JPS6156416A - プラズマエツチング装置 - Google Patents
プラズマエツチング装置Info
- Publication number
- JPS6156416A JPS6156416A JP15461084A JP15461084A JPS6156416A JP S6156416 A JPS6156416 A JP S6156416A JP 15461084 A JP15461084 A JP 15461084A JP 15461084 A JP15461084 A JP 15461084A JP S6156416 A JPS6156416 A JP S6156416A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- single crystal
- plasma
- optical
- crystal sapphire
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プラズマエツチング装置におけるサセプタ上
に搭載さる基板の配置と位置決めの検知に関するもので
ある。
に搭載さる基板の配置と位置決めの検知に関するもので
ある。
半導体装置の製造工程では、半導体基板の表面を全面に
亙すエッチングするとか、半導体基板面に被着されたレ
ジスト膜を除去するためにプラズマエツチングが行われ
るが、このプラズマエツチング法で行われる理由は、そ
の優れた異方性のエツチング効果と効率の良いエッチグ
特性を利用したものである。
亙すエッチングするとか、半導体基板面に被着されたレ
ジスト膜を除去するためにプラズマエツチングが行われ
るが、このプラズマエツチング法で行われる理由は、そ
の優れた異方性のエツチング効果と効率の良いエッチグ
特性を利用したものである。
通常、プラズマエツチング装置では、サセプタ上にウェ
ハが搭載されるが、これらは自動搬出入機によってウェ
ハが反応管内に搬入され、反応管内で自動的に所定位置
に配置されてウェハのエツチングが行われ、そのエツチ
ングの進行度合は、通常、ウェハのエツチングの前後に
おける色調の変化をプラズマエツチング装置のモニタ窓
から自動検知し、エッチ、ングが完了すると、ウェハは
自動的に反応管の外部に搬出される。
ハが搭載されるが、これらは自動搬出入機によってウェ
ハが反応管内に搬入され、反応管内で自動的に所定位置
に配置されてウェハのエツチングが行われ、そのエツチ
ングの進行度合は、通常、ウェハのエツチングの前後に
おける色調の変化をプラズマエツチング装置のモニタ窓
から自動検知し、エッチ、ングが完了すると、ウェハは
自動的に反応管の外部に搬出される。
これらの工程は、総てマイコン制御によって自動的にな
されるが、大量生産のウェハのなかには、反応管内に搬
入された際に規定位置からの位置ずれや、自動搬出入機
に異常信号などが混信していて、ウェハが搬入されてい
ない等の事故が発生ずることがあり、これらの事故を未
然に防止するための検出法が必要である。
されるが、大量生産のウェハのなかには、反応管内に搬
入された際に規定位置からの位置ずれや、自動搬出入機
に異常信号などが混信していて、ウェハが搬入されてい
ない等の事故が発生ずることがあり、これらの事故を未
然に防止するための検出法が必要である。
第２図は、従来のプラズマエツチング装置の模式断面図
を示している。
を示している。
反応管１はアルミニューム（八１）を材料として製作さ
れ、反応管ｌは上体部２と、基板台３とからなり、上体
部２にはプラズマガスの供給孔４とプラズマ発生室５及
び複数のプラズマ噴射孔６があり、基板台３には反応管
内を真空にするための排気孔７と、ウェハ８を搭載する
サセプタ９と、ウェハを自動的に挿入と取り出しを行う
ために、基板台３を上下に移動して開閉するストローク
機構１０があって、このストローク機構１０が自動搬出
入機とマイコン制御がなされている。
れ、反応管ｌは上体部２と、基板台３とからなり、上体
部２にはプラズマガスの供給孔４とプラズマ発生室５及
び複数のプラズマ噴射孔６があり、基板台３には反応管
内を真空にするための排気孔７と、ウェハ８を搭載する
サセプタ９と、ウェハを自動的に挿入と取り出しを行う
ために、基板台３を上下に移動して開閉するストローク
機構１０があって、このストローク機構１０が自動搬出
入機とマイコン制御がなされている。
フラズマエッチングがなされる場合は、反応ガスとして
、例えば四塩化炭素（ＣＣ１ａ ）や、四弗化炭素（Ｃ
Ｆ ４ ）等のガスを、ガス圧が０．３Ｔｏｒｒ程度供
給し、高周波電力として２４５０ＭＨｚ又は１３．５６
ＭＨｚ１ の周波数で電力を１．５ＫＷ印加す
ることにより、供給ガスをプラズマ化し、これを複数の
プラズマ噴射孔６を通してサセプタ９上に噴出して、ウ
ェハ８をエツチングする。
、例えば四塩化炭素（ＣＣ１ａ ）や、四弗化炭素（Ｃ
Ｆ ４ ）等のガスを、ガス圧が０．３Ｔｏｒｒ程度供
給し、高周波電力として２４５０ＭＨｚ又は１３．５６
ＭＨｚ１ の周波数で電力を１．５ＫＷ印加す
ることにより、供給ガスをプラズマ化し、これを複数の
プラズマ噴射孔６を通してサセプタ９上に噴出して、ウ
ェハ８をエツチングする。
通常、ウェハは一枚ごとにプラズマエツチング装置に搬
入されてエツチングが行われるために、例えばウェハの
表面を全面に渡って５０００人程度金工ツチングする際
には、プラズマ噴射孔６を取り除いた状態で約１０程度
の時間でエツチングを行ない、ウェハ上の１μｍの厚み
のレジスト膜を除去する際には、プラズマ噴射孔６があ
る状態で約１０程度の時間でエツチングが行われる。
