JPS6161325B2 - - Google Patents
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- JPS6161325B2 JPS6161325B2 JP54166102A JP16610279A JPS6161325B2 JP S6161325 B2 JPS6161325 B2 JP S6161325B2 JP 54166102 A JP54166102 A JP 54166102A JP 16610279 A JP16610279 A JP 16610279A JP S6161325 B2 JPS6161325 B2 JP S6161325B2
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- amorphous magnetic
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Landscapes
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は圧力又は変位を、磁歪を有するアモル
フアス磁性合金の内部応力に変換し、これを磁心
の一部として有するインダクタンスの変化として
検出する圧力又は変位センサーに関する。
フアス磁性合金の内部応力に変換し、これを磁心
の一部として有するインダクタンスの変化として
検出する圧力又は変位センサーに関する。
近年アモルフアス磁性合金は超急冷法により安
価で大量に供給し得る様になり、その高透磁率、
高飽和磁束密度の特徴から多くの実用的応用が考
えられ、一部ではすでに製品材料として用いられ
つつある。またマイクロプロセツサーはその多く
の利点から急速に発達し、普及しつつあり、生産
システム、社会生活に大きな変換をもたらし始め
ている。しかしこのマイクロプロセツサーの入力
となる種々のセンサーにおいては、まだまだ充分
安価で正確なものはなく、特に、圧力・変位セン
サーに対するニーズは非常に高い。
価で大量に供給し得る様になり、その高透磁率、
高飽和磁束密度の特徴から多くの実用的応用が考
えられ、一部ではすでに製品材料として用いられ
つつある。またマイクロプロセツサーはその多く
の利点から急速に発達し、普及しつつあり、生産
システム、社会生活に大きな変換をもたらし始め
ている。しかしこのマイクロプロセツサーの入力
となる種々のセンサーにおいては、まだまだ充分
安価で正確なものはなく、特に、圧力・変位セン
サーに対するニーズは非常に高い。
本発明はこのような状況のもとで、安価で本質
的にすぐれた磁性材料であるアモルフアス磁性合
金を用い、その磁歪を利用する圧力又は変位セン
サーを提供するものである。
的にすぐれた磁性材料であるアモルフアス磁性合
金を用い、その磁歪を利用する圧力又は変位セン
サーを提供するものである。
以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明す
る。第１図はインダクタンスを含む非安定マルチ
バイブレータ回路を有する圧力又は変位センサー
である。１は測定用標準インダクタンスで、値を
l1とする。２は磁歪を有する磁性材料を少なくと
も一部に用いた磁心をもち、圧力又は変位が前記
磁性材料に伝達される機構をもつインダクタンス
で、その値をl2とする。３，４は発振用帰還容量
で、その値はC1、C2である。５，６は発振用帰
還抵抗で、その値はr1、r2である。７，８はスイ
ツチング用トランジスタ、９，１０はエミツタ電
流逆流阻止ダイオードである。以上で非安定マル
チバイブレータ部が構成される。１１はトランジ
スタ７導通時コレクタ電圧が低レベルになる時間
長T1を測定する回路、１２はトランジスタ８導
通時コレクタ電圧が低レベルになる時間長T2を
測定する回路である。１３は時間長測定回路１
１，１２より送られた時間長T1、T2を用いてl2の
変化を検出し、それより圧力又は変位を演算出力
する回路である。i1、i2はインダクタンス１，２
を流れる電流である。この非安定マルチバイブレ
ータ部では、発振時に容量３，４はインダクタン
ス１，２よりインピーダンスが小さく、抵抗５，
６は容量３，４の放電時定数がその発振周期より
長く設定される。
る。第１図はインダクタンスを含む非安定マルチ
バイブレータ回路を有する圧力又は変位センサー
