JPS6178134A - Positioning method in semiconductor process and system applying the method - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To enable to automatically position the bonding maps described by a method wherein each pellet on a wafer is classified into plural categories corresponding to the kind of the defective categories and the categories are represented by signs. CONSTITUTION:A pair of target regions TA1 and TA2, each having a size equivalent to a component of two pellets, are symmetrically provided on a horizontal axis X to pass through nearly the center of the photo mask, while two pairs of regions, each including two pellets TEG1 and TEG2 which are called a TEG pellet respectively, are provided on an axis Y to orthogonally intersect with the X. When a wafer map of the wafer, which is formed using this mask, is described, the specific defective categoreis E and K are sure to appear two in number on the wafer map alongside with each other. The categories within the regions including the pellets, where are respectively away by a component of + or -3 pellets in the X and Y directions with positions, where are forecasted to be places where the signs E and K will appear in the highest probability, as the centers are all checked in advance and when the specific categories forecasted are lining up laterally two in number, the categories are respectively decided to be the position of the target pellets and that of the TEG pellets. Wafer maps are described on the basis of the position of the target pellets and that of the TEG pellets and the positioning of each wafer map is performed.

Description

【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ この発明は、半導体装置のプロセス技術さらにはウェハ
の検査工程に適用して有効な技術に関し例えばウェハマ
ツプの位置合せに利用して有効な技術に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to a technology that is effective when applied to semiconductor device processing technology and a wafer inspection process, and relates to a technology that is effective when applied to, for example, alignment of a wafer.

［背景技術］ 半導体装置のプロセスにおいては、ウェハプロセスの最
終段階で製品の選別等を行なうため、ウェハ上にマトリ
ックス状に形成された複数個の半導体集積回路を乗せた
各ペレットに対して、テスタのプローブを当てて各種機
能検査を行なっている。[Background Art] In the process of semiconductor devices, in order to select products at the final stage of the wafer process, a tester is used to test each pellet carrying a plurality of semiconductor integrated circuits formed in a matrix on the wafer. Various functional tests are performed using the probe.

この場合の機能検査は、第１図に示すようにペレットＰ
１．Ｐ２．・・・・がマトリックス状に形成されている
ウェハｌに対し、テスタのヘッドを同図に矢印（鎖線）
Ｓで示すように左右に往復させながら少しずつ下方へ移
動させ、例えば光センサで各ペレット間を分離するスク
ライブライン（切断領域）を検出して、ヘッドをペレッ
トに向かって正確に下ろし、プローブをペレット上のパ
ッドに当接させる。それから、テスタで電源電圧や適当
な制御信号および入力信号等を供給して、その集積回路
がどのような動作をするかを検査し、その結果をミニ・
コンピュータで解析して良品か不良品か判別し、不良品
に対してはマーキングを行なってから、次のカッティン
グ工程終了後に製品の選別を行ない不良品を排除するよ
うにしている。The functional test in this case is as shown in Figure 1.
1. P2. For a wafer l on which ... is formed in a matrix, the head of the tester is indicated by the arrow (dashed line) in the same figure.
Move the probe downward little by little while reciprocating from side to side as shown by S. For example, use an optical sensor to detect the scribe line (cutting area) that separates each pellet, lower the head toward the pellet accurately, and lower the probe. Place it in contact with the pad on the pellet. Next, we test how the integrated circuit operates by supplying the power supply voltage, appropriate control signals, input signals, etc. with a tester, and convert the results into a mini-computer.
A computer analyzes the products to determine whether they are good or defective, marking the defective products, and after the next cutting process is completed, the products are sorted to eliminate the defective products.

また、上記テスタによる機能検査の結果得られたデータ
は、−迂回テスタ内の記憶装置または磁気テープ等に記
録されてから不良解析等に供される。この不良解析の一
手法として、例えば第２図に示すように、ウェハ上の各
ペレットを不良項目別に分類して符号を付け、数種類あ
るいは数十種類のカテゴリからなるウェハマツプを作成
し、このウェハマツプを用いてマスク欠陥等の不良解析
を行なう方法がある。Further, the data obtained as a result of the functional test by the tester is recorded on a storage device or a magnetic tape in the detour tester, and then used for failure analysis or the like. As one method of failure analysis, for example, as shown in Figure 2, each pellet on a wafer is classified and assigned a code according to the defect type, and a wafer map consisting of several or dozens of categories is created, and this wafer map is There is a method of using this method to analyze defects such as mask defects.

ところで、前述したテスタにおいては、複数本のプロー
ブのうち特定のプローブに対してのみセンサを設けてお
き、ヘッドを下ろしたときに特定のプローブがペレット
に接触したか否かを検出して、接触した場合にのみ機能
検査を行なっている。By the way, in the above-mentioned tester, a sensor is provided only for a specific probe among multiple probes, and when the head is lowered, it detects whether or not the specific probe has contacted the pellet. Functional testing is performed only when the

この場合、同一プロセスにおいて複数のテスタを用いて
検査を行なっており、テスタごとにセンサが取り付けら
れているプローブの位置が異なることがある。In this case, a plurality of testers are used to perform the inspection in the same process, and the position of the probe to which the sensor is attached may differ depending on the tester.

また、プロセスにおいては、異なるロンド（結晶インゴ
ット）から切り出されたウェハが使用されることがある
が、ロツばはペレットの大きさに対し寸法精度が非常に
低く、径の大きさやウェハの最初の位置決めの基準とな
るオリエンテーションフラットｌａの長さもまちまちで
ある。In addition, in the process, wafers cut from different rondos (crystal ingots) are sometimes used, but rondos have very low dimensional accuracy compared to the pellet size, and the diameter and initial wafer The length of the orientation flat la, which serves as a reference for positioning, also varies.

そのためテスタが最初に検査を開始するペレットの位置
が、ウェハごとに変わってしまうおそれがある。従って
、テスタによる測定結果に基づいテ作成されるウェハマ
ツプは、同じウェハを測定して作成したとしても同じに
ならないことがある。Therefore, the position of the pellet at which the tester first starts inspecting may change from wafer to wafer. Therefore, the wafer map created based on the measurement result by the tester may not be the same even if the same wafer is measured and created.

その結果、マツプ周囲の境界線を基準にして各ウェハマ
ツプを重ね合わせても、互いにマスク上の同一のパター
ンによって形成されたペレットであるとは限らないため
、ウェハマツプをそのまま重ね合わせてカテゴリの照合
を行なっても何ら有効な情報を得ることはできない。As a result, even if the wafer maps are overlapped based on the boundary line around the map, it is not guaranteed that the pellets are formed by the same pattern on the mask. Even if you do this, you will not be able to obtain any useful information.

