JPS6155183A - El素子 - Google Patents
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- JPS6155183A JPS6155183A JP59176725A JP17672584A JPS6155183A JP S6155183 A JPS6155183 A JP S6155183A JP 59176725 A JP59176725 A JP 59176725A JP 17672584 A JP17672584 A JP 17672584A JP S6155183 A JPS6155183 A JP S6155183A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、電気的な発光、すなわちELを用いたEL素
子に関し、更に詳しくは1発光層が2層構造からなり、
各々の居が隣接する他の層に対して相対的に電気陰性度
が異なる少なくとも1種の電気的発光性有機化合物の薄
膜からなるEL素子に関する。
子に関し、更に詳しくは1発光層が2層構造からなり、
各々の居が隣接する他の層に対して相対的に電気陰性度
が異なる少なくとも1種の電気的発光性有機化合物の薄
膜からなるEL素子に関する。
(従来の技術)
従来のEL素子は、MnあるいはCuまたはRe Fy
(Re ;希土類イオン)等を付活剤として含むZn
Sを発光母材とする発光層からなるものであり、該発光
層の基本構造の違いにより粉末型ELと薄膜型ELに大
きく構造的に分類される。
(Re ;希土類イオン)等を付活剤として含むZn
Sを発光母材とする発光層からなるものであり、該発光
層の基本構造の違いにより粉末型ELと薄膜型ELに大
きく構造的に分類される。
実用化されている素子のうち、薄膜ELは、一般的に粉
末型ELに比べ輝度が高いが、薄膜ELは発光母材を基
板に蒸着して発光層を形成しているため、大面積素子の
製造が難しく、また製造コストが非常に高くなる等の欠
点を有していた。
末型ELに比べ輝度が高いが、薄膜ELは発光母材を基
板に蒸着して発光層を形成しているため、大面積素子の
製造が難しく、また製造コストが非常に高くなる等の欠
点を有していた。
そのため、最も量産性に富み、コスト的に薄膜型素子の
数十分の一程度ですむ有機バインダー中に発光母材、す
なわち、ZnSを分散させた粉末型ELが注目されるよ
うになった。一般的には、EL発光においては、発光層
の厚さが薄い程発光特性が良くなる。しかし、該粉末型
ELの場合は、発光母材が不連続の粉末であるため1発
光層を薄くすると1発光層中にピンホールが生じ易く、
層厚を薄くすることが困難であり、従って十分な輝度特
性が得られないという大きな欠点を持っている。近時に
おいても、該粉末y!1iELの発光層内にフッ化ビニ
リデン系重合体から成る中間誘電体層を配置した改良型
素子が、#開閉58−172891号公報に示されてい
るが、未だ発光輝度、消費電力等に十分な性能を得るに
いたっていない、一方、最近、有機材料の化学構造や高
次構造を制御して、新しくオプティカルおよびエレクト
ロニクス用材料とする研究開発が活発に行なわれ、EC
素子、圧電性素子、焦電性素子、非線計光学素子、強誘
電性液晶等、全屈、無機材料に比肩し得るか、またはそ
れらを凌駕する有機材料が発表されている。このように
、無機物を凌ぐ新しい機能素材としての機能性有機材料
の開発が要望される中で、分子内に親木基と疎水基を持
つアントラセン誘導体やピレン誘導体の単分子層の累積
膜を電極基板上に形成したEL素子が特開昭52−35
587号公報に提案されている。しかし、それらのEL
素子は、その輝度、消費電力等、現実のEL素子として
十分な性能を得るに至っておらず、更に、該有機EL素
子の場合、キャリア電子あるいはホールの密度が非常に
小さく、キャリアの再結合等による機能分子の励起確率
が非常に小さくなり、効率の良い発光が期待できないも
のである。
数十分の一程度ですむ有機バインダー中に発光母材、す
なわち、ZnSを分散させた粉末型ELが注目されるよ
うになった。一般的には、EL発光においては、発光層
の厚さが薄い程発光特性が良くなる。しかし、該粉末型
ELの場合は、発光母材が不連続の粉末であるため1発
光層を薄くすると1発光層中にピンホールが生じ易く、
層厚を薄くすることが困難であり、従って十分な輝度特
性が得られないという大きな欠点を持っている。近時に
おいても、該粉末y!1iELの発光層内にフッ化ビニ
リデン系重合体から成る中間誘電体層を配置した改良型
素子が、#開閉58−172891号公報に示されてい
るが、未だ発光輝度、消費電力等に十分な性能を得るに
いたっていない、一方、最近、有機材料の化学構造や高
次構造を制御して、新しくオプティカルおよびエレクト
ロニクス用材料とする研究開発が活発に行なわれ、EC
素子、圧電性素子、焦電性素子、非線計光学素子、強誘
電性液晶等、全屈、無機材料に比肩し得るか、またはそ
れらを凌駕する有機材料が発表されている。このように
、無機物を凌ぐ新しい機能素材としての機能性有機材料
の開発が要望される中で、分子内に親木基と疎水基を持
つアントラセン誘導体やピレン誘導体の単分子層の累積
膜を電極基板上に形成したEL素子が特開昭52−35
587号公報に提案されている。しかし、それらのEL
素子は、その輝度、消費電力等、現実のEL素子として
十分な性能を得るに至っておらず、更に、該有機EL素
子の場合、キャリア電子あるいはホールの密度が非常に
小さく、キャリアの再結合等による機能分子の励起確率
が非常に小さくなり、効率の良い発光が期待できないも
のである。
(発明の開示)
従って、本発明の目的は、上述のような従来技術の欠点
を解消して、低電圧駆動でも十分輝度の高い発光が得ら
れ、安価で、且つ製造が容易なEL素子を提供すること
である。
を解消して、低電圧駆動でも十分輝度の高い発光が得ら
れ、安価で、且つ製造が容易なEL素子を提供すること
である。
上記本発明の目的は、EL素子の発光層を、特定の材料
を組合せて、且つ特定の構成に形成することにより達成