である。１は測定用標準インダクタンスで、値を
l1とする。２は磁歪を有する磁性材料を少なくと
も一部に用いた磁心をもち、圧力又は変位が前記
磁性材料に伝達される機構をもつインダクタンス
で、その値をl2とする。３，４は発振用帰還容量
で、その値はC1、C2である。５，６は発振用帰
還抵抗で、その値はr1、r2である。７，８はスイ
ツチング用トランジスタ、９，１０はエミツタ電
流逆流阻止ダイオードである。以上で非安定マル
チバイブレータ部が構成される。１１はトランジ
スタ７導通時コレクタ電圧が低レベルになる時間
長T1を測定する回路、１２はトランジスタ８導
通時コレクタ電圧が低レベルになる時間長T2を
測定する回路である。１３は時間長測定回路１
１，１２より送られた時間長T1、T2を用いてl2の
変化を検出し、それより圧力又は変位を演算出力
する回路である。i1、i2はインダクタンス１，２
を流れる電流である。この非安定マルチバイブレ
ータ部では、発振時に容量３，４はインダクタン
ス１，２よりインピーダンスが小さく、抵抗５，
６は容量３，４の放電時定数がその発振周期より
長く設定される。
第１図のインダクタンス２としては種々のもの
か考えられる。第２図、第３図は圧力センサーに
実施した例を示し、第４図は変位センサーに実施
した例を示す。
か考えられる。第２図、第３図は圧力センサーに
実施した例を示し、第４図は変位センサーに実施
した例を示す。
第２図で、２１は磁歪を有するアモルフアス磁
性合金の薄円板、２２は中心に外環壁２２ａと同
一面位置になる様円柱状突出部２２ｂを持つつば
形ソフトフエライトである。２３は円柱状突出部
２２ｂを中心に巻かれたコイル、２４はそのリー
ド線を取り出す小孔である。２１，２２で囲まれ
た空間は排気真空とし、小孔２４、及び２１，２
２の接着部は、接着材、充填材で気密とし、真空
を破らぬ様に処理する。２１，２２は磁気回路を
構成し、コイル２３で励磁される。この時２１は
外部の圧力と内部の真空との圧力差でひずみ、内
部応力の変化が生じ、磁歪効果によりインダクタ
ンスの値が変化する。
性合金の薄円板、２２は中心に外環壁２２ａと同
一面位置になる様円柱状突出部２２ｂを持つつば
形ソフトフエライトである。２３は円柱状突出部
２２ｂを中心に巻かれたコイル、２４はそのリー
ド線を取り出す小孔である。２１，２２で囲まれ
た空間は排気真空とし、小孔２４、及び２１，２
２の接着部は、接着材、充填材で気密とし、真空
を破らぬ様に処理する。２１，２２は磁気回路を
構成し、コイル２３で励磁される。この時２１は
外部の圧力と内部の真空との圧力差でひずみ、内
部応力の変化が生じ、磁歪効果によりインダクタ
ンスの値が変化する。
第３図で、３１は磁歪を有するアモルフアス磁
性合金の円筒、３２はこの円筒３１の周壁の一部
を軸心方向に巻いたコイルである。３３は非磁性
の気密栓であり、円筒３１の両端部形状を確保す
る。３１及び３２で囲まれた空間は排気真空とす
る。３１は円筒状の磁気回路を構成し、コイル３
２で励磁される。この時３１は外部の圧力と内部
の真空との圧力差で内部応力の変化が生じ、磁歪
効果によりこのインダクタンスの値が変化する。
性合金の円筒、３２はこの円筒３１の周壁の一部
を軸心方向に巻いたコイルである。３３は非磁性
の気密栓であり、円筒３１の両端部形状を確保す
る。３１及び３２で囲まれた空間は排気真空とす
る。３１は円筒状の磁気回路を構成し、コイル３
２で励磁される。この時３１は外部の圧力と内部
の真空との圧力差で内部応力の変化が生じ、磁歪
効果によりこのインダクタンスの値が変化する。
第４図で、４１は磁歪を有するアモルフアス磁
性合金の角穴を有する角形板、４２は角形板４１
の一辺を巻いたコイル、４３は４１の一端を固定
する固定具、４４は測定する変位を伝える伝達具
である。４１は磁気回路を構成し、コイル４２で
励磁される。この時角形板４１は伝達具４４によ
り伝えられた変位によりひずみ、内部応力の変化
が生じ、磁歪効果によりインダクタンスの値が変
化する。
性合金の角穴を有する角形板、４２は角形板４１
の一辺を巻いたコイル、４３は４１の一端を固定
する固定具、４４は測定する変位を伝える伝達具
である。４１は磁気回路を構成し、コイル４２で
励磁される。この時角形板４１は伝達具４４によ
り伝えられた変位によりひずみ、内部応力の変化