つまり、上記ウェハマツプを重ね合わせたとき、マスク
上の同じパターンにより形成されたペレットが同一の位
置に来れば、それらのカテゴリを照合することにより１
例えばすべて同じカテゴリに属していればそれはマスク
欠陥によるものであると推定することができる。ところ
が、上記のように各ウェハマツプをそのまま重ね合わせ
たとき、互いに同一パターンによるペレットが位置ずれ
を起こしていると、上述したようなマスク欠陥を推定さ
せるような有効な情報が得られない。In other words, when the above wafer maps are superimposed, if pellets formed by the same pattern on the mask come to the same position, by comparing their categories,
For example, if they all belong to the same category, it can be inferred that this is due to a mask defect. However, when the wafer maps are directly stacked on top of each other as described above, if pellets with the same pattern are misaligned, it is not possible to obtain effective information for estimating mask defects as described above.

そこで本発明者は、各ウェハ上に第１図に符号ＴＧＴで
示すようなターゲットが形成されるようにマスクを形成
しておくことによって、このターゲットによりウェハマ
ツプ上に表われる不良カテゴリが、第３図に示すように
同一軸線上に並ぶよう各ウェハマツプＷＭ１．ＷＭ、・
・・・を重ね合わせて、各ウェハマツプ上の同一ペレッ
ト位置のカテゴリを互いに照合することで、有効な情報
が得られるようにする技術を開発した。Therefore, the inventor of the present invention has proposed that by forming a mask on each wafer so that a target as shown by the symbol TGT in FIG. As shown in the figure, each wafer map WM1. WM,・
We have developed a technology that allows us to obtain effective information by superimposing ... and comparing the categories of the same pellet position on each wafer map.

ところが、単に各ウェハ上にターゲットペレットＴＧＴ
を形成させるようにしただけでは、ターゲットを用いて
ウェハマツプの位置合わせをディスプレイ画面上で作業
者が手作業で行なわなければならず、非常に面倒であり
多くの時間を必要とするとともに作業ミスも起き易いと
いう不都合があることが分かった。However, the target pellet TGT is simply placed on each wafer.
However, if only the wafer bumps were to be formed, the operator would have to manually align the wafer hop using a target on the display screen, which would be extremely troublesome and time consuming, and could also lead to work errors. It turns out that there is an inconvenience in that it is easy to wake up.

［発明の目的コ この発明の目的は、半尋体プロセスにおいて。[Object of the invention] The purpose of this invention is in the half-fathom process.

ウェハのプローブ検査によって得られたデータに基づい
て、ウェハ上の各ペレットを不良の種類に対応した複数
のカテゴリに分類して符号で表わすことにより作成され
たウェハマツプを自動的に位置合せすることができるよ
うにする技術を提供することにある。Based on the data obtained from the wafer probe inspection, each pellet on the wafer is classified into multiple categories corresponding to the type of defect and represented by codes, and the created wafer map can be automatically aligned. Our goal is to provide the technology that makes it possible.

この発明の他の目的は、テスタによるプローブ検査の結
果得られたデータに基づいて作成されたウェハマツプを
利用してマスク不良の検査等の不良解析を容易に行なえ
るようにする技術を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a technology that facilitates defect analysis such as mask defect inspection using a wafer map created based on data obtained as a result of probe inspection by a tester. It is in.

この発明の更に他の目的は、ウェハマツプを利用して、
マスクおよびプロセスの評価あるいは製品の自動選別等
を正確に行なえるようにする技術を提供することにある
。Still another object of the invention is to
The purpose of the present invention is to provide technology that enables accurate evaluation of masks and processes, automatic selection of products, etc.

この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴に
ついては、本明細書の記述および添附図面から明かにな
るであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

［発明の概要］ 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、下記のとおりである。[Summary of the Invention] Representative inventions disclosed in this application will be summarized as follows.

すなわち、この発明は、ウェハ上にターゲットとなる少
なくとも一組の連続した特殊ペレットを設けておき１作
成されたウェハマツプ上の特殊ペレットに対応して表わ
れる特定のカテゴリを、その周辺の複数ペレット領域に
亘って調べて見つけ。That is, in the present invention, at least one set of consecutive special pellets as a target is provided on a wafer, and a specific category that appears corresponding to the special pellet on the created wafer map is assigned to a plurality of pellet areas around the special pellet. I researched and found it.

それをウェハマツプの基準位置とすることで、ウェハマ
ツプ間の位置合せを自動的に行なえるようにするととも
に１位置合せした各ウェハマツプ上の同一位置のカテゴ
リの種類を集計することにより、マスク不良等の不良解
析を容易にし、またマスクおよびプロセスの評価さらに
は製品の自動選別を行なえるようにするという上記目的
を達成するものである。By using this as the reference position of the wafer hamps, alignment between wafer hamps can be performed automatically, and by aggregating the types of categories at the same position on each wafer ham that has been aligned, it is possible to detect mask defects, etc. This achieves the above objectives of facilitating failure analysis, mask and process evaluation, and automatic product selection.

以下この発明を実施例とともに詳細に説明する。The present invention will be described in detail below along with examples.

［実施例１］ 第４図に１本発明に係るメモリマツプの位置合せ方式が
適用された場合のホトマスクの一例が示されている。[Embodiment 1] FIG. 4 shows an example of a photomask to which the memory map alignment method according to the present invention is applied.

この実施例では、特に制限されないが、ホトマスクのほ
ぼ中心を通る水平な軸線Ｘ上に２つのぺレット分の大き
さを有する一対のターゲット領域ＴＡ、ＴＡ２が対称的
に設けられ、ここに例えばヘアカーソル状のターゲット
ＴＧＴ’１．ＴＧＴ２を形成するためのパターンがそれ
ぞれ描かれている。また、ホトマスクのほぼ中心を通り
上記軸線Ｘと直交する軸線Ｙ上には、ウェハ上のペレッ
ト内に形成される半導体素子の特性等を調べたりするた
めに製品とは別のパターンのマスクによって形成された
テグと呼ばれる２つのペレットＴＥＧ１、ＴＥ０１が２
組設けられている。In this embodiment, a pair of target areas TA and TA2 having a size equivalent to two pellets are symmetrically provided on a horizontal axis X passing approximately through the center of the photomask, although this is not particularly limited. Cursor-shaped target TGT'1. Patterns for forming TGT2 are respectively drawn. In addition, on the axis Y that passes through the center of the photomask and is orthogonal to the axis X, a mask with a pattern different from that of the product is used to investigate the characteristics of the semiconductor elements formed in the pellet on the wafer. Two pellets called TEG1 and TE01 are
A set is provided.

