JPS615613A - ピンダイオ−ド・ドライバ−回路 - Google Patents
ピンダイオ−ド・ドライバ−回路Info
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- JPS615613A JPS615613A JP12680184A JP12680184A JPS615613A JP S615613 A JPS615613 A JP S615613A JP 12680184 A JP12680184 A JP 12680184A JP 12680184 A JP12680184 A JP 12680184A JP S615613 A JPS615613 A JP S615613A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/24—Frequency- independent attenuators
- H03H7/25—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable
- H03H7/253—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable the element being a diode
- H03H7/255—Frequency- independent attenuators comprising an element controlled by an electric or magnetic variable the element being a diode the element being a PIN diode
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
本発明は、ピンダイオード−ドライバー回路に関し、特
にビンダイオードを用いる可変減衰器における減衰制御
特性を改善する、ビンダイオード壷ドライバー回路に関
する。
にビンダイオードを用いる可変減衰器における減衰制御
特性を改善する、ビンダイオード壷ドライバー回路に関
する。
(従来技術)
従来、例えば中間周波数帯における信号のレベルを調整
する可変減衰器においては、ピンダイオードを減衰用素
子として用い、ピンダイオードに対するバイアス電圧を
減衰量制御用の電圧として加えてやることによシ、減衰
量を制御調整する方法が用いられている。第1図(al
およびtb)に示されるのは、従来よく用いられている
ピンダイオードによる可変減衰回路例を示し、第1図+
a+の場合においては、端子101から入力される信号
入力は、ピンダイオードX1の呈するインピーダンスに
対応して減衰され、端子103よシ出力される。この場
合、端子102からは、電圧制御モードによシビンダイ
オードXlのバイアス電圧を制御する、従来よく用いら
れているピンダイオード偉ドライバー回路の制御電圧が
入力されておル、抵抗R1およびR1を介してピンダイ
オードXlには前記制御電圧に対応するバイアス電圧が
加えられ、所−〇減衰量が設定される。第1図(b)の
場合においては、減衰用素子として、ピンダイオードX
!およびXsが、相互に逆極性となるように接続されて
おシ、電圧制御モードによるピンダイオード・ドライバ
ー回路から、端子105を経由して入力されるプラス・
マイナス両極性制御電圧に対応して、抵抗R3およびR
4を介してそれぞれのピンダイオードにバイアス電圧が
加えられ、第1図(a)の場合と同様に、信号の入出力
端子104および105の間の伝送減衰量が設定される
。
する可変減衰器においては、ピンダイオードを減衰用素
子として用い、ピンダイオードに対するバイアス電圧を
減衰量制御用の電圧として加えてやることによシ、減衰
量を制御調整する方法が用いられている。第1図(al
およびtb)に示されるのは、従来よく用いられている
ピンダイオードによる可変減衰回路例を示し、第1図+
a+の場合においては、端子101から入力される信号
入力は、ピンダイオードX1の呈するインピーダンスに
対応して減衰され、端子103よシ出力される。この場
合、端子102からは、電圧制御モードによシビンダイ