が生じ、磁歪効果によりインダクタンスの値が変
化する。
次に第１図のマルチバイブレータ部の動作を述
べる。トランジスタ７が導通、トランジスタ８が
非導通の状態をＡとし、トランジスタ７が非導
通、トランジスタ８が導通の状態をＢとする。そ
れぞれの時間長は前述の如くそれぞれＡがT1、
ＢがT2である。この時容量３，４の値をC1、
C2、抵抗５，６の値をr1、r2とする。第５図に示
す如く、Ａ状態ではトランジスタ７のベース電流
は、インダクタンス２の直前のＢ状態で蓄積され
た磁気エネルギによつて、容量４、抵抗６を介し
て供給され、この間インダクタンス１は電源から
電流供給を受け磁気エネルギの蓄積を行なう。イ
ンダクタンス２の磁気エネルギが無くなるとトラ
ンジスタ７のベース電流が供給されなくなり、ト
ランジスタ７は非導通となる。その結果トランジ
スタ８のベースにインダクタンス１に蓄積された
磁気エネルギが電流として、容量３、抵抗５を介
して供給され始め、Ｂ状態に入る。Ｂ状態はイン
ダクタンス１の磁気エネルギが無くなるまで続
き、その間インタクタンス２に電源より電流が供
給され、磁気エネルギが蓄積される。インダクタ
ンス１の磁気エネルギが無くなるとトランジスタ
８のベース電流が供給されなくなり、トランジス
タ８は非導通となる。その結果トランジスタ７の
ベースにインダクタンス２の磁気エネルギ放出に
よる電流が流れ始めＡ状態に入る。以下同様にく
り返えされ発振を続ける。
べる。トランジスタ７が導通、トランジスタ８が
非導通の状態をＡとし、トランジスタ７が非導
通、トランジスタ８が導通の状態をＢとする。そ
れぞれの時間長は前述の如くそれぞれＡがT1、
ＢがT2である。この時容量３，４の値をC1、
C2、抵抗５，６の値をr1、r2とする。第５図に示
す如く、Ａ状態ではトランジスタ７のベース電流
は、インダクタンス２の直前のＢ状態で蓄積され
た磁気エネルギによつて、容量４、抵抗６を介し
て供給され、この間インダクタンス１は電源から
電流供給を受け磁気エネルギの蓄積を行なう。イ
ンダクタンス２の磁気エネルギが無くなるとトラ
ンジスタ７のベース電流が供給されなくなり、ト
ランジスタ７は非導通となる。その結果トランジ
スタ８のベースにインダクタンス１に蓄積された
磁気エネルギが電流として、容量３、抵抗５を介
して供給され始め、Ｂ状態に入る。Ｂ状態はイン
ダクタンス１の磁気エネルギが無くなるまで続
き、その間インタクタンス２に電源より電流が供
給され、磁気エネルギが蓄積される。インダクタ
ンス１の磁気エネルギが無くなるとトランジスタ
８のベース電流が供給されなくなり、トランジス
タ８は非導通となる。その結果トランジスタ７の
ベースにインダクタンス２の磁気エネルギ放出に
よる電流が流れ始めＡ状態に入る。以下同様にく
り返えされ発振を続ける。
上記動作原理より、Ａ状態の時間長T1とＢ状
態の時間長T2は、l1、l2、r1、r2により決定し得
る。すなわちｔ＝０でＢ状態よりＡ状態に入つた
とする。i1、i2は容量３，４と抵抗５，６が前記
設定条件に設定されているので、次式であらわさ
れる。
態の時間長T2は、l1、l2、r1、r2により決定し得
る。すなわちｔ＝０でＢ状態よりＡ状態に入つた
とする。i1、i2は容量３，４と抵抗５，６が前記
設定条件に設定されているので、次式であらわさ
れる。
Ａ状態
i1＝（Vcc／l1）ｔ ……(1)
i2＝i02＋〔（Vcc−V02）／l2〕ｔ ……(2)
Ｂ状態
i1＝i01＋〔（Vcc−V01）／l1〕（ｔ
−T1） ……(3)
i2＝（Vcc／l2）（ｔ−T1） ……(4)
ここでVccは電源電圧、V01、i01はインダクタ
ンス１が磁気的エネルギを放出し始めた時すなわ
ちＢ状態の初期の容量３の端子間電圧及びi1の値
である。V02、i02はインダクタンス２が磁気エネ
ルギを放出し始めた時すなわちＡ状態の初期の容
量４の端子間電圧及びi2の値である。第６図は以
上のi1、i2の変化とトランジスタ７，８のコレク
タ及びベース電圧の変化を示したものである。(1)
〜(4)式とＡ状態、Ｂ状態が連続的に繰り返される
ことより次の４式が導かれる。
ンス１が磁気的エネルギを放出し始めた時すなわ
ちＢ状態の初期の容量３の端子間電圧及びi1の値
である。V02、i02はインダクタンス２が磁気エネ
ルギを放出し始めた時すなわちＡ状態の初期の容