このような、マスクによって形成されたウェハについて
テスタに用いて機能検査を行ない、そのデータに基づい
てウェハマツプを作成する。すると、各テスタにおける
プローブのセンサ取付は位置やテスタの移動方向の相異
あるいはウェハの外径等の違いによって、テスト開始の
ペレットの位置がウェハごとに異なっていても、マスク
上に描かれた上記ターゲットＴＧＴ１．ＴＧＴ２に対応
するウェハマツプ上の位置には、第５図に斜線で示すよ
うに２つのペレット領域に亘って符号Ｅで示されるよう
な特定の不良カテゴリが必ず２つ並んで表われる。この
ターゲット領域に対応する位置に表われる不良カテゴリ
Ｅは１例えば電源電圧を印加したにもかかわらず電流が
流れないような不良（以下オープン不良と称する）と同
じカテゴリに属するものである。A tester is used to perform a functional test on a wafer formed by such a mask, and a wafer map is created based on the data. Then, even if the position of the pellet at the start of the test differs from wafer to wafer due to differences in the position of the probe sensor attachment in each tester, the direction of movement of the tester, or the outer diameter of the wafer, the position of the pellet drawn on the mask The above target TGT1. At the position on the wafer map corresponding to TGT2, two specific defective categories, indicated by symbol E, always appear side by side across two pellet areas, as indicated by diagonal lines in FIG. A defect category E appearing at a position corresponding to this target area belongs to the same category as a defect (hereinafter referred to as an open defect) in which no current flows even though a power supply voltage is applied, for example.

また、第４図のマスク上のテグペレットＴＥＧ１、ＴＥ
０１に対応するウェハマツプ上の位置にも、同様にそれ
が特定の池のカテゴリに属することを示す符号Ｋが横に
２つ並んで表われる。In addition, the TEG pellets TEG1 and TE on the mask in Fig. 4 are
Similarly, at the position on the wafer map corresponding to 01, two symbols K are displayed side by side, indicating that it belongs to a specific pond category.

そこで、この実施例では、予め最も高い確率でターゲッ
トペレットに対応するカテゴリ符号Ｅが表われるであろ
うと予測される位置（例えば第５図の斜線領域）を中心
にＸ、Ｙ方向（上下方向および左右方向に）そｈぞれ±
３ペレット分ずつ離れたペレットを含む領域（図中太線
ａで示す範囲）内のカテゴリをすべてチェックし、それ
が予め予測された特定のカテゴリ（実施例ではＥ）に属
するか否かを判別する。そして、予測された特定カテゴ
リが横に２つ並んでいれば、それをターゲットペレット
の位置と判定する。これを左右のターゲット領域周囲に
対して行なう。Therefore, in this embodiment, the X, Y directions (up and down directions and (left and right) ±
Check all categories within the region containing pellets separated by three pellets (range indicated by thick line a in the figure), and determine whether it belongs to a specific category predicted in advance (E in the example). . If two predicted specific categories are lined up horizontally, this is determined to be the position of the target pellet. This is done around the left and right target areas.

さらに、この実施例では、テグペレットＴＥＧ１＋　Ｔ
　Ｅ　Ｇ　２が形成された領域についても同様に、予め
最も高い確率でテグペレットに対応するカテゴリ符号が
表われるであろうと予測される位置を中心にＸ、Ｙ方向
それぞれ±３ペレット分ずつ離れたペレットを含む領域
（図中太線すで示す範囲）内のカテゴリをすべてチェッ
クし、それが予め予測された特定のカテゴリ（実施例で
はＫ）に属するか否かを判別する。そして、予測された
特定カテゴリが横に２つ並んでいればそれをテグペレッ
トの位置と判定する。Furthermore, in this example, TEG pellet TEG1+T
Similarly, for the region where E G 2 is formed, pellets are separated by ±3 pellets in each of the X and Y directions from the position where the category code corresponding to the Tegu pellet is predicted to appear with the highest probability. All the categories within the region (the range already indicated by the thick line in the figure) including the above are checked, and it is determined whether they belong to a specific category (K in the example) predicted in advance. Then, if two predicted specific categories are lined up horizontally, this is determined to be the position of the Tegu pellet.

そして、このようにして得られたターゲットペレットお
よびテグペレットの位置を基準にして。and with reference to the positions of the target pellet and Tegu pellet thus obtained.

これが同一軸上に並ぶように各ウェハマツプの位置をず
らして重ね合わせることにより、各ウェハマツプの位置
合せを行なう。By shifting the positions of the wafer hamps and overlapping them so that they are aligned on the same axis, the wafer hamps are aligned.

上記手法によれば、予め予測されるターゲットペレット
やテグペレットの位置から±３ペレットの範囲のカテゴ
リが特定のカテゴリに一致するか否かの判定およびこれ
により決定された基準位置に基づいて各ウェハマツプを
重ね合わせる作業を。According to the above method, it is determined whether a category within ±3 pellets from the previously predicted position of the target pellet or Tegu pellet matches a specific category, and each wafer map is determined based on the reference position determined by this. The work of overlapping.

ミニコンピユータ等を用いて容易に行なうことができる
。そのため、ウェハマツプの位置合せを人手によらずコ
ンピュータを用いて自動化することが可能となる。This can be easily done using a minicomputer or the like. Therefore, it becomes possible to automate the alignment of the wafer map using a computer instead of manually.

なお、上記実施例では、基準位置を決定するため、各ウ
ェハごとに２箇所ずつターゲットペレットおよびテグペ
レットを設けているが、各箇所に一組の特殊ペレットが
形成されていれば、そのうち一つだけでもある程度正確
な基準位置を決定することができる。In the above embodiment, target pellets and Tegu pellets are provided at two locations on each wafer in order to determine the reference position, but if a set of special pellets is formed at each location, only one of the target pellets is provided at each location. However, it is possible to determine a somewhat accurate reference position.

すなわち、実施例のように例えばターゲットペレットが
２つ並んで設けられていると、特定のカテゴリ符号がウ
ェハマツプ上のある範囲内に並んで表われる確率はかな
り低いので、ターゲットペレットの位置を決定すること
ができる。ただし。That is, if two target pellets are provided side by side as in the example, the probability that specific category codes will appear side by side within a certain range on the wafer map is quite low, so the position of the target pellets is determined. be able to. however.

