JPS6155974A - 定電圧ダイオ−ド - Google Patents
定電圧ダイオ−ドInfo
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- JPS6155974A JPS6155974A JP17791084A JP17791084A JPS6155974A JP S6155974 A JPS6155974 A JP S6155974A JP 17791084 A JP17791084 A JP 17791084A JP 17791084 A JP17791084 A JP 17791084A JP S6155974 A JPS6155974 A JP S6155974A
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- JP
- Japan
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- diffusion region
- type
- voltage
- shallower
- conductivity type
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- Pending
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 75
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 5
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 5
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 4
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 150000001204 N-oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/866—Zener diodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は定電圧ダイオードに関し、特に半導体集積回路
に適する定電圧ダイオードに関する。
に適する定電圧ダイオードに関する。
（従来技術）
従来、半導体集積回路用定電圧ダイオードは第５図に示
すような構造を有し、第５図において、１はＮ型半導体
基板、２はＰｉ拡散領域、３はＮ＋凰拡散領域、４は絶
縁膜、５は電極である。すなわち−組のＰＮ接合を用意
すれば良いので非常に多く用いられて来た。しかし製造
上の条件の微妙な変動により安定化電圧が大きく変動し
高精度の定電圧ダイオードを得ることが不可能でおった
。
すような構造を有し、第５図において、１はＮ型半導体
基板、２はＰｉ拡散領域、３はＮ＋凰拡散領域、４は絶
縁膜、５は電極である。すなわち−組のＰＮ接合を用意
すれば良いので非常に多く用いられて来た。しかし製造
上の条件の微妙な変動により安定化電圧が大きく変動し
高精度の定電圧ダイオードを得ることが不可能でおった
。
また、集積回路を製造した後に所望の安定化電圧を得る
ことも不可能であり、用途が限定されたものとなってい
た。
ことも不可能であり、用途が限定されたものとなってい
た。
（発明の目的）
本発明の目的は、前記のような従来の定電圧ダイオード
の欠点を除去し、所定の精密な安定化電圧が得られると
共に多種類の安定化電圧が得られ、しかも安定化電圧の
選択ができる優れた定電圧ダイオードを提供することに
ある。
の欠点を除去し、所定の精密な安定化電圧が得られると
共に多種類の安定化電圧が得られ、しかも安定化電圧の
選択ができる優れた定電圧ダイオードを提供することに
ある。
（発明の構成）
本発明の定電圧ダイオードは、−導ｔｍ半導体基板の主
面上に形成された第２導電型の第一の拡散領域の内部に
前記第一の拡散領域よυ浅い第一導電型の第二の拡散領
域を有し、前記第二の拡散領域の内部に外側となる拡散
領域と比べて浅くしかも高濃度でちる第一導電型の拡散
領域を少なくとも一つ設け、前記第一導を型の第二の拡
散領域と前記少なくとも−クの第一導ｔｍ拡散領域の周
囲上に絶縁膜を有し、該絶縁膜上に前記第一導電型の第
二の拡散領域と前記少なくとも一つの第一導電型拡散領
域の周囲を全て覆って形成された電極を有して構成され
る。
面上に形成された第２導電型の第一の拡散領域の内部に
前記第一の拡散領域よυ浅い第一導電型の第二の拡散領
域を有し、前記第二の拡散領域の内部に外側となる拡散
領域と比べて浅くしかも高濃度でちる第一導電型の拡散
領域を少なくとも一つ設け、前記第一導を型の第二の拡
散領域と前記少なくとも−クの第一導ｔｍ拡散領域の周
囲上に絶縁膜を有し、該絶縁膜上に前記第一導電型の第
二の拡散領域と前記少なくとも一つの第一導電型拡散領
域の周囲を全て覆って形成された電極を有して構成され
る。
（実施例）
以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
る。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第一の実施例の平面図
及びそのｘ−ｘ’断面図である。第１図（ａ）、（ｂ）
に示すように、Ｎ型半導体基板１の主表面にはＰ型の第
一の拡散領域２が形成され、第一の拡散領域２の内部に
第一の拡散領域２よｐ浅いＮ＋型の第二の拡散領域３ａ
が形成され、また第２の拡散領域３ａの内部には外側と
なる拡散領域と比べて浅く、シかも高濃度であるｒｒ”
ｇの拡散領域が少なくとも一つ設けられている。第１図
（ａ） 、 （ｂ）の場合は高濃度拡散領域３ｂ一つ設
