JPS6155263B2 - - Google Patents
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- JPS6155263B2 JPS6155263B2 JP8699280A JP8699280A JPS6155263B2 JP S6155263 B2 JPS6155263 B2 JP S6155263B2 JP 8699280 A JP8699280 A JP 8699280A JP 8699280 A JP8699280 A JP 8699280A JP S6155263 B2 JPS6155263 B2 JP S6155263B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は主面部に複数個の歪み抵抗層が形成
されたシリコン(Si)基板を圧力検出用可撓板と
する感圧素子を備えた半導体圧力検出装置の改良
に関するものである。
されたシリコン(Si)基板を圧力検出用可撓板と
する感圧素子を備えた半導体圧力検出装置の改良
に関するものである。
第1図は従来の半導体圧力検出装置の一例を示
す断面図である。
す断面図である。
図において、1は圧力検出用可撓板を構成する
厚さの薄いn形Si基板、2はn形Si基板1の第1
の主面部に、この第1の主面の中心の囲りに互い
に所定間隔をおくとともに上記中心から所定距離
を隔ててp形不純物を拡散して形成され、n形Si
基板1の第1の主面部に生じた歪みに応じて抵抗
値が変化する複数個のp形歪み抵抗層、3はn形
Si基板1の第2の主面の周縁部上にこれと一体に
全周にわたつて設けられn形Si基板1の機械的強
度を補強する筒状部、4は複数個のp形歪み抵抗
層2の表面上に含んでn形Si基板1の第1の主面
上に形成された酸化ケイ素(SiO2)膜、5はp形
歪み抵抗層2の両端部にそれぞれSiO2膜4を貫
通して接続された金属電極である。6はn形Si基
板1、p形歪み抵抗層2、筒状部3、SiO2膜4
および金属電極5からなる感圧素子である。7は
Si平板からなり感圧素子6の筒状部3に接着され
て感圧素子6を支持する支持体、8は金を主成分
とする合金ろう、エポキシ樹脂などからなり感圧
素子6の筒状部3と支持体7とを接着する接着
材、9はn形Si基板1の第2の主面の接する空間
と外気とを連通するように、支持体7に設けられ
た貫通孔である。
厚さの薄いn形Si基板、2はn形Si基板1の第1
の主面部に、この第1の主面の中心の囲りに互い
に所定間隔をおくとともに上記中心から所定距離
を隔ててp形不純物を拡散して形成され、n形Si
基板1の第1の主面部に生じた歪みに応じて抵抗
値が変化する複数個のp形歪み抵抗層、3はn形
Si基板1の第2の主面の周縁部上にこれと一体に
全周にわたつて設けられn形Si基板1の機械的強
度を補強する筒状部、4は複数個のp形歪み抵抗
層2の表面上に含んでn形Si基板1の第1の主面
上に形成された酸化ケイ素(SiO2)膜、5はp形
歪み抵抗層2の両端部にそれぞれSiO2膜4を貫
通して接続された金属電極である。6はn形Si基
板1、p形歪み抵抗層2、筒状部3、SiO2膜4
および金属電極5からなる感圧素子である。7は
Si平板からなり感圧素子6の筒状部3に接着され
て感圧素子6を支持する支持体、8は金を主成分
とする合金ろう、エポキシ樹脂などからなり感圧
素子6の筒状部3と支持体7とを接着する接着
材、9はn形Si基板1の第2の主面の接する空間
と外気とを連通するように、支持体7に設けられ
た貫通孔である。
このような半導体圧力検出装置を用いて圧力を
測定する場合には、感圧素子6のn形Si基板1の
第1の主面に図示圧力P1を加えるとともに、その
第2の主面に支持体7の貫通孔9を通して図示圧
力P2を加える。このとき、圧力P1と圧力P2との大
きさが異なれば、n形Si基板1に、圧力P1と圧力
P2との差に比例した上下方向の撓みが生ずる。こ
のn形Si基板1の上下方向の撓みによつて、n形
Si基板1の第1の主面部に歪みが生じて、p形歪
み抵抗層2の抵抗値が変化する。従つて、p形歪
み抵抗層2を用いたハーフブリツジ回路もしくは
フルブリツジ回路を構成し、これらのブリツジ回
路の出力が、圧力P1と圧力P2とが等しいときに、
零になるように設定すれば、これらのブリツジ回
路の出力から圧力P1と圧力P2との差を測定するこ
とができる。
測定する場合には、感圧素子6のn形Si基板1の