ターゲットペレットの近傍にこれと同じカテゴリが２つ
並んで表れたり、ターゲットペレットの横に並んで同じ
カテゴリが一つ表われる可能もあるので、一箇所のみで
はターゲットペレットの位置を決定できない場合もある
。Two of the same categories may appear side by side near the target pellet, or one same category may appear next to the target pellet, so it may not be possible to determine the position of the target pellet from just one location. .

ところが、上記実施例においては２箇所にターゲットペ
レットの組を設ける他、テグペレットの組も設けるよう
にしているので、これらのすべてについてカテゴリの一
致を判定することにより非常に高い確率で基準位置を決
定し、ウェハマツプの位置合せを行なうことができる。However, in the above embodiment, in addition to providing a set of target pellets at two locations, a set of Tegu pellets is also provided, so the reference position can be determined with a very high probability by determining the category match for all of these locations. Then, the wafer map can be aligned.

しかも、上記実施例では、横に並んだ２つのペレット領
域内に一つのターゲットマークが形成されるようにされ
ているので、プロセス上の製品が変わってペレットの寸
法およびウェハ上のペレットの数等に変動があったよう
な場合にも、ウェハ上に形成されるターゲットＴ　Ｇ　
Ｔ　、とＴＧＴ２との間隔を変えてやる必要がない、そ
の結果、すべての製品に対し、同一のターゲットマーク
を付してやることができ、これによってマスクの製作が
容易になるという利点がある。Moreover, in the above embodiment, one target mark is formed within two pellet areas arranged side by side, so the product in the process changes and the dimensions of the pellets and the number of pellets on the wafer etc. Even if there is a change in the target T G formed on the wafer,
There is no need to change the interval between T and TGT2, and as a result, the same target mark can be applied to all products, which has the advantage of facilitating mask production.

なお、上記実施例では、ターゲットとなる特殊ペレット
を設けておいて、ウェハマツプ上のその位置を特定のカ
テゴリを用いて判定し、それを基準位置と決定している
が、縮小アうイナと呼ばれる縮小投影露光装置により、
一つのレチクルを用いて、そのパターンを１７１０に縮
小してウェハ上に次々と焼き付けて行く方式においては
、特殊なペレットを形成するのが困難となる。そこで、
そのような場合は、第４図に示すウェハマツプにおける
四隅のペレットＣＰ１〜ＣＰ４のいずれか一つを中心に
して上下、左右±３ペレットの範囲について予め予想さ
れるカテゴリと一致したか否かを判定して隅のペレット
の位置を決定し、それを基準位置としてウェハマツプの
位置合せを行なうようにしてもよい。In the above embodiment, a special pellet is provided as a target, and its position on the wafer map is determined using a specific category, and this is determined as the reference position. With reduction projection exposure equipment,
In a method in which one reticle is used and the pattern is reduced to 1710 and printed on a wafer one after another, it is difficult to form special pellets. Therefore,
In such a case, it is determined whether or not the range of ±3 pellets above, below, left and right matches the category expected in advance, centering on any one of the four corner pellets CP1 to CP4 in the wafer map shown in Figure 4. The position of the corner pellet may be determined by doing this, and the wafer hop may be aligned using this as a reference position.

［実施例２］ 次に、この発明を不良解析装置に適用した場合の実施例
を第６図を用いて説明する。[Embodiment 2] Next, an embodiment in which the present invention is applied to a failure analysis device will be described using FIG. 6.

この実施例では、ウェハ１上の各ペレットの機能検査を
行なうテスタ２によってウェハごとに得られたデータは
、テスタ２内のこれを制御するコンピュータによって処
理され、第５図に示すようなウェハマツプが作成され、
このウェハマツプに関する情報がフロッピーディスクの
ような記憶媒体３に記録される。In this embodiment, the data obtained for each wafer by the tester 2, which performs a functional test on each pellet on the wafer 1, is processed by a computer in the tester 2 that controls it, and a wafer map as shown in FIG. 5 is created. created,
Information regarding this wafer map is recorded on a storage medium 3 such as a floppy disk.

記憶媒体３に記録された例えば２００枚のような多数の
ウェハに関するウェハマツプは、解析袋！１０を構成す
るマイクロプロセッサ１１に入力される。マイクロプロ
セッサ１１は、メモリ１２内に格納されるいるプログラ
ムに従って、前記実施例の手法により、各ウェハマツプ
の位置合せを行なう、それから、マイクロプロセッサ１
１は、例えば２００枚のウェハのウェハマツプに基づい
て不良の集中を行ない、各ペレット位置ごとに最も頻度
の高いカテゴリを見つける。A wafer map of a large number of wafers, for example 200, recorded in the storage medium 3 is an analysis bag! The data is input to a microprocessor 11 that constitutes a microprocessor 10. The microprocessor 11 aligns each wafer map according to the method of the above embodiment according to the program stored in the memory 12.
1 performs concentration of defects based on a wafer map of 200 wafers, for example, and finds the most frequent category for each pellet position.

ここで１作業者がテスタ２を用いてプローブ検査を行な
ったウェハの中の一つを持って来て、顕微ｊ！１２の設
置されたテーブル１７の上に固定し、例えばカテゴリＡ
に属するペレットを検査すべくその旨の指令を入力装置
１４から与えると、マイクロプロセッサ１１は、カテゴ
リＡが最も多く表われたペレット位置を捜し、適当な制
御信号を出力する。この制御信号はｌ１０（入出力イン
ターフェイス）１５を介して上記テーブル１７をＸ。Here, one worker brings one of the wafers that has been probe tested using tester 2 and uses the microscope j! For example, category A
When a command to inspect pellets belonging to category A is given from input device 14, microprocessor 11 searches for the pellet position where category A appears most often and outputs an appropriate control signal. This control signal is sent to the table 17 via l10 (input/output interface) 15.

Ｙ方向にそれぞれ移動させるためのモータ１５ｘ。Motors 15x for moving each in the Y direction.

１６ｙに供給される。すると、モータ１６ｘ＋１６ｙが
駆動されてテーブル１７が移動され、所望のペレットが
顕微鏡１２の対物レンズの下に移動される。そこで、作
業者が顕微ｊｌ１１２を使ってそのペレットの検査を行
ない、どのような欠陥があるか見つける。16y. Then, the motors 16x+16y are driven to move the table 17, and the desired pellet is moved under the objective lens of the microscope 12. Therefore, an operator inspects the pellet using a microscope JL112 to find out what kind of defects there are.