オードXlのバイアス電圧を制御する、従来よく用いら
れているピンダイオード偉ドライバー回路の制御電圧が
入力されておル、抵抗R1およびR1を介してピンダイ
オードXlには前記制御電圧に対応するバイアス電圧が
加えられ、所−〇減衰量が設定される。第1図(b)の
場合においては、減衰用素子として、ピンダイオードX
!およびXsが、相互に逆極性となるように接続されて
おシ、電圧制御モードによるピンダイオード・ドライバ
ー回路から、端子105を経由して入力されるプラス・
マイナス両極性制御電圧に対応して、抵抗R3およびR
4を介してそれぞれのピンダイオードにバイアス電圧が
加えられ、第1図(a)の場合と同様に、信号の入出力
端子104および105の間の伝送減衰量が設定される
。
第3図(alに示されるのは、従来の電圧制御モードに
よるピンダイオード・ドライバーを用いて減衰量を制御
する場合の、可変減衰回路における減衰量制御特性の1
例である。図において、横軸はピンダイオード・ドライ
バーに対する制御電圧を、縦軸は可変減衰回路における
減衰量を示している。
よるピンダイオード・ドライバーを用いて減衰量を制御
する場合の、可変減衰回路における減衰量制御特性の1
例である。図において、横軸はピンダイオード・ドライ
バーに対する制御電圧を、縦軸は可変減衰回路における
減衰量を示している。
なお、可変減衰回路として、第1図tb>に対応する回
路を用いる場合には、制御電圧のプラス−マイナス両極
性に対応して、縦軸に対して対象性を有する減衰特性を
呈するが、第3図+alにおいては、プラスの制御電圧
に対する減衰量制御特性のみを示している。第3図(a
lよシ明らかなように、制御電圧入力に対応して、ピン
ダイオードに対する直流バイアス電圧の立上シの状態に
おいては、信号入力に対する減衰量が急激に変化し、こ
のため、制御電圧値に対応する減衰量制御精度が著しく
劣化するという欠点があ)、また、上記の減衰特性に起
因して、減衰特性の温度依存性が高くなシ、温度変化に
ともなう減衰量制御精度の低下をも生しるという欠点も
介在している。
路を用いる場合には、制御電圧のプラス−マイナス両極
性に対応して、縦軸に対して対象性を有する減衰特性を
呈するが、第3図+alにおいては、プラスの制御電圧
に対する減衰量制御特性のみを示している。第3図(a
lよシ明らかなように、制御電圧入力に対応して、ピン
ダイオードに対する直流バイアス電圧の立上シの状態に
おいては、信号入力に対する減衰量が急激に変化し、こ
のため、制御電圧値に対応する減衰量制御精度が著しく
劣化するという欠点があ)、また、上記の減衰特性に起
因して、減衰特性の温度依存性が高くなシ、温度変化に
ともなう減衰量制御精度の低下をも生しるという欠点も
介在している。
(発明の目的)
本発明の目的は上記の欠点を除去し、ピンダイオードを
減衰用素子として用いる可変減衰回路に対する減衰量制
御電圧に対応して、前記ピンダイ 11
゛オードに対する制御ドライブを、電圧制御モードがら
電流制御モードに変換する作用と、前記減衰量制御電圧
における所定の制御電圧範囲において、前記電流制御モ
ードにおける制御電流を抑制する制御作用とを併有する
ことによシ、前記可変減衰回路に対する減衰量制御精度
を著しく改善するピンダイオード・ドライバー回路を提
供することにある。
減衰用素子として用いる可変減衰回路に対する減衰量制
御電圧に対応して、前記ピンダイ 11
゛オードに対する制御ドライブを、電圧制御モードがら
電流制御モードに変換する作用と、前記減衰量制御電圧
における所定の制御電圧範囲において、前記電流制御モ
ードにおける制御電流を抑制する制御作用とを併有する
ことによシ、前記可変減衰回路に対する減衰量制御精度
を著しく改善するピンダイオード・ドライバー回路を提
供することにある。
(発明の構成)
本発明のピンダイオード・ドライバー回路は、所定の減
衰量制御電圧に対応して、可変直流バイアス電圧をピン
ダイオードに加えることにより、所定の信号に対する伝
送減衰量を制御調整するビンダイオード−ドライバー回
路において、前記減衰量制御電圧入力に対応して、前記
ピンダイオードに対する制御ドライブを電流モードによ
シ行うだめの電圧電流変換回路と、前記減衰量制御電圧
入力における所定の制御電圧の範囲においては、前記電