された。
を組合せて、且つ特定の構成に形成することにより達成
された。
すなわち、本発明は、2層構造の発光層と、該発光層を
挟持する透#I電極層および背面電極層とからなるEL
素子において、上記第1の発光層が、透明電極層に面し
、且つ電気的発光性有機化合物(A)と化合物(A)に
対して相対的に電子受容性の有機化合物(以下アクセプ
ターという)との混合物からなる混合単分子膜またはそ
の累積膜からなり、且つ第2の発光層が、上記の背面電
極層に面し、且つ電気的発光性有機化合物(A)または
化合物(A)と同程度の電気的陰性度の電気的発光性有
機化合物と化合物(A)に対し相対的に電子供与性の有
機化合物(以下ドナーという)との混合物からなる混合
分子堆積膜からなることを特徴とする上記EL素子であ
る。
挟持する透#I電極層および背面電極層とからなるEL
素子において、上記第1の発光層が、透明電極層に面し
、且つ電気的発光性有機化合物(A)と化合物(A)に
対して相対的に電子受容性の有機化合物(以下アクセプ
ターという)との混合物からなる混合単分子膜またはそ
の累積膜からなり、且つ第2の発光層が、上記の背面電
極層に面し、且つ電気的発光性有機化合物(A)または
化合物(A)と同程度の電気的陰性度の電気的発光性有
機化合物と化合物(A)に対し相対的に電子供与性の有
機化合物(以下ドナーという)との混合物からなる混合
分子堆積膜からなることを特徴とする上記EL素子であ
る。
本発明の詳細な説明すると、本発明において使用し、主
として本発明を特徴づける電気的発光性有機化合物とは
、高い発光量子効率を有し、更に外部摂動を受は易いπ
電子系を宥し、電気的な励起が可能な化合物であり、例
えば、基本的には、縮合多環芳香族炭化水素、p−ター
フェニル、2.5−ジフヱニルオ午すゾール、1,4−
ビス(2−メチルスチリル)−ベンゼン、キサンチン、
クマリン、アクリジン、シアニン色素、ベンゾフェノン
、フタロシアニンおよびその金属錯体、ポルフィリンお
よびその金属錯体、8−ヒドロキシキノリンとその金属
錯体、有機ルテニウム錯体、有Ja稀土類錯体およびこ
れらの化合物の誘導体等を挙げることができる。更に上
記化合物に対して電子受容体または電子供与体となり得
る化合物としては、前記以外の複素環式化合物およびそ
れらの誘導体、芳香族アミンおよび芳香族ポリアミン、
キノン構造をもつ化合物、テトラシアノキノジメタンお
よびテトラシアノエチレン等を挙げることができる。
として本発明を特徴づける電気的発光性有機化合物とは
、高い発光量子効率を有し、更に外部摂動を受は易いπ
電子系を宥し、電気的な励起が可能な化合物であり、例
えば、基本的には、縮合多環芳香族炭化水素、p−ター
フェニル、2.5−ジフヱニルオ午すゾール、1,4−
ビス(2−メチルスチリル)−ベンゼン、キサンチン、
クマリン、アクリジン、シアニン色素、ベンゾフェノン
、フタロシアニンおよびその金属錯体、ポルフィリンお
よびその金属錯体、8−ヒドロキシキノリンとその金属
錯体、有機ルテニウム錯体、有Ja稀土類錯体およびこ
れらの化合物の誘導体等を挙げることができる。更に上
記化合物に対して電子受容体または電子供与体となり得
る化合物としては、前記以外の複素環式化合物およびそ
れらの誘導体、芳香族アミンおよび芳香族ポリアミン、
キノン構造をもつ化合物、テトラシアノキノジメタンお
よびテトラシアノエチレン等を挙げることができる。
本発明において、第1の発光層を形成するために有用な
化合物は、上記の如き電気的発光性化合物を必要に応じ
て公知の方法で化学的に修飾し、その構造中に少なくと
も1個の疎水性部分と少なくとも1個の親水性部分(こ
れらはいずれも相対的な意味においてである。)を併有
させるようにした化合物であり、例えば下記の一般式(
I)で表わされる化合物およびその他の化合物を包含す
る。
化合物は、上記の如き電気的発光性化合物を必要に応じ
て公知の方法で化学的に修飾し、その構造中に少なくと
も1個の疎水性部分と少なくとも1個の親水性部分(こ
れらはいずれも相対的な意味においてである。)を併有
させるようにした化合物であり、例えば下記の一般式(
I)で表わされる化合物およびその他の化合物を包含す
る。
[(X−R,)、Z]TL−)−RL(I)上記式中に
おけるXは、水素原子、l\ロゲン原子、アルコキシ基
、アルキルエーテル基、ニトロ基;カルボキシル基、ス
ルホン酸基、リン酸基、ケイ酸基、第1〜3アミノ基;
これらの金属塩、1〜3級アミン塩、酸塩;エステル基
、スルホアミド基、アミド基、イミノ基、4級アミノ基
およびそれらの塩、水酸基等であり:R5は炭素数4〜
30、好ましくは10〜25個のアルキル基、好ましく
は直鎖状アルキル基であり:mは1または「 −S O2N R,、−co−1−COO−等の如き連
結基(R,は水素原子、アルキル基、アリール等の任意
の置換基である)であり;φは後に例示する如き電場発
光性化合物の残基であり;R1はXと同様に、水素原子
またはその他の任意の置換基であり;1個または複数の
X、φおよびR2のうち少なくとも1個は親水性部分で
あり、且つ少なくとも1個は疎水性部分である。
おけるXは、水素原子、l\ロゲン原子、アルコキシ基
、アルキルエーテル基、ニトロ基;カルボキシル基、ス
ルホン酸基、リン酸基、ケイ酸基、第1〜3アミノ基;
これらの金属塩、1〜3級アミン塩、酸塩;エステル基
、スルホアミド基、アミド基、イミノ基、4級アミノ基
およびそれらの塩、水酸基等であり:R5は炭素数4〜
30、好ましくは10〜25個のアルキル基、好ましく
は直鎖状アルキル基であり:mは1または「 −S O2N R,、−co−1−COO−等の如き連
結基(R,は水素原子、アルキル基、アリール等の任意
の置換基である)であり;φは後に例示する如き電場発
光性化合物の残基であり;R1はXと同様に、水素原子
またはその他の任意の置換基であり;1個または複数の
X、φおよびR2のうち少なくとも1個は親水性部分で
あり、且つ少なくとも1個は疎水性部分である。
また1本発明において、第2の発光層を形成するために
有用な有機化合物は、科学的に修飾されていることを除
