JPS6179767A - 被膜を形成する方法 - Google Patents
被膜を形成する方法Info
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- JPS6179767A JPS6179767A JP20181484A JP20181484A JPS6179767A JP S6179767 A JPS6179767 A JP S6179767A JP 20181484 A JP20181484 A JP 20181484A JP 20181484 A JP20181484 A JP 20181484A JP S6179767 A JPS6179767 A JP S6179767A
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- plasma
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
本発明は、改良された高周波バイアスイオンプレーティ
ング法、又は高周波バイアススパッタ法により被膜を形
成する方法に関するものである。
ング法、又は高周波バイアススパッタ法により被膜を形
成する方法に関するものである。
［従来技術及びその問題点］
１９６３年にＭａｔｔｏｘが直流２極イオンブレーテイ
ング法を発表して以来、様々なイオンブレーティング法
が開発されてきた。高周波バイアス・イオンブレーティ
ング法もその中の１つであり、１９６９年回じＭａｔｔ
ｏｘによって発表された。絶縁膜をイオンブレーティン
グ法によって形成する場合、チャージアップのために直
流電圧印加による加速効果は期待できず、また膜の絶縁
破壊の生じることがある。この場合に、基板に高周波を
印加すると効果的なことが見い出された。この方法によ
ると、高周波プラズマ中のイオンと′電子の移動速度の
相違により、基板は負にバイアスされ、プラズマとの間
に電位差を生じ、イオンはその電界で加速されて基板に
入射する 本発明者はこの方法が、ＴｉＱ□や５ｉＱ２などの酸化
膜形成に非常に有効であり、従来法よりも圧力の低い１
０−’Ｔｏｒｒ台で、硬くて、緻密な高品質の膜が得ら
れることを見出した。
ング法を発表して以来、様々なイオンブレーティング法
が開発されてきた。高周波バイアス・イオンブレーティ
ング法もその中の１つであり、１９６９年回じＭａｔｔ
ｏｘによって発表された。絶縁膜をイオンブレーティン
グ法によって形成する場合、チャージアップのために直
流電圧印加による加速効果は期待できず、また膜の絶縁
破壊の生じることがある。この場合に、基板に高周波を
印加すると効果的なことが見い出された。この方法によ
ると、高周波プラズマ中のイオンと′電子の移動速度の
相違により、基板は負にバイアスされ、プラズマとの間
に電位差を生じ、イオンはその電界で加速されて基板に
入射する 本発明者はこの方法が、ＴｉＱ□や５ｉＱ２などの酸化
膜形成に非常に有効であり、従来法よりも圧力の低い１
０−’Ｔｏｒｒ台で、硬くて、緻密な高品質の膜が得ら
れることを見出した。
しかしながら、上記した様な酸化膜には、十分有効であ
るが、これをさらに窒化膜や炭化膜に応用しようとする
と、このままでは不十分であることが見出された。とい
うのは、反応性イオンブレーティング法により化合物薄
膜を合成する場合、必要とされるイオン化あるいは活性
化の度合とそのエネルギーは化合物の種類、出発物質、
導入ガス、Ｘ板などにより異なるが、高周波バイアスイ
オンプレーティング法ではイオン密度あるいはプラズマ
密度とその運動エネルギーを独立にコントロールするこ
とはできない０両方とも投入される高周波電力に依存す
るからである。又、従来より行なわれている高周波／＜
イアススバッタ法についてもまったく同様のことがＪえ
る。
るが、これをさらに窒化膜や炭化膜に応用しようとする
と、このままでは不十分であることが見出された。とい
うのは、反応性イオンブレーティング法により化合物薄
膜を合成する場合、必要とされるイオン化あるいは活性
化の度合とそのエネルギーは化合物の種類、出発物質、
導入ガス、Ｘ板などにより異なるが、高周波バイアスイ
オンプレーティング法ではイオン密度あるいはプラズマ
密度とその運動エネルギーを独立にコントロールするこ
とはできない０両方とも投入される高周波電力に依存す
るからである。又、従来より行なわれている高周波／＜