第1の主面に図示圧力P1を加えるとともに、その
第2の主面に支持体7の貫通孔9を通して図示圧
力P2を加える。このとき、圧力P1と圧力P2との大
きさが異なれば、n形Si基板1に、圧力P1と圧力
P2との差に比例した上下方向の撓みが生ずる。こ
のn形Si基板1の上下方向の撓みによつて、n形
Si基板1の第1の主面部に歪みが生じて、p形歪
み抵抗層2の抵抗値が変化する。従つて、p形歪
み抵抗層2を用いたハーフブリツジ回路もしくは
フルブリツジ回路を構成し、これらのブリツジ回
路の出力が、圧力P1と圧力P2とが等しいときに、
零になるように設定すれば、これらのブリツジ回
路の出力から圧力P1と圧力P2との差を測定するこ
とができる。
ところで、この従来例の半導体圧力検出装置で
は、感圧素子6とn形Si基板1および筒状部3と
支持体7とがSi材料で構成されているので、これ
らの熱膨張係数には差がないが、n形Si基板1の
熱膨張係数とSiO2膜4のそれとに差があり、筒
状部3および支持体7の熱膨張係数と接着材8の
それとに差がある。従つて、これらのn形Si基板
1、筒状部3、SiO2膜4および接着材8の温度
が変化した場合には、n形Si基板1に上述の圧力
P1および圧力P2が加えられていないときにおいて
も、n形Si基板1の熱膨張係数とSiO2膜4のそれ
との差、並びに筒状部3および支持体7の熱膨張
係数と接着剤8のそれとの差によるバイメタル作
用によつて、n形Si基板1に撓みが生じ、上述の
ブリツジ回路のいわゆるオフセツト出力が発生す
る。特に、高感度の半導体圧力検出装置を製作し
ようとする場合には、n形Si基板1の厚さを極め
て薄くする必要があるので、上記バイメタル作用
によるn形Si基板1の撓みが大きくなり、上記オ
フセツト出力が大きくなるという欠点があつた。
は、感圧素子6とn形Si基板1および筒状部3と
支持体7とがSi材料で構成されているので、これ
らの熱膨張係数には差がないが、n形Si基板1の
熱膨張係数とSiO2膜4のそれとに差があり、筒
状部3および支持体7の熱膨張係数と接着材8の
それとに差がある。従つて、これらのn形Si基板
1、筒状部3、SiO2膜4および接着材8の温度
が変化した場合には、n形Si基板1に上述の圧力
P1および圧力P2が加えられていないときにおいて
も、n形Si基板1の熱膨張係数とSiO2膜4のそれ
との差、並びに筒状部3および支持体7の熱膨張
係数と接着剤8のそれとの差によるバイメタル作
用によつて、n形Si基板1に撓みが生じ、上述の
ブリツジ回路のいわゆるオフセツト出力が発生す
る。特に、高感度の半導体圧力検出装置を製作し
ようとする場合には、n形Si基板1の厚さを極め
て薄くする必要があるので、上記バイメタル作用
によるn形Si基板1の撓みが大きくなり、上記オ
フセツト出力が大きくなるという欠点があつた。
この発明は、上述の欠点に鑑みてなされたもの
で、圧力検出用可撓板であるSi基板の熱膨張係数
とこのSi基板の主面上に形成されたSiO2膜の熱膨
張係数との差によるバイメタル作用を抑制するこ
とができるようにすることによつて、オフセツト
出力の小さい半導体圧力検出装置を提供すること
を目的とする。
で、圧力検出用可撓板であるSi基板の熱膨張係数
とこのSi基板の主面上に形成されたSiO2膜の熱膨
張係数との差によるバイメタル作用を抑制するこ
とができるようにすることによつて、オフセツト
出力の小さい半導体圧力検出装置を提供すること
を目的とする。
第2図はこの発明の一実施例の半導体圧力検出
装置を示す断面図である。
装置を示す断面図である。
図において、11,12および13はそれぞれ
第1図に示した従来例のn形Si基板1、p形歪み
抵抗層2および筒状部3と同様のn形Si基板、p
形歪み抵抗層および筒状部である。14aは複数
個のp形歪み抵抗層12の表面上を含んでn形Si
基板11の第1の主面上に形成された第1の
SiO2膜、14bは筒状部13の端面上に形成さ
れた第2のSiO2膜、15はp形歪み抵抗層12
の両端部にそれぞれSiO2膜14aを貫通して接
続された金属電極である。16はn形Si基板1
1、p形歪み抵抗層12、筒状部13、第1の
SiO2膜14a、第2のSiO2膜14bおよび金属
電極15からなるこの実施例の感圧素子である。
17はSi平板からなり感圧素子16を支持する支
持体、18aは支持体17の一方の主面上に形成
され、温度1250℃程度の不活性ガスの雰囲中にお
