JPS6180800A

JPS6180800A - 放射光照射装置

Info

Publication number: JPS6180800A
Application number: JP20148084A
Authority: JP
Inventors: 妻木　孝治; 健治宮田; 正嗣西
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1984-09-28
Filing date: 1984-09-28
Publication date: 1986-04-24

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の利用分野〕本発明は、シンクロトロン軌道放射光を用いて半導体ウ
ェハなどの被照射物を照射する装置に関するものである
。

〔発明の背景〕

シンクロトロン軌道放射光は、第２４図に模式的に示す
ように、光速に近い電子ｅが磁界Ｈによって軌導を曲げ
られるときに放射される電磁波で、軌道の接線方向に強
い指向性を有しているので各種の用途が有り、例えば電
子部品の微細パターン転写用の線源としても非常に有用
である。

この放射光を用いて露光の為の照射を行う場合、第２４
図に示すように横方向（本図において左右）には十分な
一様の露光が得られるが、縦方向（本図においてＺ方向
）には１　／　ｒラジアン程度のひろがりしか得られな
い。ただしγは電子エネルギーと電子の静止質量との比
であり、電子エネルギーが５００ＭｅＶの場合ｒ＝１０
００である。したがってこの場合縦方向の放射角は１ミ
リラジアン程度となり発光点から５ｍ地点では５簡の露
光幅しか得られない。一方、被照射物として例えばウェ
ハの場合、通常１０α以上の直径を有し、これらの被照
射物上に微細パターンを転写する場合、大きい露光面積
を得るために放射光束の拡大（光束の径の拡大）が必要
となる。

従来放射光を拡大する方法としては、光学的に放射光ビ
ームを拡大する方法、蓄積電子の軌道を変化させるもの
がある。光学的に放射光ビームを拡大する方法としては
、揺動ミラーで放射光を反射させるものがある。しかし
ミラーの反射係数が低いため露光時間が長゛くなるとい
う欠点がある。

蓄積電子の軌道を変化させるものとしては、ステアリン
グマグネットの弱い横磁場によシ軌道を上下にふる方法
がある。しかしこの方法はある磁場強度以上の磁場を印
加すると電子ビームが失われてしまい放射光サイズを十
分拡大できない。又動的磁場を加えるため電子ビームが
不安定になりやずいという欠点がある。又この方法は主
に電子ビームの軌道の傾きを変化させて放射光の出射方
向を変化させるものであるため十分離れないと露光面積
が得られない。たとえばこの方法による最大　　　　　
ｉ露光幅は１０ｍ地点で約３画であるが５ｍ地点にな、
ると１．７ｃｎ１程度となる。しかし電子ビームサイズ
自身を拡大すれば発光点から離れなくても露光面積は大
きくでき、又軌道を傾けて放射光の出射方向を変化させ
る方法と組みあわせれば幅広い露光面積が得られる。し
たがって、このシンクロトロン軌道放射光を工業生産面
で有効に利用するためには、そのビームサイズを拡大す
ることが重要な課題となる。

シンクロトロン軌道放射光のビームサイズを拡大する方
法については、雑誌６日本の科学と技術“′８４超微細
加工特集（財団法人日本科学技術振興財団発行２５−２
２８−７．８月）中、阿刀田伸央氏の７次代を担うリン
グラフィ技術の本命”に詳しいが、この方法によると電
子ビームを偏向させる為の磁石の他に電子ビームを拡大
する為に４個以上の収束用四重極磁石が必要となり、こ
のため装置全体が複雑で大形となり、又、調整が複雑に
なるという欠点が有る。

一方、前記の電子ビーム偏向用磁石に半径方向の磁場強
度変化を持たせることにより偏向・収束の両機能、又は
偏向・発散の両機能を付与し、これら複数種類の磁石を
交互に配列した強収束シンクロトロンも公知である。こ
の装置に於ては偏向磁石部でビームサイズを最大にする
ことはできるが、半径方向の撮動が発散するため蓄積リ
ングとしては使えないという問題がある。

〔発明の目的〕

本発明は上述の事情に鑑みて為されたもので、電子ビー
ムから放出される放射光のサイズを拡大することができ
、しかも構造が簡単で、小形に構成することができる放
射光照射装置を提供しようとするものである。