き、上記と同種の化合物から選択して使用する。
有用な有機化合物は、科学的に修飾されていることを除
き、上記と同種の化合物から選択して使用する。
第1層の形成に有用な一般式(I)の化合物のφとして
好ましいもの、および第2層の形成に有用である化合物
の基本骨格、およびその他の化合物を例示すれば、以下
の通りである。(但し、以下に例示するφ(基本骨格)
は、炭素数1−4のアルキル基、アルコキシ基、アルキ
ルエーテル基、ハロゲン原子、ニドer基、第1〜3級
アミ7基、水酸基、カルボアミド基。スルフオアミド基
等の一般的な置換基を有し得る。) (以 下 、余 白 ) Z二NH10、s Z−Co、NHZ=Cn、N
Hlo、5Z=NH,O,5 Z=NH10、S Z=NH,01
Sz=S1Se Z=S1Se Z=
S%Sez = NH,Ols z=NH,αs
Z=N)(、O%S崖AムGa%Ir、 Ta、 a
=3 M=Er、 Sm、 EuM=Zn、 Cd
、 P4H,pb、 a=2 Gd、 Tb、
DyTm%Yb Tb、 Dy、 Tm1Yb Gd、 Tb
、 DyTm、Yb Z=O,S、 Se 06962 以上の如き発光性化合物は、本発明における各々の発光
層において単独でも使用でき、また電気陰性度が同様で
ある限り、混合物としても使用できる。なお、これらの
化合物は好ましい化合物の例示であって、同一目的が達
成される限り、他の誘導体または他の化合物でも良いの
は当然である。
好ましいもの、および第2層の形成に有用である化合物
の基本骨格、およびその他の化合物を例示すれば、以下
の通りである。(但し、以下に例示するφ(基本骨格)
は、炭素数1−4のアルキル基、アルコキシ基、アルキ
ルエーテル基、ハロゲン原子、ニドer基、第1〜3級
アミ7基、水酸基、カルボアミド基。スルフオアミド基
等の一般的な置換基を有し得る。) (以 下 、余 白 ) Z二NH10、s Z−Co、NHZ=Cn、N
Hlo、5Z=NH,O,5 Z=NH10、S Z=NH,01
Sz=S1Se Z=S1Se Z=
S%Sez = NH,Ols z=NH,αs
Z=N)(、O%S崖AムGa%Ir、 Ta、 a
=3 M=Er、 Sm、 EuM=Zn、 Cd
、 P4H,pb、 a=2 Gd、 Tb、
DyTm%Yb Tb、 Dy、 Tm1Yb Gd、 Tb
、 DyTm、Yb Z=O,S、 Se 06962 以上の如き発光性化合物は、本発明における各々の発光
層において単独でも使用でき、また電気陰性度が同様で
ある限り、混合物としても使用できる。なお、これらの
化合物は好ましい化合物の例示であって、同一目的が達
成される限り、他の誘導体または他の化合物でも良いの
は当然である。
本発明において、上記の如き発光性化合物から特定の電
気的陰性度の発光性化合物(A)または化合物(A)と
同程度の電気的陰性度の発光性化合物を選択し1本発明
のEL素子の第1の発光層と第2の発光層の主発光性化
合物として使用し、これらにアクセプターを混合して第
1層を形成し、且つドナーを混合して第2層を形成する
ことを特徴と、している。
気的陰性度の発光性化合物(A)または化合物(A)と
同程度の電気的陰性度の発光性化合物を選択し1本発明
のEL素子の第1の発光層と第2の発光層の主発光性化
合物として使用し、これらにアクセプターを混合して第
1層を形成し、且つドナーを混合して第2層を形成する
ことを特徴と、している。
前記発光性化合物または非発光性化合物のなかで、アク
セプターとして特に好ましい化合物は、カルボニル基、
スルホニル基、ニトロ基、第4級アミノ基等の電子吸引
性基を有する化合物であり、またドナーとして特に好ま
しい化合物は、第1〜第3級アミノ基、水酸基、アルコ
キシ基、アル午ルエーテル基等の電子供与性基を宥する
もの、あるいは窒素へテロ環化合物が主たるものである
。
セプターとして特に好ましい化合物は、カルボニル基、
スルホニル基、ニトロ基、第4級アミノ基等の電子吸引
性基を有する化合物であり、またドナーとして特に好ま
しい化合物は、第1〜第3級アミノ基、水酸基、アルコ
キシ基、アル午ルエーテル基等の電子供与性基を宥する
もの、あるいは窒素へテロ環化合物が主たるものである
。
上記の如きアクセプターは、上記の如き第1層を形成す
る発光性化合物1モルに対して、好ましくは、約1/1
0〜1/l O0モルの割合で加えて、第1層の電気陰
性度を低め、且つドナーは好ましくは、約1/l 0〜
17100モルの割合で加えて、第2層の電気陰性度を
高める。
る発光性化合物1モルに対して、好ましくは、約1/1
0〜1/l O0モルの割合で加えて、第1層の電気陰
性度を低め、且つドナーは好ましくは、約1/l 0〜
17100モルの割合で加えて、第2層の電気陰性度を
高める。
上記の如きアクセプターは、前記の発光性化合物または
非発光性化合物から選択してもよいし、前記以外の電子
受容性の大な他の有機化合物から選択してもよい。
非発光性化合物から選択してもよいし、前記以外の電子
受容性の大な他の有機化合物から選択してもよい。
また、ドナーも、前記の発光性化合物または非発光性化
合物から選択してもよいし、前記以外の電子供与性の大
な他の有機化合物から選択してもよい0例えば、アクセ
プターとしては、前記の如き電子受容性の大な置換基を
有する種々の化合物から、また、ドナーとしても、同様
に前記の如き電子供与性の大な置換基を有する種々の有
機化合物から選択することが好ましい。
合物から選択してもよいし、前記以外の電子供与性の大
な他の有機化合物から選択してもよい0例えば、アクセ
プターとしては、前記の如き電子受容性の大な置換基を
有する種々の化合物から、また、ドナーとしても、同様
に前記の如き電子供与性の大な置換基を有する種々の有
機化合物から選択することが好ましい。
本発明のEL素子を形成する他の要素、すなわち透明電
極層と背面電極層は、発光層を挟持するものであって、
従来公知のものはいずれも使用できるが、少なくともそ
の1層は透明性である必要がある。透明電極層としては
、従来同様目的の透明電極層がいずれも使用でき、好ま
