形成する装置に適用して好
適な、線状エネルギービームを被処理体に照射する装置
に関する。[Detailed Description of the Invention] [Field of Industrial Application] The present invention is directed to a linear energy system suitable for application to an apparatus for recrystallizing a polycrystalline silicon film on an insulating substrate to form a single crystal silicon crotch, for example. The present invention relates to a device that irradiates a target object with a beam.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

ＬＳＩに代表されるシリコン半導体装置に対する高密度
化、高性能化の要求に応じて、絶縁基板上にシリコンの
結晶薄欣を形成するいわゆる５ｏｌ（Ｓｉｌｉｃｏｎ　
ｏｎ　Ｉｎ５ｕｌａｔｏｒ）技術が開発されている。In response to demands for higher density and higher performance for silicon semiconductor devices, such as LSIs, so-called 5ol (Silicon
On In5ulator) technology has been developed.

これは、石英基板又はシリコン結晶の基板（つ工−ハ）
上に絶縁層としての酸化膜を形成したものの上に多結晶
シリコン股を被着し、この多結晶シリコン膜を例えば線
状電子ビームの照射によって短時間、局所的に融解し、
それを冷却することにより再結晶化して、シリコン単結
晶ｎ９を形成するものである。This is a quartz substrate or a silicon crystal substrate.
A polycrystalline silicon film is deposited on top of which an oxide film is formed as an insulating layer, and this polycrystalline silicon film is locally melted for a short time by irradiation with a linear electron beam, for example.
By cooling it, it is recrystallized to form silicon single crystal n9.

まず、第９図乃至第１１図を参照しながら、従来の線状
エネルギービーム照射装置としての、絶縁基板上の多結
晶シリコン膜を再結晶化して、車粘晶シリコン！１央を
形成する装置の構成例について説明する。第９図及び第
１０図において、（２）はターンテーブルで、多結晶シ
リコン股を被着した複数のウェーハ（１）が、このター
ンテーブル（２）上に、その適宜配設された複数の開口
（２ａ）を覆うように載置される。ターンテーブル（２
）は回転軸（３）を介してモータ（４）によって回転せ
しめられる。（６）は線状電子ビーム（５）を発生する
電子ビーム源で、これが各ウェーハ（１）に逐次対向す
るように配設され、ビーム源（６）を制御する制御電源
（７）にはモータ（４）に直結されたエンコーダ（８）
から回転位置情報信号が供給される。このエンコーダ（
８）とモータ（４）との間に公知の回転制御回路（９）
が接続される。First, referring to FIGS. 9 to 11, a conventional linear energy beam irradiation device is used to recrystallize a polycrystalline silicon film on an insulating substrate to form a car viscous crystalline silicon film. An example of the configuration of a device that forms one center will be described. In FIGS. 9 and 10, (2) is a turntable, and a plurality of wafers (1) coated with polycrystalline silicon crotches are placed on the turntable (2), and It is placed so as to cover the opening (2a). Turntable (2
) is rotated by a motor (4) via a rotating shaft (3). (6) is an electron beam source that generates a linear electron beam (5), which is arranged so as to face each wafer (1) sequentially, and a control power source (7) that controls the beam source (6). Encoder (8) directly connected to motor (4)
A rotational position information signal is supplied from. This encoder (
A known rotation control circuit (9) is connected between the motor (4) and the motor (4).
is connected.

ウェーハ（１）、ターンテーブル（２）及びビーム−ｆ
Ｍ（６１は全体として真空容′／：１（１０１に収容さ
れ、真空容器ＱＯＩにはターンテーブル（２）の各開口
（２ａ）に対向して石英ガラス型の窓（１１）が適宜の
数だけ設けられ、窓（１１）の外側にウェーハ（１）を
予熱するための赤外線刻（１２）が配設される。真空容
器αωの排気筒（１３）は図示を省略した真空ポンプに
接続されている。なお、赤外線灯（１２）は電子ビーム
−ａ（６）と対向しないように配設される。゛ 従来の線状ビーム照射装置の動作は次のとおりである。Wafer (1), turntable (2) and beam-f
M (61 is housed as a whole in a vacuum volume '/:1 (101), and the vacuum container QOI has an appropriate number of quartz glass type windows (11) facing each opening (2a) of the turntable (2). An infrared marking (12) for preheating the wafer (1) is provided outside the window (11).The exhaust pipe (13) of the vacuum chamber αω is connected to a vacuum pump (not shown). Note that the infrared lamp (12) is arranged so as not to face the electron beam-a (6).゛The operation of the conventional linear beam irradiation device is as follows.

ターンテーブル（２）の開口（２ａ）上のウェーハ（１
）は窓（１１）を通して赤外線灯（１２）によって予熱
される。ウェーハ（１１が所定温度に達すると、赤外線
灯（１２）が消勢され、ターンテーブル（２）はモータ
（４）によって駆動されて、例えば５００〜１１０００
ｒｐ程度で回転する。ターンテーブル（２）が所定速度
に達すると、制御電源（７）が、エンコーダ（８）から
供給された回転位置情報信号にタイミイグ制御されて、
第１１図にボずようにターンテーブル（２）が角度２θ
だけ回転する期間、線状電子ビーム源（６）から電子ビ
ーム（５）が発射される。か（して、第１１図にボすよ
うに、ウェーハ（１）上に（ｌｐ）　、　　（ｌｑ）　
、　　（ｌｒ）で代表されるＳｏｌパターンは（５ＦＵ
）　、　　（５ｂ）　。The wafer (1) is placed on the opening (2a) of the turntable (2).
) is preheated by an infrared lamp (12) through a window (11). When the wafer (11) reaches a predetermined temperature, the infrared lamp (12) is deactivated and the turntable (2) is driven by the motor (4), e.g.
Rotates at about rp. When the turntable (2) reaches a predetermined speed, the control power source (7) is timed and controlled by the rotational position information signal supplied from the encoder (8).
As shown in Figure 11, the turntable (2) is at an angle of 2θ.
An electron beam (5) is emitted from the linear electron beam source (6) during the period of rotation. (Then, as shown in Figure 11, (lp) and (lq) are placed on the wafer (1).
The Sol pattern represented by , (lr) is (5FU
), (5b).

（５°）　Ｔ：　４’ｅ　＊　８　ｈ　７ｙ　ｉ“１″
０１３−”ｔｓ＋　ｃ　ｒ　６　；＜ａ　　　　　。(5°) T: 4'e * 8 h 7y i "1"
013-”ts+ cr 6 ;<a.