〔発明の概要〕

上記目的を達成する為、本発明の放射光照射装置は、電
子加速用の高周波加速空胴、電子ビームの偏向用磁石、
同収束用磁石、同発散用磁石及び真空チェンバを有する
電子蓄積リングと、被照射物を設置する設置ステーショ
ンと、前記電子蓄積リングの放射光発生点から被照射物
まで放射光を導くビームラインとを設けた放射光照射装
置において、前記の電子ビーム偏向用磁石はその一部に
電子ビームの偏向作用と収束作用とを果たす個所を設け
るとともに、他の一部に電子ビームの偏向作用と発散作
用とｔ果たす個所を設け、かつ、その他の部分は電子ビ
ームの偏向作用のみを果たすように構成して、収束専用
磁石及び発散専用磁石の設置を省略したことを特徴とす
る。

〔発明の実施例〕

次に、本発明の一実施例を第１図乃至第８図について説
明する。

この実施例は（第２図参照）加速器５００で加速された
電子を蓄積する蓄積リング５１０に導入して放射された
光によって半導体ウェハ５３１を照射するように構成し
た放射光照射装置の１例である。

本実施例の放射装置は、電子を加速する加速器５００、
加速された電子を蓄積する蓄積リング設置ステーション
５３０よυなる。

ｔｆｉｔ’）ングは第３図に示すように、電子ビームを
偏向および収束させる偏向収束電磁石６００、加速器５
００からの電子を偏向させ蓄積リング５１０に導き入れ
るセプタム磁石６１０、電子軌道を歪めて入射を容易に
するキツカー磁石６２０１電子を加速する高周波加速空
胴６３０１電子ビームの位置をモニターするビームモニ
ター６４０、リングの真空チェンバー６５０を高真空に
する真空ポンプ６６０などからなる。

ビームライン５２０は、第７図及び第８図に示すように
放射光を遮断するアブソーバ７００１設置ステーシヨン
５３０などでの真空洩れがあった場合、高真空のリング
６５０（第３図）内に気体が侵入しないようリング側と
ステーション側との間を遮断する高速遮断パルプ７１０
、加速器５００から蓄積リング５１０に電子を打ち込む
場合、設置ステーション側への放射線の侵入を阻止する
と−ムシャツタ−７２０などからなる。

設置ｘ＋−−ｙ″′には・′ｓ９図′示す１うにＸ１線
マスク８００、Ｘ線に感光するＸｉレジスト８１０、お
よび半導体ウェハー８２０などを設置する。

電子■は加速器により所定のエネルギーまで加速され（
第３図）、蓄積リング５１０に入射される。入射された
電子は偏向収束磁石６００により定められた一定の軌道
４００を中心に振動しなから＆’ＭＩＪング内を回転し
続ける。この中心軌道を閉軌道４００といい、この軌道
のまわりの振動運動をベータトロン振動という。この振
動運動は鉛直方向２および水平方向Ｘの振動に分解でき
、電子ビームがある大きさを持つ原因となる。このベー
タトロン振動は偏向収束電磁石６００（第３゜第７図）
により損幅が調整され、適当なビームサイズとなる。

加速器５００からの電子は偏向収束電磁石６００（第３
図）間の直線部に設けられたセプタム磁石６１０により
曲げられ、リング内の閉軌道４００に乗せられる。この
とき閉軌道６５０はキツカー磁石６２０により第３図の
破線に示す４００′の如く曲げられる。蓄積リングに入
射された電子はこのままでは数回リング内を周回した後
、再びセプタム磁石６１０に衝突してしまうためキツカ
ー磁石６２０を下げ、閉軌道６５０をもとの軌道４００
にもどす。電子はリング内を周回している間に偏向磁石
部６００で加速度運動をうけ、光を放出する。この光は
放射光と呼ばれ幅の広いスペクトル分布を持つ。この放
射光を放出するためにベータトロン振動は減衰し、ある
一定のビームサイズとなる。このように一定時間後ベー
タトロン振動は減衰してビームサイズが小さくなったと
ころで再びキツカー磁石６２０により閉軌道を入射に都
合のよいように歪め、セプタム磁石６１０により加速器
からの電子ビームを入射させる。所定のビーム電流が蓄
積するまでこの動作を繰り返す。

