JPS6154217A - 不純物除去装置 - Google Patents
不純物除去装置Info
- Publication number
- JPS6154217A JPS6154217A JP17360584A JP17360584A JPS6154217A JP S6154217 A JPS6154217 A JP S6154217A JP 17360584 A JP17360584 A JP 17360584A JP 17360584 A JP17360584 A JP 17360584A JP S6154217 A JPS6154217 A JP S6154217A
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- cleaning
- filter
- impurities
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- Filtering Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体の製造分野における、半導体ウェハ、
例えばＳｉウェハの洗浄装置に関する。又、化学工業の
分野においても、用いる溶液中の不純物を除去する場合
有用である。
例えばＳｉウェハの洗浄装置に関する。又、化学工業の
分野においても、用いる溶液中の不純物を除去する場合
有用である。
背景技術とその問題点
半う７を体装置製造の際、Ｓ１ウエハの表面に付着して
いるパーティクル（微細なごみ）は、ＬＳＩ ％、 Ｖ
ＬＳＩのように装置の微細化が進むにつれて半導体装置
の歩留りに与えるＥ５ ｋＪＪが大きくなってきている
。
いるパーティクル（微細なごみ）は、ＬＳＩ ％、 Ｖ
ＬＳＩのように装置の微細化が進むにつれて半導体装置
の歩留りに与えるＥ５ ｋＪＪが大きくなってきている
。
また、微細化に伴って工程数、複り１（さが増えるため
、Ｓｉウェハにパーティクルが付着する割合も高くなる
。従って、製造工程におけるパーティクルの除去は、非
常に重要な意義を持っている。従来、アンモニア通水液
を洗浄液として使用する方法が広く行われているが、こ
の方法による場合、洗浄後のＳｔウェハ表面の５ｉ（ｈ
中には高濃度のＡｌが不純物として含まれている。この
Ａｌ源としては、アンモニア過水（Ｉｒ２０２ ＋ Ｎ
１（４０＋Ｉ）液自体に不純物として含まれているもの
、洗浄時アンモニア過水液によりエツチングされて溶出
した洗浄＋ｔ！ｒのＡ／が主であると考えられる０例え
ば、へ１含量が１１２０２中には０．２ｐｐｍＳＮＨ４
０１１中には０．ｌｐｐｍ５石英製の洗浄槽自体には１
０〜２０ｐｐｍと微撥であっても、洗浄後のＳｔウェハ
表面にはｌ Ｑ１９ａｎ−３にも及ぶ高濃度の＾ｉが吸
着されている。吸着されている＾ｌを除去するためには
、５ｉ（ｈを適当な溶液でエツチング除去するか、適当
な酸洗浄（例えば、硫酸と硝酸との混酸による煮沸、超
音波を併用した塩酸過水又は硫酸過水による洗浄）を行
う必要がある。しかし、実際の製造工程にこのような＾
ｉ除去工程を導入した場合、１）工程数が増加する、２
）溶液によるエツチングは微細加工上好ましくない、３
）自動化する際、装置が１０１価になる、などの問題点
がある。又、化学工業の分野においても、一般の／８１
Ｉ”ｌ中には除去しきれないｌ不純物を有するものがあ
り、各種処理においてさらにへｐ不純物を除去すること
が要求され°ζいた。
、Ｓｉウェハにパーティクルが付着する割合も高くなる
。従って、製造工程におけるパーティクルの除去は、非
常に重要な意義を持っている。従来、アンモニア通水液
を洗浄液として使用する方法が広く行われているが、こ
の方法による場合、洗浄後のＳｔウェハ表面の５ｉ（ｈ
中には高濃度のＡｌが不純物として含まれている。この
Ａｌ源としては、アンモニア過水（Ｉｒ２０２ ＋ Ｎ
１（４０＋Ｉ）液自体に不純物として含まれているもの
、洗浄時アンモニア過水液によりエツチングされて溶出
した洗浄＋ｔ！ｒのＡ／が主であると考えられる０例え
ば、へ１含量が１１２０２中には０．２ｐｐｍＳＮＨ４
０１１中には０．ｌｐｐｍ５石英製の洗浄槽自体には１
０〜２０ｐｐｍと微撥であっても、洗浄後のＳｔウェハ
