JPS6147047A - 試料結晶性組織の分析方法 - Google Patents
試料結晶性組織の分析方法Info
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- JPS6147047A JPS6147047A JP16911684A JP16911684A JPS6147047A JP S6147047 A JPS6147047 A JP S6147047A JP 16911684 A JP16911684 A JP 16911684A JP 16911684 A JP16911684 A JP 16911684A JP S6147047 A JPS6147047 A JP S6147047A
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- JP
- Japan
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- sample
- electron beam
- electron
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- scanning
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/295—Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/2955—Electron or ion diffraction tubes using scanning ray
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、一定の電子線入射角ををしたまま試料の表面
上を電子ビームにより面走査する試料結晶性組織の分析
方法に関するものである。
上を電子ビームにより面走査する試料結晶性組織の分析
方法に関するものである。
結晶構造を有する物質は種々存在するが、その結晶構造
を分析するには、ｘｌＩＡ回折法や電子線回折法が採用
されている。
を分析するには、ｘｌＩＡ回折法や電子線回折法が採用
されている。
（発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、例えばＸ線回折法による場合には、試料
上の分析場所はＸ線照射領域が広く微小部の回折が困難
であり、さらに、分析場所は目視、光学顕！鏡等での観
察によるため結晶粒の透過形電子顕微鏡像や走査形電子
顕微鏡像のような分析と合わせた観察ができないという
問題がある。また、電子線回折法による場合には、結晶
粒の透過形電子顕微鏡像や走査形電子顕微鏡像のような
分析と合わせた観察を行うことは可能であるが、透過形
電子顕微鏡像等から逆に試料上の各場所（各結晶粒）が
どのような結晶構造であるかを、叉どの場所とどの場所
が同性格の結晶能であるかをデータ・ディスプレイ処理
することができないという問題がある０本発明は、上記
問題点の解決を図るものであり、試料の結晶構造を容易
に分析することが可能な試料結晶性組線の分析方法を提
供することを目的とするものである。
上の分析場所はＸ線照射領域が広く微小部の回折が困難
であり、さらに、分析場所は目視、光学顕！鏡等での観
察によるため結晶粒の透過形電子顕微鏡像や走査形電子
顕微鏡像のような分析と合わせた観察ができないという
問題がある。また、電子線回折法による場合には、結晶
粒の透過形電子顕微鏡像や走査形電子顕微鏡像のような
分析と合わせた観察を行うことは可能であるが、透過形
電子顕微鏡像等から逆に試料上の各場所（各結晶粒）が
どのような結晶構造であるかを、叉どの場所とどの場所
が同性格の結晶能であるかをデータ・ディスプレイ処理
することができないという問題がある０本発明は、上記
問題点の解決を図るものであり、試料の結晶構造を容易
に分析することが可能な試料結晶性組線の分析方法を提
供することを目的とするものである。
〔問題点を解決するための手段〕
そのために本発明の試料結晶性組織の分析方法け、電子
銃からの電子線を収束レンズにより対物レンズの上方焦