蓄積された電子ビームはガウス分布型をしている。

Ｘ方向およびＺ方向の電子ビームサイズを標準偏差であ
られすとそれぞれ欠配の式（１）、式（２）であられす
ことができる。ただし、ｘ、ｚ、ｓは第３図に示す方向
とする。

σ、＝Ｖπ）〒ΣＴ　　　・・・・・・・・・（１）た
だしβ８．β、はそれぞれＸ方向および２方向のベータ
トロン関数と呼はれ、電子軌道上の位置Ｓの関数である
。ηはエネルギー分散関数と呼ばれる関数である。Ｅは
電子のエネルギー、σ鳶は電子エネルギーの分散である
。

ε８．ε、はＸ方向および２方向のエミツタンスと呼ば
れる量で、位置Ｓによらず一定の値をとる。したがって
Ｘ方向のビームサイズはベータトロン関数β、およびエ
ネルギー分散関数ηが大きい場所はどビームサイズは大
きくなる。２方向はベータトロン関数β、が大きいほど
ビームサイズは大きくなる。

ベータトロン関数は偏向収束電磁石の形状と強度とによ
って決まる関数である。この偏向収束電磁石に常伝導お
よび超伝導磁石を用いた場合についてそれぞれ説明する
。

第１図は常伝導磁石に本発明を適用した状態を示す斜視
図である。この実施例の偏光磁石６０１は１組の放射装
置につき４個設置し、それぞれ９０°の偏向作用を分担
する。

リソグラフィに必要とされる放射光は１５人前後の波長
が良いとされている。したがって放射光のピーク波長を
１５人とする。このとき偏向収束電磁石の磁場強度Ｂと
電子エネルギーＥとの関係は次式（３）であられされる
。

０．９３５Ｂ部　　　　　　　　　　・・・・・・・・・（３）し
たがって磁場強度を１．２Ｔとすると電子エネルギーは
０．８８３ＧｅＶとなる。

常伝導磁石６０１はＣ字型の鉄心１３０およびコイル１
４０よシなる。磁石の鉄心は両端から一定距離Ｌｏだけ
磁極面に傾斜をつけ、残シの部分は“行′す６・傾斜０
′浜部長杯５醜　　　　　　　１１００、Ｃｌ２Ｏと名
付け、平行部分をＢ１１０と名付ける。

前記Ａ１００部の垂直断面を第４図に、Ｂ１１０部の垂
直断面を第５図に、Ｃｌ２Ｏ部の垂直断面を第６図に、
それぞれ示す。これら第４．第５゜第６図において、図
示右方が電子の回転軌跡の外側に相当する。

前記のＡ部１００は、外側はど磁場強度が弱くなるよう
に磁極面１５０が外側にむかって開いた構造とする。０
部１２０は上記と逆に内側の磁場強度が弱くなるように
磁極面１６０が内側はど開いた構造とする。そのためＡ
部１００ではＸ方向。

２方向ともビームは収束する。一方Ｃ部１２０ではＸ方
向は収束するが２方向は発散する。

平行部Ｂ１１０の磁極間隔をｄ、鉄心１３０の長さをｔ
１鉄心の比透磁率をμ、コイルの電流を工、巻き数をＮ
とすると、起磁力ＮＩとＢ、ｄ。

ｔ、μの間には次の関係がある。

本実施例の常伝導磁石（第１図）の磁極間隔ｄを１０ｃ
ｍ、　ｍＪＦｌの水平方向の長さを２０ｍ、磁石の高さ
を７０ｃｍ、幅を５０ａｎ、鉄心の平均長を５３ｃｒｒ
１、軌道方向の有効長を３８５ｃｒｎとする。Ａ部１０
０の軌道方向への有効長ｔ、は３０ｃｒｎ１Ｃ部１２０
の軌道方向への有効長ｔ１は３０ｃｒｎとする。鉄心の
比透磁率は約２０００であるから、式（４）よシ起磁力
は、次式（５）となる。