イアススバッタ法についてもまったく同様のことがＪえ
る。
［発明の目的及び概要］
本発明は、上記した点に鑑み、高周波電力を変えずにプ
ラズマ密度をコントロールすることができる高周波バイ
アスイオンプレーティング法、又は高周波バイアススメ
ンタ法により被膜を形成する方法を提供することを目的
として研究の結果発明されたものであり、その要旨は真
空槽内で蒸発源を加熱して蒸発粒子を、又はターゲット
をスパッタしてスパッタ粒子を生成せしめるとともに、
基体に高周波電力を提供してガスプラズマを形成し、か
かるガスプラズマ申でイオン化された蒸発粒子又はスパ
ッタ粒子を基体上に被着せしめる高周波バイアスイオン
プレーティング法、又は高周波バイアススパッタ法によ
り被膜を形成する方法において、基板と膚発源、又はタ
ーゲットとの間に電子エミッターを設け、該゛電子エミ
ッターの電子電流量によりプラズマ密度をコントロール
することヲ特徴とする改良された高周波バイアスイオン
プレーティング法、又は高周波バイアススパッタ法によ
り被膜を形成する方法に関するものである。
ラズマ密度をコントロールすることができる高周波バイ
アスイオンプレーティング法、又は高周波バイアススメ
ンタ法により被膜を形成する方法を提供することを目的
として研究の結果発明されたものであり、その要旨は真
空槽内で蒸発源を加熱して蒸発粒子を、又はターゲット
をスパッタしてスパッタ粒子を生成せしめるとともに、
基体に高周波電力を提供してガスプラズマを形成し、か
かるガスプラズマ申でイオン化された蒸発粒子又はスパ
ッタ粒子を基体上に被着せしめる高周波バイアスイオン
プレーティング法、又は高周波バイアススパッタ法によ
り被膜を形成する方法において、基板と膚発源、又はタ
ーゲットとの間に電子エミッターを設け、該゛電子エミ
ッターの電子電流量によりプラズマ密度をコントロール
することヲ特徴とする改良された高周波バイアスイオン
プレーティング法、又は高周波バイアススパッタ法によ
り被膜を形成する方法に関するものである。
以下、本発明を図面に従って詳細に説明する。
第３図は、電子ビーム加熱ノに電源と組み合わせた高周
波バイアスイオンプレーティング装置の原理図を示し、
第１．２図は本発明の電子エミッター付き高周波バイア
スイオンプレーティング装置の原理図でを示す。
波バイアスイオンプレーティング装置の原理図を示し、
第１．２図は本発明の電子エミッター付き高周波バイア
スイオンプレーティング装置の原理図でを示す。
図において、ｌは基体、２は高周波放電を誘起せしめる
電極、３は蒸着源用ルツボ、４は蒸着源材料、５は電子
線ビーム、６はシャッター、７は高周波電源、８は基体
用ホルダー、９は真空槽、ｌＯはメインバルブ、１１は
リークバルブ、１２は電子エミッター、１３は７ノード
、１４はフィラメントを示す。
電極、３は蒸着源用ルツボ、４は蒸着源材料、５は電子
線ビーム、６はシャッター、７は高周波電源、８は基体
用ホルダー、９は真空槽、ｌＯはメインバルブ、１１は
リークバルブ、１２は電子エミッター、１３は７ノード
、１４はフィラメントを示す。
第１図に示した本発明の一具体例の装置は。
タングステンフィラメンからなる電子エミッター１２と
銅製の７７−ド１３とを対向させて配置した３極タイプ
であり、第２図に示した本発明の他の具体例の装置は７
ノード１３を備えた環状の電子エミッター１２を用いた
場合である。いずれも、電子エミッター１２から放出さ
れる電子を蔑発粒子と衝突させることにより、イオン化
。
銅製の７７−ド１３とを対向させて配置した３極タイプ
であり、第２図に示した本発明の他の具体例の装置は７
ノード１３を備えた環状の電子エミッター１２を用いた
場合である。いずれも、電子エミッター１２から放出さ
れる電子を蔑発粒子と衝突させることにより、イオン化
。
活性化を行ない、その電子電流量によりイオン密度がコ
ントロールされる。電子電流量はフィラメントに流れる
電子量と、電圧によって決り、′電子のエネルギーは主
に７ノードとフィラメントの間の゛上位ｋによって決め
られる。
ントロールされる。電子電流量はフィラメントに流れる
電子量と、電圧によって決り、′電子のエネルギーは主
に７ノードとフィラメントの間の゛上位ｋによって決め
られる。
かかる高周波バイアスイオンプレーティング装置を用い
て被膜形成を行なう場合、まず、ガラス、プラスチック
、セラミンク等の各種材料から選ばれる所定の基体１を