圧電流変換回路から出力される制御電流を調整し、前記
所定の信号に対する伝送減衰量を制御するよりに作用す
る制御電流制御回路とを備えて構成される。
衰量制御電圧に対応して、可変直流バイアス電圧をピン
ダイオードに加えることにより、所定の信号に対する伝
送減衰量を制御調整するビンダイオード−ドライバー回
路において、前記減衰量制御電圧入力に対応して、前記
ピンダイオードに対する制御ドライブを電流モードによ
シ行うだめの電圧電流変換回路と、前記減衰量制御電圧
入力における所定の制御電圧の範囲においては、前記電
圧電流変換回路から出力される制御電流を調整し、前記
所定の信号に対する伝送減衰量を制御するよりに作用す
る制御電流制御回路とを備えて構成される。
(発明の実施例)
以下、本発明について図面を参照して詳細に説明する。
第2図(a)は、本発明の一実施例と、対応する可変減
衰回路との、それぞれの要部を示すブロック図である。
衰回路との、それぞれの要部を示すブロック図である。
図において、本発明のピンダイオード・ドライバー回路
3は、差動増幅器1および2と、ツェナ、−・ダイオー
ドXsと、抵抗器R7〜RI3とを備え、対応する可変
減衰器は、ピンダイオードX4と、コンデンサC11お
よびC6と、抵抗器R1,およびR6とを備えている。
3は、差動増幅器1および2と、ツェナ、−・ダイオー
ドXsと、抵抗器R7〜RI3とを備え、対応する可変
減衰器は、ピンダイオードX4と、コンデンサC11お
よびC6と、抵抗器R1,およびR6とを備えている。
第2図(alにおいて、端子109からは減衰量制御電
圧が入力されるが、この制御電圧をVi、R7== R
1= R@ = R16=Rs差動増幅器1の出力電圧
を■0と定義し、抵抗器几、+1と抵抗器R1,および
ツェナー・ダイオードXsよ)成るインピーダンスRe
とし、このReを流れる電流をIoとすると、電圧Vi
および■0と、電流IO%電圧Viおよびインピーダン
スRcとの間には、それぞれ次式の関係が成立つ。
圧が入力されるが、この制御電圧をVi、R7== R
1= R@ = R16=Rs差動増幅器1の出力電圧
を■0と定義し、抵抗器几、+1と抵抗器R1,および
ツェナー・ダイオードXsよ)成るインピーダンスRe
とし、このReを流れる電流をIoとすると、電圧Vi
および■0と、電流IO%電圧Viおよびインピーダン
スRcとの間には、それぞれ次式の関係が成立つ。
Vo = Vi 11)Io
= Vi / Rc (2)従って、減衰量
の制御電圧v1に対して、制御電流IoはVi/Reと
して表わされ、工0は制御電圧Viに比例し、インピー
ダンスRcに反比例している。
= Vi / Rc (2)従って、減衰量
の制御電圧v1に対して、制御電流IoはVi/Reと
して表わされ、工0は制御電圧Viに比例し、インピー
ダンスRcに反比例している。
また、インピーダンス几Cは、第2図(a)における場
合には、抵抗器R12とツェナー・ダイオードX、の直
列インピーダンスと抵抗器RLIとの並列接続により形
成されておシ、抵抗器R11と凡I2との関係としてR
11>> Rxxとなるように選定し、且つR1、の値
を適当な抵抗値に選ぶことによシ、ツェナー・ダイオー
ドXsにおけるツェナー電圧との対応関係において、前
記制御電圧Viに対する制御電流Ioの関係を修正し、
結果的に可変減衰回路における減衰量制御特性を改善す
ることが可能となる。すなわち、減衰量に対する制御電
圧Viが低電圧の領域においては、電圧Vo(Vo=−
2Vi)に対して、ツェナー拳ダイオードXSにおける
バイアス電圧は、ツェナー電圧よシも低電位でアシ、従
って、インピーダンスReは、ツェナー・ダイオードX
5を含む側路が開放状態となるため、実効的に抵抗器R
11として作用する。すなわち、前記(2)式よシ明ら
かなように、制御電流はIo=Vf/R11となシ、制
御電圧Viに対する制御電流Ioの関係は抵抗器R,1
の抵抗値によって規定される。このことは、抵抗器R1
1の抵抗値を適当に選択することによシ、ツェナー−ダ
イオードX5のバイアス電圧が、所定のツェナー電圧以
下となる制御電圧の領域においては、Vi−I。
合には、抵抗器R12とツェナー・ダイオードX、の直