次に１作業者がカテゴリＡに属する他のペレットを検査
する旨の指令を与えると、マイクロプロセッサ１１は２
番目にカテゴリＡの多く表われたペレット位置を示す信
号を出力する。これに基づいてモータ１６　Ｘ、　１６
　ｙが駆動され、その位置のペレットが顕微ｔｌＡ１２
の下に移動される０作業者がテーブル１７上のウェハを
取り替えて同様な指令を与えても、マイクロプロセッサ
１１は同じような制御信号を出力し、自動的に所望のカ
テゴリに属するペレットを捜し顕＊ｇの下に合せること
ができる。Next, when one worker gives a command to inspect other pellets belonging to category A, the microprocessor 11
A signal indicating the position of the pellet where category A appears most frequently is output. Based on this motor 16 X, 16
y is driven, and the pellet at that position is placed under the microscope tlA12.
Even if an operator replaces the wafer on the table 17 and issues a similar command, the microprocessor 11 outputs a similar control signal and automatically searches for pellets belonging to the desired category. It can be matched under *g.

同様に、作業者がカテゴリＢに属するペレットを検査す
べくその旨の指令を与えると、マイクロプロセッサ１１
の指令によって自動的にそのカテゴリに属するペレット
が次々と顕微鏡下に置かれる。従って、作業者は顕微鏡
を使って欠陥を次々と発見し、集計することにより、ウ
ェハマツプ上のカテゴリと欠陥の種類との関連づけを行
なうことができる。Similarly, when an operator issues a command to inspect pellets belonging to category B, the microprocessor 11
The pellets belonging to that category are automatically placed under the microscope one after another. Therefore, by finding defects one after another using a microscope and tabulating them, an operator can associate the categories on the wafer map with the types of defects.

その結果１作業者はいちいちウェハマツプを参照しなが
ら所望のカテゴリに属するペレットを見つけ、テーブル
を移動させて位置合せする必要がなくなり、顕微鏡によ
る不良検査の作業速度を上げることができ、これによっ
て不良解析作業の能率が大幅に向上されるようになる。As a result, one worker no longer needs to refer to the wafer map to find pellets belonging to the desired category and move the table to align them, increasing the speed of defect inspection using a microscope, which allows defect analysis. Work efficiency will be greatly improved.

また、この実施例における不良解析装置を利用すれば、
ｌ：１マスクを用いたプロセスにおけるマスク不良を見
つけることができるようになるとともに、ｌ：１マスク
と１０：１マスクを用いたハイブリッドプロセスにおい
て、１０：１マスクとなるレチクルの不良による欠陥と
１＝１マスクの不良による欠陥とを区別することができ
るようになり、不良解析を容易にする効果が得られる。Moreover, if the failure analysis device in this embodiment is used,
It is now possible to detect mask defects in a process using an l:1 mask, and in a hybrid process using an l:1 mask and a 10:1 mask, it is possible to detect defects caused by defective reticles that become a 10:1 mask. =1 It becomes possible to distinguish between defects caused by a defective mask, and the effect of facilitating failure analysis can be obtained.

［実施例３コ 次に１本発明を半導体プロセスにおけるテスタを有する
システムに適用した場合の実施例を説明する。[Embodiment 3] Next, an embodiment in which the present invention is applied to a system having a tester in a semiconductor process will be described.

この実施例では、テスタシステム２０は、特に制限され
ないが、第７図に示すようにプロセスのラインに沿って
複数個のテスタ２ａ、２ｂ、・・・・が設けられ、複数
のウェハが同時にプローブ検査されるようにされている
。また、各テスタ２ａ。In this embodiment, the tester system 20 is provided with a plurality of testers 2a, 2b, . . . along a process line, although not particularly limited, as shown in FIG. It is subject to inspection. Moreover, each tester 2a.

２ｂ、・・・・は、それぞれ２つで一組とされ、同一の
シーケンスコントローラ２１によって制御されるように
されている。つまり、一方のテスタが機能検査を行なっ
ている間に他方のテスタでは搬送されて来たウェハを冶
具に固定する作業を行なうことでコントローラ２１の稼
動率を高め、システム全体の処理能力を向上させるよう
にされている。2b, . . . are made into a set of two, and are controlled by the same sequence controller 21. In other words, while one tester is performing a functional test, the other tester is working to fix the transferred wafer to the jig, thereby increasing the operating rate of the controller 21 and improving the processing capacity of the entire system. It is like that.

そして、この実施例では、各テスタ２ａ、２ｂ。In this embodiment, each tester 2a, 2b.

・・・・における機能検査によって得られたデータが。The data obtained from the functional tests in...

ミニコンピユータ２２に送られて処理され、各ウェハご
とにウェハマツプが作成される。一方、このシステムが
適用されるプロセスでは、前記第１の実施例で説明した
ターゲットとなる特殊ペレットが各ウェハごとに設けら
れており、第１の実施例の手法と同じ手法によって、ミ
ニコンピユータ２２がウェハマツプの位置合せを行ない
各ペレット位置ごとにカテゴリ別の頻度等の情報を集計
するようにされている。The data is sent to the minicomputer 22 for processing, and a wafer map is created for each wafer. On the other hand, in the process to which this system is applied, the special pellet serving as the target explained in the first embodiment is provided for each wafer, and the minicomputer 22 The system aligns the wafer map and aggregates information such as the frequency of each category for each pellet position.

従って、各テスタ２ａ、２ｂ、・・・・におけるプロー
ブ検査により得られたデータに基づいて作成されたウェ
ハマツプの位置が互いにずれていぞも。Therefore, the positions of the wafer maps created based on the data obtained by the probe tests in each of the testers 2a, 2b, . . . may deviate from each other.

上記位置合せによって有効な情報が抽出される９特に、
プロセスの途中でロンドが変更されたりすると、ロンド
の径やオリエンテーションフラットの長さの違いにより
テストが開始されるペレットの位置がウェハによって異
なることが多いが、本実施例のシステムでは、このよう
にテスト開始のペレット位置がずれても、ターゲットペ
レット等を用いた位置合せにより、ペレット位置ごとに
一つのロンドから切り出されるウェハの数以上のウェハ
マツプについてカテゴリの集計が可能となり。Effective information is extracted by the above alignment9 In particular,
If the rond is changed in the middle of the process, the position of the pellet at which the test starts will often differ depending on the wafer due to the difference in the rond diameter or the length of the orientation flat. Even if the pellet position at the start of the test is shifted, alignment using a target pellet, etc. makes it possible to aggregate categories for wafers that exceed the number of wafers cut from one rond for each pellet position.