表面にはｌ Ｑ１９ａｎ−３にも及ぶ高濃度の＾ｉが吸
着されている。吸着されている＾ｌを除去するためには
、５ｉ（ｈを適当な溶液でエツチング除去するか、適当
な酸洗浄（例えば、硫酸と硝酸との混酸による煮沸、超
音波を併用した塩酸過水又は硫酸過水による洗浄）を行
う必要がある。しかし、実際の製造工程にこのような＾
ｉ除去工程を導入した場合、１）工程数が増加する、２
）溶液によるエツチングは微細加工上好ましくない、３
）自動化する際、装置が１０１価になる、などの問題点
がある。又、化学工業の分野においても、一般の／８１
Ｉ”ｌ中には除去しきれないｌ不純物を有するものがあ
り、各種処理においてさらにへｐ不純物を除去すること
が要求され°ζいた。
発明の目的
本発明は、上述の点に鑑みて、液中に含まれている不純
物例えばＡｌの濃度を低減化することができる不純物除
去装置を提供することを目的とする。
物例えばＡｌの濃度を低減化することができる不純物除
去装置を提供することを目的とする。
発明の概要
本発明は、液中に含まれている不純物を除去するフィル
タを有し、このフィルタは、半導体材料を含んで構成さ
れていることを特徴とする不純物除去装置である。
タを有し、このフィルタは、半導体材料を含んで構成さ
れていることを特徴とする不純物除去装置である。
本発明により、ｌ＆中に合まれでいる不純物濃度の低減
化が可能になる。
化が可能になる。
実施例
不発１ｙ農こおいては、Ｓｉウェハの洗浄液中に含まれ
ている不純物であるｉを除去するため、洗浄されるべき
Ｓｉウェハと同じ材料より成るフィルタを用いて洗浄装
置を構成する。フィルタとなるＳｉは、高純度のＳｉを
用いるを０１とし、且つＡｊｌ！が吸着される表面積を
増やすため、粒径が適度に細かい粉末を使用するのが良
い、また、Ｓｉフィルタによる八βの吸着時、超音波を
併用すると 八βの吸着を速めることができる。なお、
Δβが吸着されたＳｉフィルタは、フッ酸を使用して
Ａｌをエツチング除去するごとにより、繰り返し使用す
ることができる。洗浄液をＳｉフィルタに通ず際、 Ｈ
２Ｏ２とＮＨ４０１１が混合されているアンモニア過水
の状態で通してもよく、また両者別々に通してもよい。
ている不純物であるｉを除去するため、洗浄されるべき
Ｓｉウェハと同じ材料より成るフィルタを用いて洗浄装
置を構成する。フィルタとなるＳｉは、高純度のＳｉを
用いるを０１とし、且つＡｊｌ！が吸着される表面積を
増やすため、粒径が適度に細かい粉末を使用するのが良
い、また、Ｓｉフィルタによる八βの吸着時、超音波を
併用すると 八βの吸着を速めることができる。なお、
Δβが吸着されたＳｉフィルタは、フッ酸を使用して
Ａｌをエツチング除去するごとにより、繰り返し使用す
ることができる。洗浄液をＳｉフィルタに通ず際、 Ｈ
２Ｏ２とＮＨ４０１１が混合されているアンモニア過水
の状態で通してもよく、また両者別々に通してもよい。
次に、上記Ｓｉフィルタを使用した本発明によるＳｌウ
ェハの洗浄装置の実施例の概Ｉｌｒ、３を説明する。
ェハの洗浄装置の実施例の概Ｉｌｒ、３を説明する。
第１図に示す洗浄装置においては、洗浄液（アンモニア
過水）中のパーティクルを除去するためのフィルタ（Ａ
）と高純度のＳｉ粉末を使用したＳｉフィルタ（Ｂ）と
洗浄液タンク （Ｃ）の三者間で洗浄液が循環されてパ
ーティクルと ｌが除、去される系を作り、この系から
必要な時に三方コック（Ｅ）を介してＳｉウェハの洗浄
槽（Ｄ）に汚染されていない洗浄水が供給されるように
構成する。
過水）中のパーティクルを除去するためのフィルタ（Ａ
）と高純度のＳｉ粉末を使用したＳｉフィルタ（Ｂ）と
洗浄液タンク （Ｃ）の三者間で洗浄液が循環されてパ
ーティクルと ｌが除、去される系を作り、この系から
必要な時に三方コック（Ｅ）を介してＳｉウェハの洗浄
槽（Ｄ）に汚染されていない洗浄水が供給されるように
構成する。
第２図に示す洗浄装置においては、洗浄液中のパーティ
クルを除去子るためのフィルタ（Ａ）と５ｉＰＩｊ末よ
りなるＳｉフィルタ（Ｂ、）と洗浄液タンク（Ｃ）で洗
浄液の循環系を作り、同時にこの循環系の洗浄タンク（
Ｃ）から洗浄れツ（Ｄ）に汚染のない洗浄水が供給され
、洗浄後の液は再び循環系のパーティクル除去用フィル