点位置に収束させ、対物レンズにより試料面に平行ビー
ムとして照射する電子顕微鏡を使って試料の結晶性組織
を分析する試料結晶性組織の分析方法であって、収束レ
ンズと対物レンズとの中間に位置する偏向コイルに一定
の電子線入射角を有したまま試料の表面上を電子ビーム
走査するための追加偏向コイルを設け、試料上を一定の
電子線入射角を育したまま多数の画素にわけ電子ビーム
により面走査して反射電子量を検出し、該反射電子量を
数値化して試料の結晶組織を分析することを特徴とする
ものである。
銃からの電子線を収束レンズにより対物レンズの上方焦
点位置に収束させ、対物レンズにより試料面に平行ビー
ムとして照射する電子顕微鏡を使って試料の結晶性組織
を分析する試料結晶性組織の分析方法であって、収束レ
ンズと対物レンズとの中間に位置する偏向コイルに一定
の電子線入射角を有したまま試料の表面上を電子ビーム
走査するための追加偏向コイルを設け、試料上を一定の
電子線入射角を育したまま多数の画素にわけ電子ビーム
により面走査して反射電子量を検出し、該反射電子量を
数値化して試料の結晶組織を分析することを特徴とする
ものである。
本発明の試料結晶性組織の分析方法では、追加偏向コイ
ルにより一定の電子線入射角を有したまま試料の表面上
を電子ビーム走査して反射電子量を検出し、さらに数値
化してレベル分けするため、結晶粒の格子間隔の違いや
、結晶粒の結晶方向の違い等に対応した反射電子信号を
得ることができる。従って、これを色分は疑似カラー表
示することにより、結晶粒を認識することができ、また
、これと試料上の照射点を移動せず入射角のみを変化し
て電子線を照射して得られるエレクトロン・チャンネリ
ング・パターン情報を合わせて表示することによって、
結晶粒の認識と結晶構造の分析を行うことができる。
ルにより一定の電子線入射角を有したまま試料の表面上
を電子ビーム走査して反射電子量を検出し、さらに数値
化してレベル分けするため、結晶粒の格子間隔の違いや
、結晶粒の結晶方向の違い等に対応した反射電子信号を
得ることができる。従って、これを色分は疑似カラー表
示することにより、結晶粒を認識することができ、また
、これと試料上の照射点を移動せず入射角のみを変化し
て電子線を照射して得られるエレクトロン・チャンネリ
ング・パターン情報を合わせて表示することによって、
結晶粒の認識と結晶構造の分析を行うことができる。
以下、実施例を図面を参照しつつ説明する。
第１図は本発明の１実施例システム構成を示す図、第２
図は各観察モードを説明する図である。
図は各観察モードを説明する図である。
図において、１は電子銃、２は収束レンズ、３は偏向コ
イル、４は追加偏向コイル、５は対物レンズ、６は反射
電子検出器、７は試料−８は偏向切換調整器、９は映像
信号増幅器、１０は観察用ＣＲＴ、１１はｃｐｕ （中
央処理装置）、１２はディジタル走査電源、１３はＡ／
Ｄ変換器、１４はフロッピィ・ディスク、１５はハード
・ディスク、１６はコンソール、１７はカラー・ディス
プレイ、・１８はフレーム・メモリをそれぞれ示してい
る。
イル、４は追加偏向コイル、５は対物レンズ、６は反射
電子検出器、７は試料−８は偏向切換調整器、９は映像
信号増幅器、１０は観察用ＣＲＴ、１１はｃｐｕ （中
央処理装置）、１２はディジタル走査電源、１３はＡ／
Ｄ変換器、１４はフロッピィ・ディスク、１５はハード
・ディスク、１６はコンソール、１７はカラー・ディス
プレイ、・１８はフレーム・メモリをそれぞれ示してい
る。
第１図において、電子銃１からの電子線は、収束レンズ
２により対物レンズ５の上方焦点位置に収束され、対物
レンズ５により試料７面に平行ビームとして照射される
。その照射による反射電子量は、反射電子検出器６によ
り検出され、増幅器９で増幅された後観察用ＣＲＴＩＯ
に送られ表示されると共に、Ａ／Ｄ変換器１３にも送ら
れる。Ａ／Ｄ変換器１３に送られた反射電子信号は、こ
こで数値化（ディジタル化）された後、ＣＰ Ｕｌｌに
より処理されてＣＰυ１１内蔵のメモリやフロッピィ・
ディスク１４、ハード・ディスク１５等に画像情報とし
て収納され、さらにはカラー・ディスプレイ１７に擬似
カラー表示される。