いて数十気圧の圧力で、感圧素子16の第2の
SiO2膜14bと一体化された第3のSiO2膜、1
8bは支持体17の他方の主面上に形成された第
4のSiO2膜、19はn形Si基板1の第2の主面の
接する空間と外気とを連通するように、支持体1
7、第3のSiO2膜18aおよび第4のSiO2膜1
8bに設けられた貫通孔である。
第1図に示した従来例のn形Si基板1、p形歪み
抵抗層2および筒状部3と同様のn形Si基板、p
形歪み抵抗層および筒状部である。14aは複数
個のp形歪み抵抗層12の表面上を含んでn形Si
基板11の第1の主面上に形成された第1の
SiO2膜、14bは筒状部13の端面上に形成さ
れた第2のSiO2膜、15はp形歪み抵抗層12
の両端部にそれぞれSiO2膜14aを貫通して接
続された金属電極である。16はn形Si基板1
1、p形歪み抵抗層12、筒状部13、第1の
SiO2膜14a、第2のSiO2膜14bおよび金属
電極15からなるこの実施例の感圧素子である。
17はSi平板からなり感圧素子16を支持する支
持体、18aは支持体17の一方の主面上に形成
され、温度1250℃程度の不活性ガスの雰囲中にお
いて数十気圧の圧力で、感圧素子16の第2の
SiO2膜14bと一体化された第3のSiO2膜、1
8bは支持体17の他方の主面上に形成された第
4のSiO2膜、19はn形Si基板1の第2の主面の
接する空間と外気とを連通するように、支持体1
7、第3のSiO2膜18aおよび第4のSiO2膜1
8bに設けられた貫通孔である。
この実施例の半導体圧力検出装置を用いて圧力
を測定する方法は、第1図に示した従来例の半導
体圧力検出装置を用いて圧力を測定する方法と同
様であるので、その説明を省略する。
を測定する方法は、第1図に示した従来例の半導
体圧力検出装置を用いて圧力を測定する方法と同
様であるので、その説明を省略する。
この実施例の半導体圧力検出装置では、n形Si
基板11および第1のSiO2膜14aのそれぞれ
の熱膨張係数の差による第1のバイメタル作用
と、筒状部13および第2のSiO2膜14bのそ
れぞれの熱膨張係数の差による第2のバイメタル
作用とが互いに打ち消し合うようになるので、上
記第1のバイメタル作用によつてn形Si基板11
に撓みが生ずるのを上記第2のバイメタル作用に
よつて抑制することが可能となり、オフセツト出
力を小さくすることができる。また、支持体17
および第3のSiO2膜18aのそれぞれの熱膨張
係数の差による第3のバイメタル作用と、支持体
17および第4のSiO2膜18bのそれぞれの熱
膨張係数の差による第4のバイメタル作用とが互
いに打ち消し合うので、これらのバイメタル作用
によつて、支持体17が変形するのを小さくする
ことができる。従つて、第2のSiO2膜14bと
第3のSiO2膜18aとが一体化されても、n形Si
基板11に撓みが生ずるのを小さくすることがで
きる。しかも、第1のSiO2膜14a、第2の
SiO2膜14b、第3のSiO2膜18aおよび第4
のSiO2膜18bの膜厚をそれぞれ適当な厚さに
制御することによつて、n形Si基板11に撓みが
ほとんど生じないようにすることも可能となり、
オフセツト出力をほとんど零にすることができ
る。
基板11および第1のSiO2膜14aのそれぞれ
の熱膨張係数の差による第1のバイメタル作用
と、筒状部13および第2のSiO2膜14bのそ
れぞれの熱膨張係数の差による第2のバイメタル
作用とが互いに打ち消し合うようになるので、上
記第1のバイメタル作用によつてn形Si基板11
に撓みが生ずるのを上記第2のバイメタル作用に
よつて抑制することが可能となり、オフセツト出
力を小さくすることができる。また、支持体17
および第3のSiO2膜18aのそれぞれの熱膨張
係数の差による第3のバイメタル作用と、支持体
17および第4のSiO2膜18bのそれぞれの熱
膨張係数の差による第4のバイメタル作用とが互
いに打ち消し合うので、これらのバイメタル作用
によつて、支持体17が変形するのを小さくする
ことができる。従つて、第2のSiO2膜14bと
第3のSiO2膜18aとが一体化されても、n形Si
基板11に撓みが生ずるのを小さくすることがで
きる。しかも、第1のSiO2膜14a、第2の
SiO2膜14b、第3のSiO2膜18aおよび第4
のSiO2膜18bの膜厚をそれぞれ適当な厚さに
制御することによつて、n形Si基板11に撓みが
