JPS6159749A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
- Publication number
- JPS6159749A JPS6159749A JP18096284A JP18096284A JPS6159749A JP S6159749 A JPS6159749 A JP S6159749A JP 18096284 A JP18096284 A JP 18096284A JP 18096284 A JP18096284 A JP 18096284A JP S6159749 A JPS6159749 A JP S6159749A
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- JP
- Japan
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- wiring
- layer wiring
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- integrated circuit
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は多層配線構造の半導体集積回路装置に関する。
(従来の技術)
従来、半導体集積回路においては、熱処理による合金化
によるPN接合の破壊、所謂アルミアロイスパイクを防
止する為、電極配線材料として)J−8i合金が使用さ
れて来たが、多層配線構造の半導体集積回路装置におい
ては、AA’−8i合金に比べAlの方がバターニング
が容易であること、及びエレクトロマイグレーションに
よる配線寿命がAIの方が大きいこと等の理由によシ第
1層配線に人1−8i合金を使用し、第2層以降の配線
にはAIを使用することが多かった。
によるPN接合の破壊、所謂アルミアロイスパイクを防
止する為、電極配線材料として)J−8i合金が使用さ
れて来たが、多層配線構造の半導体集積回路装置におい
ては、AA’−8i合金に比べAlの方がバターニング
が容易であること、及びエレクトロマイグレーションに
よる配線寿命がAIの方が大きいこと等の理由によシ第
1層配線に人1−8i合金を使用し、第2層以降の配線
にはAIを使用することが多かった。
第2図は従来の半導体集積回路装置の一例の断面図であ
る。
る。
P型シリコン基板1にN型層2を設け、P型分離層3.
P型ベース領域4.N型エミッタ領域5を設ける。表面
を酸化膜7で榎い、窓あけして第1層配線8を設ける。
P型ベース領域4.N型エミッタ領域5を設ける。表面
を酸化膜7で榎い、窓あけして第1層配線8を設ける。
この上に絶縁膜9を被覆し、開口12をあけ、第2層配
線10を設ける。
線10を設ける。
(発明が解決しようとする、問題点)
このような構造の半導体集積回路のチップを熱処理する
と、第1N配線8から第1層配線8Oへ矢印11で示す
よ5な81の拡散が起き、結果として第1N配線8のA
lとクリコン基板1のSiとの相互拡散が起ることによ
り、ペース領域4とエミッタ領域5との間に形成される
PN接合6が破壊されるという問題を生ずる。
と、第1N配線8から第1層配線8Oへ矢印11で示す
よ5な81の拡散が起き、結果として第1N配線8のA
lとクリコン基板1のSiとの相互拡散が起ることによ
り、ペース領域4とエミッタ領域5との間に形成される
PN接合6が破壊されるという問題を生ずる。
本発明の目的は、第1層配線に人ノー8iを用−1第2
層配線以降にAIを使用し、熱処理してもPN接合の破
壊が起)難い半導体集積回路を提供することにある。
層配線以降にAIを使用し、熱処理してもPN接合の破
壊が起)難い半導体集積回路を提供することにある。
(問題点を解決するための手段)
本発明の半導体集積回路装置は、半導体基板に鯖1導を
型の第1領域を該け、該第1領域内に第2端電型の第2
領域を設け、該第2領域内に第1′4′NL型の第3領
域を設け、前記第2領域及び第3領域にそれぞれkl−
8i合金の第1層配wを設け、核蕗1層配線を絶縁膜で
覆って選択的に開口し前記第3領域に接続している第1
層配線にAI第2層配線を接続させて形成する多層配線
構造を有する半導体集積口:路装置において、該半導体
集積回路装置の機能に影響を与えなり第1241iC壓
の第4領域を前記第1領域内に前記、第3領域よりも深
くなるように、かつ、前記第1層配線が前記m2層配線
と接続する前記絶縁膜の開口部に対して前記第3領域が
第4層配線と1i枕する位置よフも近い位置に前記第4
領域及び第4領域とm1層配線との接続部を設けたこと
を待機として構成される。
型の第1領域を該け、該第1領域内に第2端電型の第2
領域を設け、該第2領域内に第1′4′NL型の第3領
域を設け、前記第2領域及び第3領域にそれぞれkl−
8i合金の第1層配wを設け、核蕗1層配線を絶縁膜で
覆って選択的に開口し前記第3領域に接続している第1
層配線にAI第2層配線を接続させて形成する多層配線
構造を有する半導体集積口:路装置において、該半導体
集積回路装置の機能に影響を与えなり第1241iC壓
の第4領域を前記第1領域内に前記、第3領域よりも深
くなるように、かつ、前記第1層配線が前記m2層配線
と接続する前記絶縁膜の開口部に対して前記第3領域が
第4層配線と1i枕する位置よフも近い位置に前記第4
領域及び第4領域とm1層配線との接続部を設けたこと
を待機として構成される。
(実施例)
次に、本発明の実施例につめて図面を用いて説明する。
第1図は本発明の一実施例の断面図である。