けられた例を示している。
及びそのｘ−ｘ’断面図である。第１図（ａ）、（ｂ）
に示すように、Ｎ型半導体基板１の主表面にはＰ型の第
一の拡散領域２が形成され、第一の拡散領域２の内部に
第一の拡散領域２よｐ浅いＮ＋型の第二の拡散領域３ａ
が形成され、また第２の拡散領域３ａの内部には外側と
なる拡散領域と比べて浅く、シかも高濃度であるｒｒ”
ｇの拡散領域が少なくとも一つ設けられている。第１図
（ａ） 、 （ｂ）の場合は高濃度拡散領域３ｂ一つ設
けられた例を示している。
そして、Ｎ＋＋拡散領域３ａ、Ｎ”＋型拡散領域３ｂの
全周囲上を環状に覆うように絶縁膜４上にゲート電極５
ｂを有しておシ、また、定電圧ダイオード電極５ａを形
成することにより構成されている。
全周囲上を環状に覆うように絶縁膜４上にゲート電極５
ｂを有しておシ、また、定電圧ダイオード電極５ａを形
成することにより構成されている。
本実施例はおいては、上記ゲート電極５ｂの電位を外部
からＮ＋＋拡散領域３ａ、Ｎ”＋型拡散領域３ｂに対し
負にバイアスすること釦より前記Ｎ＋盤拡散領域３ａ、
Ｎ＋“型拡散領域３ｂＫ対し負にバイアスすることによ
り前記Ｎ＋ ｍ拡散領域３ａの表面の担体濃度を制御し
て降伏電圧を変化させることが主眼でちる。即ちゲート
電圧がＮ“型拡散領域３ａ、Ｎ”１１拡散領域３ｂに対
してＯらるいは浅い負電圧にバイアスされた場合は降伏
はＮ＋鳳拡散領域３ａの表面で起こるが、次ｇＫゲート
電極５ｂの負バイアスを増して行くと、ついにはＮ＋製
領領域３ａ表面がＰ狐に反転するため降伏はＮ”ｆｉ拡
散領域３ｂの表面で起こるようになり、Ｎ″型拡散領域
３ｂの方がＮ＋盤拡散領域３ａよ）も高濃度でちるため
に降伏電圧は低下する。以上の説明を図にすると第２図
に示すとおシでおる０すなわち、第２図に示す定電圧ダ
イオードからはゲート電圧を制御することくより２種類
の安定化電圧が選択できることＫなる０ 第３図は本発明の第二の実施例の断面図でおる０第３図
に付した符号で第１図と同じものは同一部分を示す。第
３図においては、Ｐ凰の第一の拡散領域２の内部に第１
の拡散領域２より浅いＮ＋麓の第二の拡散領域３ａが形
成され、さらに外側にらるＮ＋＋拡散領域より浅く、シ
かも高濃度でらるＮ”を拡散領域３ｂが形成されている
。これまでの構造は第１図と同じであるが第３図ではＮ
”型拡散領域３ｂの内側ＩＣｊ！ＫＮ”Ｗ拡散領域３ｂ
より浅＜、シかも高濃度でちるＮ＋＋＋ 型拡散領域３
Ｃが形成されている。すなわち、ＮＷの拡散層の数が増
した構造で第２の拡散領域の内部に外側となる拡散領域
と比べて浅く、シかも高濃度の関係にあるＮ鑞の拡散領
域が二つ形成され７’Ｃ構造である。このようにＮｆｉ
拡散層の数を増せば前に説明した理由により更に精密な
安定化電圧が得られ、かつ多種類の安定化電圧が得られ
る。すなわち、第３図に示す構造の定電圧ダイオードで
は第４図に示すゲートのバイアス電圧と安定化電圧の関
係で明らかなように３種類の安定化電圧が選択できるこ
とになる。
からＮ＋＋拡散領域３ａ、Ｎ”＋型拡散領域３ｂに対し
負にバイアスすること釦より前記Ｎ＋盤拡散領域３ａ、
Ｎ＋“型拡散領域３ｂＫ対し負にバイアスすることによ
り前記Ｎ＋ ｍ拡散領域３ａの表面の担体濃度を制御し
て降伏電圧を変化させることが主眼でちる。即ちゲート
電圧がＮ“型拡散領域３ａ、Ｎ”１１拡散領域３ｂに対
してＯらるいは浅い負電圧にバイアスされた場合は降伏
はＮ＋鳳拡散領域３ａの表面で起こるが、次ｇＫゲート
電極５ｂの負バイアスを増して行くと、ついにはＮ＋製
領領域３ａ表面がＰ狐に反転するため降伏はＮ”ｆｉ拡
散領域３ｂの表面で起こるようになり、Ｎ″型拡散領域
３ｂの方がＮ＋盤拡散領域３ａよ）も高濃度でちるため
に降伏電圧は低下する。以上の説明を図にすると第２図
に示すとおシでおる０すなわち、第２図に示す定電圧ダ
イオードからはゲート電圧を制御することくより２種類
の安定化電圧が選択できることＫなる０ 第３図は本発明の第二の実施例の断面図でおる０第３図
に付した符号で第１図と同じものは同一部分を示す。第
３図においては、Ｐ凰の第一の拡散領域２の内部に第１
の拡散領域２より浅いＮ＋麓の第二の拡散領域３ａが形
成され、さらに外側にらるＮ＋＋拡散領域より浅く、シ
かも高濃度でらるＮ”を拡散領域３ｂが形成されている
。これまでの構造は第１図と同じであるが第３図ではＮ
”型拡散領域３ｂの内側ＩＣｊ！ＫＮ”Ｗ拡散領域３ｂ
より浅＜、シかも高濃度でちるＮ＋＋＋ 型拡散領域３
Ｃが形成されている。すなわち、ＮＷの拡散層の数が増
した構造で第２の拡散領域の内部に外側となる拡散領域
と比べて浅く、シかも高濃度の関係にあるＮ鑞の拡散領
域が二つ形成され７’Ｃ構造である。このようにＮｆｉ
拡散層の数を増せば前に説明した理由により更に精密な
安定化電圧が得られ、かつ多種類の安定化電圧が得られ
る。すなわち、第３図に示す構造の定電圧ダイオードで
は第４図に示すゲートのバイアス電圧と安定化電圧の関
係で明らかなように３種類の安定化電圧が選択できるこ
とになる。
なお、以上の説明では第一導ｇＬ減としてはＮ型で説明
したが導電盤を入れ換えても本発明４そのまま成立する
ことは言りまでもない。
したが導電盤を入れ換えても本発明４そのまま成立する
ことは言りまでもない。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、何種類でも所望の
安定化電圧が得られるので、集積回路製造後に外部から
ゲート電圧ｔｉ節することにより精密な安定化電圧を得
ることも可能であるし、集積回路製造後に安定化電圧を
変更することも容易にできる。
安定化電圧が得られるので、集積回路製造後に外部から
ゲート電圧ｔｉ節することにより精密な安定化電圧を得
ることも可能であるし、集積回路製造後に安定化電圧を