しいものとしては、例えばポリメチルメタクリレート、
ポリエステル等の透明な合成樹脂、ガラス等の如き透明
性フィルムあるいはシートの表面に酸化インジウム、酸
化錫、インジウム−チン−オキサイド(ITo)等の透
明導電材料を全面にあるいはパターン状に被覆したもの
である。一方の面に不透明な背面電極層を使用する場合
は、これらの不透明型Fi層も、従来公知のものでよく
、一般的且つ好ましいものは、厚さが約0.1〜0.3
JLmのアルミニウム、銀、金等の蒸着膜である。また
透明電極層あるいは背面電極層の形状は、板状、ベルト
状1円筒状等任意の形状でよく、使用目的に応じて選択
することができる。また、透明電極層の厚さは、約0’
、 01〜0 、21Lm程度が好ましく、この範囲以
下の厚さでは、素子自体の物理的強度や電気的性質が不
十分となり、また上記範囲以上の厚さでは透明性や軽量
性、小型性等に問題が生じるおそれがある。
極層と背面電極層は、発光層を挟持するものであって、
従来公知のものはいずれも使用できるが、少なくともそ
の1層は透明性である必要がある。透明電極層としては
、従来同様目的の透明電極層がいずれも使用でき、好ま
しいものとしては、例えばポリメチルメタクリレート、
ポリエステル等の透明な合成樹脂、ガラス等の如き透明
性フィルムあるいはシートの表面に酸化インジウム、酸
化錫、インジウム−チン−オキサイド(ITo)等の透
明導電材料を全面にあるいはパターン状に被覆したもの
である。一方の面に不透明な背面電極層を使用する場合
は、これらの不透明型Fi層も、従来公知のものでよく
、一般的且つ好ましいものは、厚さが約0.1〜0.3
JLmのアルミニウム、銀、金等の蒸着膜である。また
透明電極層あるいは背面電極層の形状は、板状、ベルト
状1円筒状等任意の形状でよく、使用目的に応じて選択
することができる。また、透明電極層の厚さは、約0’
、 01〜0 、21Lm程度が好ましく、この範囲以
下の厚さでは、素子自体の物理的強度や電気的性質が不
十分となり、また上記範囲以上の厚さでは透明性や軽量
性、小型性等に問題が生じるおそれがある。
本発明のEL素子は、上記の如き2層の電極層の間に、
アクセプターまたはドナーを添加することによって前述
の如き特定の電気陰性度の電気的発光性化合物の電気陰
性度を変更し、電気陰性度の異なる2層からなる発光層
を形成することにより得られるものであり、形成された
2層構造の発光層を構成する第1層が、透明電極層に面
し、第2層に対して相対的に電子受容性である高秩序の
分子配向性をもって配列した混合単分子膜あるいはその
累積膜であり、第2層が、背面電極層に面し、第1層に
対して相対的に電子供与性である混合分子堆vK膜であ
ることを特徴としている。
アクセプターまたはドナーを添加することによって前述
の如き特定の電気陰性度の電気的発光性化合物の電気陰
性度を変更し、電気陰性度の異なる2層からなる発光層
を形成することにより得られるものであり、形成された
2層構造の発光層を構成する第1層が、透明電極層に面
し、第2層に対して相対的に電子受容性である高秩序の
分子配向性をもって配列した混合単分子膜あるいはその
累積膜であり、第2層が、背面電極層に面し、第1層に
対して相対的に電子供与性である混合分子堆vK膜であ
ることを特徴としている。
本発明において、このような第1層の単分子膜あるいは
その累vLvを形成する方法として、特に好ましい方法
は、ラングミュア・ブロジェット法(LB法)である、
このLB法は、分子内に親水性基と疎水性基とを有する
構造の分子において、両者のバランス(両親媒性のバラ
ンス)が適度に保たれているとき、分子は水面上で、親
木性基を下に向けて単分子の層になることを利用して、
単分子膜またはその累積膜を形成する方法である。
その累vLvを形成する方法として、特に好ましい方法
は、ラングミュア・ブロジェット法(LB法)である、
このLB法は、分子内に親水性基と疎水性基とを有する
構造の分子において、両者のバランス(両親媒性のバラ
ンス)が適度に保たれているとき、分子は水面上で、親
木性基を下に向けて単分子の層になることを利用して、
単分子膜またはその累積膜を形成する方法である。
具体的には水層上に展開した単分子膜が、水相上を自由
に拡散して広がりすぎないように、仕切板(または浮子
)を設けて展開面積を制限して膜物質の集合状態を制御
し、表面圧を徐々に上昇させ、単分子膜あるいはその累
積膜の製造に適する表面圧を設定する。この表面圧を維
持しながら静かに清浄な基板を垂直に上昇または降下さ
せることにより、単分子膜が基板上に移しとられる。単
分子offは以上で製造されるが、単分子膜の累積膜は
前記の操作を繰り返すことにより所望の累積度の累積膜
として形成される。
に拡散して広がりすぎないように、仕切板(または浮子
)を設けて展開面積を制限して膜物質の集合状態を制御
し、表面圧を徐々に上昇させ、単分子膜あるいはその累
積膜の製造に適する表面圧を設定する。この表面圧を維
持しながら静かに清浄な基板を垂直に上昇または降下さ
せることにより、単分子膜が基板上に移しとられる。単
分子offは以上で製造されるが、単分子膜の累積膜は
前記の操作を繰り返すことにより所望の累積度の累積膜
として形成される。
単分子膜を基板上に移すには、上述した垂直浸漬法の他
、水平付着法、回転円筒法などの方法によっても可能で
ある。水平付着法は基板を水面に水平に接触させて移し
とる方法で1回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回
転させて単分子膜を基体表面に移しとる方法である。前
述した垂直浸漬法では、表面が親水性の基板を水面を横
切る方向に水中から引き上げると分子の親水性基が基板
側゛に向いた単分子膜が基板上に形成される。前述のよ
うに基板を上下させると、各行程ごとに1枚ずつ単分子
膜が重なっていく、成膜分子の向きが引き上げ行程と浸
漬行程で逆になるので、この方法によると各層間は分子
の親水性基と親木性基、分子の疎水性基と疎水性基が向
かい合うY型膜が形成される。それに対し、水平付着法
は、基板を水面に水平に接着させて移しとる方法で、分