真空槽９内の基体ホルダー８にセ・ントレ、真空槽９内
を減圧にした後、真空槽９内に所定のプラズマ発生ガス
（例えば、０７．Ｎ７．Ａｒ、ｅｔｃ）を所定早導込Ｉ
−１電極２に高周波電力を印加して基体ｌの近傍に高周
波放電を誘起せしめるとともに。
て被膜形成を行なう場合、まず、ガラス、プラスチック
、セラミンク等の各種材料から選ばれる所定の基体１を
真空槽９内の基体ホルダー８にセ・ントレ、真空槽９内
を減圧にした後、真空槽９内に所定のプラズマ発生ガス
（例えば、０７．Ｎ７．Ａｒ、ｅｔｃ）を所定早導込Ｉ
−１電極２に高周波電力を印加して基体ｌの近傍に高周
波放電を誘起せしめるとともに。
所定の膜形成用のへ着源材料４を電子線ビーム５により
加熱する一力、電子エミンター１２を作動させ、更に諸
条件を調整１−た後シャンク−６を開いて基体１面に蒸
着せしめる。
加熱する一力、電子エミンター１２を作動させ、更に諸
条件を調整１−た後シャンク−６を開いて基体１面に蒸
着せしめる。
第１〜３図とも、蒸発源として電子ビーム加熱法を用い
た例について示しているが、これに限らず、他の熱的茂
発法、あるいは、マグネトロンスパッタ法、プラズマス
パンタ法、イオンヒームスパンタ法等のスパッタ法を用
い、高周波バイアス及び電子エミッターと組み合わせて
使うことができる。かかる高周波バイアススパッタ法の
場合の装置の概略は、基本的には第１．２図における茂
発源をターゲットに置き換えたものと考えればよい。
た例について示しているが、これに限らず、他の熱的茂
発法、あるいは、マグネトロンスパッタ法、プラズマス
パンタ法、イオンヒームスパンタ法等のスパッタ法を用
い、高周波バイアス及び電子エミッターと組み合わせて
使うことができる。かかる高周波バイアススパッタ法の
場合の装置の概略は、基本的には第１．２図における茂
発源をターゲットに置き換えたものと考えればよい。
本発明によれば、電子のエミッター１２を基体ｌと蒸発
［４との間に設け、エミッター１２への電子電流量を調
整することにより、蒸発粒子の連動エネルギーを独立し
て、イオン化した蒸発粒子のプラズマ密度、あるいはイ
オン密度をコントロールすることができる。又、同様に
電子エミッターを基体とターゲットとの間に設け、′・
Ｅ子エミンター１２への゛電子電流量を調整することに
よりスバンタ粒子の運動エネルギーを独立して、イオン
化したスパンタ粒子のプラズマ密度あるいはイオン密度
をコントロールスルコトができる。この本発明の方法に
より、高周波電力の印加による放電の放電圧力範囲を広
げること、特１こ放電圧力を下げることが可能となり。
［４との間に設け、エミッター１２への電子電流量を調
整することにより、蒸発粒子の連動エネルギーを独立し
て、イオン化した蒸発粒子のプラズマ密度、あるいはイ
オン密度をコントロールすることができる。又、同様に
電子エミッターを基体とターゲットとの間に設け、′・
Ｅ子エミンター１２への゛電子電流量を調整することに
よりスバンタ粒子の運動エネルギーを独立して、イオン
化したスパンタ粒子のプラズマ密度あるいはイオン密度
をコントロールスルコトができる。この本発明の方法に
より、高周波電力の印加による放電の放電圧力範囲を広
げること、特１こ放電圧力を下げることが可能となり。
従来の高周波バイアスイオンプレーティング法、あるい
は高周波バイアススパッタ法に比へ、高品質の膜を得る
ことができる。更に、イオンブレーティング法を適用す
る場合、必要とされる最適のイオンの運動エネルギーと
イオン密度あるいはプラズマ密度は、膜材料、基体。
は高周波バイアススパッタ法に比へ、高品質の膜を得る
ことができる。更に、イオンブレーティング法を適用す
る場合、必要とされる最適のイオンの運動エネルギーと
イオン密度あるいはプラズマ密度は、膜材料、基体。
出発物質、導入ガス等によって異なるから、イオンの運
動エネルギーとイオン密度あるいはプラズマ密度を独立
にコントロールできることは、高品質膜を得るために有
効な手段となる。
動エネルギーとイオン密度あるいはプラズマ密度を独立
にコントロールできることは、高品質膜を得るために有
効な手段となる。
特に、本発明は１ｍ化膜、窒化膜、炭化膜などの膜を形
成する反応性高周波バイアスイオンプ・レーティング法
に有効である。
成する反応性高周波バイアスイオンプ・レーティング法
に有効である。
［実施例］
次に未発明の実施例について説明する。
実施例１
：ｉＳ１図に示した電子エミッター付高周波バイアスイ