射線に走査されて、多結晶シリコン股の融解が行われ、
その後の冷却により再結晶化が行われて、小結晶ソリコ
ン１挨が形成される。The polycrystalline silicon crotch is melted by being scanned by the rays,
Subsequent cooling causes recrystallization to form small crystal solicon particles.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

しかしながら、このような従来の線状ビーム照射装恒゛
にあってば、線状ビーム（５）の長平方向がターンテー
ブル（２）のりＪｆ４方向にあるため、第１１図にネオ
ように、照射線（５ａ）〜（５Ｃ）はウェーハ（１）旧
で放射状に配列され、ターンテーブル（２）の回転軸（
３）からの距離によって電子ビーム（５）の照射エネル
ギー密度が異なり、ウェーハ（１）全体を均一に処理し
得ないという欠点があった。また、照射線（５ａ）〜（
５ｃ）の長平方向がウェーハ（１）上のパターン（１ｐ
）〜（１ｒ）の配列方向と必ずしも一致せず、場所によ
っ゛ζ再結晶化の処理条件が微妙に異なり、ｒｌｊ現性
が良くないという欠点があった。However, in such a conventional linear beam irradiation device, the elongated direction of the linear beam (5) is in the Jf4 direction of the turntable (2), so the irradiation is difficult as shown in FIG. Lines (5a) to (5C) are arranged radially on the wafer (1) and are connected to the rotation axis (2) of the turntable (2).
The irradiation energy density of the electron beam (5) differs depending on the distance from the wafer (1), which has the disadvantage that the entire wafer (1) cannot be uniformly processed. In addition, irradiation rays (5a) to (
The long plane direction of 5c) is the pattern (1p) on the wafer (1).
) to (1r), the treatment conditions for ζ recrystallization differ slightly depending on the location, and there is a drawback that rlj reproducibility is not good.

史に、ビーム照射期間及びビーム（５）の長さによ、っ
て処理可能なウェーハｔｌ）の寸法が制限され、径の大
きなウェーハを処理することができないという欠点があ
った。Historically, the size of the wafer (tl) that can be processed is limited by the beam irradiation period and the length of the beam (5), and there has been a drawback that wafers with large diameters cannot be processed.

ごの欠Ｊ、′、ｉをＩＷ消するために、ターンテーブル
の半ｉイ方向及びごれと垂°直な方向にウニ　／Ｓを移
動させることが考えられるが、移動のために複雑な機構
を必要とするという問題が生ずる。In order to eliminate the gaps J,',i, it is conceivable to move the sea urchin/S in the semi-i direction of the turntable and in the direction perpendicular to the dirt, but this would require complicated movement. A problem arises in that a mechanism is required.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明は、被処理体（１）が載置される回転台（２）と
、この回転台（２）の半径方向に配設された線状エネル
ギービーム源（６）とを有し、この線状エネルギービー
ム源（６）からの線状エネルギービームを被処理体（１
）に照射する線状エネルギービーム照射装置において、
線状エネルギービームによる被処理体（１）上の照射線
を、回転台（２）の回転に伴って、回転台（２）の半径
方向上の一点を中心として回転台（２）の回転角と等早
回転させる照射線回転手段（７１）を設けると共に、複
数の方形開口（２１ａ）〜（２１ｅ　）　。The present invention includes a rotary table (2) on which an object to be processed (1) is placed, and a linear energy beam source (6) arranged in the radial direction of the rotary table (2). A linear energy beam from a linear energy beam source (6) is applied to the object to be processed (1).
) in a linear energy beam irradiation device that irradiates
The irradiation beam on the object to be processed (1) by the linear energy beam is irradiated by the rotation angle of the rotary table (2) around a point in the radial direction of the rotary table (2) as the rotary table (2) rotates. A plurality of rectangular openings (21a) to (21e) are provided.

（２２ａ）〜（２２ｅ）を同心円上に配設した照射領域
規制手段（２０）を設け、複数の方形開口（２１ａ）〜
（２１ｅ　）　、　　（２２ａ　）〜（２２ｅ）が、照
射領域規１１１１手段（２０）の所定角間隔零、α、β
の対応１゛る複数の半径（９０）〜（９８）から、この
半径（９０）〜（９８）に垂直な方向にそれぞれ方形開
口（２Ｌａ）〜（２２ｅ）の長さｌのｎ倍（ｎは零また
は正、ｖｌ。(22a) to (22e) are provided on an irradiation area regulating means (20) arranged concentrically, and a plurality of rectangular openings (21a) to
(21e), (22a) to (22e) are the predetermined angular intervals zero, α, and β of the irradiation area regulation 1111 means (20).
From a plurality of radii (90) to (98) that correspond to 1, n times (n is zero or positive, vl.

の整数）だけ偏るようにしたものである。(an integer of ).

（作用〕 かかる本発明によれば、照射領域規制手段（２０）を適
宜回動させながら複数回のビーム照射を行なうことによ
って、被処理体（１）上に形成されて広幅円弧状に連続
した照射領域Ａ　１　”　Ａ　５内で各方形間ＬＪ　（
２１ａ　）　〜（２１ｅ　）による照射規制領域（２１
ｐ）〜（２１ｔ　）が連接する。(Function) According to the present invention, by performing beam irradiation a plurality of times while appropriately rotating the irradiation area regulating means (20), a continuous wide arc formed on the object to be processed (1) is formed. Between each square LJ (
Irradiation regulation area (21a) to (21e)
p) to (21t) are connected.

〔実ｈ１＋！例〕 以ト、第１図〜第５図を参照しながら、本発明による線
状エネルギービーム照射装置の一実施例について説明す
る。第１図及び第２図におい°ζ第９図及び第１０図に
対応する部分には同一の′７３号を付して市？■説明を
省１略する。[Actual h1+! Example] Hereinafter, an embodiment of the linear energy beam irradiation device according to the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 5. In Figures 1 and 2, the parts corresponding to Figures 9 and 10 are given the same number '73. ■Explanation omitted.1 Omitted.

第１図及び第２し１におい“ζ、（ｚＯ）はモリブデン
のような１（ＩＩ融点金属製のビームマ人りであって、
ターンテーブル（２）の上方にこれと同軸に配設され、
そのターンテーブル（２）側の血にはカーボンシート等
が被着される。ビームマスク（２０）には２組の複数の
方形の窓（２１）　　（（２１ａ　）〜（２１ｅ）ｌ。In FIGS. 1 and 2, ζ, (zO) is a beam master made of a metal with a melting point of
Disposed above and coaxially with the turntable (2),
A carbon sheet or the like is attached to the blood on the turntable (2) side. The beam mask (20) has two sets of multiple rectangular windows (21) ((21a) to (21e)l.

（２２）　　（（２２５”）〜（２２ｅ）ｌがマスク（
２０）の中心に関して対称に同心円上に配設され、この
窓（２１）　、　　（２２）を通過する線状電子ビーム
（５）によって、２枚のウェーハ（１）　（（１１）　
、　　（１２）　）の所定領域が照射される。(22) ((225”) ~ (22e) l is a mask (
The two wafers (1) ((11)
, (12) ) are irradiated.

