JPS6159749A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPS6159749A JPS6159749A JP18096284A JP18096284A JPS6159749A JP S6159749 A JPS6159749 A JP S6159749A JP 18096284 A JP18096284 A JP 18096284A JP 18096284 A JP18096284 A JP 18096284A JP S6159749 A JPS6159749 A JP S6159749A
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- JP
- Japan
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- wiring
- layer wiring
- layer
- integrated circuit
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は多層配線構造の半導体集積回路装置に関する。
（従来の技術）
従来、半導体集積回路においては、熱処理による合金化
によるＰＮ接合の破壊、所謂アルミアロイスパイクを防
止する為、電極配線材料として）Ｊ−８ｉ合金が使用さ
れて来たが、多層配線構造の半導体集積回路装置におい
ては、ＡＡ’−８ｉ合金に比べＡｌの方がバターニング
が容易であること、及びエレクトロマイグレーションに
よる配線寿命がＡＩの方が大きいこと等の理由によシ第
１層配線に人１−８ｉ合金を使用し、第２層以降の配線
にはＡＩを使用することが多かった。
によるＰＮ接合の破壊、所謂アルミアロイスパイクを防
止する為、電極配線材料として）Ｊ−８ｉ合金が使用さ
れて来たが、多層配線構造の半導体集積回路装置におい
ては、ＡＡ’−８ｉ合金に比べＡｌの方がバターニング
が容易であること、及びエレクトロマイグレーションに
よる配線寿命がＡＩの方が大きいこと等の理由によシ第
１層配線に人１−８ｉ合金を使用し、第２層以降の配線
にはＡＩを使用することが多かった。
第２図は従来の半導体集積回路装置の一例の断面図であ
る。
る。
Ｐ型シリコン基板１にＮ型層２を設け、Ｐ型分離層３．
Ｐ型ベース領域４．Ｎ型エミッタ領域５を設ける。表面
を酸化膜７で榎い、窓あけして第１層配線８を設ける。
Ｐ型ベース領域４．Ｎ型エミッタ領域５を設ける。表面
を酸化膜７で榎い、窓あけして第１層配線８を設ける。
この上に絶縁膜９を被覆し、開口１２をあけ、第２層配
線１０を設ける。
線１０を設ける。
（発明が解決しようとする、問題点）
このような構造の半導体集積回路のチップを熱処理する
と、第１Ｎ配線８から第１層配線８Ｏへ矢印１１で示す
よ５な８１の拡散が起き、結果として第１Ｎ配線８のＡ
ｌとクリコン基板１のＳｉとの相互拡散が起ることによ
り、ペース領域４とエミッタ領域５との間に形成される
ＰＮ接合６が破壊されるという問題を生ずる。
と、第１Ｎ配線８から第１層配線８Ｏへ矢印１１で示す
よ５な８１の拡散が起き、結果として第１Ｎ配線８のＡ
ｌとクリコン基板１のＳｉとの相互拡散が起ることによ
り、ペース領域４とエミッタ領域５との間に形成される
ＰＮ接合６が破壊されるという問題を生ずる。
本発明の目的は、第１層配線に人ノー８ｉを用−１第２
層配線以降にＡＩを使用し、熱処理してもＰＮ接合の破
壊が起）難い半導体集積回路を提供することにある。
層配線以降にＡＩを使用し、熱処理してもＰＮ接合の破
壊が起）難い半導体集積回路を提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
本発明の半導体集積回路装置は、半導体基板に鯖１導を
型の第１領域を該け、該第１領域内に第２端電型の第２
領域を設け、該第２領域内に第１′４′ＮＬ型の第３領
域を設け、前記第２領域及び第３領域にそれぞれｋｌ−
８ｉ合金の第１層配ｗを設け、核蕗１層配線を絶縁膜で
覆って選択的に開口し前記第３領域に接続している第１
層配線にＡＩ第２層配線を接続させて形成する多層配線
構造を有する半導体集積口：路装置において、該半導体
集積回路装置の機能に影響を与えなり第１２４１ｉＣ壓
の第４領域を前記第１領域内に前記、第３領域よりも深
くなるように、かつ、前記第１層配線が前記ｍ２層配線
と接続する前記絶縁膜の開口部に対して前記第３領域が
第４層配線と１ｉ枕する位置よフも近い位置に前記第４
領域及び第４領域とｍ１層配線との接続部を設けたこと
を待機として構成される。
型の第１領域を該け、該第１領域内に第２端電型の第２
領域を設け、該第２領域内に第１′４′ＮＬ型の第３領
域を設け、前記第２領域及び第３領域にそれぞれｋｌ−
８ｉ合金の第１層配ｗを設け、核蕗１層配線を絶縁膜で
覆って選択的に開口し前記第３領域に接続している第１
層配線にＡＩ第２層配線を接続させて形成する多層配線
構造を有する半導体集積口：路装置において、該半導体
集積回路装置の機能に影響を与えなり第１２４１ｉＣ壓
の第４領域を前記第１領域内に前記、第３領域よりも深
くなるように、かつ、前記第１層配線が前記ｍ２層配線
と接続する前記絶縁膜の開口部に対して前記第３領域が
第４層配線と１ｉ枕する位置よフも近い位置に前記第４
領域及び第４領域とｍ１層配線との接続部を設けたこと
を待機として構成される。
（実施例）
次に、本発明の実施例につめて図面を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