ほとんど生じないようにすることも可能となり、
オフセツト出力をほとんど零にすることができ
る。
なお、この実施例では、支持体17に貫通孔1
9を設け、n形Si基板11の第1および第2の主
面にそれぞれ加えられる圧力の差を測定するよう
にしたが、n形Si基板1の第1の主面に加えられ
る圧力を測定するようにする場合には、貫通孔1
9をふさいで、n形Si基板1の第2の主面の接す
る空間の圧力が一定になるようにすればよい。ま
た、この実施例では、n形Si基板11を用いた
が、必ずしもこれはn形Si基板に限定する必要が
なく、p形Si基板を用いてもよい。この場合に
は、p形歪み抵孔層12をn形歪み抵抗層にすれ
ばよい。
9を設け、n形Si基板11の第1および第2の主
面にそれぞれ加えられる圧力の差を測定するよう
にしたが、n形Si基板1の第1の主面に加えられ
る圧力を測定するようにする場合には、貫通孔1
9をふさいで、n形Si基板1の第2の主面の接す
る空間の圧力が一定になるようにすればよい。ま
た、この実施例では、n形Si基板11を用いた
が、必ずしもこれはn形Si基板に限定する必要が
なく、p形Si基板を用いてもよい。この場合に
は、p形歪み抵孔層12をn形歪み抵抗層にすれ
ばよい。
以上、説明したように、この発明の半導体圧力
検出装置では、第1の主面上に第1のSiO2膜が
形成され圧力検出用可撓板を構成するSi基板とこ
のSi基板の第2の主面の周縁部上にこれと一体に
設けられ端面に第2のSiO2膜が形成された筒状
部とを有する感圧素子、および一方の主面上に上
記第2のSiO2膜と一体化された第3のSiO2膜が
形成され他方の主面上に第4のSiO2膜が形成さ
れた支持体を備えているので、上記Si基板の熱膨
張係数と上記第1のSiO2膜の熱膨張係数との差
による第1のバイメタル作用を上記筒状部の熱膨
張係数と第2のSiO2膜の熱膨張係数との差によ
る第2のバイメタル作用によつて抑制するととも
に上記支持体の熱膨張係数と上記第3のSiO2膜
の熱膨張係数との差による第3のバイメタル作用
を上記支持体の熱膨張係数と上記第4のSiO2膜
の熱膨張係数との差による第4のバイメタル作用
によつて抑制することができる。従つて、これら
の第1、第2、第3および第4のバイメタル作用
によつて上記Si基板に撓みが生ずるのを抑制する
ことが可能となり、オフセツト出力を小さくする
ことができる。
検出装置では、第1の主面上に第1のSiO2膜が
形成され圧力検出用可撓板を構成するSi基板とこ
のSi基板の第2の主面の周縁部上にこれと一体に
設けられ端面に第2のSiO2膜が形成された筒状
部とを有する感圧素子、および一方の主面上に上
記第2のSiO2膜と一体化された第3のSiO2膜が
形成され他方の主面上に第4のSiO2膜が形成さ
れた支持体を備えているので、上記Si基板の熱膨
張係数と上記第1のSiO2膜の熱膨張係数との差
による第1のバイメタル作用を上記筒状部の熱膨
張係数と第2のSiO2膜の熱膨張係数との差によ
る第2のバイメタル作用によつて抑制するととも
に上記支持体の熱膨張係数と上記第3のSiO2膜
の熱膨張係数との差による第3のバイメタル作用
を上記支持体の熱膨張係数と上記第4のSiO2膜
の熱膨張係数との差による第4のバイメタル作用
によつて抑制することができる。従つて、これら
の第1、第2、第3および第4のバイメタル作用
によつて上記Si基板に撓みが生ずるのを抑制する
ことが可能となり、オフセツト出力を小さくする
ことができる。
第1図は従来の半導体圧力検出装置の一例を示
す断面図、第2図はこの発明の一実施例の半導体
圧力検出装置を示す断面図である。 図において、11は圧力検出用可撓板を構成す
るn形Si基板(第2伝導形のシリコン基板)、1
2はp形歪み抵抗層(第1伝導形の歪み抵抗
層)、13は筒状部、14aおよび14bはそれ
ぞれ第1および第2のSiO2膜、16は感圧素
子、17は支持体、18aおよび18bはそれぞ
れ第3および第4のSiO2膜である。なお、図中
同一符号はそれぞれ同一もしくは相当部分を示
す。
す断面図、第2図はこの発明の一実施例の半導体
圧力検出装置を示す断面図である。 図において、11は圧力検出用可撓板を構成す
るn形Si基板(第2伝導形のシリコン基板)、1
2はp形歪み抵抗層(第1伝導形の歪み抵抗
層)、13は筒状部、14aおよび14bはそれ
ぞれ第1および第2のSiO2膜、16は感圧素
子、17は支持体、18aおよび18bはそれぞ