一方の組の窓（２１ａ　）　〜（２１ｅ　）は、第５図
に詳細に示すように、すべて長さがｌで幅がＷの長方形
であって、その中央の窓（２１ｃ　）の中心を通る基準
半径（９０）に対して左右対称に、また、それぞれの窓
（２１ａ　）〜（２１ｅ　）の中心が同じ円弧（９１）
上にあるように配される。更に、中央の窓（２１ｃ　）
の隣の窓（２１ｂ　）の中心は、基準半径（９０）に対
して反時計方向にαの角間隔を持つ半径（９２）に平行
で、これから窓（２１に）と反対方向に２だけ離れた直
線（９３）上にある。そし′（、人品１の窓（２１ａ）
の中心は、半１Ｙ（９２）に対し°ζ反時計方向にβの
角間隔を持つ半径（τ３４）に平行で、これから窓（２
１ｂ　）と反対方向に２またけぬ１すれた直線（９５）
上にある。窓（２１ｄ）及び（２１ｅ　）はそれぞれ基
準半径（９０）に関し゛（応（２１ｂ）及び（２１ａ　
＞と対称に配される。The windows (21a) to (21e) in one set are all rectangular with a length l and a width W, as shown in detail in FIG. The arc (91) is symmetrical with respect to the reference radius (90), and the centers of each of the windows (21a) to (21e) are the same.
arranged as shown above. Furthermore, the central window (21c)
The center of the window (21b) next to the window (21b) is parallel to the radius (92) with an angular spacing of α counterclockwise with respect to the reference radius (90), and is spaced from this by 2 in the opposite direction to the window (21). It is on the straight line (93). Soshi'(, Window of human goods 1 (21a)
The center of
1b) and a straight line that does not cross twice in the opposite direction (95)
It is above. The windows (21d) and (21e) are respectively (corresponding to (21b) and (21a)
> arranged symmetrically.

なお、他方の組の窓（２２ａ）〜（２２ｅ）はマスク（
２０）の中心に関して恋（２１ａ）〜（２１ｅ）とそれ
ぞれ対称に配されているので、以下の説明で双方の組の
窓（２１）　、　　（２２）に共通ずる場合は、一方の
組の窓（２１）によって代表される。Note that the other set of windows (22a) to (22e) are masked (
Since they are arranged symmetrically with Koi (21a) to (21e) with respect to the center of 20), in the following explanation, if windows (21) and (22) of both sets have a common shift, the windows of one set will be used. It is represented by (21).

（２３）はマスク（２０）を昇降及び回転させる昇降回
転機構であって、ターンチーフル（２）の回転軸（３）
の−ト端にこれと一体に取付けられ、回転軸（３）内に
配設された連結稈（２４）を介してビームマスク（２（
１）に連結される。昇降回転機構（２３）はマスク（２
０）を所要積度で回転させるためのモータ（２５）を有
し、このモータ（２５）はクラッチ（２６）によって連
結稈（２４）と結合される。また、昇降回転ｔ５．ｆｉ
　（２３）にはエンコーダ（８）が取付けられる。(23) is an elevating and rotating mechanism for elevating and rotating the mask (20), and includes a rotating shaft (3) of the turntable (2).
The beam mask (2(
1). The lifting/lowering rotation mechanism (23) is a mask (2
The motor (25) is connected to the connecting culm (24) by a clutch (26). Also, the vertical rotation t5. fi
An encoder (8) is attached to (23).

回転軸（３）の下部には南軍（３１）が取付けられ、こ
れとかみ合う歯車（３２）がモータ（４）に取付けられ
る。ターンテーブル（２）とマスク（２０）とは両歯車
（３１）　、　　（３２）を介してモータ（４）によっ
て駆動されζ一体に回転する。A gear (31) is attached to the lower part of the rotating shaft (3), and a gear (32) that meshes with the gear (31) is attached to the motor (4). The turntable (2) and the mask (20) are driven by the motor (4) via both gears (31) and (32) and rotate integrally.

（４１）及び（４２）はウェーハ保持台、（４３）は案
内棒、（４４）は移動用のネジであ−２て、両保持台（
４１）及び（４２）の一方の端部（４１ａ）及び（４２
ａ　）がそれぞれ案内棒（４３）に係合すると共に、他
方の端部（４１ｂ）及び（４２ｂ）が移動ネジ（４４）
の左ネジ部（４４β）及び右ネジ（４４ｒ）にそれぞれ
螺合する。案内棒（４：（）＆び移動ネジ（４４）の両
端部及び中央部はターンテーブル（２）上に１１ｇｇ配
設された軸受Ｂ□〜Ｂ６にそれぞれ支承される。(41) and (42) are wafer holding tables, (43) is a guide rod, and (44) is a screw for movement.
One end (41a) of (41) and (42) and (42)
a) respectively engage the guide rod (43), and the other ends (41b) and (42b) engage the moving screw (44).
are screwed into the left-hand threaded portion (44β) and right-hand threaded portion (44r), respectively. Both ends and the center of the guide rod (4:) and the moving screw (44) are respectively supported by bearings B□ to B6 arranged on the turntable (2).

両ウェーハ保持台（４１）及び（４２）はターンテーブ
ル（２）上に回転軸（３）に関して対ａ・に配設される
と共に、回転軸（３）に関して対称に移動するようにな
されて、この移動に拘らず、ターンテーブル（２）のダ
イナミックバランスが保たれるようになされている。更
に、ターンテーブル（２）の回転を一層円滑にするため
に、回転軸（３）に対称に１対のパランサ（２ｂ）がタ
ーンテーブル（２）に配設される。Both wafer holding stands (41) and (42) are arranged on the turntable (2) in a pair a. with respect to the rotation axis (3), and are configured to move symmetrically with respect to the rotation axis (3), Regardless of this movement, the dynamic balance of the turntable (2) is maintained. Furthermore, in order to make the rotation of the turntable (2) even smoother, a pair of parsers (2b) are arranged on the turntable (2) symmetrically about the rotation axis (3).

（５Ｉ）は両ウェーハ保持台（４１）及び（４２）の移
動用のモータであって、モータ（５１）の駆’ＩＩＪＪ
軸（５２）が真空容器（１４）の気密軸受（１５）に摺
りすＪ自在に支承され、駆動軸（５２）の四端（５３）
は移動ネジ（４４）の尖端（４５）と保合・分離可能な
りラッチＣＬを構成する。このクラッチＣＬを介して移
動用モータ（５１）の駆動力が伝達されて、両保持台（
４１）及び（４２）は、ターンテーブル（２）の回転中
心に関して対称に、ウェーハ（１１の直径と略等しい距
月１だけ移動可能である。両保持台（４１）及び（４２
）の可動範囲に対向して、ターンテーブル（２）に１対
の長円形の予熱用開口（２Ｉりが設けられる。(5I) is a motor for moving both wafer holding tables (41) and (42);
The shaft (52) is slidably supported on the airtight bearing (15) of the vacuum container (14), and the four ends (53) of the drive shaft (52)
constitutes a latch CL that can be engaged with and separated from the tip (45) of the moving screw (44). The driving force of the moving motor (51) is transmitted via this clutch CL, and both holding tables (
41) and (42) are movable by a distance 1 approximately equal to the diameter of the wafer (11) symmetrically about the rotation center of the turntable (2).
) A pair of oval preheating openings (2I) are provided in the turntable (2), facing the movable range of the turntable (2).