量４の端子間電圧及びi2の値である。第６図は以
上のi1、i2の変化とトランジスタ７，８のコレク
タ及びベース電圧の変化を示したものである。(1)
〜(4)式とＡ状態、Ｂ状態が連続的に繰り返される
ことより次の４式が導かれる。
（Vcc／l1）T1＝i01 ……(5)
（Vcc／l2）T2＝i02 ……(6)
（Vcc／l1）T1＋〔（Vcc−V01）
／l2〕T2 ……(7)
（Vcc／l2）T2＋〔（Vcc−V02）
／l1〕T1＝０ ……(8)
さらに容量３，４のインダクタンス１，２によ
る充電電荷と、抵抗５，６による放電電荷が一致
することより次式が導かれる。
る充電電荷と、抵抗５，６による放電電荷が一致
することより次式が導かれる。
１／２（Vcc／l1）T1T2＝（V01／r1）（T1
＋T2 ……(9)
１／２（Vcc／l2）T2T1＝（V02／r2）（T1
＋T2） ……(10)
以上の(5)〜(10)式よりVcc、V01、V02、i01、i02を
消去すればT1、T2は次式で表わされる。
消去すればT1、T2は次式で表わされる。
T1＝（2l1／r1）（１＋l2r1
／l1r2）2 ……(11)
T2＝（2l2／r2）（１＋l1r2
／l2r1）2 ……(12)
(11)、(12)式よりT1、T2はl2の値により変化する。
上記のことから、前記インダクタンス１，２と
して第２図、第３図もしくは第４図の如きインダ
クタンスすなわち磁心の少なくとも一部に磁歪を
有する磁性材料を用いこの磁性材料に圧力又は変
位を伝達する手段を有するインダクタンスを用い
れば、インダクタンス２の圧力又は変位による値
の変化が第１図のマルチバイブレータ部の発振周
期の変化を生じさせ、圧力又は変位の測定が可能
となる。
して第２図、第３図もしくは第４図の如きインダ
クタンスすなわち磁心の少なくとも一部に磁歪を
有する磁性材料を用いこの磁性材料に圧力又は変
位を伝達する手段を有するインダクタンスを用い
れば、インダクタンス２の圧力又は変位による値
の変化が第１図のマルチバイブレータ部の発振周
期の変化を生じさせ、圧力又は変位の測定が可能
となる。
具体的一例として、インダクタンス２に第２図
のインダクタンスを用い圧力を測定するとする。
まず、前記抵抗５，６の値を同一にし、あらかじ
め第２図のインダクタンスの値l2と圧力の対応表
を用意する。次に第２図のインダクタンスアモル
フアル円板の外部に測定圧力を加え、T1、T2を
測定し、l2＝（T1／T2）l1からl2を求め、そのl2に
対応する圧力を出力すればよい。
のインダクタンスを用い圧力を測定するとする。
まず、前記抵抗５，６の値を同一にし、あらかじ
め第２図のインダクタンスの値l2と圧力の対応表
を用意する。次に第２図のインダクタンスアモル
フアル円板の外部に測定圧力を加え、T1、T2を
測定し、l2＝（T1／T2）l1からl2を求め、そのl2に
対応する圧力を出力すればよい。
第７図は本発明の他の実施例である。７１，７
２は第２図、第３図もしくは第４図の如き磁心の
少なくとも一部に磁歪を有する 磁性材料を用
い、前記磁性材料に圧力又は変位を伝達する手段
を有するインダクタンスで全く同一のものであ
り、その値をｌとする。７３，７４は発振用帰還
容量でその値はC1′、C2′である。７５、７６は発
振用帰還抵抗で値は（r1）′、（r2）′である。７
７，７８はスイツチング用トランジスタ、７９，
８０はエミツタ電流逆流阻止ダイオードである。
８１はトランジスタ７７導通時コレクタ電圧低レ
ベルになる時間T1′を測定する回路、８２はトラ
ンジスタ７８導通時コレクタ電圧低レベルになる
時間T2′を測定する回路である。８３は８１，８
２より送られて来たT1′、T2′を用いてｌの変化を
検出し、それより圧力又は変位を演算出力する回
路である。ここで第７図の非安定マルチバイブレ
ータ部で発振動作時容量７３，７４はインダクタ
ンス７１，７２よりもインピーダンスが小さく、
抵抗７５，７６は容量７３，７４の放電時定数が
その周期より長く設定される。本実施例の動作は
前記実施例でl1＝l2＝ｌとした場合と同じであ
る。よつて第７図の非安定マルチバイブレータ部
で、トランジスタ７７が導通、トランジスタ７８
が非導通の時間をT1′、トランジスタ７７が非導