P型シリコン基板lに第1領域としてN型層2を鰻け、
N型層2内に第2領域としてP型ベース領域3を設け、
この中に第3領域としてN型エミッタ領域4を設ける。
N型層2内に第2領域としてP型ベース領域3を設け、
この中に第3領域としてN型エミッタ領域4を設ける。
本発明では第4領域15を第3領域(コミツタ領域)4
よりも深くなるように、かつその位置が′#1m1層配
線第2層配線10との接続部となる開口12に近くなる
ように形成する。本実施例ではP製分離層3′を新しく
追加して第4領域5をP型領域3.3’、1で囲んであ
るが、P型の第5領域をN型層(第1領域)2内に設け
、第5領域内に第4領域を設けてPN接合を形成しても
良い。
よりも深くなるように、かつその位置が′#1m1層配
線第2層配線10との接続部となる開口12に近くなる
ように形成する。本実施例ではP製分離層3′を新しく
追加して第4領域5をP型領域3.3’、1で囲んであ
るが、P型の第5領域をN型層(第1領域)2内に設け
、第5領域内に第4領域を設けてPN接合を形成しても
良い。
第4Th域は集&回路の本来の機能とは関係のない領域
でおる。この第4領域15と第1層配線8とt接続する
。その接続部13は、第1N配線8と第3領域でるるエ
ミッタ領域5との接続部よりも開口12に近い位置にあ
る。このようにする、と、第2層配縁10への8iの拡
散は第4領域15から接続部13.開口12を通って起
るため、第3領域(エミッタ領域)5と第2領域(ペー
ス領域4とで作るPN接合6が熱処理により破壊される
ことは非常に少なくなる。
でおる。この第4領域15と第1層配線8とt接続する
。その接続部13は、第1N配線8と第3領域でるるエ
ミッタ領域5との接続部よりも開口12に近い位置にあ
る。このようにする、と、第2層配縁10への8iの拡
散は第4領域15から接続部13.開口12を通って起
るため、第3領域(エミッタ領域)5と第2領域(ペー
ス領域4とで作るPN接合6が熱処理により破壊される
ことは非常に少なくなる。
(発明の効果)
以上説明したように1本発明によれば、第1層配線にの
み人ノーSi合金を使用することによ)熱処理によるP
N接合の破壊を少なくした多層配線構造の半導体集積回
路装置が得られる。
み人ノーSi合金を使用することによ)熱処理によるP
N接合の破壊を少なくした多層配線構造の半導体集積回
路装置が得られる。
第1図は本発明の一実施例の断面図、第2図は従来の半
導体集積回路装置の一例の断面図である。 1・・・・・・P型・シリコン基板、2・・・・・・N
fi層(第1領域)、3.3’・・・・・・P型分離層
、4・・・・・・P型ベース領域(第2領域)、5・・
・・・・N型エミッタ領域(第3領域)、6・・・・・
・PN接合、7・・・・・・酸化膜、8・・・・・・第
1層配線(AI−8i)、9・・・・・・絶縁膜、10
・・・・・・第2層配線(人l)、12・・・・・・開
口、13・・・・・・接続部、15・・・・・・第4領
域。
導体集積回路装置の一例の断面図である。 1・・・・・・P型・シリコン基板、2・・・・・・N
fi層(第1領域)、3.3’・・・・・・P型分離層
、4・・・・・・P型ベース領域(第2領域)、5・・
・・・・N型エミッタ領域(第3領域)、6・・・・・
・PN接合、7・・・・・・酸化膜、8・・・・・・第
1層配線(AI−8i)、9・・・・・・絶縁膜、10
・・・・・・第2層配線(人l)、12・・・・・・開
口、13・・・・・・接続部、15・・・・・・第4領
域。
Claims (1)
- 半導体基板に第1導電型の第1領域を設け、該第1領
域内に第2導電型の第2領域を設け、該第2領域内に第
1導電型の第3領域を設け、前記第2領域及び第3領域
にそれぞれAl−Si合金の第1層配線を設け、該第1
層配線を絶縁膜で覆って選択的に開口し前記第3領域に
接続している第1層配線にAl第2層配線を接続させて
形成する多層配線構造を有する半導体集積回路装置にお
いて、該半導体集積回路装置の機能に影響を与えない第
1導電型の第4領域を前記第1領域内に前記第3領域よ
りも深くなるように、かつ前記第1層配線が、前記第2
層配線と接続する前記絶縁膜の開口部に対して前記第3
領域が第1層配線と接続する位置よりも近い位置に前記
第4領域及び第4領域と第1層配線との接続部を設けた
ことを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18096284A JPS6159749A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18096284A JPS6159749A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6159749A true JPS6159749A (ja) | 1986-03-27 |
Family
ID=16092321
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18096284A Pending JPS6159749A (ja) | 1984-08-30 | 1984-08-30 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6159749A (ja) |
-
1984
- 1984-08-30 JP JP18096284A patent/JPS6159749A/ja active Pending
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