（７１）は電子ビーム源（６）を駆動するモータであっ
て、その駆動軸（７２）は真空容器（１４）を貫通して
電子ビーム源（６）に結合される。モータ（７１）には
エンコーダ（７３）が直結される。（７４）は比較回路
であって、エンコーダ（８）からターンテーブル（２）
の、’ｊ、ｊ；　？Ｉｎ回転位置情報信号が供給される
と共に、エンコーダ（７３）から電子ビーム源（６）の
回転位置情報信号が供給される。比較回路（７４）の出
力は駆動１１す幅器（７５）を介してモータ（７１）に
供給される。(71) is a motor that drives the electron beam source (6), and its drive shaft (72) passes through the vacuum container (14) and is coupled to the electron beam source (6). An encoder (73) is directly connected to the motor (71). (74) is a comparison circuit, which connects the encoder (8) to the turntable (2).
'j, j; ? The In rotational position information signal is supplied, and at the same time, the rotational position information signal of the electron beam source (6) is supplied from the encoder (73). The output of the comparison circuit (74) is supplied to the motor (71) via the drive 11 width amplifier (75).

本実施例の動作は次のとおりである。The operation of this embodiment is as follows.

まず、電子ビームが２枚のウェーハ（ｂ　）　。First, the electron beam hits two wafers (b).

（１２）のそれぞれ同じ位置、例えば中央を照射するよ
うに、移動用モータ（５１）をクラッチＣＬを介して移
動ネジ（４４）に結合し、２枚のウェーハ（１１）、（
１２）の各中央がそれぞれビームマスク（２０）の２１
１Ｍの窓（２１ｃ　）　、　　（２２ｃ　）の直下に位
置するように、保持台（４１）　、　　（４２）を駆動
する。この場合、肉ウェーハ保持台（４１）　。A moving motor (51) is coupled to a moving screw (44) via a clutch CL so as to irradiate the same position, for example, the center of each of the two wafers (11), (12).
12), each center is 21 of the beam mask (20).
The holding stands (41) and (42) are driven so that they are positioned directly below the 1M windows (21c) and (22c). In this case, a meat wafer holder (41).

（４２）の移動前にマスク昇降回転機構（２３）を動作
させて、マスク（２０）を第２図において破線（２０ｕ
　）で示される位置まで上昇させると、マスク（２０）
はウェーハ（１１）、（１２）及び保持台（４１）　、
　　（４２）と接触しない状態に保たれる。Before moving the mask (42), the mask lifting/lowering rotation mechanism (23) is operated to move the mask (20) along the broken line (20u) in FIG.
), the mask (20)
are the wafers (11), (12) and the holding table (41),
(42) is kept out of contact with.

両ウェーハ保持台（４１）　、　　（４２）の移動後、
そ−タ（２５）を通貨回転させて、ウェーハ（１１）の
中心と窓（２１ｃ）の中心とを対向させ、マスク昇降。After moving both wafer holding tables (41) and (42),
The soter (25) is rotated so that the center of the wafer (11) and the center of the window (21c) face each other, and the mask is raised and lowered.

伝機構（２３）　Ｃよ７７？ｌ’／　（２０）を１ＦＫ
！　　　　　　　’せて、第２図に不される位置まで復
帰させると、マスク（２０）はウェーハ（１１）、（１
２）を均等に押圧してそれぞれの保持台（４１）　、　
　（４２）に固定さＵ−、ウェーハ（１１）、（１２）
が保持台（４１）　、　　（４２）に確実に保持された
状態でマスク（２０）がクランプされる。Denka (23) C 77? l'/ (20) to 1FK
! When the mask (20) is returned to the position shown in FIG.
2) evenly press each holding table (41),
(42) fixed on U-, wafer (11), (12)
The mask (20) is clamped while being securely held on the holding bases (41) and (42).

クラッチＣＬを切離し、従来と同様に、ターンテーブル
（２）の長円形開口（２２）を通して図示を省略した赤
外線対によってウェーハ（１）が予熱されてから、ター
ンテーブル（２）を回転させる。回転制御回１♂Ｋ（９
）に制御されてターンテーブル（２）が定速回転状恕に
達し、電子ビーム潟ｒ　＋６１から線状電子ビーム（５
）の発射が開始される時点において、１枚目のウェーハ
（１１）は第３図において円（ｌａ）で示される位；ヴ
にある。このとき、線状電子ビーム源（６）の長平方向
（８３ａ　）はウェーハ（ｌａ）の中心（８１ａ　）と
ターンテーブル（２）の中心（２Ｃ）を結ぶ直線（８２
ａ）に＋１１行にな−１ている。The clutch CL is disengaged, and the wafer (1) is preheated by an infrared pair (not shown) through the oval opening (22) of the turntable (2), as in the conventional case, and then the turntable (2) is rotated. Rotation control times 1♂K (9
), the turntable (2) reaches a constant speed rotation state, and the linear electron beam (5
), the first wafer (11) is at the position indicated by the circle (la) in FIG. At this time, the longitudinal direction (83a) of the linear electron beam source (6) is a straight line (82) connecting the center (81a) of the wafer (la) and the center (2C) of the turntable (2).
In a), there is -1 in +11 rows.

線状電子ビームの発射期間中、ターンテーブル（２）が
反時計方向に角度２θだけ同転しζいるので、ウェーハ
（１）は、円（ｌｂ）でポされる位置を経て、円（１ｃ
）で示される位置まで移動する。この期間に、モータ　
（７１）に駆動されて、電子ビーム源（６）はその回転
中心Ｃ６を中心として同じく反時計方向にターンテーブ
ル（２）と同一速度で回動し、第３図において、領域（
６ｂ）で不される位置を経て、領域（６ｃ）で示される
位置まで移動する。領域（６ｃ）の長手方向（８３ｃ）
はウェーハ（１ｃ）の中心（８１Ｃ）とターンテーブル
（２）の中心（２Ｃ）とを結ぶ直線（８２ｃ）に平行に
なる。During the emission period of the linear electron beam, the turntable (2) rotates counterclockwise by an angle of 2θ, so that the wafer (1) passes through the position of the circle (lb) and moves to the position of the circle (1c).
) to the position shown. During this period, the motor
(71), the electron beam source (6) rotates counterclockwise around its rotation center C6 at the same speed as the turntable (2), and in FIG.
It moves to the position indicated by area (6c) through the position indicated by area (6b). Longitudinal direction (83c) of area (6c)
is parallel to the straight line (82c) connecting the center (81C) of the wafer (1c) and the center (2C) of the turntable (2).

上述のように、ターンテーブル（２）と同期して回動す
る電子ビーム源＋６１　（（６ａ）〜（６ｃ））から刻
刻発射される線状電子ビーム（５）による照射線（５ｄ
）（５ｅ）　、　　（５ｆ）は、第４図にボずように、
ウェーハ（１）上においてその中心を通るターンテーブ
ル（２）の動径と平行になるので、ウェーハｔｉ）上の
照射線密度が均一になる。As mentioned above, the irradiation rays (5d
)(5e), (5f) are as shown in Figure 4,
Since it is parallel to the radius vector of the turntable (2) passing through the center of the wafer (1), the irradiation density on the wafer ti) becomes uniform.