２により対物レンズ５の上方焦点位置に収束され、対物
レンズ５により試料７面に平行ビームとして照射される
。その照射による反射電子量は、反射電子検出器６によ
り検出され、増幅器９で増幅された後観察用ＣＲＴＩＯ
に送られ表示されると共に、Ａ／Ｄ変換器１３にも送ら
れる。Ａ／Ｄ変換器１３に送られた反射電子信号は、こ
こで数値化（ディジタル化）された後、ＣＰ Ｕｌｌに
より処理されてＣＰυ１１内蔵のメモリやフロッピィ・
ディスク１４、ハード・ディスク１５等に画像情報とし
て収納され、さらにはカラー・ディスプレイ１７に擬似
カラー表示される。
本発明は、電子Ｉｇｉ徽鏡において収束レンズ２と対物
レンズ５との中間に位置する偏向コイル３に、第１図図
示の如く、追加偏向コイル４を設け、この追加偏向コイ
ル４により一定の電子線入射角を有したまま試料の表面
上を電子ビーム走査して得た画像情報と従来より行って
いるＥＣＰ情報とをもとに試料の結晶組織の分析を行う
ようにしたものである。即ち、追加偏向コイル４を設け
ることにより、第２図１ｍ１図示の如きエレクトロン・
チャンネリング・パターン・モード＜ＥＣＰモード）、
第２図Ｉｂ１Ｖ！Ｊ示の如き入射一定角面走査モード、
及び第２図（Ｃ１図示の如き走査電子顕微鏡像モード（
３８Ｍモード）による電子ビームの偏向モードが実現で
きる。
レンズ５との中間に位置する偏向コイル３に、第１図図
示の如く、追加偏向コイル４を設け、この追加偏向コイ
ル４により一定の電子線入射角を有したまま試料の表面
上を電子ビーム走査して得た画像情報と従来より行って
いるＥＣＰ情報とをもとに試料の結晶組織の分析を行う
ようにしたものである。即ち、追加偏向コイル４を設け
ることにより、第２図１ｍ１図示の如きエレクトロン・
チャンネリング・パターン・モード＜ＥＣＰモード）、
第２図Ｉｂ１Ｖ！Ｊ示の如き入射一定角面走査モード、
及び第２図（Ｃ１図示の如き走査電子顕微鏡像モード（
３８Ｍモード）による電子ビームの偏向モードが実現で
きる。
入射一定角面走査モードでは、第２図（ｂ１図示の如く
、一定の電子線入射角θを冑したまま試料７の表面上を
電子ビーム走査する。この電子ビーム走査では、デジタ
ル走査電源１２により、試料７上を多数の画素（一般的
に１０００ ｘ １０００画素）に分け、て面走査し、
その面走査による反射電子量を反射電子検出器６により
検出する。そ０検出した反射電子信号は、映像信号増幅
器９で増幅された後、Ａ／Ｄ変換器１３（約８ビット；
２５６諧ｌＩｉ〜１０ピツ） ｉ １０２４１１調）で
信号量の数値化が行われる。この数値化された値は、Ｃ
ＰＬＩＩＩの制御のもと、デジタル走査電源１２の画素
の番地移動（面走査）と同期して、ＣＰＵＩＩ内蔵のメ
モリやフロッピィ・ディスク１４、ハード・ディスク１
５等に画像情報として収納される０Ｍ像情報では、試料
Ｔ上の同一結晶粒ごと、はぼ同一の数値が得られるが、
電子線入射角θを一定で面走査しているので、結晶粒の
格子間隔２ｄが異なっていたり、結晶粒の結晶方向が試
料７上で異なっていれば、それぞれに対応した反射電子
信号としてデータが収録される。
、一定の電子線入射角θを冑したまま試料７の表面上を
電子ビーム走査する。この電子ビーム走査では、デジタ
ル走査電源１２により、試料７上を多数の画素（一般的
に１０００ ｘ １０００画素）に分け、て面走査し、
その面走査による反射電子量を反射電子検出器６により
検出する。そ０検出した反射電子信号は、映像信号増幅
器９で増幅された後、Ａ／Ｄ変換器１３（約８ビット；
２５６諧ｌＩｉ〜１０ピツ） ｉ １０２４１１調）で
信号量の数値化が行われる。この数値化された値は、Ｃ
ＰＬＩＩＩの制御のもと、デジタル走査電源１２の画素
の番地移動（面走査）と同期して、ＣＰＵＩＩ内蔵のメ
モリやフロッピィ・ディスク１４、ハード・ディスク１
５等に画像情報として収納される０Ｍ像情報では、試料
Ｔ上の同一結晶粒ごと、はぼ同一の数値が得られるが、
電子線入射角θを一定で面走査しているので、結晶粒の
格子間隔２ｄが異なっていたり、結晶粒の結晶方向が試
料７上で異なっていれば、それぞれに対応した反射電子
信号としてデータが収録される。
照射ビームと試料結晶との関係は、