れ第3および第4のSiO2膜である。なお、図中
同一符号はそれぞれ同一もしくは相当部分を示
す。
Claims (1)
- 1 第1の主面部に歪み測定用の第1伝導形の歪
み抵抗層が形成され圧力検出用可撓板を構成する
第2伝導形のシリコン基板と、このシリコン基板
の第2の主面の周縁部上にこれと一体に全周にわ
たつて設けられ上記シリコン基板の機械的強度を
補強する筒状部と、上記歪み抵抗層の表面上を含
んで上記シリコン基板の上記第1の主面上に形成
された第1の酸化ケイ素膜と、上記筒状部の端面
上に形成された第2の酸化ケイ素膜とを有する感
圧素子、およびシリコン板からなり一方の主面上
に上記第2の酸化ケイ素膜と一体化された第3の
酸化ケイ素膜が形成されるとともに他方の主面上
に第4の酸化ケイ素膜が形成され上記感圧素子を
支持する支持体を備えた半導体圧力検出装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8699280A JPS5710980A (en) | 1980-06-23 | 1980-06-23 | Semiconductor pressure detecting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8699280A JPS5710980A (en) | 1980-06-23 | 1980-06-23 | Semiconductor pressure detecting device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5710980A JPS5710980A (en) | 1982-01-20 |
JPS6155263B2 true JPS6155263B2 (ja) | 1986-11-27 |
Family
ID=13902359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8699280A Granted JPS5710980A (en) | 1980-06-23 | 1980-06-23 | Semiconductor pressure detecting device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5710980A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6387671A (ja) * | 1986-10-01 | 1988-04-18 | Seiko Epson Corp | 磁気記録装置 |
CN102012287A (zh) * | 2010-09-29 | 2011-04-13 | 东南大学 | 圆形硅薄膜微机电压力传感器 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6050970A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-22 | Toshiba Corp | 半導体圧力変換器 |
JPS62127637A (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-09 | Yokogawa Electric Corp | 半導体圧力変換器 |
JP5867057B2 (ja) * | 2011-12-16 | 2016-02-24 | 株式会社豊田中央研究所 | Memsデバイス |
-
1980
- 1980-06-23 JP JP8699280A patent/JPS5710980A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6387671A (ja) * | 1986-10-01 | 1988-04-18 | Seiko Epson Corp | 磁気記録装置 |
CN102012287A (zh) * | 2010-09-29 | 2011-04-13 | 东南大学 | 圆形硅薄膜微机电压力传感器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5710980A (en) | 1982-01-20 |
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