子の疎水性基が基板側に向いた単分子膜が基板上に形成
される。この方法では、単分子膜を累積しても、成膜分
子の向きの交代はなく、全ての層において、疎水性基が
基板側に向いたX型膜が形成される0反対に全ての層に
おいて親木性基が基板側に向いた累積膜はX型膜と呼ば
れる0回転円筒法は、円筒法の基体水面上を回転させて
単分子膜を基体表面に移しとる方法である。単分子膜を
基板Hに移す方法は、これらに限定されるわけでなく、
即ち、大面積基板を用いる時には、基板ロールから水層
中に基板を押し出していく方法などもとり得る。また、
前述した親水性基、疎水性基の基板への向きは原則であ
り、基板の表面処理等によって変えることができる。
、水平付着法、回転円筒法などの方法によっても可能で
ある。水平付着法は基板を水面に水平に接触させて移し
とる方法で1回転円筒法は、円筒型の基体を水面上を回
転させて単分子膜を基体表面に移しとる方法である。前
述した垂直浸漬法では、表面が親水性の基板を水面を横
切る方向に水中から引き上げると分子の親水性基が基板
側゛に向いた単分子膜が基板上に形成される。前述のよ
うに基板を上下させると、各行程ごとに1枚ずつ単分子
膜が重なっていく、成膜分子の向きが引き上げ行程と浸
漬行程で逆になるので、この方法によると各層間は分子
の親水性基と親木性基、分子の疎水性基と疎水性基が向
かい合うY型膜が形成される。それに対し、水平付着法
は、基板を水面に水平に接着させて移しとる方法で、分
子の疎水性基が基板側に向いた単分子膜が基板上に形成
される。この方法では、単分子膜を累積しても、成膜分
子の向きの交代はなく、全ての層において、疎水性基が
基板側に向いたX型膜が形成される0反対に全ての層に
おいて親木性基が基板側に向いた累積膜はX型膜と呼ば
れる0回転円筒法は、円筒法の基体水面上を回転させて
単分子膜を基体表面に移しとる方法である。単分子膜を
基板Hに移す方法は、これらに限定されるわけでなく、
即ち、大面積基板を用いる時には、基板ロールから水層
中に基板を押し出していく方法などもとり得る。また、
前述した親水性基、疎水性基の基板への向きは原則であ
り、基板の表面処理等によって変えることができる。
本発明において、第2の発光層を構成する分子堆積膜を
形成する方法として、特に好ましい方法は、抵抗加熱蒸
着法やCVD法であり、例えば、蒸着法では、第2の発
光層として、500λ程度の薄膜が形成できる。
形成する方法として、特に好ましい方法は、抵抗加熱蒸
着法やCVD法であり、例えば、蒸着法では、第2の発
光層として、500λ程度の薄膜が形成できる。
例えば、抵抗加熱蒸着法による場合は、材料を真空槽中
に置いたタングステンボードに入れ、基・板から30c
m以上はなし、抵抗加熱し、昇華性のものは昇華温度に
設定し、溶融性のものは融点以丘の温度に設定して蒸着
する。前真空度は、2×10Tarr以下にし、蒸着前
にシャッターでふさぎ、ポートを加熱し2分はど空とば
しした後、シャッターを開いて蒸着する。
に置いたタングステンボードに入れ、基・板から30c
m以上はなし、抵抗加熱し、昇華性のものは昇華温度に
設定し、溶融性のものは融点以丘の温度に設定して蒸着
する。前真空度は、2×10Tarr以下にし、蒸着前
にシャッターでふさぎ、ポートを加熱し2分はど空とば
しした後、シャッターを開いて蒸着する。
Ti著中の速度は、水晶振動子の膜厚モニターで測定し
ながら行なうが、好適な速度としてはO1l入/sea
〜iooλ/seCの間で行なう。その際の真空度は酸
化などを防ぐために、10Torr以下、好ましくは1
0 Tarr程度になるように保つことにより行なう。
ながら行なうが、好適な速度としてはO1l入/sea
〜iooλ/seCの間で行なう。その際の真空度は酸
化などを防ぐために、10Torr以下、好ましくは1
0 Tarr程度になるように保つことにより行なう。
本発明のEL素子は、前述の如き2層の電極層のうち、
透明電極層に面する第1層として、上記の化合物から特
定の電気陰性度の電気的発光性化合物(A)と適当なア
クセプターを選択して混合物とし、例えばLB法により
、混合単分子膜またはその累積膜を形成し、且つ、背面
電極層に面する第2層として、上記の化合物から化合物
(A)または化合物(A)と同種の電気陰性度の電気的
発光性化合物と適当なドナーを選択して混合物とし、上
記の如き方法により混合分子堆積膜を形成し、発光層を
2層構造とすることにより得られる。
透明電極層に面する第1層として、上記の化合物から特
定の電気陰性度の電気的発光性化合物(A)と適当なア
クセプターを選択して混合物とし、例えばLB法により
、混合単分子膜またはその累積膜を形成し、且つ、背面
電極層に面する第2層として、上記の化合物から化合物
(A)または化合物(A)と同種の電気陰性度の電気的
発光性化合物と適当なドナーを選択して混合物とし、上
記の如き方法により混合分子堆積膜を形成し、発光層を
2層構造とすることにより得られる。
従来の技術の項で述べた通り、LB法によりEL素子を
形成することは公知であるが、該公知の方法では、十分
な性能のEL素子が得られず、本発明者は、種々研究の
結果、発光層を2層構造とし、第1層の発光層を、前述
の如きアクセプターを含む電気的発光性化合物(A)を
用いて混合単分子膜あるいはその累ffl膜として形成
し、且つ第2Nを、ドナーを含む化合物(A)または化
合物(A)と同種の電気陰性度の電気的発光性化合物か
ら混合分子堆積膜として形成することにより、従来技術
のEL素子の性能が著しく向上することを知見したもの
である。
形成することは公知であるが、該公知の方法では、十分
な性能のEL素子が得られず、本発明者は、種々研究の
結果、発光層を2層構造とし、第1層の発光層を、前述
の如きアクセプターを含む電気的発光性化合物(A)を
用いて混合単分子膜あるいはその累ffl膜として形成
し、且つ第2Nを、ドナーを含む化合物(A)または化
合物(A)と同種の電気陰性度の電気的発光性化合物か
ら混合分子堆積膜として形成することにより、従来技術
のEL素子の性能が著しく向上することを知見したもの