λ−２ｄｓｉｎθ
λ：照射電子線の波長
（加速電圧により決まる）
２ｄ：試料結晶の格子間隔
θ：電子線入射角
で表される。
ＣＰυ１１内蔵のメモリやフロッピィ・ディスク１４、
ハード・ディスク１５等に収納されたデータは、ＣＰυ
１１により表示プログラムに従ってその数値が数段階に
分類されカラー・ディスプレイ１７上に、。
ハード・ディスク１５等に収納されたデータは、ＣＰυ
１１により表示プログラムに従ってその数値が数段階に
分類されカラー・ディスプレイ１７上に、。
色分けされて画素ごと結晶粒情報となって面分析表示さ
れる。
れる。
なお、反射電子信号の数値化された値をメモリに画像情
報として収納する場合、上記ＣＰＵＩＩ内蔵のメモリや
フロッピィ・ディスク１４、ハード・ディスク１５等の
メモリ類の他、フレーム・メモリー１８を用いることに
より、直接面情報の取り込みと、カラー・ディスプレイ
１７への表示を高速で行うこともできる。
報として収納する場合、上記ＣＰＵＩＩ内蔵のメモリや
フロッピィ・ディスク１４、ハード・ディスク１５等の
メモリ類の他、フレーム・メモリー１８を用いることに
より、直接面情報の取り込みと、カラー・ディスプレイ
１７への表示を高速で行うこともできる。
Ａ／Ｄ変換してレベル分けするメリットは、色分は疑似
カラー表示することにより、よりはうきり結晶粒を認識
できることにある０例えば、試料７表面のわずかな部分
的汚れにより、同一結晶粒であっても反射電子量が異な
ったり、ビーム走査領域が大きい時、ビーム照射位置と
検出器の位置関係により走査面の中心と輸とでぽ、検出
器で受は取る信号量がわずかに異なったり、叉、試料７
面の傾き等により信号量が左右（上下）画面で傾斜をも
った値となったりする現象が見られるが、上述の処理を
施すことによって、ある値からある値までは同一数値幅
の中にレベル分けして一つのｆ（色指定）に変換出来る
ので、試料７の条件等を補正することが可能である。
カラー表示することにより、よりはうきり結晶粒を認識
できることにある０例えば、試料７表面のわずかな部分
的汚れにより、同一結晶粒であっても反射電子量が異な
ったり、ビーム走査領域が大きい時、ビーム照射位置と
検出器の位置関係により走査面の中心と輸とでぽ、検出
器で受は取る信号量がわずかに異なったり、叉、試料７
面の傾き等により信号量が左右（上下）画面で傾斜をも
った値となったりする現象が見られるが、上述の処理を
施すことによって、ある値からある値までは同一数値幅
の中にレベル分けして一つのｆ（色指定）に変換出来る
ので、試料７の条件等を補正することが可能である。
一方、Ａ／Ｄ変換器１３を通さない信号は、観察用ＣＲ
ＴＩＯにより通常の反射電子走査像として観察できる。
ＴＩＯにより通常の反射電子走査像として観察できる。
ここでは、信号値の換算処理がなされないので、結晶粒
の格子間隔２ｄのわずかな変化を強調して観察すること
は困難である。しかし試料７上の結晶粒分布状態、位置
硼化には便利である。
の格子間隔２ｄのわずかな変化を強調して観察すること
は困難である。しかし試料７上の結晶粒分布状態、位置
硼化には便利である。
反射電子信号をＡ／Ｄ変換してレベル分けすることによ
り上述の如く結晶粒を認識することはできるが、その結
晶粒がどのような結晶構造であるかを調べ、画像と対応
させるには、偏向コイルの偏向モードをＥＣＰモードに
変え、一つの結晶粒上で電子線入射角θを変えてパター
ンを観察すればよい、ＥＣＰモードでは、先に述べた如
く、試料７上の照射点を移動せず入射角のみを変化して
電子線を照射するため、試料７の結晶構造により試料７
からの反射電子信号量は照射ビーム入射角に依存して異
なる。すなわち、上記の式が満足する電子線入射角θの
とき反射電子量が大きくなる。
り上述の如く結晶粒を認識することはできるが、その結
晶粒がどのような結晶構造であるかを調べ、画像と対応
させるには、偏向コイルの偏向モードをＥＣＰモードに
変え、一つの結晶粒上で電子線入射角θを変えてパター
ンを観察すればよい、ＥＣＰモードでは、先に述べた如
く、試料７上の照射点を移動せず入射角のみを変化して
電子線を照射するため、試料７の結晶構造により試料７