通トランジスタ７８が導通の時間をT2′として T1′＝（2l／r1′）・（１＋r1′／r2′）2 ……（13） T2′＝（2l／r2′）・（１＋r2′／r1′）2 ……（14） となる。そこで（13）（14）式より、T1′、T2′は
ｌの値により変化する。上記より第２図、第３図
もしくは第４図の如き磁心の少なくとも一部に磁
歪を有する磁性材料を用いこの磁性材料に圧力又
は変位を伝達する手段を有するインダクタンスを
用いれば、インダクタンス７１，７２の圧力又は
変位による値の変化が第７図のマルチバイブレー
タ部の発振周期の変化を生じさせ、圧力又は変位
の測定が可能となる。
２は第２図、第３図もしくは第４図の如き磁心の
少なくとも一部に磁歪を有する 磁性材料を用
い、前記磁性材料に圧力又は変位を伝達する手段
を有するインダクタンスで全く同一のものであ
り、その値をｌとする。７３，７４は発振用帰還
容量でその値はC1′、C2′である。７５、７６は発
振用帰還抵抗で値は（r1）′、（r2）′である。７
７，７８はスイツチング用トランジスタ、７９，
８０はエミツタ電流逆流阻止ダイオードである。
８１はトランジスタ７７導通時コレクタ電圧低レ
ベルになる時間T1′を測定する回路、８２はトラ
ンジスタ７８導通時コレクタ電圧低レベルになる
時間T2′を測定する回路である。８３は８１，８
２より送られて来たT1′、T2′を用いてｌの変化を
検出し、それより圧力又は変位を演算出力する回
路である。ここで第７図の非安定マルチバイブレ
ータ部で発振動作時容量７３，７４はインダクタ
ンス７１，７２よりもインピーダンスが小さく、
抵抗７５，７６は容量７３，７４の放電時定数が
その周期より長く設定される。本実施例の動作は
前記実施例でl1＝l2＝ｌとした場合と同じであ
る。よつて第７図の非安定マルチバイブレータ部
で、トランジスタ７７が導通、トランジスタ７８
が非導通の時間をT1′、トランジスタ７７が非導
通トランジスタ７８が導通の時間をT2′として T1′＝（2l／r1′）・（１＋r1′／r2′）2 ……（13） T2′＝（2l／r2′）・（１＋r2′／r1′）2 ……（14） となる。そこで（13）（14）式より、T1′、T2′は
ｌの値により変化する。上記より第２図、第３図
もしくは第４図の如き磁心の少なくとも一部に磁
歪を有する磁性材料を用いこの磁性材料に圧力又
は変位を伝達する手段を有するインダクタンスを
用いれば、インダクタンス７１，７２の圧力又は
変位による値の変化が第７図のマルチバイブレー
タ部の発振周期の変化を生じさせ、圧力又は変位
の測定が可能となる。
具体的一例としてインダクタンス７１，７２に
第２図のインダクタンスを用い圧力を測定すると
する。まずあらかじめＴ＝T1′＋T2′と圧力の対応
表を用意し、次に２個の第２図のインダクタンス
アモルフアス円板の外部に測定圧力を共に加え
る。T1′、T2′を測定し、Ｔ＝T1′＋T2′を求め、対
応する圧力を出力すればよい。
第２図のインダクタンスを用い圧力を測定すると
する。まずあらかじめＴ＝T1′＋T2′と圧力の対応
表を用意し、次に２個の第２図のインダクタンス
アモルフアス円板の外部に測定圧力を共に加え
る。T1′、T2′を測定し、Ｔ＝T1′＋T2′を求め、対
応する圧力を出力すればよい。
以上説明したように本発明によれば、可動部分
が無いことから高い寸法精度を要求されず、かつ
振動に強い。また磁歪効果という磁性そのものを
利用しているので精度の高いセンサーを構成でき
る。また機械的共振を用いないためコンパクトに
構成できる。またブリツジ回路等と異なり微小電
気信号を用いないため、電気的外乱にも強い。
が無いことから高い寸法精度を要求されず、かつ
振動に強い。また磁歪効果という磁性そのものを
利用しているので精度の高いセンサーを構成でき
る。また機械的共振を用いないためコンパクトに
構成できる。またブリツジ回路等と異なり微小電
気信号を用いないため、電気的外乱にも強い。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２
図および第３図は圧力センサーに実施したインダ
クタンスの平面図および断面図、第４図は変位セ
ンサーに実施したインダクタンスの斜視図、第５
図は動作原理説明図、第６図は動作波形図、第７
図は別の実施例を示す構成図である。 １，２，７１，７２……インダクタンス、３，
４，７３，７４……発振用帰還容量、５，６，７
５，７６……発振用帰還抵抗、７，８，７７，７