ところで、ビームマスク（２０）がない場合は、電子ビ
ームの照射領域は、照射開始端（５ｄ）から照射終了端
（５ｆ）まで、刻々の照射線の集合であって、第４図に
示されるように広幅弧状となり、その上縁（８４）及び
１・縁（８５）は共に、ターンテーブル（２）の中心（
２ｃ）と電子ビーム源（６）の回転中心Ｃもとの距Ｍｌ
ｌ　Ｒと等しい曲率半径を有する。By the way, if there is no beam mask (20), the irradiation area of the electron beam is a collection of irradiation rays from the irradiation start end (5d) to the irradiation end end (5f), as shown in FIG. The upper edge (84) and the upper edge (85) are both located at the center (2) of the turntable (2).
2c) and the original distance Ml from the center of rotation C of the electron beam source (6)
l has a radius of curvature equal to R.

しかし、上述の照射領域がビームマスク（２０）によっ
て規制された照射規制領域ばウェーハ（１）上へのマス
ク（２０）の窓（２１）の投影（２１ｐ）と等しい。こ
うして、窓（２１）によって、線状ビーム（５）の照射
の立上り時及び立下り時、並びに長平方向の両端縁の強
度むらの部分が除去され、照射規制領域内の照射エネル
ギー密度は均一になる　。However, if the above-mentioned irradiation area is regulated by the beam mask (20), it is equal to the projection (21p) of the window (21) of the mask (20) onto the wafer (1). In this way, the window (21) removes the uneven intensity at the rise and fall of the irradiation of the linear beam (5) and at both edges in the long plane direction, and the irradiation energy density within the irradiation regulation area is made uniform. Become .

１枚目のウェーハ（１１）の中央部の照射が終っても、
ターンテーブル（２）は引続き定速回転して、２枚目の
ウェーハ（１２）が、ビームマスク（２ｏ）の窓（２２
ｃ　）と共に、電子ビーム源（６）の下に差し掛かる。Even after the irradiation of the center of the first wafer (11) is completed,
The turntable (2) continues to rotate at a constant speed, and the second wafer (12) is placed in the window (22) of the beam mask (2o).
c) and approaches below the electron beam source (6).

このとき、電子ビーム源（６）は第３図において領域（
６ａ）で示した位置に復帰していなければならない。即
ち、電子ビーム源（６）もターンテーブル（２）と同じ
＜１８０°回動していなければならない。線状ビームは
その長平方向に方向性に有しないので、電子ビーム源（
６）を連続回転させることができて、その回転制御が頗
る簡単になる。この場合、電子ビーム源（６）への給電
はスリップリングを介して行なわれる。At this time, the electron beam source (6) is in the region (
It must be returned to the position shown in 6a). That is, the electron beam source (6) must also rotate by <180 degrees, the same as the turntable (2). Since a linear beam has no directionality in its long plane direction, an electron beam source (
6) can be rotated continuously, making the rotation control extremely easy. In this case, the electron beam source (6) is supplied with power via a slip ring.

マスク（２０）の各組の中央の窓（２１ｃ　）　、　　
（２２ｃ　）を通して、両ウェーハ（１１）、（１２）
の中央部に対する■開目の電子ビーム照射が終ｒすると
、マスク昇降回転機構（２３）によって、マスク（２０
）は、第２図に破線（２０ｕ　）で不される向さまで上
昇し、ターンテーブル（２）に対して、時計方向に角度
αだけ回動した後、もとの萌さまで１降する。central window (21c) of each set of masks (20),
(22c) through both wafers (11), (12)
When the electron beam irradiation on the central part of the open eye is completed, the mask (20
) rises to the direction indicated by the broken line (20u) in FIG. 2, rotates clockwise by an angle α with respect to the turntable (2), and then descends one step to the original position.

そうすると、マスク（２０）の基準半径（９０）とαの
角間隔を有する半径（９２）が、ウェーハ（１１）の中
心を通るターンテーブル（２）の動径と正なる。Then, the radius (92) having an angular interval of α from the reference radius (90) of the mask (20) becomes equal to the vector radius of the turntable (2) passing through the center of the wafer (11).

中央の窓（２１ｃ）の隣の窓（２１ｂ）はこの半径（９
２）から窓（２１ｃ）と反対方向に窓の長さｌたけ偏っ
ているので、半径（９２）がウェーハ（１１）の中心上
にあるとき、窓（２１ｂ　）の投影（２１ｑ　）は窓（
２１ｃ　）の投影（２１ｐ）に連接する。この状態で窓
（２１ｃ　）　、　　（２１ｂ　）の投影（２１ｐ）　
　、　　（２１ｑ）　　　　　　’の中心間の距離βに
相当する時間だけタイミングを遅らせて、２回目の電子
ビーム照射が行なわれると、これによる照射領域Ａ２は
、第５図において破線で不されるように、１回目の電子
ヒーム照射による照射領域Ａ１とそれぞれの端部に於て
束径しながり広幅円弧状に連続する。また、窓（２１ｂ
　）による規制！（り；射領桟、Ｉ！Ｉ’　”：）　１
２１．１７　（２１＋＋　）は窓（２ｔｃ）による規制
照射ｆｌｌ′Ｊ域、即し投影（２１ｐ）に連接するう 次に、再びマスク昇降回転機構（２３）をり１作させて
、」二連の状態から更に時計方向に角度βだけ、ターン
テーブル（２）に対してマスク（２０）を回動させる。The window (21b) next to the central window (21c) has this radius (9
Since the projection (21q) of the window (21b) is offset from the window (21c) by the length l of the window in the opposite direction from the window (21c), when the radius (92) is on the center of the wafer (11), the projection (21q) of the window (21b) is
21c) is connected to the projection (21p). In this state, the projection of windows (21c) and (21b) (21p)
, (21q)' When the second electron beam irradiation is performed with the timing delayed by a time corresponding to the distance β between the centers of , continues in a wide arc shape along the bundle diameter at each end of the irradiation area A1 by the first electron beam irradiation. In addition, the window (21b
) Regulations! (ri; sharyozan, I! I' ”:) 1
21.17 (21++) is the regulated irradiation fl1'J area by the window (2tc), which is connected to the projection (21p). Next, the mask lifting and lowering rotation mechanism (23) is made to operate once again, and From this state, the mask (20) is further rotated clockwise by an angle β relative to the turntable (2).