である。
本発明の1つの態様は、第1の発光層が、アクセプター
を含む前記発光性材料からなる混合単分子膜である態様
である。この態様のEL素子は、まず最初、に、特定の
電気陰性度の電気的発光性化合物(A)とアクセプター
とからなる混合物を、適当な有機溶剤1例えばクロロホ
ルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン等中に約10〜
16M程度の濃度に溶解し、該溶液を、各種の全屈イオ
ンを含有してもよい適当なpH(例えば、pH約1〜8
)の水相上に展開させ、溶剤を草発除去して混合単分
子膜を形成し、前述の如くのLB法で、一方の透明電極
基板上に移し取って第1層とし、十分に乾燥し、次いで
、化合物Aまたは化合物(A)同様の電気陰性度の電気
的発光性化合物とドナーとからなる混合物を、前記の如
き分子堆積法により、混合分子堆積膜として第2層を形
成し、次いで、この第2の層の表面に、例えばアルミニ
ウム、銀、金等の電極材料を、好ましくは蒸着等により
蒸着させて背面電極層を形成することによって得られる
。
を含む前記発光性材料からなる混合単分子膜である態様
である。この態様のEL素子は、まず最初、に、特定の
電気陰性度の電気的発光性化合物(A)とアクセプター
とからなる混合物を、適当な有機溶剤1例えばクロロホ
ルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン等中に約10〜
16M程度の濃度に溶解し、該溶液を、各種の全屈イオ
ンを含有してもよい適当なpH(例えば、pH約1〜8
)の水相上に展開させ、溶剤を草発除去して混合単分
子膜を形成し、前述の如くのLB法で、一方の透明電極
基板上に移し取って第1層とし、十分に乾燥し、次いで
、化合物Aまたは化合物(A)同様の電気陰性度の電気
的発光性化合物とドナーとからなる混合物を、前記の如
き分子堆積法により、混合分子堆積膜として第2層を形
成し、次いで、この第2の層の表面に、例えばアルミニ
ウム、銀、金等の電極材料を、好ましくは蒸着等により
蒸着させて背面電極層を形成することによって得られる
。
このようにして得られたEL素子の2層からなる発光層
の厚さは、使用した材料の種類によって異なるが、一般
的には約o、oi〜lpmの厚さが好ましい、。
の厚さは、使用した材料の種類によって異なるが、一般
的には約o、oi〜lpmの厚さが好ましい、。
また、別の重要な態様は、本発明のEL宏子の発光層を
構成する第1層を、上記の混合単分子膜の累積膜とする
態様である。該態様は、前記のLB法を用いることによ
り、上記の如き混合単分子膜を種々の方法で必要な層数
まで累積し1次いで第2層を上記の如くに形成すること
によって得られる。
構成する第1層を、上記の混合単分子膜の累積膜とする
態様である。該態様は、前記のLB法を用いることによ
り、上記の如き混合単分子膜を種々の方法で必要な層数
まで累積し1次いで第2層を上記の如くに形成すること
によって得られる。
このようにして得られる本発明のEL素子の発光層の厚
さは、任意に変更することができるが、本発明において
は、第1層の混合単分子膜の累積数を約4〜200とし
、第2層の厚さを約0.01”0.5gmとし、発光層
全体の厚さを約0.02〜Igmとするのが好適である
。
さは、任意に変更することができるが、本発明において
は、第1層の混合単分子膜の累積数を約4〜200とし
、第2層の厚さを約0.01”0.5gmとし、発光層
全体の厚さを約0.02〜Igmとするのが好適である
。
なお、基板として使用する一方の電極層あるいは両方の
電極層と発光層との接着は、LB法および分子堆積法に
おいては十分に強固なものであり、発光層が剥離したり
剥落したりすることはないが、接着力を強化する目的で
、基板表面をあらかじめ処理しておいたり、あるいは基
板と発光層との間に適当な接着剤層を設けてもよい、更
に、LB法において、発光層の形成用材料の種類や使用
する水層のpH、イオン種、水温、単分子膜の転移速度
あるいは単分子膜の表面圧等の種々の条件を調節によっ
ても接着力を強化することができる。
電極層と発光層との接着は、LB法および分子堆積法に
おいては十分に強固なものであり、発光層が剥離したり
剥落したりすることはないが、接着力を強化する目的で
、基板表面をあらかじめ処理しておいたり、あるいは基
板と発光層との間に適当な接着剤層を設けてもよい、更
に、LB法において、発光層の形成用材料の種類や使用
する水層のpH、イオン種、水温、単分子膜の転移速度
あるいは単分子膜の表面圧等の種々の条件を調節によっ
ても接着力を強化することができる。
以上の如くして形成されたEL素子は、そのままでは空
気中の湿気や酸素の影響でその性能が劣化することがあ
るので、従来公知の手段で耐湿、耐酸素性の密封構造と
するのが望ましい。
気中の湿気や酸素の影響でその性能が劣化することがあ
るので、従来公知の手段で耐湿、耐酸素性の密封構造と
するのが望ましい。
以上の如き本発明のEL素子は、その発光層の構造が、
超薄膜であり、且つ第1層が、EL素子の作動上必要な
高度の分子秩序性と機詣を有しており、且つ、第2層と
第1層とが、種々の電気的相互作用を行なうことにより
、優れた発光性能を発揮するものである。
超薄膜であり、且つ第1層が、EL素子の作動上必要な
高度の分子秩序性と機詣を有しており、且つ、第2層と
第1層とが、種々の電気的相互作用を行なうことにより
、優れた発光性能を発揮するものである。
更に、本発明のEL素子の発光層は、第1図に図解的に
示すように、従来技術の単一層からなる発光層とは異な
り、第2図に図解的に示すように、第1の発光層と第2
の発光層とが均一な界面を有しているので、それらの電
気陰性度の異なる2層間での各種相互作用が極めて容易
であり、従来技術では達成しえない程度の優れた発光性
能を発揮するものである。すなわち、第1の発光層と第
2の発光層との電気陰性度の差等を種々変更することに
よって、発光強度を向上させたり、あるいは発光色を任
意に変更でき、また、その耐用寿命も著しく延長させる
ことができる。