Ｐ型シリコン基板ｌに第１領域としてＮ型層２を鰻け、
Ｎ型層２内に第２領域としてＰ型ベース領域３を設け、
この中に第３領域としてＮ型エミッタ領域４を設ける。
Ｎ型層２内に第２領域としてＰ型ベース領域３を設け、
この中に第３領域としてＮ型エミッタ領域４を設ける。
本発明では第４領域１５を第３領域（コミツタ領域）４
よりも深くなるように、かつその位置が′＃１ｍ１層配
線第２層配線１０との接続部となる開口１２に近くなる
ように形成する。本実施例ではＰ製分離層３′を新しく
追加して第４領域５をＰ型領域３．３’、１で囲んであ
るが、Ｐ型の第５領域をＮ型層（第１領域）２内に設け
、第５領域内に第４領域を設けてＰＮ接合を形成しても
良い。
よりも深くなるように、かつその位置が′＃１ｍ１層配
線第２層配線１０との接続部となる開口１２に近くなる
ように形成する。本実施例ではＰ製分離層３′を新しく
追加して第４領域５をＰ型領域３．３’、１で囲んであ
るが、Ｐ型の第５領域をＮ型層（第１領域）２内に設け
、第５領域内に第４領域を設けてＰＮ接合を形成しても
良い。
第４Ｔｈ域は集＆回路の本来の機能とは関係のない領域
でおる。この第４領域１５と第１層配線８とｔ接続する
。その接続部１３は、第１Ｎ配線８と第３領域でるるエ
ミッタ領域５との接続部よりも開口１２に近い位置にあ
る。このようにする、と、第２層配縁１０への８ｉの拡
散は第４領域１５から接続部１３．開口１２を通って起
るため、第３領域（エミッタ領域）５と第２領域（ペー
ス領域４とで作るＰＮ接合６が熱処理により破壊される
ことは非常に少なくなる。
でおる。この第４領域１５と第１層配線８とｔ接続する
。その接続部１３は、第１Ｎ配線８と第３領域でるるエ
ミッタ領域５との接続部よりも開口１２に近い位置にあ
る。このようにする、と、第２層配縁１０への８ｉの拡
散は第４領域１５から接続部１３．開口１２を通って起
るため、第３領域（エミッタ領域）５と第２領域（ペー
ス領域４とで作るＰＮ接合６が熱処理により破壊される
ことは非常に少なくなる。
（発明の効果）
以上説明したように１本発明によれば、第１層配線にの
み人ノーＳｉ合金を使用することによ）熱処理によるＰ
Ｎ接合の破壊を少なくした多層配線構造の半導体集積回
路装置が得られる。
み人ノーＳｉ合金を使用することによ）熱処理によるＰ
Ｎ接合の破壊を少なくした多層配線構造の半導体集積回
路装置が得られる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来の半
導体集積回路装置の一例の断面図である。 １・・・・・・Ｐ型・シリコン基板、２・・・・・・Ｎ
ｆｉ層（第１領域）、３．３’・・・・・・Ｐ型分離層
、４・・・・・・Ｐ型ベース領域（第２領域）、５・・
・・・・Ｎ型エミッタ領域（第３領域）、６・・・・・
・ＰＮ接合、７・・・・・・酸化膜、８・・・・・・第
１層配線（ＡＩ−８ｉ）、９・・・・・・絶縁膜、１０
・・・・・・第２層配線（人ｌ）、１２・・・・・・開
口、１３・・・・・・接続部、１５・・・・・・第４領
域。
導体集積回路装置の一例の断面図である。 １・・・・・・Ｐ型・シリコン基板、２・・・・・・Ｎ
ｆｉ層（第１領域）、３．３’・・・・・・Ｐ型分離層
、４・・・・・・Ｐ型ベース領域（第２領域）、５・・
・・・・Ｎ型エミッタ領域（第３領域）、６・・・・・
・ＰＮ接合、７・・・・・・酸化膜、８・・・・・・第
１層配線（ＡＩ−８ｉ）、９・・・・・・絶縁膜、１０
・・・・・・第２層配線（人ｌ）、１２・・・・・・開
口、１３・・・・・・接続部、１５・・・・・・第４領
域。
Claims (1)
- 半導体基板に第１導電型の第１領域を設け、該第１領
域内に第２導電型の第２領域を設け、該第２領域内に第
１導電型の第３領域を設け、前記第２領域及び第３領域
にそれぞれＡｌ−Ｓｉ合金の第１層配線を設け、該第１
層配線を絶縁膜で覆って選択的に開口し前記第３領域に
接続している第１層配線にＡｌ第２層配線を接続させて
形成する多層配線構造を有する半導体集積回路装置にお
いて、該半導体集積回路装置の機能に影響を与えない第
１導電型の第４領域を前記第１領域内に前記第３領域よ
りも深くなるように、かつ前記第１層配線が、前記第２
層配線と接続する前記絶縁膜の開口部に対して前記第３
領域が第１層配線と接続する位置よりも近い位置に前記
第４領域及び第４領域と第１層配線との接続部を設けた
ことを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18096284A JPS6159749A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18096284A JPS6159749A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6159749A true JPS6159749A (ja) | 1986-03-27 |
Family
ID=16092321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18096284A Pending JPS6159749A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6159749A (ja) |
-
1984
- 1984-08-30 JP JP18096284A patent/JPS6159749A/ja active Pending
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