列インピーダンスと抵抗器RLIとの並列接続により形
成されておシ、抵抗器R11と凡I2との関係としてR
11>> Rxxとなるように選定し、且つR1、の値
を適当な抵抗値に選ぶことによシ、ツェナー・ダイオー
ドXsにおけるツェナー電圧との対応関係において、前
記制御電圧Viに対する制御電流Ioの関係を修正し、
結果的に可変減衰回路における減衰量制御特性を改善す
ることが可能となる。すなわち、減衰量に対する制御電
圧Viが低電圧の領域においては、電圧Vo(Vo=−
2Vi)に対して、ツェナー拳ダイオードXSにおける
バイアス電圧は、ツェナー電圧よシも低電位でアシ、従
って、インピーダンスReは、ツェナー・ダイオードX
5を含む側路が開放状態となるため、実効的に抵抗器R
11として作用する。すなわち、前記(2)式よシ明ら
かなように、制御電流はIo=Vf/R11となシ、制
御電圧Viに対する制御電流Ioの関係は抵抗器R,1
の抵抗値によって規定される。このことは、抵抗器R1
1の抵抗値を適当に選択することによシ、ツェナー−ダ
イオードX5のバイアス電圧が、所定のツェナー電圧以
下となる制御電圧の領域においては、Vi−I。
特性を所望の特性に設定できることを意味している。制
御電圧Viの増大にともない、ツェナー・ダイオードX
Sに対するバイアス電圧がツェナー電圧を上廻る状態に
なると、ツェナーダイオードX5を含む側路は導通状態
となシ、制御電流工0は、前述の抵抗器R11のみによ
る規制を離れて、抵抗器R7室によシ規制され、ViK
’[する変化量が増大する傾向となる。
御電圧Viの増大にともない、ツェナー・ダイオードX
Sに対するバイアス電圧がツェナー電圧を上廻る状態に
なると、ツェナーダイオードX5を含む側路は導通状態
となシ、制御電流工0は、前述の抵抗器R11のみによ
る規制を離れて、抵抗器R7室によシ規制され、ViK
’[する変化量が増大する傾向となる。
制御電流IOは、原理的に、インピーダンスReに接続
されている抵抗器R夏3と、可変減衰回路における抵抗
器RいビンダイオードX4および抵抗器R6とを含む負
荷回路のインピーダンスに関係なく、一義的に、制御電
圧ViとインピーダンスRcとによシ定まる電流値であ
シ、この制御電流■0による電流モードの制御ドライブ
によシ、ビンダイオードX4のバイアス電圧が制御され
て、可変減衰回路における端子107から108に対応
する伝送減衰量が制御調整される。従って、ビンダイオ
ード・ドライバー回路3の端子109から入力される。
されている抵抗器R夏3と、可変減衰回路における抵抗
器RいビンダイオードX4および抵抗器R6とを含む負
荷回路のインピーダンスに関係なく、一義的に、制御電
圧ViとインピーダンスRcとによシ定まる電流値であ
シ、この制御電流■0による電流モードの制御ドライブ
によシ、ビンダイオードX4のバイアス電圧が制御され
て、可変減衰回路における端子107から108に対応
する伝送減衰量が制御調整される。従って、ビンダイオ
ード・ドライバー回路3の端子109から入力される。
減衰量に対する制御電圧Viに対応する減衰量制御特性
は、第3図(blに示されるように、制御電圧Viのo
−vbの領域においては、はぼ直線的な特性となシ、電
圧vbを境界点として、Viに対する変化率が増大する
特性に移行する。言うまでもなく、前述の電圧値vbは
、ツェナー・ダイオードX5におけるバイアス電圧が、
所定のツェナ7電圧に到達する時点の制御電圧に対応し
ている。
は、第3図(blに示されるように、制御電圧Viのo
−vbの領域においては、はぼ直線的な特性となシ、電
圧vbを境界点として、Viに対する変化率が増大する
特性に移行する。言うまでもなく、前述の電圧値vbは
、ツェナー・ダイオードX5におけるバイアス電圧が、
所定のツェナ7電圧に到達する時点の制御電圧に対応し
ている。
第3図(alおよび(b)を比較対応させて見て明らか
なように、本発明のビンダイオード会ドライバー回路を
用いる場合には、制御電圧Viに対応する減衰量制御特
性が、Vi=O〜vbの領域においては、前述のように
抵抗器allに規制されて低勾配の特性に改善され、ま
た、Viがvbを越える領域においては、抵抗器R12
によシ規制されて比較的急勾配の特性に移行してゆくこ