入されてエツチングが行われるために、例えばウェハの
表面を全面に渡って５０００人程度金工ツチングする際
には、プラズマ噴射孔６を取り除いた状態で約１０程度
の時間でエツチングを行ない、ウェハ上の１μｍの厚み
のレジスト膜を除去する際には、プラズマ噴射孔６があ
る状態で約１０程度の時間でエツチングが行われる。
このように、従来のプラズマエツチング装置では、サセ
プタ９上のウェハの搭載位置が、マイコン制御によるス
トロークによる装置の開閉と同期したウェハ搬出大器に
よってなされるために、マイコン制御器にノイズが入っ
たり、搬出大器が故障したりすると、ウェハが所定位置
からのずれを生じたり、又はウェハが搬入されていない
ことが９ｍ′″ａｉ’！ｔｒ’＆ｔ＋ｓ″、［：″”６
”７° （〔発明が解決しようとする問題
点〕 上記の構成のプラズマエツチング装置においては、ウェ
ハがサセプタ上の搭載されているかの有無や、サセプタ
上の所定の位置にあるか否かの位置検出が不可能であっ
たことが問題点であり、そのために不具合を生ずるもの
であり、これの改善を行う必要がある。
プタ９上のウェハの搭載位置が、マイコン制御によるス
トロークによる装置の開閉と同期したウェハ搬出大器に
よってなされるために、マイコン制御器にノイズが入っ
たり、搬出大器が故障したりすると、ウェハが所定位置
からのずれを生じたり、又はウェハが搬入されていない
ことが９ｍ′″ａｉ’！ｔｒ’＆ｔ＋ｓ″、［：″”６
”７° （〔発明が解決しようとする問題
点〕 上記の構成のプラズマエツチング装置においては、ウェ
ハがサセプタ上の搭載されているかの有無や、サセプタ
上の所定の位置にあるか否かの位置検出が不可能であっ
たことが問題点であり、そのために不具合を生ずるもの
であり、これの改善を行う必要がある。
本発明は、上記問題点を解消したプラズマエラチク装置
を提供するもので、その手段は、プラズマエツチング装
国内に配置されたウェハの上面側と下面側とで一対をな
す単結晶サファイヤが一対以上配列され、該単結晶サフ
ァイヤの一方から該ウェハ上に光の発射がなされ、対を
なす他方の単結晶サファイヤでは上記光を受光をして光
ファイバセンサに入力されることにより、該光が形成す
る光路の遮光の有無で、該ウェハの配置の確認と位置決
めがなされるように構成されたことを特徴とするプラズ
マエツチング装置によって達成できる。
を提供するもので、その手段は、プラズマエツチング装
国内に配置されたウェハの上面側と下面側とで一対をな
す単結晶サファイヤが一対以上配列され、該単結晶サフ
ァイヤの一方から該ウェハ上に光の発射がなされ、対を
なす他方の単結晶サファイヤでは上記光を受光をして光
ファイバセンサに入力されることにより、該光が形成す
る光路の遮光の有無で、該ウェハの配置の確認と位置決
めがなされるように構成されたことを特徴とするプラズ
マエツチング装置によって達成できる。
本発明は、単結晶サファイヤが光軸方向にのみ光透過性
があり、光軸方向以外の方向からの光に対しては光透過
性がないために、プラズマ発光の空間を通過する際でも
、単結晶サファイヤの光軸方向から伝送される光にのみ
発光と受光の光路が形成されるので、この光路にウェハ
を配置して、ウェハの端面部又はウェハの中央部に光路
が形成されるようにしておけば、光路の遮断状況により
ウェハが正規の位置にあるか、又は偏芯しているか等を
検知することができる。
があり、光軸方向以外の方向からの光に対しては光透過
性がないために、プラズマ発光の空間を通過する際でも
、単結晶サファイヤの光軸方向から伝送される光にのみ
発光と受光の光路が形成されるので、この光路にウェハ
を配置して、ウェハの端面部又はウェハの中央部に光路
が形成されるようにしておけば、光路の遮断状況により
ウェハが正規の位置にあるか、又は偏芯しているか等を
検知することができる。
第１図は本発明のプラズマエツチング装置の実′ 施例
を示す模式断面図であるが、単結晶サファイヤを一対し
た場合の例について説明する。
を示す模式断面図であるが、単結晶サファイヤを一対し
た場合の例について説明する。
反応管１１はアルミニューム（ＡＩ） ！Ｉｉ！！で、
上体部１２と基板台１３からなり、上体部１２にはプラ
ズマガスの供給孔１４とプラズマ発生室１５及び複数の
プラズマ噴射孔１６があり、基板台１３には排気孔１７
と、ウェハ８を搭載するサセプタ１８と、基板台１３を
上下に移動するストローク機構１９があって、これがマ
イコン制御によって作動される。
上体部１２と基板台１３からなり、上体部１２にはプラ
ズマガスの供給孔１４とプラズマ発生室１５及び複数の
プラズマ噴射孔１６があり、基板台１３には排気孔１７
と、ウェハ８を搭載するサセプタ１８と、基板台１３を
上下に移動するストローク機構１９があって、これがマ
イコン制御によって作動される。
本発明のサセプタ１８上のウェハ８を検知する装置は、
上体部１２に単結晶サファイヤの光投射器２０が設けて
あり、それに対応して基板台１３には単結晶サファイヤ
の光受光器２１が設けられた構成になっている。
上体部１２に単結晶サファイヤの光投射器２０が設けて
あり、それに対応して基板台１３には単結晶サファイヤ
の光受光器２１が設けられた構成になっている。
光投射器２０と光受光器２１の位置は、サセプタ１８上
のウェハの所定の位置に投射すればよく、この光路によ
って、ウェハが所定の位置に配置されているかを検知す
ることができる。
のウェハの所定の位置に投射すればよく、この光路によ
って、ウェハが所定の位置に配置されているかを検知す
ることができる。
又ウェハが、所定の位置から位置ずれの状態で配置され