示すように、従来技術の単一層からなる発光層とは異な
り、第2図に図解的に示すように、第1の発光層と第2
の発光層とが均一な界面を有しているので、それらの電
気陰性度の異なる2層間での各種相互作用が極めて容易
であり、従来技術では達成しえない程度の優れた発光性
能を発揮するものである。すなわち、第1の発光層と第
2の発光層との電気陰性度の差等を種々変更することに
よって、発光強度を向上させたり、あるいは発光色を任
意に変更でき、また、その耐用寿命も著しく延長させる
ことができる。
更に、従来技術では1発光性が優れているが、成膜性や
膜強度が不十分な材料は実質上使用できなかったが、本
発明においては、このような成膜性や膜強度が劣るが、
発光性に優れた材料でも、いずれか一方の層に成膜性に
優れた材料を使用することによって、発光性、成膜性お
よび膜強度のいずれもが優れた発光層を得ることができ
る。
膜強度が不十分な材料は実質上使用できなかったが、本
発明においては、このような成膜性や膜強度が劣るが、
発光性に優れた材料でも、いずれか一方の層に成膜性に
優れた材料を使用することによって、発光性、成膜性お
よび膜強度のいずれもが優れた発光層を得ることができ
る。
以上の本発明のEL素子は、その発光層に好適な電界等
の電気エネルギーが作用するように、電極層間に、交流
またはパルスあるいは直流電流等の電気エネルギーを印
加することにより、優れたEL全発光示すものである。
の電気エネルギーが作用するように、電極層間に、交流
またはパルスあるいは直流電流等の電気エネルギーを印
加することにより、優れたEL全発光示すものである。
次に実施例をあげて本発明を更に具体的に説明する。な
お、文中部とあるのは重量基準である。
お、文中部とあるのは重量基準である。
実施例1
50+am角のガラス板の表面上にスパッタリング法に
より膜厚1500AのITO層を蕪着して、透明電極を
形成した。この成膜基板を充分洗浄後、Joyce −
Loabe1社製のLangmuir −Trough
4の4XIO+*olのCdC1,を含みpH6、5に
調製された水相中に浸漬した0次に、 (A) (B) と配化合物(A)および(B)を100:Lのモル比で
クロロホルムに溶かした(10mol/i)後、上記水
相上に展開させた。溶媒のクロロホルムを蒸発除去後、
表面圧を高めて(30dyne/cm) 、上記混合分
子を膜状に析出させた。その後、表面圧を一定に保ちな
がら、該成膜基板を、水面を横切る方向に静かに上下さ
せ(上下速度2cm/lll1n)、混合単分子膜を基
板上に移し取り、6層に累積した混合単分子累積膜を作
成した。この累積工程において、該基板を水槽から引き
あげる都度、30分間以上放置して基板に付着している
水分を蒸発除去した。
より膜厚1500AのITO層を蕪着して、透明電極を
形成した。この成膜基板を充分洗浄後、Joyce −
Loabe1社製のLangmuir −Trough
4の4XIO+*olのCdC1,を含みpH6、5に
調製された水相中に浸漬した0次に、 (A) (B) と配化合物(A)および(B)を100:Lのモル比で
クロロホルムに溶かした(10mol/i)後、上記水
相上に展開させた。溶媒のクロロホルムを蒸発除去後、
表面圧を高めて(30dyne/cm) 、上記混合分
子を膜状に析出させた。その後、表面圧を一定に保ちな
がら、該成膜基板を、水面を横切る方向に静かに上下さ
せ(上下速度2cm/lll1n)、混合単分子膜を基
板上に移し取り、6層に累積した混合単分子累積膜を作
成した。この累積工程において、該基板を水槽から引き
あげる都度、30分間以上放置して基板に付着している
水分を蒸発除去した。
次に、抵抗加!8蒸着装置を用いて、上記の混合単分子
膜の累積膜を設けた透明電極基板上に、アントラセンC
C)(mP、216℃)とインダゾール(D)(mp
、146°C)とを500人の膜厚に蒸着させた。この
蒸着は、蒸着槽を一度10Torrの真空度まで減圧し
、抵抗加熱ボード(Mo)の温度を徐々に上げてゆき、
インダゾルの蒸着速度が0 、2 人/see程度にな
るように、抵抗加熱ボードに流れる電流を一定に保ち、
全蒸着速度が2A/seeとなるように、アントラセン
を入れたボードに流れる電流を調節して蒸着膜を形成し
た。蒸着時の真空度は、9X10Torrであった。ま
た、基板ホルダーの温度は、20℃の水を循環させて一
定に保った。
膜の累積膜を設けた透明電極基板上に、アントラセンC
C)(mP、216℃)とインダゾール(D)(mp
、146°C)とを500人の膜厚に蒸着させた。この
蒸着は、蒸着槽を一度10Torrの真空度まで減圧し
、抵抗加熱ボード(Mo)の温度を徐々に上げてゆき、
インダゾルの蒸着速度が0 、2 人/see程度にな
るように、抵抗加熱ボードに流れる電流を一定に保ち、
全蒸着速度が2A/seeとなるように、アントラセン
を入れたボードに流れる電流を調節して蒸着膜を形成し
た。蒸着時の真空度は、9X10Torrであった。ま
た、基板ホルダーの温度は、20℃の水を循環させて一
定に保った。
最後に、上記のように形成されたt!li I?2を蒸
着槽に入れて、該槽を一度10Torrの真空度まで減
圧した後、真空度10 Torrに調整して蒸着速度2
0λ/secで、1500人の膜厚でAI’を該薄膜上
に薄着して背面電極とした0作成されたEL素子を第3
図に例示したように、シールガラスでシールしたのち、
従来方法に従って、精製および脱気、脱水されたシリコ
ンオイルをシール中に注入して、本発明のEL発光セル
を形成した。これらのEL発光セルにIOV、400H
zの交流電圧を印加したところ、電流密度0.14mA
/crn’で輝度26 f t−LのEL全発光示した
。
着槽に入れて、該槽を一度10Torrの真空度まで減
圧した後、真空度10 Torrに調整して蒸着速度2
0λ/secで、1500人の膜厚でAI’を該薄膜上
に薄着して背面電極とした0作成されたEL素子を第3
図に例示したように、シールガラスでシールしたのち、
従来方法に従って、精製および脱気、脱水されたシリコ