変更することも容易にできる。
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明の第一の実施例の平面
図およびｘ−ｘ’ 断面図、第２図は本発明の第一の実
施例のゲート領域電位と安定化電圧の関係を示す図、第
３図は本発明の第二の実施例の断面図、第４図は本発明
の第二の実施例のゲート領域電位と安定化電圧の関係を
示す図、第５図は従来の定電圧ダイオードの一例の断面
図である。 １・・・・・・ＮＷ半導体基板、２・・・・・・Ｐ型拡
散領域、３ａ、３ｂ、３ｃ・・・・・・Ｎ型拡散領域、
４・・・・・・絶縁膜、５ａ・・・・・・定電圧ダイオ
ード電極、５ｂ・・・・・・ゲート電極。 ノ１を一電圧１ ツェナー電圧 ↑ □ゲート１カ〜１ヒイ立 第４図 弗５区
図およびｘ−ｘ’ 断面図、第２図は本発明の第一の実
施例のゲート領域電位と安定化電圧の関係を示す図、第
３図は本発明の第二の実施例の断面図、第４図は本発明
の第二の実施例のゲート領域電位と安定化電圧の関係を
示す図、第５図は従来の定電圧ダイオードの一例の断面
図である。 １・・・・・・ＮＷ半導体基板、２・・・・・・Ｐ型拡
散領域、３ａ、３ｂ、３ｃ・・・・・・Ｎ型拡散領域、
４・・・・・・絶縁膜、５ａ・・・・・・定電圧ダイオ
ード電極、５ｂ・・・・・・ゲート電極。 ノ１を一電圧１ ツェナー電圧 ↑ □ゲート１カ〜１ヒイ立 第４図 弗５区
Claims (1)
- 第一導電型半導体基板の主表面に形成された第二導電型
の第一の拡散領域の内部に前記第一の拡散領域より浅い
第一導電型の第二の拡散領域を有し、前記第二の拡散領
域の内部に外側となる拡散領域と比べて浅くしかも高濃
度である第一導電型の拡散領域を少なくとも一つ設け、
前記第一導電型の第二の拡散領域と前記少なくとも一つ
の第一導電型拡散領域の周囲上に絶縁膜を有し、該絶縁
膜上に前記第一導電型の第二の拡散領域と前記少なくと
も一つの第一導電型拡散領域の周囲を全て覆って形成さ
れた電極とを有することを特徴とする定電圧ダイオード
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17791084A JPS6155974A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 定電圧ダイオ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17791084A JPS6155974A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 定電圧ダイオ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6155974A true JPS6155974A (ja) | 1986-03-20 |
Family
ID=16039197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17791084A Pending JPS6155974A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | 定電圧ダイオ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6155974A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63300752A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-12-07 | ポール・エイ・クルト | 大腿血管押圧器具 |
| US5027165A (en) * | 1990-05-22 | 1991-06-25 | Maxim Integrated Products | Buried zener diode |
| WO1993019490A1 (en) * | 1992-03-23 | 1993-09-30 | Rohm Co., Ltd. | Voltage regulating diode |
| JP2006263637A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Juki Corp | 接着剤吐出装置 |
-
1984
- 1984-08-27 JP JP17791084A patent/JPS6155974A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63300752A (ja) * | 1987-05-27 | 1988-12-07 | ポール・エイ・クルト | 大腿血管押圧器具 |
| US5027165A (en) * | 1990-05-22 | 1991-06-25 | Maxim Integrated Products | Buried zener diode |
| WO1993019490A1 (en) * | 1992-03-23 | 1993-09-30 | Rohm Co., Ltd. | Voltage regulating diode |
| US5475245A (en) * | 1992-03-23 | 1995-12-12 | Rohm Co., Ltd. | Field-effect voltage regulator diode |
| JP2006263637A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Juki Corp | 接着剤吐出装置 |
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