ていることを検知するためには、光投射器２０と光受光
器２１の一対で形成される光路と全く同様な構成で、複
数本で構成される光路を用い、例えばウェハの直径の両
端部の所定位置より、僅かに外側にそれぞれ光路を形成
することにより、この光路が双方ともに遮蔽されなけれ
ば、ウェハは所定位置にあると検知され、若し一方の光
路が遮蔽される時には、ウェハが偏芯していると検知″
１ される。
ていることを検知するためには、光投射器２０と光受光
器２１の一対で形成される光路と全く同様な構成で、複
数本で構成される光路を用い、例えばウェハの直径の両
端部の所定位置より、僅かに外側にそれぞれ光路を形成
することにより、この光路が双方ともに遮蔽されなけれ
ば、ウェハは所定位置にあると検知され、若し一方の光
路が遮蔽される時には、ウェハが偏芯していると検知″
１ される。
光投射器２０と光受光器２１の反応管１１との取りつけ
部は、上体部１２と基板台１３とで光路になるように言
通孔が設けられ、その部分に単結晶のサファイヤ２２．
２３が挿入され、単結晶のサファイヤ２２．２３の外部
光回路との接合は築光レンズ２４．２５を介して光ファ
イバ２６．２７と接続される。
部は、上体部１２と基板台１３とで光路になるように言
通孔が設けられ、その部分に単結晶のサファイヤ２２．
２３が挿入され、単結晶のサファイヤ２２．２３の外部
光回路との接合は築光レンズ２４．２５を介して光ファ
イバ２６．２７と接続される。
反応管１１の内部の真空雰囲気と単結晶のサファイヤ２
２．２３との真空気密は０リング２８によってなされる
。
２．２３との真空気密は０リング２８によってなされる
。
単結晶のサファイヤは、光軸方向のみの光を透過し、光
軸以外の方向からの光を透過しないため、プラズマ空間
のプラズマ発光があっても、光投射器２０と光受光器２
１との間における垂直方向で直線光路で入射する光のみ
について検知が可能になる。
軸以外の方向からの光を透過しないため、プラズマ空間
のプラズマ発光があっても、光投射器２０と光受光器２
１との間における垂直方向で直線光路で入射する光のみ
について検知が可能になる。
このようなプラズマエツチング装置では、ウェハ８が自
動搬出入機によって、サセプタ１８に搭載されると、光
投射器２０と光受光器２１との間に光路が形成され、光
路に異常が発生した場合には、光受光器２１の異常信号
によって、警報又は装置を自力７．□、６ｏよよ９、ワ
、４工や８．１゜、 １とが可能になる。
動搬出入機によって、サセプタ１８に搭載されると、光
投射器２０と光受光器２１との間に光路が形成され、光
路に異常が発生した場合には、光受光器２１の異常信号
によって、警報又は装置を自力７．□、６ｏよよ９、ワ
、４工や８．１゜、 １とが可能になる。
正規の位置に修正することが可能になる。
以上詳細に説明したように、本発明はプラズマエツチン
グ装置のサセプタに搭載される半導体基板の正確な位置
と搬出入動作を検出して装置を管理することができ、効
果大なるものがある。
グ装置のサセプタに搭載される半導体基板の正確な位置
と搬出入動作を検出して装置を管理することができ、効
果大なるものがある。
第１図は、本発明のプラズマエツチング装置の模式断面
図、 第２図は、従来のプラズマエツチング装置の模式断面図
である。 図において、８は半導体基板、１１は反応管、１２は上
体部、１３は基板台、１４はプラズマガスの供給孔、１
５はプラズマ発生室、１６は複数のプラズマ噴射孔、１
７は排気孔、１８はサセプタ、１９はストローク機構、
２０は光投射器、２１は光受光器、２２．２３は単結晶
のサファイヤ、２４．２５は築光レンズ、２６．２７は
光ファイバ、２８はＯリングをそれぞれ示す。
図、 第２図は、従来のプラズマエツチング装置の模式断面図
である。 図において、８は半導体基板、１１は反応管、１２は上
体部、１３は基板台、１４はプラズマガスの供給孔、１
５はプラズマ発生室、１６は複数のプラズマ噴射孔、１
７は排気孔、１８はサセプタ、１９はストローク機構、
２０は光投射器、２１は光受光器、２２．２３は単結晶
のサファイヤ、２４．２５は築光レンズ、２６．２７は
光ファイバ、２８はＯリングをそれぞれ示す。
Claims (1)
- プラズマエッチング装置内に配置されたウェハの上面側
と下面側とで一対をなす単結晶サファイヤが一対以上配
列され、該単結晶サファイヤの一方から該ウェハ上に光
の投射がなされ、対をなす他方の単結晶サファイヤでは
上記光を受光をして光ファイバセンサに入力されること
により、該光が形成する光路の遮光の有無で、該ウェハ
の配置の確認と位置決めがなされるように構成されたこ
とを特徴とするプラズマエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15461084A JPS6156416A (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | プラズマエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15461084A JPS6156416A (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | プラズマエツチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6156416A true JPS6156416A (ja) | 1986-03-22 |
Family