オンプレーティング装置を用いて１次に示す方法により
基体上にＴｉＮ膜を形成した。まず１寸法３０ｃｍＸ
３０ｃｍの正方形のソーダライムガラス基体（板厚；２
■）を中性洗剤で洗浄し、水で十分に濯いだ後、エタノ
ールで洗浄し、Ｎ２ガスで乾燥し１次いで、このカラス
基体ｉを真空槽９内の基体用ホルダー８にセフ）した、
へ着源材料として、板状の金属Ｔｉをルツボ３の中に入
れて川、きした。次いで、真空槽９内を排気ポンプ（液
体Ｎ２ トラップ付拡散ポンプ）により２ Ｘ １０−
’ Ｔｏｒｒまで排気した後、Ｎ２カス導入バルブより
Ｎ２ガスを５ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒまで導入し、高
周波電源７によりガラス板ｌに電極２を的して １５０
Ｗの高周波電力を印加して基板近傍に放Ｉしを開始させ
、Ｎ、プラズマを形成しマツチノグをＪｆｉし、次いで
高周波入力を２０ｈとする一方、蒸着源としての金属Ｔ
ｉを電子ビームにより加熱する一方、７ノード１２に
１５０ｍＡの電流２加えて、電子エミッター１２を作動
させ、真空槽９内の圧力を更に３ Ｘ １０−’ Ｔａ
ｒｔに調整した後、シャッター６を開けて所定の付着速
度でガラス基体（室温）上にＴｉＮ膜（１体ｍ）を反応
蒸着した。
オンプレーティング装置を用いて１次に示す方法により
基体上にＴｉＮ膜を形成した。まず１寸法３０ｃｍＸ
３０ｃｍの正方形のソーダライムガラス基体（板厚；２
■）を中性洗剤で洗浄し、水で十分に濯いだ後、エタノ
ールで洗浄し、Ｎ２ガスで乾燥し１次いで、このカラス
基体ｉを真空槽９内の基体用ホルダー８にセフ）した、
へ着源材料として、板状の金属Ｔｉをルツボ３の中に入
れて川、きした。次いで、真空槽９内を排気ポンプ（液
体Ｎ２ トラップ付拡散ポンプ）により２ Ｘ １０−
’ Ｔｏｒｒまで排気した後、Ｎ２カス導入バルブより
Ｎ２ガスを５ Ｘ １０−’ Ｔｏｒｒまで導入し、高
周波電源７によりガラス板ｌに電極２を的して １５０
Ｗの高周波電力を印加して基板近傍に放Ｉしを開始させ
、Ｎ、プラズマを形成しマツチノグをＪｆｉし、次いで
高周波入力を２０ｈとする一方、蒸着源としての金属Ｔ
ｉを電子ビームにより加熱する一方、７ノード１２に
１５０ｍＡの電流２加えて、電子エミッター１２を作動
させ、真空槽９内の圧力を更に３ Ｘ １０−’ Ｔａ
ｒｔに調整した後、シャッター６を開けて所定の付着速
度でガラス基体（室温）上にＴｉＮ膜（１体ｍ）を反応
蒸着した。
この様に、３〜５ Ｘ １０−’ 丁ｏｒｒ窒素雰囲気
中でｔ子エミンターを併用して作成したＴｉＮｌｌ５Ｊ
は。
中でｔ子エミンターを併用して作成したＴｉＮｌｌ５Ｊ
は。
金色で十分な付看力と硬さを有するものであった。一方
２実施例１の方法に従って、しかし電子工Ｅ ＝ｔター
先先出用ないで高周波バイアス・イオンブレーティング
法のみで作成したＴｉＮ膜はＴｉＮｆｆ！２特有な金色
ではない赤味がかった色で、硬さも十分ではなかった。
２実施例１の方法に従って、しかし電子工Ｅ ＝ｔター
先先出用ないで高周波バイアス・イオンブレーティング
法のみで作成したＴｉＮ膜はＴｉＮｆｆ！２特有な金色
ではない赤味がかった色で、硬さも十分ではなかった。
実施例２
第２図に示した高周波バイアス、イオンブレーティング
法置な用いて１次に示す方法により基体上にＳｉＪ、１
膜を形成した。まず、寸法３０ｃｌｌＸ３０ｃｍの正方
形のソータライムカラス基体（板厚； ２ｚｍ）を中性
、洗剤で洗浄し、水で十分に濯いだ後、エタノールで洗
浄し、Ｎ２ガスで乾燥し、次いで、このガラス基体ｌを
真空槽９内の基体用ホルタ−８にセットした。蒸着源材
料として、粒状の８１をルツボ３の中に入れて用意した
。次いで、真空槽９内を排気ポンプ（液体Ｎ２ トラン
プ付拡散ポンプ）により２ＸＩＯ−ＧＴｏｒｒまで排気
した後、Ｎ２ガス導入バルブよりＮ２ガスを５ Ｘ １
０−’ Ｔｏｒｒまで導入し、高周波電源７によりガラ
ス板１に電極８を通じて１５０賛の高周波電力を印加し
て基板近傍に放電を開始させ Ｎ２プラズマを形成しマ
ツチングを調整し、次いで高周波入力を２００ｗとする
一方、ハ、ｆｆＪとしての金属Ｓｉを′電子ビームによ
り加熱した。真空槽９内の圧力を更に３〜５ Ｘ １０
−’ Ｔａｒｒに調整した後、シャンター６を開けて所
定のけ着速度でガラス基体（室温）上に５１３Ｎ４膜（
１００ＯＡ ）を反応蒸着した。