有効な情報が得られ、この情報に基づいてマスクやプロ
セスの評価が可能となる。Valid information can be obtained and masks and processes can be evaluated based on this information.

例えば、２００枚のウェハマツプのカテゴリを集計した
結果、あるペレット位置にすべて同じカテゴリの符号が
表われたとすると、それはマスク欠陥による不良である
と推定することができる。For example, if as a result of counting the categories of 200 wafer maps, all the codes of the same category appear at a certain pellet position, it can be estimated that the defect is due to a mask defect.

また、製造類に並らべられたウェハマツプの途中からそ
れ以降のマツプの特定のペレット位置にすべて同じステ
ゴリの符号が表われていることが分かったとすると、そ
れはプロセスの途中でマスクに欠陥が生じたことによる
不良であると推定することができる。このようにして１
本実施例のテスタシステムによって得られた情報から、
マスクの評価が行なえ、マスクの交換時期等を知ること
ができるとともに、同様にして、プロセスの評価を行な
うことも可能である。Also, if it is found that the same stego code appears at specific pellet positions in the wafer maps arranged in the manufacturing category from the middle to the subsequent wafer maps, it is likely that a defect occurred in the mask during the process. It can be assumed that the defect is caused by In this way 1
From the information obtained by the tester system of this example,
It is possible to evaluate the mask and know when to replace the mask, and it is also possible to evaluate the process in the same way.

さらに、第７図の実施例では、テスタシステム２０にお
いて作成されたウェハマツプに基づいて。Further, in the embodiment shown in FIG. 7, based on the wafer map created in the tester system 20.

ウェハ上のペレットのダイレクトピックが行なわれるよ
うにされている。Direct picking of pellets on the wafer is performed.

すなわち、テスタシステム２０において１機能検査が行
なわれたウェハは、そのウェハについて作成されたウェ
ハマツプとともに、ウェハの切断、組立工程に送られる
。ここでは、先ずウェハがスクライバ３１の冶具に取り
付けられ、スクライブラインに沿って切断され、ウェハ
上の各ペレットが互いに分離されてから、ダイレクトピ
ックアップ装置１３２に送られる。That is, a wafer that has been subjected to a single function test in the tester system 20 is sent to a wafer cutting and assembly process together with a wafer map created for the wafer. Here, the wafer is first attached to a jig of the scriber 31 and cut along the scribe line, and the pellets on the wafer are separated from each other and then sent to the direct pickup device 132.

このダイレクトピックアップ装置３２のハンドラーをコ
ントロールするコンピュータに、上記テスタシステム２
０で作成されたウェハマツプに関するデータがフロッピ
ーディスク３によって与えられており、スクライバ３１
によって分離された各ペレットをウェハマツプのカテゴ
リに応じて選別するようになっている。The tester system 2 is connected to a computer that controls the handler of the direct pickup device 32.
The data regarding the wafer map created in step 0 is given by the floppy disk 3, and the scriber 31
The separated pellets are sorted according to the category of the wafer.

この場合にも、ダイレクトピックアップ装置！３２にお
いて、前記第１の実施例と同じ手法によす作成されたウ
ェハマツプに基づいて、先ずウェハマツプのターゲット
ペレットを見つけてこれを基準位置として、冶具上に固
定された現物のウェハとの位置合せを行なってから、ウ
ェハマツプを参照しながら、順番に一つずつペレットの
選別を行なって行くようにされている。Also in this case, a direct pickup device! In step 32, based on the wafer map created using the same method as in the first embodiment, first, the target pellet of the wafer map is found and, using this as a reference position, the target pellet is aligned with the actual wafer fixed on the jig. After this, the pellets are sorted one by one in order while referring to the wafer map.

従って、良品と不良品の選別は勿論、メモリなどの製品
では、アクセス、タイムの違いによって性能別分類を行
なってグレード別に製品の選別を行なうことができる。Therefore, in addition to sorting out good and defective products, products such as memories can be classified by performance based on differences in access and time, and products can be sorted by grade.

つまり従来の選別装置では、テスタによる機能検査を行
なった結果、不良品と判定されたペレットにはマーキン
グが施され、スクライバによる分離後、このマーキング
に基づいて、単に良品と不良品の選別を行なっていたも
のが、この実施例においてはウェハマツプに基づいて選
別を行なうため、良品の性能別分類、選別が可能となる
。In other words, in conventional sorting equipment, pellets that are determined to be defective as a result of a functional test using a tester are marked, and after separation using a scriber, the pellets are simply sorted into good and defective products based on these markings. However, in this embodiment, since the sorting is performed based on the wafer map, it is possible to classify and select good products by performance.

なお、上記のごとく選別された良品は組立ラインに送ら
れて、グレード別にマウンティング、ボンディングおよ
びパッケージングが施される。The non-defective products selected as described above are sent to an assembly line where they are mounted, bonded, and packaged according to grade.

［効果］ （１）機能検査によるデータに基づいて各ペレットを複
数のカテゴリに分類したウェハマツプを作成するととも
に、ウェハ上にターゲットとなる少なくとも一組の連続
した特殊ペレットを設けておき、この特殊ペレットの位
置に対応して表われる特定のカテゴリを、その周辺の複
数ペレット領域に亘って調べて見つけ、それをウェハマ
ツプの基準位置とするようにしたので、特殊ペレットの
位置を基亭位置にしてウェハマツプ同士あるいはウェハ
の位置合せを行なうことができるという作用により、手
作業によらず自動的に位置合せを行なうことができるよ
うになり、作業能率が向上されるという効果がある。[Effects] (1) A wafer map is created in which each pellet is classified into multiple categories based on the data from the functional test, and at least one continuous set of special pellets as a target is provided on the wafer, and this special pellet The specific category that appears corresponding to the position of the pellet is searched and found in multiple pellet areas around it, and this is used as the reference position of the wafer map. The effect of being able to align the wafers or the wafers allows the alignment to be done automatically without having to do it manually, which has the effect of improving work efficiency.