からの反射電子信号量は照射ビーム入射角に依存して異
なる。すなわち、上記の式が満足する電子線入射角θの
とき反射電子量が大きくなる。
従つて電子線入射角θを変化させれば、照射電子線の波
長λ、試料結晶の格子間隔２ｄが一定であるので、反射
電子強度変化が得られる。その信号は、反射電子検出器
６（ビーム通過孔を有する）で、検出、映像信号増幅Ｈ
９を経゛由して観察用ＣＲＴＩＯに入力される。観察用
ＣＲＴＩＯでは、一般の面走査をさせると、ＸＹ定走査
照射ビームの試料７面における入射角偏向と同期するの
で、反射電子信号によるニレトロン・チャンネリング・
パターン（Ｅ ＣＰ ；Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｈａｎｏ
ｅｌｌｉｎｇ Ｐａｔｔａｒ＋＋）が描画観察される０
以上が反射電子ｉｇｉ微鏡等における通常のニレトロン
・チャンネリング・パターンを得る方法である。なお、
このときの信号を面走査と同様にＡ／Ｄ変換して取り込
′み、ＥＣＰの解析をＣＰＵＩＩにより行うこともでき
る。
長λ、試料結晶の格子間隔２ｄが一定であるので、反射
電子強度変化が得られる。その信号は、反射電子検出器
６（ビーム通過孔を有する）で、検出、映像信号増幅Ｈ
９を経゛由して観察用ＣＲＴＩＯに入力される。観察用
ＣＲＴＩＯでは、一般の面走査をさせると、ＸＹ定走査
照射ビームの試料７面における入射角偏向と同期するの
で、反射電子信号によるニレトロン・チャンネリング・
パターン（Ｅ ＣＰ ；Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｈａｎｏ
ｅｌｌｉｎｇ Ｐａｔｔａｒ＋＋）が描画観察される０
以上が反射電子ｉｇｉ微鏡等における通常のニレトロン
・チャンネリング・パターンを得る方法である。なお、
このときの信号を面走査と同様にＡ／Ｄ変換して取り込
′み、ＥＣＰの解析をＣＰＵＩＩにより行うこともでき
る。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、入射
一定角面走査観察情報とＥＣＰ情報とをＡ／Ｄ変換し、
ＣＰＵにより任意にレベル分けして観察することができ
るので、結晶粒像が装置条件、試料処理条件による影響
要素を除いてはっきり認識することができる。また、入
射一定角面走査観察情報とＥＣＰ情報が直接ＣＰＵで取
り込めるので、ＣＰＵでそのまま演算解析することによ
り、結晶構造解析ができる。
一定角面走査観察情報とＥＣＰ情報とをＡ／Ｄ変換し、
ＣＰＵにより任意にレベル分けして観察することができ
るので、結晶粒像が装置条件、試料処理条件による影響
要素を除いてはっきり認識することができる。また、入
射一定角面走査観察情報とＥＣＰ情報が直接ＣＰＵで取
り込めるので、ＣＰＵでそのまま演算解析することによ
り、結晶構造解析ができる。
第１図は本発明の１実施例システム構成を示す図、第２
図は各観察モードを説明する図である。 １・・・電子銃、２・・・収束レンズ、３・・・偏向コ
イル、４・・・追加偏向コイル、５・・・対物レンズ、
６・・・反射電子検出器、７・・・試料、８・・・偏向
切換調整器、９・・・映像信号増幅器、１０・・・観察
用ＣＲＴ、１１・・・ｃｐυ（中央処理装置）、１２・
・・ディジタル走査電源、１３・・Ａ／ＤＩ［器、１４
・・・フロッピィ・ディスク、１５・・・ハード・ディ
スク、１６・・・コンソール、１７・・・カラー・ディ
スプレイ、１８・・・フレーム・メモリ。
図は各観察モードを説明する図である。 １・・・電子銃、２・・・収束レンズ、３・・・偏向コ
イル、４・・・追加偏向コイル、５・・・対物レンズ、
６・・・反射電子検出器、７・・・試料、８・・・偏向
切換調整器、９・・・映像信号増幅器、１０・・・観察
用ＣＲＴ、１１・・・ｃｐυ（中央処理装置）、１２・
・・ディジタル走査電源、１３・・Ａ／ＤＩ［器、１４
・・・フロッピィ・ディスク、１５・・・ハード・ディ
スク、１６・・・コンソール、１７・・・カラー・ディ
スプレイ、１８・・・フレーム・メモリ。
Claims (3)
- （１）電子銃からの電子線を収束レンズにより対物レン