法置な用いて１次に示す方法により基体上にＳｉＪ、１
膜を形成した。まず、寸法３０ｃｌｌＸ３０ｃｍの正方
形のソータライムカラス基体（板厚； ２ｚｍ）を中性
、洗剤で洗浄し、水で十分に濯いだ後、エタノールで洗
浄し、Ｎ２ガスで乾燥し、次いで、このガラス基体ｌを
真空槽９内の基体用ホルタ−８にセットした。蒸着源材
料として、粒状の８１をルツボ３の中に入れて用意した
。次いで、真空槽９内を排気ポンプ（液体Ｎ２ トラン
プ付拡散ポンプ）により２ＸＩＯ−ＧＴｏｒｒまで排気
した後、Ｎ２ガス導入バルブよりＮ２ガスを５ Ｘ １
０−’ Ｔｏｒｒまで導入し、高周波電源７によりガラ
ス板１に電極８を通じて１５０賛の高周波電力を印加し
て基板近傍に放電を開始させ Ｎ２プラズマを形成しマ
ツチングを調整し、次いで高周波入力を２００ｗとする
一方、ハ、ｆｆＪとしての金属Ｓｉを′電子ビームによ
り加熱した。真空槽９内の圧力を更に３〜５ Ｘ １０
−’ Ｔａｒｒに調整した後、シャンター６を開けて所
定のけ着速度でガラス基体（室温）上に５１３Ｎ４膜（
１００ＯＡ ）を反応蒸着した。
この様に、ＳｉとＨの反応性を向上させ、より高品質の
Ｓｉ３Ｎ４膜を得るために′電子エミッターを併用した
実施例２の方法により、ガラス基体上に形成された５ｉ
３Ｎａ膜は透明で、又付着力、硬さとも十分なＳｉ３Ｎ
４膜であった。一方、実施例２の方法に従って、しかし
電子エミッターを使用しないで高周波バイアスイオンプ
レーティング法のみでガラス基体上に形成した５ｉ３Ｎ
ｏ膜は透明であったが、硬さ及び密度は不十分であった
。又、Ｓｉを出発原料として、通常の蒸着法により、室
温の基板に窒素雰囲気中で蒸着しても、透明なＳ！３＋
１ｏ膜が得られず、赤褐色のＳｉとＳｉＱ□膜の混合膜
しか得られなかった。
Ｓｉ３Ｎ４膜を得るために′電子エミッターを併用した
実施例２の方法により、ガラス基体上に形成された５ｉ
３Ｎａ膜は透明で、又付着力、硬さとも十分なＳｉ３Ｎ
４膜であった。一方、実施例２の方法に従って、しかし
電子エミッターを使用しないで高周波バイアスイオンプ
レーティング法のみでガラス基体上に形成した５ｉ３Ｎ
ｏ膜は透明であったが、硬さ及び密度は不十分であった
。又、Ｓｉを出発原料として、通常の蒸着法により、室
温の基板に窒素雰囲気中で蒸着しても、透明なＳ！３＋
１ｏ膜が得られず、赤褐色のＳｉとＳｉＱ□膜の混合膜
しか得られなかった。
［本発明の効果］
以上の様に、本発明によれば、電子エミッターを基体と
蒸着源との間に設けることにより、茂発粒子のイオンの
運動エネルギーとは独立にイオン密度、又はプラズマ密
度をコントコールすることができ、放電圧力範囲を広げ
ることが可能となり高品質の膜を得ることができる。
蒸着源との間に設けることにより、茂発粒子のイオンの
運動エネルギーとは独立にイオン密度、又はプラズマ密
度をコントコールすることができ、放電圧力範囲を広げ
ることが可能となり高品質の膜を得ることができる。
特に、基体としてガラス又はセラミ７クスなど絶縁基板
を用いる場合１通常のイオンブレーティングのようなり
Ｃ加速を用いると、蒸着開始直前基板表面は帯電し、第
１層を形成する蒸発粒子に加速効果は期待できないか、
この場合、高周波バイアスが有効であり、かつ、本発明
の様に電子エミッターにより、イオン化又は活性化度を
増すことができ、これにより付着力 憲度、硬さの高い
膜を得ることができる。
を用いる場合１通常のイオンブレーティングのようなり
Ｃ加速を用いると、蒸着開始直前基板表面は帯電し、第
１層を形成する蒸発粒子に加速効果は期待できないか、
この場合、高周波バイアスが有効であり、かつ、本発明
の様に電子エミッターにより、イオン化又は活性化度を
増すことができ、これにより付着力 憲度、硬さの高い
膜を得ることができる。
第１．２図は、本発明の電子エミンター付き高周波バイ
アスイオンプレーティング装置の概略図、第３図は従来
の高周波バイアスイオンプレーティング装置の概略図を
示す。 １ 基体、 ２；電極、 ３ニルツボ。 ４、ノに前原材料、 ５．電子線ビーム。 ６ シャンター、 ７：高周波電源。 ８：基体用ホルター、 ９：真空槽。
アスイオンプレーティング装置の概略図、第３図は従来
の高周波バイアスイオンプレーティング装置の概略図を