（２）機能検査によるデータに基づいて各ペレットを複
数のカテゴリに分類したウェハマツプを作成するととも
に、ウェハ上にターゲットとなる少なくとも一組の連続
した特殊ペレットを設けておき、この特殊ペレットの位
置に対応して表われる特定のカテゴリを、その周辺の複
数ペレット領域に亘って調べて見つけ、それをウェハマ
ツプの基準位置とするとともに、決定された基準位置に
基づいて各ウェハマツプの位置合せを行なって、各ペレ
ット位置ごとにカテゴリの種類を集計することにより不
良の集中を行ない不良のカテゴリに応じて拡大すべきペ
レットを決定し、解析装置におけるウェハの位置決めを
行なうようにしたので。(2) A wafer map is created in which each pellet is classified into multiple categories based on data from the functional test, and at least one continuous set of special pellets is provided as a target on the wafer, and the position of this special pellet is A specific category that appears in a corresponding manner is searched and found in a plurality of pellet areas surrounding the specific category, and this is set as a reference position of the wafer map, and each wafer map is aligned based on the determined reference position. By summing up the category types for each pellet position, defects are concentrated, pellets to be enlarged are determined according to the defect category, and the wafer is positioned in the analyzer.

特殊ペレットの位ぽを基準位置にしてウェハの位置合せ
を行なうことができるという作用により。Due to the effect that the wafer can be aligned using the position of the special pellet as the reference position.

自動的に顕微鏡に対する位置決めが行なわれるようにな
り、解析作業の能率が向上されるという効果がある。Positioning with respect to the microscope is automatically performed, which has the effect of improving the efficiency of analysis work.

（３）テスタを有するシステムにおいて、機能検査によ
るデータに基づいて各ペレットを複数のカテゴリに分類
したウェハマツプを作成するとともに、ウェハ上にター
ゲットとなる少なくとも一組の連続した特殊ペレットを
設けておき、この特殊ペレットの位置に対応して表われ
る特定のカテゴリを、その周辺の複数ペレット領域に亘
って調べて見つけ、それをウェハマツプの基準位置とす
るとともに、決定された基準位置に基づいて各ウェハマ
ツプ間の位置合せを行なって、各ペレット位置ごとにカ
テゴリの種類を集計するようにしたので、各ペレット位
置ごとに不良の集中を行なうことができるという作用に
より、マスクおよびプロセスの評価が正確かつ迅速に行
なえることになるという効果がある。(3) In a system having a tester, a wafer map is created in which each pellet is classified into multiple categories based on data from the functional test, and at least one set of continuous special pellets as a target is provided on the wafer; The specific category that appears corresponding to the position of this special pellet is searched and found in multiple pellet areas around it, and this is set as the reference position of the wafer map, and based on the determined reference position, each wafer map is Since the category types are aggregated for each pellet position, defects can be concentrated for each pellet position, making mask and process evaluation more accurate and rapid. This has the effect of making it possible to do so.

（４）機能検査によるデータに基づいて各ペレットを複
数のカテゴリに分類したウェハマツプを作成するととも
に、ウェハ上にターゲットとなる少なくとも一組の連続
した特殊ペレットを設けておき、この特殊ペレットの位
置に対応して表われる特定のカテゴリを、その周辺の複
数ペレット領域に亘って調べて見つけ、それをウェハマ
ツプの基準位置とすることで、ペレットの選別装置Ｉ（
ダイレクトピックアップ装置Ｉ）におけるウェハの位置
決めを行なうようにしたので、特殊ペレットの位置を基
準位置にしてウェハの位置合せを行なうことができると
ともに、ウェハマツプに基づいてペレットの選別が行な
えるという作用により１手作業によらず自動的にウェハ
の位置決めを行なえるようになり、これによってマーキ
ングを付することなく自動的にペレットの選別を行なえ
、しかもペレットを性能別に選別することが可能になる
という効果がある。(4) A wafer map is created in which each pellet is classified into multiple categories based on data from the functional test, and at least one continuous set of special pellets is provided as a target on the wafer, and the position of this special pellet is The pellet sorting device I (
Since the wafer is positioned in the direct pickup device I), the wafer can be aligned using the position of the special pellet as the reference position, and the pellets can be sorted based on the wafer map. Wafer positioning can now be done automatically without manual work, and this has the effect of automatically sorting pellets without marking them, and also making it possible to sort pellets by performance. be.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが１本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない０例えば、上記ターゲット
となる特殊ペレットは、ターゲットマークの付されたペ
レットやテグペレットに限定されず他の種類のものであ
ってもよいし、またその数や位置も実施例のものに限定
されることはない。Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the above-mentioned examples, and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. For example, the special pellets that serve as the target are not limited to pellets with target marks or Tegu pellets, but may be of other types, and their number and position are also limited to those in the examples. It will not be done.

［利用分野］ 以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体集積回路のプ
ロセスにおけるウェハマツプの位置合せ手法およびそれ
を用いたシステムに適用したものについて説明したが、
それに限定されるものでなく、ダイオードやトランジス
タその他の半導体素子がウェハ上に同時に複数個塾成さ
れるようにされたプロセスおよびシステムにも利用でき
るものである。[Field of Application] The above explanation mainly describes the application of the invention made by the present inventor to a wafer map alignment method in the process of semiconductor integrated circuits, which is the field of application in which the invention is based, and a system using the same. but,
The invention is not limited thereto, and can also be used in processes and systems in which a plurality of diodes, transistors, and other semiconductor elements are simultaneously formed on a wafer.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図は、ウェハの外観構成を示す平面図、第２図は、
ウェハマツプの一例を示す説明図。 第３図は、ウェハマツプの位置合せ（重ね合せ）手法の
一例を示す説明図。 第４ｒＲは２本発明に使用されるホトマスクの一例を示
す平面図、 第５図は本発明が適用された場合のつ、エバマツプの一
例を示す説明図。 第６図は、本発明に係る不良解析装置の一実施例を示す
ブロック図、 第７図は、本発明に係るテスタシステムおよび選別装置
を含むシステムの一実施例を示すブロック図である。 ■・・・・ウェハ、２，２ａ、２ｂ〜２ｆ・・・・テス
タ、３・・・・記憶媒体（フロッピーディスク）。 ＩＯ・・・・不良解析装置、１１・用マイクロプロセッ
サ、１２・用メモリ、１３・・・・顕微鏡、１４・・・
・入力装置、Ｉ５・・・・入出力インターフェイス、１
６ｘ、１５ｙ・・・・モータ、　　　１７・・・・テー
ブル、２０・・・・テスタシステム、２１・用コントロ
ーラ、２２・・・・ミニコンピユータ、３１・・・・ス
クライバ、３２・・・・選別袋［（ダイレクトピックア
ップ装置Ｅｔ）　。FIG. 1 is a plan view showing the external structure of the wafer, and FIG.
An explanatory diagram showing an example of a wafer map. FIG. 3 is an explanatory diagram showing an example of a method for aligning (overlapping) wafer maps. 4rR is a plan view showing an example of a photomask used in the present invention, and FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of an evaporation map to which the present invention is applied. FIG. 6 is a block diagram showing an embodiment of a failure analysis device according to the present invention. FIG. 7 is a block diagram showing an embodiment of a system including a tester system and a sorting device according to the present invention. ■...Wafer, 2, 2a, 2b-2f...Tester, 3...Storage medium (floppy disk). IO...failure analysis device, microprocessor for 11, memory for 12, 13...microscope, 14...
・Input device, I5...Input/output interface, 1
6x, 15y... motor, 17... table, 20... tester system, 21... controller, 22... mini computer, 31... scriber, 32... sorting Bag [(Direct Pickup Device Et).

