JPS6153727A - Manufacture of semiconductor device - Google Patents
Manufacture of semiconductor deviceInfo
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- JPS6153727A JPS6153727A JP59176088A JP17608884A JPS6153727A JP S6153727 A JPS6153727 A JP S6153727A JP 59176088 A JP59176088 A JP 59176088A JP 17608884 A JP17608884 A JP 17608884A JP S6153727 A JPS6153727 A JP S6153727A
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- integrator
- stage
- shutter
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- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に係シ、特に投影転写
(プロジェクションアライナともいう)によるレジスト
パターニングにおいて照明用ランプの光量変化をモニタ
してマスクパターンをウェハへ転写する方法の改良に関
するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and in particular, in resist patterning by projection transfer (also referred to as a projection aligner), changes in the light amount of an illumination lamp are monitored and a mask is produced. This invention relates to an improvement in a method of transferring a pattern to a wafer.
従来、半導体装置を製造する場合、投影転写装置として
用いられている縮小投影露光装置の概略図を第1図に示
す。第1図において、1は照明用ランプ、2はこのラン
プ1の光量変化をモニタするための光量モニタセンナ、
3はシャッタ、4は前記センサ2の出力を積算するだめ
のインテグレータ、5はコンデンサレンズ、6は転写マ
スクとしてのレティクル、7は縮小レンズ、8は転写す
るためのウェハ、9ilL1kA写位置を決定するため
のステージであり、このステージ9はウェハ8を装填し
てX、Y軸方間に任意に移動可能なものとなっている。FIG. 1 shows a schematic diagram of a reduction projection exposure apparatus that is conventionally used as a projection transfer apparatus when manufacturing semiconductor devices. In FIG. 1, 1 is an illumination lamp, 2 is a light amount monitor sensor for monitoring changes in the light amount of this lamp 1,
3 is a shutter, 4 is an integrator for integrating the output of the sensor 2, 5 is a condenser lens, 6 is a reticle as a transfer mask, 7 is a reduction lens, 8 is a wafer for transfer, and 9ilL1kA determines the image position. This stage 9 is loaded with a wafer 8 and can be moved arbitrarily in the X and Y axes.
このように構成された縮小投影露光装置の動作の概要を
説明する。まず、照明用ランプ1からの光を光量モニタ
センサ2に入射させ、このセンサ2の出力をインテグレ
ータ4において積算する。An outline of the operation of the reduction projection exposure apparatus configured as described above will be explained. First, light from the illumination lamp 1 is made incident on the light amount monitor sensor 2, and the output of this sensor 2 is integrated in the integrator 4.
このインテグレータ4は、ソフトウェアよりあらかじめ
入力した露光時間に対して、常に一定の露光エネルギー
(照度×露光時間)になるようにシャッタ3の開閉時間
を調整するためのものでみる。This integrator 4 is used to adjust the opening/closing time of the shutter 3 so that the exposure energy (illuminance×exposure time) is always constant with respect to the exposure time inputted in advance from software.
次に、前記インテグレータ4にコントロールされたシャ
ッタ3を開き、照明用ランプ1からの光rコンデンサレ
ンズ5に感びき、均一性のよい光としレティクル6に導
びく。このレティクル6を退逃した元は縮小レンズ7を
通)、規定の縮小率にに16小烙れ、ステージ9によυ
位置決定てれたウェハ8上にレティクル6のパターンを
転写するものとなっている。Next, the shutter 3 controlled by the integrator 4 is opened, and the light from the illumination lamp 1 enters the condenser lens 5 and is guided to the reticle 6 as highly uniform light. This reticle 6 was retracted (the original was passed through the reduction lens 7), and the specified reduction ratio was reduced to 16 degrees, and the stage 9
The pattern of the reticle 6 is transferred onto the wafer 8 whose position has been determined.
ところが、かかる転写装置によるレジストパターニング
において、従来では、照明系の光量変化をモニタしてい
るので、レティクル上にペリクルなど全装着した場合、
ペリクルの劣化などによる透過率の変化に対して露光エ
ネルギーを補正することがでさず、確度よくパターニン
グができないという欠点がめった。However, in resist patterning using such a transfer device, conventionally, changes in the light intensity of the illumination system are monitored, so when all the pellicles are attached on the reticle,
The drawback is that it is not possible to correct exposure energy for changes in transmittance due to pellicle deterioration, etc., and patterning cannot be performed with high accuracy.