そうすると、マスク（２０）の基−（（Ｂ半径（９０）
とα＋βの角間隔を有する半径（９４）が、ウェーハ（
１工）の中心を通るターンテーブル（２）の動径と虫な
る。左端の窓（２１ａ）はこの半径（９４）から窓（２
１ｂ）と反対方向に窓の長さｌの２倍だけ（ｌｉｌ＋１
つ′（いるので、半径（９４）がウェーハ（１１）の中
心上にあるとき、窓（２１ａ　）の投ｒ６　（２１ｒ　
）は窓（２１ｂ）の投影（２１ｑ）に連接するにの状態
で窓（２１ｃ　）　、　　（２１ａ　）の投影（２１ｐ
　）　、　　（２１ｒ　）の中心間の距離２４に相当す
る時間だけタイミングを遅らせて、３回目の電子ビーム
照射が行なわれると、これによる照射領域Ａ３は、第５
図において１点鎖線で示されるように、２回目の電子ビ
ーム照射による照射領域Ａ２とそれぞれの端部に於て重
畳しながら広＋ｔｖ、ｉ　Ｉ’Ｊ弧状に連続する。また
、窓（２１ａ）による規制照射領域、即ち投影（２１ｒ
　）は窓（２１ｂ）による規制照射領域、即ち投影（２
１ｑ　）に連接する。Then, the base of mask (20) -((B radius (90)
The radius (94) with an angular spacing of and α+β is the wafer (
The radius of the turntable (2) passes through the center of the turntable (1). The leftmost window (21a) is connected to the window (21a) from this radius (94).
1b) in the opposite direction by twice the window length l (lil+1
Therefore, when the radius (94) is on the center of the wafer (11), the throw r6 (21r
) is connected to the projection (21q) of the window (21b), and the projection (21p) of the window (21c), (21a)
), (21r) When the third electron beam irradiation is performed with the timing delayed by a time corresponding to the distance 24 between the centers of
As shown by the dashed line in the figure, the irradiation area A2 by the second electron beam irradiation continues in a wide +tv, iI'J arc shape while overlapping at each end. In addition, the regulated irradiation area by the window (21a), that is, the projection (21r
) is the regulated irradiation area by the window (21b), that is, the projection (2
1q).

Ｅ（’、　４及び第５の窓（２１ｄ）及び（２１ｅ）を
通しての電子ビーム照射もマスク（２０）を反時計方向
に回動することと、電子ビーム照射のタイミングを進め
ることの他は、上述と全く同様の手順で行なわれる。結
果として、４回目、５回目の電子ビーム照射による照射
領域Ａ４．Ａ５は上述の照射領域Ａ１〜Ａ３と連続して
、ウェーハ（１１をターンテーブル（２）の半径と垂直
の方向に動かすことなく、その全口径にわたる広１１％
ｉ弧状照射領域が形成される。また、この幅広弧状照射
領域内で窓（２１ａ）〜（２１ｅ）による規制照射領域
（２１ｐ　）　〜（２１む）が互に連接し、ウェーハ（
１）の全口径にわたって照射エネルギー密度が均一にな
る。E(', electron beam irradiation through the fourth and fifth windows (21d) and (21e) is performed by rotating the mask (20) counterclockwise and advancing the timing of electron beam irradiation. The procedure is exactly the same as described above.As a result, the irradiation areas A4 and A5 of the fourth and fifth electron beam irradiations are continuous with the irradiation areas A1 to A3 described above, and the wafer (11) is placed on the turntable (2). wide 11% across its entire aperture without moving in the direction perpendicular to the radius of the
An i-arc shaped irradiation area is formed. In addition, within this wide arc-shaped irradiation area, the regulated irradiation areas (21p) to (21m) by the windows (21a) to (21e) are connected to each other, and the wafer (
1) The irradiation energy density becomes uniform over the entire aperture.

なお、モータｆ４１　、　　（２５）及び（７１）の回
転制御にマイクロコンピュータを用いるごともできる。Note that a microcomputer may also be used to control the rotation of the motors f41, (25), and (71).

両ウェーハ（１１）、（１２）に対する１本目の広幅弧
状の電子ビーム照射が終ると、ターンテーブル（２）の
回転を止め、再びマスク昇降回転機構（２３）によって
マスク（２０）を上昇させ、クラッチＣＬを係合して、
両保持台（４１）及び（４２）をターンテーブル（２）
の半径方向に、ターンテーブル（２）の回転軸（３）に
関して対称に移動する。２本目の広幅弧状照射領域内の
照射規制領域を１回目のそれに隣接させるため、移動距
離はビームマスク（２０）の窓（２１）の１陥Ｗに等し
く設定される。以ド、上述と同様のサイクルで電子ビー
ム照射を繰返して、ウェーハ全面を一様に処理すること
ができる。When the first wide arc electron beam irradiation on both wafers (11) and (12) is completed, the rotation of the turntable (2) is stopped, and the mask (20) is raised again by the mask lifting/lowering rotation mechanism (23). Engage clutch CL,
Both holding stands (41) and (42) are connected to the turntable (2)
radially and symmetrically with respect to the rotation axis (3) of the turntable (2). In order to make the irradiation regulation area in the second wide arc-shaped irradiation area adjacent to that in the first irradiation area, the moving distance is set equal to one recess W of the window (21) of the beam mask (20). Thereafter, the entire surface of the wafer can be uniformly processed by repeating electron beam irradiation in the same cycle as described above.

１回のビーム照射による照射領域内に唯１１１＆Ｉの窓
だけが位置するようにするためには、隣合わせの窓（２
１１＋　）　、　　（２１ｃ　）及び（２１ａ　）　、
　　（２１ｂ　）がそれぞれ照射領域Ａ１及びＡ２を距
てることが必要になる。In order to ensure that only windows 111&I are located within the irradiation area by one beam irradiation, adjacent windows (2
11+), (21c) and (21a),
(21b) is required to separate the irradiation areas A1 and A2, respectively.

前者の場合、窓（２１ｂ）の中心がマスク（２０）の半
径（９２）からｌたけ偏っているので、マスク（２０）
　、ウェーハ（１）の各中心間のｉＬＩ！離をＲとずれ
ば、半径（９２）とこれに近い側の窓（２１ｂ　）の短
。In the former case, the center of the window (21b) is offset by l from the radius (92) of the mask (20), so the mask (20)
, iLI! between each center of wafer (1)! If the distance is deviated from R, then the radius (92) and the shortness of the window (21b) on the side near this.

辺との角間隔φば φ＝　ｔａｎ　−”　ＩＩ　／　２／　Ｒとなる。また
、照射領域Ａ１がマスク（２０）の中心に対して張る角
は２θとすることができるので、上述の条件を満すため
には、角度αは次の（１）式を満足しなければならない
。The angular interval φ with the side is φ=tan −” II/2/R. Also, since the angle that the irradiation area A1 makes with respect to the center of the mask (20) can be 2θ, the above conditions are satisfied. In order to satisfy the following equation (1), the angle α must satisfy the following equation (1).

α〉２θ−ｔａｎ　−”　ｌ　／　２Ｒ＝　・・（１）
後者の場合、窓（２１ｂ　）の半径（９２）に遠い方の
石辺及び窓（２１ａ）の半径（９４）に近い方の雉辺は
、それぞれ半径（９２）及び（９４）と：ｌ！／またけ
距っているので、双方の窓（２１ａ　）　、　　（２１
ｂ　）の間隔に関して、このｆＷ隔離３Ａ２は相殺され
る。α〉2θ−tan −”l/2R=...(1)
In the latter case, the stone edge farther from the radius (92) of the window (21b) and the edge closer to the radius (94) of the window (21a) have radii (92) and (94), respectively: l! /Since they are located far apart, both windows (21a) and (21
For the interval b), this fW isolation 3A2 cancels out.