８……スイツチング用トランジスタ、９，１０，
７９，８０……エミツタ電流逆流阻止ダイオー
ド、１１，１２，８１，８２……電圧レベル時間
検出回路、１３，８３……圧力又は変位演算回
路、２１，３１，４１……磁歪を有するアモルフ
アス磁性合金、２２……つぼ形ソフトフエライ
ト、２３，３２，４２……コイル、３３……気密
栓、４３……固定具、４４……伝達具。
図および第３図は圧力センサーに実施したインダ
クタンスの平面図および断面図、第４図は変位セ
ンサーに実施したインダクタンスの斜視図、第５
図は動作原理説明図、第６図は動作波形図、第７
図は別の実施例を示す構成図である。 １，２，７１，７２……インダクタンス、３，
４，７３，７４……発振用帰還容量、５，６，７
５，７６……発振用帰還抵抗、７，８，７７，７
８……スイツチング用トランジスタ、９，１０，
７９，８０……エミツタ電流逆流阻止ダイオー
ド、１１，１２，８１，８２……電圧レベル時間
検出回路、１３，８３……圧力又は変位演算回
路、２１，３１，４１……磁歪を有するアモルフ
アス磁性合金、２２……つぼ形ソフトフエライ
ト、２３，３２，４２……コイル、３３……気密
栓、４３……固定具、４４……伝達具。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ インダクタンスを含む非安定マルチバイブレ
ータにおける磁心の少なくとも一部に磁歪を有す
るアモルフアス磁性材料を用い、かつ前記アモル
フアス磁性材料に圧力又は変位を伝達する手段を
備え、その発振周期より圧力又は変位を検出する
とともに、前記非安定マルチバイブレータは、２
個のトランジスタTr1、Tr2と前記Tr1、Tr2のそ
れぞれのコレクタに接続された各１個のインダク
タンスL1、L2と容量C1、C2と抵抗R1、R2とから
成り、前記L1、L2は電源に、前記C1、R1は互い
に並列に接続されて前記Tr2のベースに、前記
C2、R2は互いに並列に接続されて前記Tr1のベー
スにそれぞれ接続され、その発振状態で前記
C1、C2のインピーダンスが前記L1、L2のインピ
ーダンスより小さく、前記R1、R2による前記
C1、C2の放電時定数がその発振周期より長くな
る構成とした圧力・変位センサー。 ２ 非安定マルチバイブレータは、Tr1、Tr2の
エミツタベース間ツエナー降伏を防止する手段を
有することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の圧力・変位センサー。 ３ 少なくとも一部に磁歪を有するアモルフアス
磁性合金を用いた磁心を有するインダクタンス
に、外環壁と中心に円板状突出部を有するつぼ形
ソフトフエライトと、その上部開口部を覆つたア
モルフアス磁性合金の薄円板より成り、内部を真
空に保つた磁心を用い、前記円柱状突出部にコイ
ルを巻き、前記つぼ形ソフトフエライトにあけた
気密性小孔よりリード線をとり出したインダクタ
ンスを用いたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の圧力・変位センサー。 ４ 少なくとも一部に磁歪を有するアモルフアス
磁性合金を用いた磁心を有するインダクタンス
に、円筒状アモルフアス磁性合金と、それを磁心
としその周壁の一部を軸心方向に巻いたコイル
と、前記円筒状アモルフアス磁性合金の両開口部
を覆う気密栓よりなり、内部を真空に保つたイン
ダクタンスを用いたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の圧力・変位センサー。 ５ 少なくとも一部に磁歪を有するアモルフアス
磁性合金を用いた磁性合金を用いた磁心を有する
インダクタンスに、穴を有するアモルフアス磁性
合金板と、それを磁心とし、該穴を通して巻いた
コイルと、前記アモルフアス磁性合金板の一端を
固定する固定具と、他端に変位を伝達する伝達具
とより成るインダクタンスを用いたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の圧力・変位セン