とが分る。従って、制御電圧Viの入力に対応する減衰
量の変化が低勾配の特性に改善されるために、Viにお
ける変化量△Viに対応する減衰量の変化量△Lを相対
的に小さい量に抑制し、△Vi /△Lの値を大きくす
ることができるため、制御電圧Viに対応する、可変減
衰回路に対する減衰量制御精度を、前記△Vi/△Lの
値に比例する形で改善することができる。前述のように
、Viがvbを越える制御電圧の領域においても、第3
図(blに示されるように、△Vi /△Lの値が増大
傾向に移行はするものの、抵抗器R1,の抵抗値の選定
によシ、減衰量制御精度を大きく劣化させることなく、
制御電圧Viの有効範囲を拡大することができる。
なように、本発明のビンダイオード会ドライバー回路を
用いる場合には、制御電圧Viに対応する減衰量制御特
性が、Vi=O〜vbの領域においては、前述のように
抵抗器allに規制されて低勾配の特性に改善され、ま
た、Viがvbを越える領域においては、抵抗器R12
によシ規制されて比較的急勾配の特性に移行してゆくこ
とが分る。従って、制御電圧Viの入力に対応する減衰
量の変化が低勾配の特性に改善されるために、Viにお
ける変化量△Viに対応する減衰量の変化量△Lを相対
的に小さい量に抑制し、△Vi /△Lの値を大きくす
ることができるため、制御電圧Viに対応する、可変減
衰回路に対する減衰量制御精度を、前記△Vi/△Lの
値に比例する形で改善することができる。前述のように
、Viがvbを越える制御電圧の領域においても、第3
図(blに示されるように、△Vi /△Lの値が増大
傾向に移行はするものの、抵抗器R1,の抵抗値の選定
によシ、減衰量制御精度を大きく劣化させることなく、
制御電圧Viの有効範囲を拡大することができる。
また、前記ΔVi/ΔLの値の向上にともない、温度条
件に対する依存度嘴低減し、減衰量制御精度の温度特性
も改善される。
件に対する依存度嘴低減し、減衰量制御精度の温度特性
も改善される。
第2図(baa、本発明の他の一実施例と、対応する可
変減衰回路との、それぞれの要部を示すブロック図であ
る。図において、本発明のピンダイオード・ドライバー
回路6は、差動増幅器4および5と、ダイオードX8お
よびX9と、ツェナー・ダイオードX1oおよびX、1
と、抵抗器R16〜R3意とを備えており、対応する可
変減衰回路は、ピンダイオードX6およびXテと、コン
デンサC7およびCIと、抵抗器R14およびR111
とを備えているO 第2図(blに示される実施例と、第2図(alに示さ
れる実施例との相異点は、ピンダイオード・ドライバー
回路については、制御電流制御回路の主要構成要素であ
るツェナー・ダイオードが、第2図(b)の場合には相
互に逆極性の接続状態において2個用いられていること
でロシ、また、対応する可変減衰回路においても、第1
図(b)の場合と同様に、2憫のピンダイオードが、逆
極性の状態において接続され、減衰用素子として用いら
れていることである。2個のピンダイオードを用いる可
変減衰回路の作用については、既に第1図(b)の従来
例の説明において触れたとおシである。第2図(b)に
示されるピンダイオード・ドライバー回路の動作につい
ては、制御電流制御回路を形成する、抵抗器R’ttと
、ダイオ−、ドX8およびX・と、ツェナー・ダイオー
ドX1oおよびXllとによる回路構成が異なることに
起因する差異のみで、基本的のみで、基本的に減衰量制
御特性が第3図(b)に示されるように改善される点に
ついては、第2図(a)の場合と全く同様である。第2
図(b)において・ツェナー・ダイオードX1oおよび
Xllを逆極性の状態にて、それぞれダイオードXsお
よびX9と直列に接続している理由は、端子112から
入力される制御電圧Viがプラスの領域におる場合には
、ダイオードXllとツェナー・ダイオードX1oよ〕
成るアームが制御電流 工0を制御するよりに作用し、
制 1・御電圧Viがマイナスの領域にあ
る場合には、ダイオードX・とツェナー・ダイオードX
1□よ形成るアームが制御電流Ioを制御するよりに作
用する。勿論、制御電圧Vi4Cおけるプラス・マイナ
ス両極性が、可変減衰回路における2個のピンダイオー
ドX6およびXマのそれぞれに対応していることは言う