ID=15587943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15461084A Pending JPS6156416A (ja) | 1984-07-24 | 1984-07-24 | プラズマエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6156416A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11195695A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-21 | Advanced Display Inc | 電子デバイス製造装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58107644A (ja) * | 1981-12-21 | 1983-06-27 | Nec Corp | 基板検出装置 |
| JPS5946031A (ja) * | 1982-09-09 | 1984-03-15 | Fujitsu Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1984
- 1984-07-24 JP JP15461084A patent/JPS6156416A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58107644A (ja) * | 1981-12-21 | 1983-06-27 | Nec Corp | 基板検出装置 |
| JPS5946031A (ja) * | 1982-09-09 | 1984-03-15 | Fujitsu Ltd | プラズマ処理装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11195695A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-21 | Advanced Display Inc | 電子デバイス製造装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100521109B1 (ko) | 처리 장치 및 클리닝 방법 | |
| US6592673B2 (en) | Apparatus and method for detecting a presence or position of a substrate | |
| US7098045B2 (en) | Processing method utilizing an apparatus to be sealed against workpiece | |
| US20090277872A1 (en) | Plasma etching method capable of detecting end point and plasma etching device therefor | |
| KR20020010639A (ko) | 진공처리방법 및 진공처리장치 | |
| JP2003282533A (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
| KR20120044247A (ko) | 얼라인먼트 방법, 얼라인먼트 장치, 및 유기 ｅｌ 소자 제조장치 | |
| CN111312576A (zh) | 基片处理***、输送方法、输送程序和保持器具 | |
| KR20140139429A (ko) | 회전 가능 상태 검출 장치 및 회전 가능 상태 검출 방법 및 이것을 사용한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| US5232537A (en) | Dry etching apparatus | |
| JP2006294807A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
| JPS6156416A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JPH11195695A (ja) | 電子デバイス製造装置 | |
| JPH09203704A (ja) | パーティクル検出装置 | |
| US20050264810A1 (en) | Particle monitoring device and processing apparatus including same | |
| KR20030024365A (ko) | 웨이퍼 감지장치 | |
| JPS6311776B2 (ja) | ||
| JP2002270671A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2001044177A (ja) | 半導体製造装置およびドライエッチング時の異物検査・除去方法 | |
| JPH05315300A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| KR102504807B1 (ko) | 반도체 하이브리드 식각 장치 및 방법 | |
| JPH04206822A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH06249966A (ja) | 被処理体の検出装置 | |
| JPH01152629A (ja) | 処理装置 | |
| JP2651052B2 (ja) | 密着露光装置 |