従って、照射領域Ａ２がマスク（２０）の中心に対　　
　　　１して張る角を、Ａ１と同じく、２θとし′ζ、
角度βは次の（２）式を満足しなければならない。Therefore, the irradiation area A2 corresponds to the center of the mask (20).
1 and the angle that spans it is 2θ, as in A1, ′ζ,
The angle β must satisfy the following equation (2).

β〉２θ　　　　　　　　　　　　・・・・（２）次に
、第６図及び第７図を参照しながら、木兄。β〉2θ...(2) Next, while referring to Figures 6 and 7, Mr.

明の他の実施例について説明する。この第６図及び第７
図において、第１図及び第２図に対応する部分には同一
の狩号を付して重複説明を省略する。Another embodiment of the present invention will be described. This figure 6 and 7
In the figures, parts corresponding to FIGS. 1 and 2 are labeled with the same numbers and redundant explanation will be omitted.

・　第６図及び第７図において、（４６）及び（４７）
は案内棒であって、それぞれウェーハ（呆［，１１台（
４１）及び（４２）の一方の端部（４１ａ　）及び（４
２ａ　）に係合する。（４８）及び（４９）は移動用の
ネジであって、それぞれウェーハ保持台（４１）及び（
４２）の他方の端部（４１ｂ　）及び（４２ｂ　）に螺
合する。・ In Figures 6 and 7, (46) and (47)
are guide rods, each holding a wafer (11 units).
One end (41a) of (41) and (42) and (4
2a). (48) and (49) are screws for movement, and the wafer holding table (41) and (49) are screws for movement, respectively.
42) to the other ends (41b) and (42b).

案内棒（４６）　、　　（４７）及び移動ネジ（４８）
及び（４９）はターンテーブル（２）に適宜植立された
軸受Ｂ１〜Ｂ＋ｏに支承される。（６０）はハイポイド
ギヤであって、その駆動山車（６１）はターンテーブル
（２）の上部で連結稈（２４）に固着されて、被Ｈ’ｄ
ノ歯車（６２）及び（６３）は移動ネジ（４８）及び（
４９）の先端にそれぞれ固着される。駆動歯車（６１）
は、第７図に破線（６１ｕ　）で不ず位置まで上昇した
とき、被動歯車（６２）及び（６３）とそれぞれかみ合
うようになっている。Guide rods (46), (47) and moving screws (48)
and (49) are supported by bearings B1 to B+o that are appropriately installed on the turntable (2). (60) is a hypoid gear, and its driving float (61) is fixed to the connecting culm (24) at the upper part of the turntable (2).
The gears (62) and (63) are connected to the moving screw (48) and (
49) respectively. Drive gear (61)
When raised to the normal position as indicated by the broken line (61u) in FIG. 7, the gears mesh with the driven gears (62) and (63), respectively.

本実施例においても、前述の実施例と同様に、数回のビ
ーム照射によって、ビームマスク（２０）の窓（２１ａ
）〜（２Ｌｅ　）のウェーハ（１１）上への投影（２１
ｐ　）〜（２１ｔ）をターンテーブル（２）の半径方向
と垂直な方向に連接させることができる。In this embodiment as well, as in the previous embodiment, by several times of beam irradiation, the window (21a) of the beam mask (20) is
) to (2Le) onto the wafer (11) (21
p) to (21t) can be connected in a direction perpendicular to the radial direction of the turntable (2).

この場合、ビームマスク（２０）の回転とウェーハ保持
台（４１）の移動とが同時に行なわれるので、マスク（
２０）をＮ回転すると、開口（２１）の幅Ｗと等しい距
離だけウェーハ保持台（４１）が移動するように、移動
ネジ（４８）のピノナを設定しておけば、窓（２Ｌａ　
）〜（２１ｅ）を通して電子ビームを照射した後、ター
ンテーブル（２）を停止させることなく、ウェーハ（■
１）の既照射領域にターンテーブル（２）の半径方向に
隣接する領域に対する照射処理を行なうことができる。In this case, since the rotation of the beam mask (20) and the movement of the wafer holder (41) are performed simultaneously, the mask (
If the pinona of the moving screw (48) is set so that the wafer holding table (41) moves by a distance equal to the width W of the opening (21) when the window (20) is rotated N, the window (2La
) to (21e), the wafer (■
Irradiation processing can be performed on a region adjacent in the radial direction of the turntable (2) to the previously irradiated region 1).

また、マスク（２０）のｎ１回転に対して窓（２１ｃ　
）の投影（２１ｐ）に隣接する窓（２１ｂ　＞の投影（
２１ｑ　）との幅方向のずれΔＷ□にばば等しい距呂１
１だけ（呆持合（４１）が移・幼し、ウェーハ（１１）
上で双方の窓（２１ｃ　）　、　　（２１ｂ　）の投影
（２１ｐ　）　、　　（２１ｑ　）はほぼ直線上に整列
する。同様に、マスク（２０）のｎ２回転に対しては、
’Ｓ　（２１ｂ　）　、　　（２１ａ　）の投影（２１
ｑ　）　、（２１ｒ　）間のずれ６ｗ２とほぼ等しい距
離だけ保持台（４１）が移動し、ウェーハ（１１）上で
両投形（２１ｑ　）　、　　（２１ｒ　）はほぼ直線上
に整列する。Also, for n1 rotation of the mask (20), the window (21c
) of the window (21b) adjacent to the projection (21p) of the projection (
21q) Distance 1 equal to widthwise deviation ΔW□
Only 1 (Bamomochiai (41) moved / young, wafer (11)
Above, the projections (21p) and (21q) of both windows (21c) and (21b) are aligned approximately on a straight line. Similarly, for n2 rotations of mask (20),
'S (21b), projection (21a) of (21a)
The holding table (41) moves by a distance approximately equal to the deviation 6w2 between the projections (21q) and (21r), and the projections (21q) and (21r) are aligned approximately on a straight line on the wafer (11).

とごろで、被処理ウェーハ上の広幅弧状照射領域の上縁
及び下縁の曲率半径は、前述のように、ターンテーブル
及び電子ビーム源のそれぞれの回転中心間の距離Ｒに等
しい。１回のビーム照射期間中のターンテーブル及びビ
ームｄｈｔの回転角２θが一定であるとき、照射領域の
弧の長さは回転中心間の距Ｕｌｌ　Ｒが大きい稈長くな
り、照射領域が大きくなって、ウェーハ１枚当りの照射
回数を少なくすることができる。The radius of curvature of the upper and lower edges of the wide arc-shaped irradiation area on the wafer to be processed is equal to the distance R between the respective rotation centers of the turntable and the electron beam source, as described above. When the rotation angle 2θ of the turntable and beam dht during one beam irradiation period is constant, the length of the arc of the irradiation area is the longer the distance Ull R between the rotation centers is, the longer the culm is, and the irradiation area becomes larger. , the number of irradiations per wafer can be reduced.

この様子を第８図に不ず。第８図において、Ｃｓ。This situation is shown in Figure 8. In FIG. 8, Cs.

ば電子ビーム椋（６）の回転中心である。これ以外の１
（１９分は第３図に対応するので間−の符号を付して重
複説明を省略する。This is the center of rotation of the electron beam lever (6). 1 other than this
(The 19th minute corresponds to FIG. 3, so it is marked with a ``-'' and repeated explanation will be omitted.