不発明は、上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになてれたもので、ステージ上に光量モニタ用のセン
サを設けてそのてンサの出力を積算することにより、上
記ペリクルなどの劣化による光量変化に対しても常に一
定の露光エネルギーをウェハへ照射せしめて楕によくパ
ターニングを行なうことができる半導体装置の製造方法
?提供することを目的としている。以下、本発明の実施
例を図面について説明する。The invention was developed in order to eliminate the drawbacks of the conventional ones as described above, and by installing a sensor for monitoring the amount of light on the stage and integrating the output of the sensor, the pellicle etc. A method for manufacturing semiconductor devices that can consistently irradiate a wafer with a constant exposure energy even when light intensity changes due to deterioration, and pattern well into an ellipse. is intended to provide. Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第2図は本発明方法の一実施例の説明に供する縮小投影
露光装置の概略図であり、第1図との異なる点は、ステ
ージ9上に照明用ランプ1の光量変化音モニタするため
の光量モニタセンサ10金設け、このセンサ10の出力
を上記した従来と同様のインテグレータ4に入力δせた
ことにある。FIG. 2 is a schematic diagram of a reduction projection exposure apparatus for explaining an embodiment of the method of the present invention.The difference from FIG. A light amount monitoring sensor 10 gold is provided, and the output of this sensor 10 is input δ to the integrator 4 similar to the conventional one described above.
なお、第2図において第1図と同一または相当部分は[
川−符号を示す。In addition, in Figure 2, the same or equivalent parts as in Figure 1 are [
River - indicates a sign.
次に、上記実施例の動作を説明する。ウニ・・8への転
写方法は上述した従来例と同様の動作でろるため、ここ
では省略する。本発明なステージ9上に光量モニタ用の
センサ10を取シ付け、このセンサ10を用いて最終光
の光量をモニタしようとしたものでるる。このステージ
9上の元型モニ (りはウェハ1枚毎に行な
うものとし、以下説明する。Next, the operation of the above embodiment will be explained. The method of transferring to the sea urchin . A sensor 10 for monitoring the amount of light is mounted on the stage 9 according to the present invention, and the sensor 10 is used to monitor the amount of final light. This prototype monitoring on the stage 9 is performed for each wafer and will be explained below.
まず、(1)レティクル6の装置l前にステージ9上の
光量モニタセンサ10で照明用ランプ】の光量を測定す
る。この時の測定値を八とする。そして、(2)ランプ
ハウス系の光量モニタセンサ2の測定1直0と前記セン
サ10の測定値人とをたし合せインテグレータ4に対し
キャリプレートする。次に、(3ルテイクル6の装着を
行ない、その直後ステージ9上の光量モニタセンサ10
で再度光量測定を行なう。この時の測定値をAlとする
。次いで、t4+前記センサ10による測定1直AとA
iとの差を読み取り、この差CをA−Alとする。ここ
で、インテグレータ4の入力は以後次式の形tとる。す
なイつち、その入力値は、
Al +c+。First, (1) Before the reticle 6 is installed, the light amount of the illumination lamp is measured using the light amount monitor sensor 10 on the stage 9. The measured value at this time is 8. Then, (2) the measurement value of the light amount monitor sensor 2 of the lamp house system is added to the measurement value of the sensor 10, and the result is calibrated to the integrator 4. Next, (3) attach the lever 6, and immediately after that, the light amount monitor sensor 10 on the stage 9
Measure the light intensity again. The measured value at this time is assumed to be Al. Next, t4+measurement 1st shift A and A by the sensor 10
Read the difference from i and let this difference C be A-Al. Hereinafter, the input to the integrator 4 will take the form t of the following equation. In other words, the input value is Al +c+.
となる。このとき、元首モニタセンサ10の測定値Al
は、ウェハ8が転写烙れている時、一定値としインテグ
レータ4内の記憶装置に記tハでれている。becomes. At this time, the measured value Al of the head of state monitor sensor 10
is a constant value when the wafer 8 is being transferred and is stored in the storage device in the integrator 4.
以上がインテグレータ40入力値の読み取シの原理で、
矢に測定法について説明する。The above is the principle of reading the input value of the integrator 40.
Explain the measurement method to the arrow.
(1) ウェハ8が転写終了後、ローディングポジシ
ョンにステージ9が移動した時に光量モニタセンサ10
にて測定値A1を測定する。このとき、前記センサ10
の位置は、ローディングポジションの時に光軸の直下に
めることが必要で、また、ローディングポジションに来
た時、上記(31で測定した時と同様の露光時間でシャ
ッタ3?開ける必要がある。(1) After the transfer of the wafer 8 is completed, when the stage 9 moves to the loading position, the light amount monitor sensor 10
The measurement value A1 is measured at . At this time, the sensor 10
It is necessary to place the shutter directly below the optical axis when in the loading position, and when it comes to the loading position, it is necessary to open the shutter 3 with the same exposure time as measured in step 31 above.