ンオイルをシール中に注入して、本発明のEL発光セル
を形成した。これらのEL発光セルにIOV、400H
zの交流電圧を印加したところ、電流密度0.14mA
/crn’で輝度26 f t−LのEL全発光示した
。
上記の本発明のEL素子は、従来例のZn Sを発光母
体としたEL素子と比較し、駆動電圧が低く、発光輝度
特性の良いEL素子であった。
体としたEL素子と比較し、駆動電圧が低く、発光輝度
特性の良いEL素子であった。
比較例1
実施例1において、第2層を形成しなかったことを除い
て、他は実施例1と同様にして比較用のEL素子を得、
且つ実施例1と同様に評価したところ、電流密度0 、
18 mA/ crrr’テ輝度5ft−り以下であっ
た。
て、他は実施例1と同様にして比較用のEL素子を得、
且つ実施例1と同様に評価したところ、電流密度0 、
18 mA/ crrr’テ輝度5ft−り以下であっ
た。
実施例2
実施例1における化合物A、B、CおよびDに代えて、
E F G
H上記化合物E、F、GおよびHを使用し
、他は実施例1と同様にして、本発明のEL素子(但し
、累積数は6)を得、実施例1と同一条件で評価したと
ころ、電流密度0 、12mA/ crn’で、輝度(
Ft−L)は23であった。
H上記化合物E、F、GおよびHを使用し
、他は実施例1と同様にして、本発明のEL素子(但し
、累積数は6)を得、実施例1と同一条件で評価したと
ころ、電流密度0 、12mA/ crn’で、輝度(
Ft−L)は23であった。
第1図は、従来技術のLB法によるEL素子を図解的に
示したものであり、第2図は、本発明のEL素子を図解
的に示したものであり、第3図は本発明のEL素子の断
面を図解的に示したものである。 1;透明電極 2:発光層 3;背面電極 4;発光性化合物4′ニアクセ
ブタ−5;発光性化合物 5′:ドナー・ 6:シールガラス7;シリコ
ン絶縁油 8ニガラス板 第1図 第3図
示したものであり、第2図は、本発明のEL素子を図解
的に示したものであり、第3図は本発明のEL素子の断
面を図解的に示したものである。 1;透明電極 2:発光層 3;背面電極 4;発光性化合物4′ニアクセ
ブタ−5;発光性化合物 5′:ドナー・ 6:シールガラス7;シリコ
ン絶縁油 8ニガラス板 第1図 第3図
Claims (1)
- 2層構造の発光層と、該発光層を挟持する透明電極層
および背面電極層とからなるEL素子において、第1の
発光層が、上記透明電極層に面し、且つ電気的発光性有
機化合物(A)と化合物(A)に対して相対的に電子受
容性の有機化合物との混合物からなる混合単分子膜また
はその累積膜からなり、且つ第2の発光層が、上記の背
面電極層に面し、且つ電気的発光性有機化合物(A)ま
たは化合物(A)と同程度の電気的陰性度の電気的発光
性有機化合物と化合物(A)に対し相対的に電子供与性
の有機化合物との混合物からなる混合分子堆積膜からな
ることを特徴とする上記EL素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59176725A JPS6155183A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | El素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59176725A JPS6155183A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | El素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6155183A true JPS6155183A (ja) | 1986-03-19 |
Family
ID=16018686
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59176725A Pending JPS6155183A (ja) | 1984-08-27 | 1984-08-27 | El素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6155183A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1991003142A1 (fr) * | 1989-08-18 | 1991-03-07 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Element electroluminescent organique |
US7810323B2 (en) | 2004-09-06 | 2010-10-12 | Komatsu Ltd. | Load control device for engine of work vehicle |
-
1984
- 1984-08-27 JP JP59176725A patent/JPS6155183A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1991003142A1 (fr) * | 1989-08-18 | 1991-03-07 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Element electroluminescent organique |
US5142343A (en) * | 1989-08-18 | 1992-08-25 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence device with oligomers |
US7810323B2 (en) | 2004-09-06 | 2010-10-12 | Komatsu Ltd. | Load control device for engine of work vehicle |
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