タ（Ａ）に供給されて洗浄液中の汚染物が除去されるよ
うに構成する。
クルを除去子るためのフィルタ（Ａ）と５ｉＰＩｊ末よ
りなるＳｉフィルタ（Ｂ、）と洗浄液タンク（Ｃ）で洗
浄液の循環系を作り、同時にこの循環系の洗浄タンク（
Ｃ）から洗浄れツ（Ｄ）に汚染のない洗浄水が供給され
、洗浄後の液は再び循環系のパーティクル除去用フィル
タ（Ａ）に供給されて洗浄液中の汚染物が除去されるよ
うに構成する。
第３１４に示す洗浄装置においては、パーティクル除去
用フィルタ（Ａ） 、Ｓｉフィルタ（Ｂ）、洗浄液タン
ク（Ｃ）、洗浄Ｉ！ｌ７（Ｄ）の四者を連続的に配置し
、洗浄液はパーティクル除去用フィルタ（Ａ）とＳｉフ
ィルタ（Ｂ）を１回通過した後、循環することなく洗浄
槽（Ｄ）に供給されるように構成したものである。
用フィルタ（Ａ） 、Ｓｉフィルタ（Ｂ）、洗浄液タン
ク（Ｃ）、洗浄Ｉ！ｌ７（Ｄ）の四者を連続的に配置し
、洗浄液はパーティクル除去用フィルタ（Ａ）とＳｉフ
ィルタ（Ｂ）を１回通過した後、循環することなく洗浄
槽（Ｄ）に供給されるように構成したものである。
次に、洗浄されるべきＳｉウェハと同じＳｉよりなる直
径３インチの薄板を使用し、このＳｉ薄板を八βで汚染
された洗浄液中に浸漬することによりＡｆを吸着させ、
洗浄液中のｌが減少する様子を測定した。洗浄液中の＾
ｌ’ｌ１５度は、ＳＩＭＳ （２次イオン質量分析法）
により測定したものである。
径３インチの薄板を使用し、このＳｉ薄板を八βで汚染
された洗浄液中に浸漬することによりＡｆを吸着させ、
洗浄液中のｌが減少する様子を測定した。洗浄液中の＾
ｌ’ｌ１５度は、ＳＩＭＳ （２次イオン質量分析法）
により測定したものである。
第４図において、縦軸が規格されたＡ７７濃度、横軸が
延処理カセッ） （Ｓｉ薄板を２４枚収納）数である。
延処理カセッ） （Ｓｉ薄板を２４枚収納）数である。
例えば５カセツトの場合、合計１２０枚のＳｉ薄板を洗
浄液中に浸漬したことになる。第４図中、実線は石英製
の洗浄槽を使用し、超音波（３００Ｗ、２６ｋＨｚ又は
３６ｋＨｚ ）を併用して１０分間浸漬した場合であり
、１点鎖線はテフロン製の洗浄槽を使用して１０分間浸
漬した場合を示す。また、Ｓｉ薄板としては、結晶面が
（１１１）、２〜３Ω・ｃｍのＳｔを使用し、アンモニ
ア過水液としてばＮ）＋４０Ｈ： １１２０２：）Ｉ
ｚＯ＝１：２ニア（体稍比）のものを使用した。
浄液中に浸漬したことになる。第４図中、実線は石英製
の洗浄槽を使用し、超音波（３００Ｗ、２６ｋＨｚ又は
３６ｋＨｚ ）を併用して１０分間浸漬した場合であり
、１点鎖線はテフロン製の洗浄槽を使用して１０分間浸
漬した場合を示す。また、Ｓｉ薄板としては、結晶面が
（１１１）、２〜３Ω・ｃｍのＳｔを使用し、アンモニ
ア過水液としてばＮ）＋４０Ｈ： １１２０２：）Ｉ
ｚＯ＝１：２ニア（体稍比）のものを使用した。
第４図から浸漬したＳｉ薄板の枚数が多い程、洗浄液中
のへβ濃度は減少するが、超音波を併用した石英製洗浄
槽を使用した場合の方が、Ａｌ濃度の減少が著しいこと
がわかる。なお、石英製洗浄槽の方がテフロン製洗浄れ
ツより へ／！濃度の初期値がかなり高いが、これは石
英製洗浄１１！１からのｉの溶出が影響しているためと
考えられる。
のへβ濃度は減少するが、超音波を併用した石英製洗浄
槽を使用した場合の方が、Ａｌ濃度の減少が著しいこと
がわかる。なお、石英製洗浄槽の方がテフロン製洗浄れ
ツより へ／！濃度の初期値がかなり高いが、これは石
英製洗浄１１！１からのｉの溶出が影響しているためと
考えられる。
尚、上側ではＳ１ウエハの洗浄装置に通用したが、他の
半導体ウェハの洗浄装置にも通用できる。その場合には
洗浄すべき半導体ウェハと同じ材料よりなるフィルタを
設け、ここにおいて洗浄液中に含まれる不純物（即ち半
導体ウェハに吸着し易い不純物）を除去するようになす
。また、化学工業の分野において、溶液中の不純物例え
ばへβ不純物を除去する装！！’Ｉ’にも通用できる。
半導体ウェハの洗浄装置にも通用できる。その場合には
洗浄すべき半導体ウェハと同じ材料よりなるフィルタを
設け、ここにおいて洗浄液中に含まれる不純物（即ち半
導体ウェハに吸着し易い不純物）を除去するようになす