までもない。なお、第2図(b)の実施例の場合には、
第3図(b)に示される減衰量制御特性は、減衰量を示
す縦軸に関して対象性を持つ、マイナスの制御電圧の領
域における制御特性をも併有する形で規定される口 (発明の効果) 以上詳細に説明したように、本発明は、可変減衰器の減
衰用素子を形成するピンダイオードに対する制御ドライ
ブを、電流モードによシ行い、且つ電流モードによる制
御電流を抑制し制御することによシ、制御電圧に対応す
る減衰量制御精度を著しく向上させ、且つ前記減衰量制
御精度の温度特性をも改善、することができるという効
果がある。
変減衰回路との、それぞれの要部を示すブロック図であ
る。図において、本発明のピンダイオード・ドライバー
回路6は、差動増幅器4および5と、ダイオードX8お
よびX9と、ツェナー・ダイオードX1oおよびX、1
と、抵抗器R16〜R3意とを備えており、対応する可
変減衰回路は、ピンダイオードX6およびXテと、コン
デンサC7およびCIと、抵抗器R14およびR111
とを備えているO 第2図(blに示される実施例と、第2図(alに示さ
れる実施例との相異点は、ピンダイオード・ドライバー
回路については、制御電流制御回路の主要構成要素であ
るツェナー・ダイオードが、第2図(b)の場合には相
互に逆極性の接続状態において2個用いられていること
でロシ、また、対応する可変減衰回路においても、第1
図(b)の場合と同様に、2憫のピンダイオードが、逆
極性の状態において接続され、減衰用素子として用いら
れていることである。2個のピンダイオードを用いる可
変減衰回路の作用については、既に第1図(b)の従来
例の説明において触れたとおシである。第2図(b)に
示されるピンダイオード・ドライバー回路の動作につい
ては、制御電流制御回路を形成する、抵抗器R’ttと
、ダイオ−、ドX8およびX・と、ツェナー・ダイオー
ドX1oおよびXllとによる回路構成が異なることに
起因する差異のみで、基本的のみで、基本的に減衰量制
御特性が第3図(b)に示されるように改善される点に
ついては、第2図(a)の場合と全く同様である。第2
図(b)において・ツェナー・ダイオードX1oおよび
Xllを逆極性の状態にて、それぞれダイオードXsお
よびX9と直列に接続している理由は、端子112から
入力される制御電圧Viがプラスの領域におる場合には
、ダイオードXllとツェナー・ダイオードX1oよ〕
成るアームが制御電流 工0を制御するよりに作用し、
制 1・御電圧Viがマイナスの領域にあ
る場合には、ダイオードX・とツェナー・ダイオードX
1□よ形成るアームが制御電流Ioを制御するよりに作
用する。勿論、制御電圧Vi4Cおけるプラス・マイナ
ス両極性が、可変減衰回路における2個のピンダイオー
ドX6およびXマのそれぞれに対応していることは言う
までもない。なお、第2図(b)の実施例の場合には、
第3図(b)に示される減衰量制御特性は、減衰量を示
す縦軸に関して対象性を持つ、マイナスの制御電圧の領
域における制御特性をも併有する形で規定される口 (発明の効果) 以上詳細に説明したように、本発明は、可変減衰器の減
衰用素子を形成するピンダイオードに対する制御ドライ
ブを、電流モードによシ行い、且つ電流モードによる制
御電流を抑制し制御することによシ、制御電圧に対応す
る減衰量制御精度を著しく向上させ、且つ前記減衰量制
御精度の温度特性をも改善、することができるという効
果がある。
第1図(a)および(baa、それぞれ可変減衰回路の
要部を示すブロック図、第2図(Jl)および(b)は
、それぞれ本発明の実施例と対応する可変減衰回路との
二側の要部を示すブロック図、第3図(a)および(b
)は、それぞれ減衰制御特性を示す図である。 図において、1,2.、a、s・・・・・・差動増幅器
。
要部を示すブロック図、第2図(Jl)および(b)は
、それぞれ本発明の実施例と対応する可変減衰回路との
二側の要部を示すブロック図、第3図(a)および(b
)は、それぞれ減衰制御特性を示す図である。 図において、1,2.、a、s・・・・・・差動増幅器
。
Claims (1)
- 所定の減衰量制御電圧に対応して、可変直流バイアス電
圧をピンダイオードに加えることにより、所定の信号に