サー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16610279A JPS5687816A (en) | 1979-12-19 | 1979-12-19 | Pressure or displacement sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16610279A JPS5687816A (en) | 1979-12-19 | 1979-12-19 | Pressure or displacement sensor |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11481684A Division JPS6022639A (ja) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | 圧力トランスデユ−サ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5687816A JPS5687816A (en) | 1981-07-16 |
| JPS6161325B2 true JPS6161325B2 (ja) | 1986-12-25 |
Family
ID=15825042
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16610279A Granted JPS5687816A (en) | 1979-12-19 | 1979-12-19 | Pressure or displacement sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5687816A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5935123A (ja) * | 1982-08-23 | 1984-02-25 | Kyowa Dengiyou:Kk | ダイヤフラム式圧力計 |
| JPS60533U (ja) * | 1983-06-13 | 1985-01-05 | 株式会社 鷺宮製作所 | 圧力センサ |
| JP2645243B2 (ja) * | 1990-01-19 | 1997-08-25 | 日本電装株式会社 | 非接触変位センサ及び変位検出方法 |
| US8327713B2 (en) * | 2008-12-03 | 2012-12-11 | Rosemount Inc. | Method and apparatus for pressure measurement using magnetic property |
| US7954383B2 (en) * | 2008-12-03 | 2011-06-07 | Rosemount Inc. | Method and apparatus for pressure measurement using fill tube |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4879959A (ja) * | 1972-01-27 | 1973-10-26 | ||
| JPS5026564A (ja) * | 1973-07-06 | 1975-03-19 | ||
| JPS5292545A (en) * | 1975-12-22 | 1977-08-04 | Fischer & Porter Co | Displacement converter |
-
1979
- 1979-12-19 JP JP16610279A patent/JPS5687816A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4879959A (ja) * | 1972-01-27 | 1973-10-26 | ||
| JPS5026564A (ja) * | 1973-07-06 | 1975-03-19 | ||
| JPS5292545A (en) * | 1975-12-22 | 1977-08-04 | Fischer & Porter Co | Displacement converter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5687816A (en) | 1981-07-16 |
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