ＮＩ＝９．６Ｘ１０’　（Ａ−Ｔ）　　　・・・・・・
・・・（５）Ａ部、Ｂ部の磁場強度の変化をあられす量
として式（６）であられされるｎを定義する。

ｐ−ｄＢ　　　　　　・・・・・・・・・（６）　　ｄ
ｘＡ部のｎｔ−ｎａ、Ｂ部のｎをｒｌｊとするとｎａ。

ｎ−の値を調節することによυ電子は安定に閉軌道４０
０に沿って振動運動をしながら周回する。

第３図に示す直線部の長さを１．７ｍとしたときの軌道
の安定領域を第１０図に示す。曲線ａよりも下側の部分
が２方向の運動の安定領域、曲線Ｃ２ｄで囲まれた部分
がＸ方向の運動の安定領域である。したがって両方向の
安定領域９００は平行斜線を付した部分となる。この領
域内の１点（ｎ、。

ｎ））を選び蓄積リングの動作点をきめる。ｎ１＝１５
，１ｂ＝　　ｉｏを動作点とするとＢ　＝　１．２向の
ベータトロン関数は第１１図のようになる。

エミツタンスε８を５Ｘ１０−’（ｍＲａｄ）とすると
ビームサイズが最大となる点では、σｍａａａｘ”１．
７ｃｍとなる。電子ビームはガウス分布で、第１２図に
示す形状１２２０をしている。したがって電子ビームか
ら放射される放射光もガウス分布１２３０となる。又−
個の電子が放射光を放出する場合も出射方向は確率分布
を持ち、半値幅は次式（７）で与えられる。

ただしｒ　＝　Ｅ　／　ｍｏ　Ｃ，”で電子のエネルギ
ーと静止質量の比である。したがって発光点から一定距
離れた地点での分布も第１２図に示すような分布１２３
０となる。放射光をウェハー８２０（第９図）上に照射
する場合放射光強度は一様である方が望ましい。したが
って放射光分布１２３０の両端をスリン）１２４０（第
１２図）によって切りおとす。切りおとす位置は放射光
強度が１／２になる位置とすると、このときウェハー側
から見える電子ビームの有効サイズＳ、は２．４σ、と
なる。第１３図に電子ビームサイズＳ、を示す。ビーム
サイズが最大となる点では、Ｓｇ＋ｍａｘ！４ｃｒｎと
なる。

発光点１２００から距離りだけ離れた地点では式（７）
であられされる放射光のひろがりと、電子ビームのひろ
がりとの和となる。したがって照射高さＨは次式（８）
であられされる。

Ｈ＝χＬ＋２．４σ、、、□　　　　・・・・・・・・
・（８）Ｅ＝０．８８３ＧｅＶであるから式（７）より
ｚ　＝　０．７４ミリラジアンである。したがってＬ＝
５ｍ地点に、第９図に示すマスク８００とウェハー８２
０を設置すると照射の高さは４．５　ｃｍとなる。

次に、超伝導磁石を用いた実施例について述べる。超伝
導磁石の磁場強度を４Ｔとすると式（３）よ　　　　　
　　１υ電子のエネルギーは０．４８３０６Ｖとなる。

偏向磁石は前記実施例の常伝導磁石の場合と同様に４分
割型とし、１つの偏向角は９０°とする。

第１４図は超伝導磁石を示し、２６０は鉄心、２４０は
超伝導コイルである。第１５図は第１４図のＡ′部の垂
直断面を示し、第１６図は第１４図の０７部の垂直断面
を示す。

６５０は電子ビームが通過する真空チェンバー、２３０
は輻射シールド、２４０は超伝導コイル、２５０は冷却
用ヘリウム容器、２６０は鉄心、２７０は真空容器であ
る。前記の鉄心２６０は真空チェンバー６５０を上下方
向に挾み込んだ形状とする。

電子ビームの軌道面からコイルの中心までの距離ｔ、を
６．６ｃｍ、真空チェンバー径ｄ、をＬＯｃｍ。

液体ヘリウム容器の内径をｌｌＣｍ１外径を３７ｃｒｒ
１、真空容器内径を１５０ｚ、軌道方向の有効長ｔ。

を０．６３ｍとする。このときコイル起磁力は約１．３
Ｘ１０’　　（Ａ−Ｔ）、電流密度は２６０（Ａ／ｆ１
２）である。

前記の超伝導コイル２４０の平面図を第１７図に、側面
図を第１８図に示す。第１９図は第１８図のＩ−Ｉ断面
図、第２０図は同じ＜　ｎ−ｍ断面図である。

コイルのＵ点から７点までをＡ’　２００、Ｖ点からＷ
点までをＢ’２００、Ｗ点からＸ点までをＣ’２２０、
Ｙ点から２点ｉでをＤ’３００と名付ける。

Ａ′部２００での上下のコイル間隔をり、、０７部２２
０でのコイル間隔をり、、８２部２１０でのコイル間隔
をｈ−１Ｄ′部でのコイル間隔をｈシとする。ｈ、ｈｂ
、ｈ、、ｈａ　は次の関係を満たすようにする。