対する伝送減衰量を制御調整するピンダイオード・ドラ
イバー回路において、前記減衰量制御電圧入力に対応し
て、前記ピンダイオードに対する制御ドライブを電流モ
ードによら行うための電圧電流変換回路と、前記減衰量
制御電圧入力における所定の制御電圧の範囲においては
、前記電圧電流変換回路から出力される制御電流を調整
し、前記所定の信号に対する伝送減衰量を制御するより
に作用する制御電流制御回路とを備えることを特徴とす
るピンダイオード・ドライバー回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12680184A JPS615613A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | ピンダイオ−ド・ドライバ−回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12680184A JPS615613A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | ピンダイオ−ド・ドライバ−回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS615613A true JPS615613A (ja) | 1986-01-11 |
JPH046282B2 JPH046282B2 (ja) | 1992-02-05 |
Family
ID=14944292
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12680184A Granted JPS615613A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | ピンダイオ−ド・ドライバ−回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS615613A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19725993A1 (de) * | 1997-06-19 | 1998-12-24 | Bosch Gmbh Robert | PIN-Dioden Dämpfungsglied |
US8299415B2 (en) | 2008-06-27 | 2012-10-30 | Sony Corporation | Photodetector, electro-optical device, and electronic apparatus |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58107711A (ja) * | 1981-12-22 | 1983-06-27 | Nec Corp | 電圧制御減衰器 |
-
1984
- 1984-06-20 JP JP12680184A patent/JPS615613A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58107711A (ja) * | 1981-12-22 | 1983-06-27 | Nec Corp | 電圧制御減衰器 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19725993A1 (de) * | 1997-06-19 | 1998-12-24 | Bosch Gmbh Robert | PIN-Dioden Dämpfungsglied |
US8299415B2 (en) | 2008-06-27 | 2012-10-30 | Sony Corporation | Photodetector, electro-optical device, and electronic apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH046282B2 (ja) | 1992-02-05 |
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