第８図にボしたように電子ビームＩｒＩ（６１（（６ａ
）〜（６ｃ）　）を回動させるためには、例えば第２図
のモータ（７１）をターンテーブル（２）の半ｉ蚤力向
に移動させて、その回転軸（７２）に腕部材の中央を固
定し、腕部材の両端に１対の線状電子ビーム源を、ビー
ムの長手方向が同一直線上にあるように取付け、この腕
部材をターンテーブル（２）と同期して連続回転させれ
ばよい。As shown in Figure 8, the electron beam IrI (61 ((6a
) - (6c) The center is fixed, a pair of linear electron beam sources are attached to both ends of the arm member so that the longitudinal directions of the beams are on the same straight line, and this arm member is continuously rotated in synchronization with the turntable (2). That's fine.

または、腕部材の一端のみに電子ビームＩ５１　（６１
を取付けると共に、他端に適宜のバランサを取付け、駆
動モータ（７１）として、例えばステップモータのよう
な立上り特性の優れたものを使用し、電子ビーム休止期
間に電子ビーム源（６）を時計方向に回動させるように
してもよい。Alternatively, the electron beam I51 (61
At the same time, attach a suitable balancer to the other end, use a motor with excellent start-up characteristics, such as a step motor, as the drive motor (71), and rotate the electron beam source (6) clockwise during the electron beam pause period. It may also be rotated.

このような往復回動においても所要の等速回動を行なわ
せるために、所要等速期間の前後に立上り期間、立）り
期間を設けることが好ましい。In order to perform the required constant speed rotation even in such reciprocating rotation, it is preferable to provide a rising period and a rising period before and after the required constant speed period.

なお、ターンテーブル及び電子ビーム湧；の回転　　　
　　　　１中心間の距離が大きくなる程、ウェーハ上の
照射領域の形状は振方形に近くなって、ビームマスクに
よって遮蔽される部分を減少させることができる。In addition, the rotation of the turntable and electron beam
As the distance between the two centers increases, the shape of the irradiation area on the wafer becomes closer to a rectangular shape, making it possible to reduce the portion shielded by the beam mask.

以上、本発明を電子ビームによるシリコンウェーハ処理
に通用した場合について説明したが、本発明は」二連の
実施例に限定されるものではなく、線状ビームとしては
レーザー光、Ｘ線、熱線、イオンビーム等を用いること
ができ、被処理体も半；、＋’；を体のみならず、絶縁
体及び金属に適用することができる。Although the present invention has been described above for the case where it is applied to silicon wafer processing using an electron beam, the present invention is not limited to the two embodiments. An ion beam or the like can be used, and the process can be applied to not only bodies but also insulators and metals.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以Ｉ−Ａ’ｆ述のように、本発明によれば、線状エネル
ギービーム源を被処理体が載置された回転台の回転角と
等量回転させると共に、複数の方形開口を同心円上に配
設した照射領域規制手段を適宜回動させなから複数回の
ビーム照射を行なうようにしたので、被処理体上に連続
して形成された照射ｆ１１“１域内で、各方形開口によ
る照射規制領域を連接さゼることかできて、ＹＲ’＋単
な被処理体移動機構を用いながら、大口径被処理体の全
面を一様に照射処理することができる。As described above, according to the present invention, the linear energy beam source is rotated by an amount equal to the rotation angle of the rotary table on which the object to be processed is mounted, and the plurality of rectangular openings are concentrically rotated. Since beam irradiation is performed multiple times without appropriately rotating the irradiation area regulating means disposed in Since the regulation areas can be connected, the entire surface of a large-diameter object can be uniformly irradiated using YR' + a simple object moving mechanism.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図及び第２図は本発明による線状エネルギービーム
照射装置の一実施例をネオ平面図及びブロック図、第３
図〜第５図は本発明の説明に供する路線図、第６図及び
第７図は本発明の他の実施例を示す平面図及びブロック
図、第８図は本発明の説明に供する路線図、第９図及び
第１０図は従来の線状エネルギービーム照射装置１６１
の一例を示す平面図及びブロック図、第１１図は従来装
置の説明に供する路線図である。 （２）はターンテーブル、（６）は線状エネルギービー
ム源、（２０）はビームマスク、（２３）はマスク昇降
回転機構、（４１）　、　　（４２）はウェーハ保持台
、（５１）は移動相モータ、（７１）はビーム源回転用
モータである。 第１図 第２図 第６図 第７図 第８図FIGS. 1 and 2 are a neo plan view and a block diagram of an embodiment of the linear energy beam irradiation device according to the present invention, and FIG.
5 to 5 are route maps for explaining the present invention, FIGS. 6 and 7 are plan views and block diagrams showing other embodiments of the present invention, and FIG. 8 is a route map for explaining the present invention. , FIG. 9 and FIG. 10 show a conventional linear energy beam irradiation device 161.
FIG. 11 is a plan view and block diagram showing an example of the conventional device, and FIG. 11 is a route map for explaining the conventional device. (2) is a turntable, (6) is a linear energy beam source, (20) is a beam mask, (23) is a mask lifting/lowering rotation mechanism, (41) and (42) are wafer holding tables, and (51) is a moving The phase motor (71) is a motor for rotating the beam source. Figure 1 Figure 2 Figure 6 Figure 7 Figure 8

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 　被処理体が載置される回転台と、該回転台の半径方向
に配設された線状エネルギービーム源とを有し、該線状
エネルギービーム源からの線状エネルギービームを上記
被処理体に照射する線状エネルギービーム照射装置にお
いて、上記線状エネルギービームによる上記被処理体上
の照射線を、上記回転台の回転に伴って、上記回転台の
半径方向上の一点を中心として上記回転台の回転角と等
量回転させる照射線回転手段を設けると共に、複数の方
形開口を同心円上に配設した照射領域規制手段を設け、
上記複数の方形開口が、上記照射領域規制手段の所定角
間隔の対応する複数の半径から、該半径に垂直な方向に
それぞれ上記方形開口の長さのｎ倍（ｎは零または正、
負の整数）だけ偏るようにしたことを特徴とする線状エ
ネルギービーム照射装置。It has a rotary table on which the object to be processed is placed, and a linear energy beam source arranged in the radial direction of the rotary table, and the linear energy beam from the linear energy beam source is applied to the object to be processed. In the linear energy beam irradiation device that irradiates the object with the linear energy beam, the irradiation beam of the linear energy beam on the object to be processed is rotated about one point in the radial direction of the rotating table as the rotating table rotates. Providing an irradiation beam rotation means for rotating the table by an amount equal to the rotation angle of the table, and providing an irradiation area regulating means in which a plurality of rectangular openings are arranged concentrically,
The plurality of rectangular openings extend from a plurality of corresponding radii at predetermined angular intervals of the irradiation area regulating means in a direction perpendicular to the radii, each n times the length of the rectangular opening (n is zero or positive,
A linear energy beam irradiation device characterized by being biased by a negative integer.