ｈ、＞ｈ、＝Ｊ　：＞ｈ、　　　　　　・・・・・・・
・・（９）このときＡ′部２００では外側の磁場強度は
内側よりも弱く、０７部２２０では逆に外側の磁場強度
が内側よりも強くなシ、８２部２１０の磁場強度は一定
である。したがって常伝導磁石の場合と同様にＡ′部２
００では、ｘ、ｚ方向とも収束、０７部２２０ではＸ方
向は収束、２方向は発散する。常伝導磁石の場合と同様
にＡ′部でのｎをＮ、、Ｃ’部でのｎ　ｔ　Ｎ　ｂとし
直線部の長さを０．５ｍとすると軌道の安定領域は第２
１図の斜線部１３００となる。動作点をＮ、＝６、Ｎｂ
＝３このとき２方向のベータトロン関数は第２２図のよ
うになる。エミツタンスεｍ　ヲ５Ｘ１０−’ｍＲ，ｅ
ｄとすると、ビームサイズＳ１は第２３図のようになる
。３点からｔ点までが放射光の発生する部分である。ビ
ームサイズが最大の点ではσ＠ｖａ＊ｘ＝０．８７ｏｎ
である。

従ってビームの半値幅は２ｃｒｎである。

既述の如く、電子のエネルギーは０．４８３ＧｅＶであ
るからγ＝９６６となり、放射光のひろがりψは１．４
ミリラジアンとなる。このため、発光点から５ｍ地点で
の照射高さＨは、式（８）から２９Ｉｙｒ＆となる。