(if) この動作はウェハ8の転写終了後、1枚毎
に行なう。″/l、虚モニタセンサ10で1111定し
た最新の測定値A1は前記記憶装置内の測定値A1と置
きかわシ、即シャッタ3の開閉タイミングにフィードバ
ックすることになる。(if) This operation is performed for each wafer 8 after the transfer is completed. ''/l, the latest measured value A1 determined by the imaginary monitor sensor 10 is replaced with the measured value A1 in the storage device, and is immediately fed back to the opening/closing timing of the shutter 3.
このように、照明用ランプ1から照射てれる露光エネル
ギーのモニタをステージθ上で行ない、その光量変化を
シャッタ系にフィードバックすることにより、適正な露
光時間を与えることが可能になる。したがって、レティ
クル6上にペリクルなどを装着した時にペリクルの劣化
によるAW光エネルギーの変化を補正して梢就よくパタ
ーニングを行なうことができる。In this way, by monitoring the exposure energy emitted from the illumination lamp 1 on the stage θ and feeding back changes in the amount of light to the shutter system, it becomes possible to provide an appropriate exposure time. Therefore, when a pellicle or the like is mounted on the reticle 6, it is possible to correct the change in AW light energy due to deterioration of the pellicle and perform patterning with good accuracy.
なお、上記実施例はウェハ1枚毎に測定を行なう場合で
あったが、この枚数指定はユーザサイドで指定すること
ができる。また、投影転写装置も稲小投影方式のものに
限らず、1対1投影方式などにも同様に適用することも
できる。In the above embodiment, measurement is performed for each wafer, but the number of wafers can be specified by the user. Further, the projection transfer device is not limited to the Inako projection method, but can be similarly applied to a one-to-one projection method.
以上のように、本発明によれば、ペリクルなどをレティ
クルに装置した場合でも常にステージ上で光量ヲモニタ
しているので、ペリクルの劣化による光量変化に対して
も対応でき、精度の尚いウェハバターニングを行なうこ
とができる効果がある。As described above, according to the present invention, even when a pellicle or the like is installed as a reticle, the light intensity is constantly monitored on the stage, so it is possible to respond to changes in light intensity due to deterioration of the pellicle, and to monitor wafer butter with less precision. It has the effect of being able to carry out cleaning.
第1図は従来例の説明に供する投影転写装置の概略図、
m2図は本発明方法の一実施例の説明に供する投影転写
装置の概略図である。
1・・・・照明用ランプ、2・・・・光量モニタセンサ
311@φ・シャッタ、4・・・eインテグレータ、
5壷・・嗜コンデンサレンズ、6・・拳・レティクル、
7・e・・縮小レンズ、8・・11eウエハ、9@・祷
・ステージ、10=・・光量モニタセンサ。FIG. 1 is a schematic diagram of a projection transfer device for explaining a conventional example;
Figure m2 is a schematic diagram of a projection transfer apparatus used to explain an embodiment of the method of the present invention. 1... Illumination lamp, 2... Light amount monitor sensor 311@φ shutter, 4... e integrator,
5. Condenser lens, 6. Fist/reticle,
7・e・・Reducing lens, 8・・11e wafer, 9@・・Stage, 10=・・Light level monitor sensor.
Claims (1)
転写によるレジストパターニングにおいて、照明用ラン
プの光量変化を前記ステージ上でモニタすることにより
、そのモニタ結果をシャッタ系にフィードバックするこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。In resist patterning by projection transfer in which a mask pattern is transferred to a wafer on a stage, a change in the light amount of an illumination lamp is monitored on the stage, and the monitoring result is fed back to a shutter system. Production method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59176088A JPS6153727A (en) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59176088A JPS6153727A (en) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6153727A true JPS6153727A (en) | 1986-03-17 |
Family
ID=16007499
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59176088A Pending JPS6153727A (en) | 1984-08-22 | 1984-08-22 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6153727A (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57117238A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57141923A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-02 | Hitachi Ltd | Projection type exposure device |
-
1984
- 1984-08-22 JP JP59176088A patent/JPS6153727A/en active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57117238A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57141923A (en) * | 1981-02-27 | 1982-09-02 | Hitachi Ltd | Projection type exposure device |
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