示す。 １ 基体、 ２；電極、 ３ニルツボ。 ４、ノに前原材料、 ５．電子線ビーム。 ６ シャンター、 ７：高周波電源。 ８：基体用ホルター、 ９：真空槽。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 真空槽内で、蒸発源を加熱して蒸発粒子 を、又はターゲットをスパッタしてスパッタ粒子を生成
せしめるとともに、基体に高周波電力を供給してガスプ
ラズマを形成し、かかるガスプラズマ中でイオン化され
た蒸発粒 子、又はスパッタ粒子を基体上に被着せしめる高周波バ
イアスイオンプレーティング法、又は高周波バイアスス
パッタ法により被膜を形成する方法において、基板と蒸
発源、又はターゲットとの間に電子エミッターを設け、
該電子エミッターの電子電流量によりプラズマ密度をコ
ントロールすることを特徴とする改良された高周波バイ
アスイオンプレーティング法、又は高周波バイアススパ
ッタ法により被膜を形成する方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20181484A JPS6179767A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 被膜を形成する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20181484A JPS6179767A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 被膜を形成する方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6179767A true JPS6179767A (ja) | 1986-04-23 |
Family
ID=16447345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20181484A Pending JPS6179767A (ja) | 1984-09-28 | 1984-09-28 | 被膜を形成する方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6179767A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR3140097A1 (fr) * | 2022-09-27 | 2024-03-29 | Neyco | Dépôt de couches de matière par évaporation et double activation |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51111483A (en) * | 1975-03-28 | 1976-10-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of preparing thin layer of compound |
| JPS52149277A (en) * | 1976-06-07 | 1977-12-12 | Tsuneo Nishida | Golden colored decorative casing parts |
| JPS58215013A (ja) * | 1982-06-08 | 1983-12-14 | Yoshifumi Sakurai | 垂直磁化膜の製造方法 |
-
1984
- 1984-09-28 JP JP20181484A patent/JPS6179767A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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| FR3140097A1 (fr) * | 2022-09-27 | 2024-03-29 | Neyco | Dépôt de couches de matière par évaporation et double activation |
| WO2024068143A1 (fr) * | 2022-09-27 | 2024-04-04 | Neyco | Dépôt de couches de matière par évaporation et double activation |
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