〔発明の効果〕

以上詳述したように、本発明を適用して、シンクロトロ
ン放射光照射装置の偏向用磁石の１部に電子ビームの偏
向作用と収束作用とを果たす個所を設けるとともに、他
の一部に電子ビームの偏向作用と発散作用とを果たす個
所を設け、かつ、その他の部分拡電子ビームの偏向作用
のみを果たすように構成して、収束専用磁石及び発散専
用磁石の設置を省略すると、簡単な構成で電子ビームか
ら放出される放射光のサイズな拡大することかできると
いう優れた実用的効果を奏し、小形で露光面積の大きい
放射光照射装置の開発に貢献するとこる多大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の放射光照射装置の一実施例における常
伝導磁石の斜視図である。第２図は微細パターン転写装
置の全体図、第３図は電子の蓄積リングの正面図である
。第４図は第１図の常伝導磁石のＡ部所面図、第５図は
同じくＢ部断面図、第６図は同じくＣ部所面図である。第７図は放射光ビームを半導体ウェハに導くビームライ
ンの平　　　　　　１面図、第８図は同じく正面図であ
る。第９図は半導体ウェハーを設置する設置ステーショ
ンの模式図、第１０図は常伝導磁石を用いた場合の蓄積
リングの安定領域をあられす図表、第１１図は第１０図
の安定領域で動作点をｎａ＝１５．ｎ４＝１０としたと
きのベータトロン関数を示す図表である。第１２図は発
光点での電子ビームサイズと、発光点よりＬだけ離れた
地点での放射光の鉛直方向の拡がりＨとの関係をあられ
す図表、第１３図は電子軌道上の各点での電子ビームサ
イズを示す図表である。第１４図は前記と異なる実施例
における超伝導磁石の正面図、第１５図は第１４図のＡ
′部の断面を示す模式図、第１６図は同じ＜０７部の断
面を示す模式図である。第１７図は第１４図の実施例に
おける超伝導コイルの平面図、第１８図は同じく側面図
である。第１９図は第１８図の１−１部析面を示す模式
図、第２０図は同じくＵ−、Ｕ断面を示す模式図である
。第２１図は超伝導磁石を用いた場合の蓄積リングの安
定領域をあられす図表、第２２図は第２１図の安定領域
で動作点をｎ、＝６．ｎｂ　＝３とした場合のベータト
ロン関数を示す図表、第２３図は電子ビームの軌道上の
各点における電子ビームサイズを示す図表でおる。第２
４図は放射光の拡カリを示す模式図である。１００・・・磁極面に傾斜をつけた部分、１１０・・・
磁極面が平行な部分、１２０・・・磁極面に傾斜をつけ
た部分、１３０・・・鉄心、１４０・・・コイル、１５
０・・・外側にひろがった磁極、１６０・・・内側にひ
ろがった磁極、１７０・・・平行な磁極、２００・・・
上下のコイル間隔のひろがった部分、２１０・・・上下
のコイル間隔がひろがった部分とせばまった部分の平均
距離となっている部分、２２０・・・上下のコイル間隔
がせばまった部分、２３０・・・輻射シールド、２４０
・・・超伝導コイル、２５０・・・ヘリウム容器、２６
０・・・鉄心、２７０・・・真空容器、４００・・・電
子の閉軌道、５００・・・加速器、５１０・・・蓄積リ
ング、５２０・・・ビームライン、５３０・・・設置ス
テーション、６００・・・偏向収束電磁石、６１０・・
・セプタム磁石、６２０・・・キツカー磁石、６３０・
−・高周波加速空胴、６４０・・・ビームモニター、７
００・・・アブソーバ、７１０・・・遮断パルプ、７２
０・・・ビームシャッタ、８００・・・マスク、８１０
・・・レジスト、８２０・・・半導体ウェハ、９００・
・・安定領域、１２００・・・発光点、１２１０・・・
発光点から距離りだけ離れた地点、１２２０・・・電子
ビーム形状、１２３０・・・放射光ビーム形状、１２４
０・・・スリット、１３００・・・安定領域、Ａ・・・
常伝導の偏向磁石で磁場強度が外側はど弱まるように磁
極面に傾斜をつけた部分、Ｂ・・・常伝導の偏向磁石で
磁極面が平行な部分、Ｃ・・・常伝導偏向磁石で磁場強
度が外側はど強まるように磁極面に傾斜をつけた部分、
Ａ′・・・超伝導の偏向磁石で磁場強度が外側はど弱ま
るように上下のコイル間隔をひろげた部分、Ｂ′・・・
超伝導の偏向磁石で、上下のコイル間隔がＡ′とＣ′と
の中間の部分、Ｃ′・・・超伝導の偏向磁石で、磁場強
度が外側はど強まるように上下のコイル間隔をせばめた
部分、Ｄ′・・・超伝導の偏向磁石で、上下のコイル間
隔がＡ′とＣ′の中間の部分。

Claims

【特許請求の範囲】１、電子を加速する高周波加速空胴、電子ビームの偏向
用磁石、同収束用磁石、同発散用磁石及び真空チエンバ
を有する電子蓄積リングと、被照射物を設置する設置ス
テーションと、前記電子蓄積リングの放射光発生点から
被照射物まで放射光を導くビームラインとを設けた放射
光照射装置において、前記の電子ビーム偏向用磁石はそ
の一部に電子ビームの偏向作用と収束作用とを果たす個
所を設けるとともに、他の一部に電子ビームの偏向作用
と発散作用とを果たす個所を設け、かつ、その他の部分
は電子ビームの偏向作用のみを果たすように構成して、
収束専用磁石及び発散専用磁石の設置を省略したことを
特徴とする放射光照射装置。２、前記の電子ビーム偏向用磁石は、鉄心とコイルとを
有する常伝導磁石とし、かつ、前記の偏向作用と発散作
用とを果たす個所はその磁極間隔を半径方向の外側に向
かつて狭めた形状にするとともに、前記の偏向作用と発
散作用とを果たす個所はその磁極間隔を半径方向の外側
に向かつて拡げた形状とし、その他の部分は磁極間隔を
等間隔としたことを特徴とする特許請求の範囲第１項に
記載の放射光照射装置。３、前記の電子ビーム偏向用磁石は、鉄心と超伝導コイ
ルとからなる超電導磁石とし、かつ、前記の偏向作用と
発散作用とを果たす個所のコイルは半径方向に外側のコ
イル間隔を同内側のコイル間隔よりも狭くするとともに
、前記の偏向作用と収束作用とを果たす個所のコイルは
半径方向に外側のコイル間隔を同内側のコイル間隔より
も広くしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
載の放射光照射装置。