ズの上方焦点位置に収束させ、対物レンズにより試料面
に平行ビームとして照射する電子顕微鏡を使って試料の
結晶性組織を分析する試料結晶性組織の分析方法であっ
て、収束レンズと対物レンズとの中間に位置する偏向コ
イルに一定の電子線入射角を有したまま試料の表面上を
電子ビーム走査するための追加偏向コイルを設け、試料
上を一定の電子線入射角を有したまま多数の画素にわけ
電子ビームにより面走査して反射電子量を検出し、該反
射電子量を数値化して試料の結晶組織を分析することを
特徴とする試料結晶性組織の分析方法。 - （２）数値化した反射電子量をレベル分けし色分けカラ
ー表示するとともに、数値化前の反射電子量のデータを
反射電子走査像として表示することを特徴とする特許請
求の範囲第（１）項に記載の試料結晶性組織の分析方法
。 - （３）一定の電子線入射角を有したまま試料の表面上を
電子ビームにより面走査して得られた反射電子走査像を
もとに結晶粒を認識し、試料上の照射点を移動せず電子
線入射角のみを変え電子ビームを照射して得られたエレ
クトロン・チャンネリング・パターンをもとに結晶構造
の認識を行うことを特徴とする特許請求の範囲第（１）
項及び第（２）項に記載の試料結晶性組織の分析方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16911684A JPS6147047A (ja) | 1984-08-13 | 1984-08-13 | 試料結晶性組織の分析方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16911684A JPS6147047A (ja) | 1984-08-13 | 1984-08-13 | 試料結晶性組織の分析方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6147047A true JPS6147047A (ja) | 1986-03-07 |
Family
ID=15880592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16911684A Pending JPS6147047A (ja) | 1984-08-13 | 1984-08-13 | 試料結晶性組織の分析方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6147047A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990036747A (ko) * | 1997-10-02 | 1999-05-25 | 가나이 쓰도무 | 패턴결함 검사방법 및 검사장치 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5620663A (en) * | 1979-05-09 | 1981-02-26 | Brueckner Apparatebau Gmbh | Moisturing treatment apparatus of twisted wire like fabric material |
-
1984
- 1984-08-13 JP JP16911684A patent/JPS6147047A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5620663A (en) * | 1979-05-09 | 1981-02-26 | Brueckner Apparatebau Gmbh | Moisturing treatment apparatus of twisted wire like fabric material |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990036747A (ko) * | 1997-10-02 | 1999-05-25 | 가나이 쓰도무 | 패턴결함 검사방법 및 검사장치 |
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