。また、化学工業の分野において、溶液中の不純物例え
ばへβ不純物を除去する装！！’Ｉ’にも通用できる。
発明の効果
木装置ｉ９：によれば、例えば不純物により汚染されて
いないルし浄？ｔＫを使用して半導体ウェハを洗浄する
ことができる。従って、洗浄後に半導体ウェハに吸着し
た不純物を取除く等の後処理が不要となり、＄１１造工
程の簡素化が図られる。また、洗浄及び不純物を取除く
装置の自動化も容易である。さらに洗浄後の不純物除去
工程（例えばエツチング処理）が不要なので微細加工上
も好ましい。
いないルし浄？ｔＫを使用して半導体ウェハを洗浄する
ことができる。従って、洗浄後に半導体ウェハに吸着し
た不純物を取除く等の後処理が不要となり、＄１１造工
程の簡素化が図られる。また、洗浄及び不純物を取除く
装置の自動化も容易である。さらに洗浄後の不純物除去
工程（例えばエツチング処理）が不要なので微細加工上
も好ましい。
又、化学工業の分野に適用したときには種々の溶液にお
いて、その純度を高めることができる。
いて、その純度を高めることができる。
第１図〜第３図は本発明の実施例を示すブロック図、第
４図はＳｉ薄板を使用してへｌ濃度の低減化を測定した
実験結果を示す図である。 （Ａ）はパーティクル除去用フィルタ、（Ｂ）はＳｔフ
ィルタ、（Ｃ）は洗浄液タンク、（Ｄ）は洗浄槽、（Ｅ
）は三方コックである。 ′５−：・／ 第１図 第２図 第３図 第４図
４図はＳｉ薄板を使用してへｌ濃度の低減化を測定した
実験結果を示す図である。 （Ａ）はパーティクル除去用フィルタ、（Ｂ）はＳｔフ
ィルタ、（Ｃ）は洗浄液タンク、（Ｄ）は洗浄槽、（Ｅ
）は三方コックである。 ′５−：・／ 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 液中に含まれている不純物を除去するフィルタを有し、
該フィルタは半導体材料を含んで構成されていることを
特徴とする不純物除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17360584A JPS6154217A (ja) | 1984-08-21 | 1984-08-21 | 不純物除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17360584A JPS6154217A (ja) | 1984-08-21 | 1984-08-21 | 不純物除去装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6154217A true JPS6154217A (ja) | 1986-03-18 |
Family
ID=15963701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17360584A Pending JPS6154217A (ja) | 1984-08-21 | 1984-08-21 | 不純物除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6154217A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4980017A (en) * | 1988-10-01 | 1990-12-25 | Nisso Engineering Company, Ltd. | Method for recirculating high-temperature etching solution |
-
1984
- 1984-08-21 JP JP17360584A patent/JPS6154217A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4980017A (en) * | 1988-10-01 | 1990-12-25 | Nisso Engineering Company, Ltd. | Method for recirculating high-temperature etching solution |
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