Claims (1)

【特許請求の範囲】 １、半導体装置が形成されるウェハ上に２つの連続した
ペレット領域に亘って特殊ペレットを少なくとも一個設
けておくとともに、テスタによるウェハ上のペレットの
プローブ検査によって得られたデータに基づいて、各ペ
レットを不良の内容に応じた複数のカテゴリに分類して
、ウェハ上のペレットの位置に対応したウェハマップを
ウェハごとに作成するとともに、上記ウェハマップ上の
特殊ペレットに対応する領域の周囲の複数のペレット領
域に亘って特定のカテゴリが連続して表われているか否
かを判定し、表われているときにはそれを基準位置と決
定してこの基準位置を互いに一致させるように各ウェハ
マップを対応させるようにしたことを特徴とする半導体
プロセスにおける位置合せ方法。 ２、上記特殊ペレットの少なくとも一つが、ターゲット
マークの形成されたターゲットペレットであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体プロセスに
おける位置合せ方法。 ３、上記特殊ペレットの少なくとも一つがテグペレット
（ウェハ状態での半導体基本特性測定評価用ペレット）
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項の半導体
プロセスにおける位置合せ方法。 ４、ウェハ上の各ペレットの機能検査を行なうためのテ
スタと、ウェハ上の特定のペレットを拡大し、欠陥を検
出するための解析装置とを備え、ウェハ上に設けられた
少なくとも一組の特殊ペレットによりウェハマップ上に
表わされるようにされた特定のカテゴリに基づいてウェ
ハマップの基準位置を決定するとともに、決定された基
準位置に基づいて各ウェハマップの位置合せを行なって
、各ペレット位置ごとにカテゴリの種類を集計すること
により不良の集中を行ない不良のカテゴリに応じて拡大
すべきペレットを決定し、解析装置におけるウェハの位
置決めを行なうようにされてなることを特徴とする半導
体プロセスにおける不良解析装置。 ５、ウェハ上の各ペレットの機能検査を行なうためのテ
スタと、そのデータを処理するデータ処理装置とを備え
、ウェハ上に設けられた少なくとも一組の特殊ペレット
によてウェハマップ上に表わされるようにされた特定の
カテゴリに基づいてウェハマップの基準位置を決定する
とともに、決定された基準位置に基づいて各ウェハマッ
プの位置合せを行なって、各ペレット位置ごとにカテゴ
リの種類を集計することにより不良の集中を行ないマス
クおよびプロセスの評価を行なうようにされてなること
を特徴とする半導体プロセスにおけるシステム。 ６、上記テスタが複数個設けられ、複数個のテスタによ
って得られたデータに基づいてウェハマップの作成、位
置合せ、不良の集中を行ないマスクおよびプロセスの評
価を行なうようにされてなることを特徴とする特許請求
の範囲第５項記載のシステム。 ７、上記ウェハを切断する切断装置と切断されたペレッ
トの選別装置を有し、上記ウェハマップの基準位置決定
後に、この基準位置に基づいてウェハの位置合せを行な
い、そのウェハに関するウェハマップに基づいて、切断
後の製品選別を行なうようにされてなることを特徴とす
る特許請求の範囲第５項記載のシステム。[Claims] 1. At least one special pellet is provided over two consecutive pellet areas on a wafer on which semiconductor devices are formed, and data obtained by probe inspection of the pellet on the wafer with a tester. Based on this, each pellet is classified into multiple categories depending on the content of the defect, and a wafer map corresponding to the pellet position on the wafer is created for each wafer, and a wafer map corresponding to the special pellet on the wafer map is created. It is determined whether a specific category appears continuously across multiple pellet areas around the area, and when it appears, it is determined as a reference position and these reference positions are matched with each other. An alignment method in a semiconductor process, characterized in that each wafer map is made to correspond to each other. 2. The alignment method in a semiconductor process according to claim 1, wherein at least one of the special pellets is a target pellet on which a target mark is formed. 3. At least one of the special pellets mentioned above is a Tegu pellet (a pellet for measuring and evaluating basic semiconductor characteristics in a wafer state)
An alignment method in a semiconductor process according to claim 1, characterized in that: 4. Equipped with a tester for functionally inspecting each pellet on the wafer and an analysis device for enlarging specific pellets on the wafer and detecting defects, at least one set of special Determining the reference position of the wafer map based on the specific category represented on the wafer map by the pellet, and aligning each wafer map based on the determined reference position, for each pellet position. A failure in a semiconductor process, characterized in that the defects are concentrated by aggregating the category types, the pellets to be enlarged are determined according to the defect category, and the wafer is positioned in an analysis device. Analysis device. 5. Equipped with a tester for functionally testing each pellet on the wafer and a data processing device for processing the data, the pellets are represented on the wafer map by at least one set of special pellets provided on the wafer. Determining the reference position of the wafer map based on the specific category determined as above, aligning each wafer map based on the determined reference position, and totalizing the category type for each pellet position. 1. A system for semiconductor processing, characterized in that the system is configured to evaluate masks and processes by concentrating defects. 6. A plurality of the above testers are provided, and the mask and process are evaluated by creating a wafer map, aligning, and concentrating defects based on the data obtained by the plurality of testers. The system according to claim 5. 7. It has a cutting device for cutting the wafer and a sorting device for the cut pellets, and after determining the reference position of the wafer map, aligns the wafer based on this reference position, and aligns the wafer based on the wafer map regarding the wafer. 6. The system according to claim 5, wherein the system is configured to perform product sorting after cutting.