JPS6136399B2 - - Google Patents
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- JPS6136399B2 JPS6136399B2 JP13697877A JP13697877A JPS6136399B2 JP S6136399 B2 JPS6136399 B2 JP S6136399B2 JP 13697877 A JP13697877 A JP 13697877A JP 13697877 A JP13697877 A JP 13697877A JP S6136399 B2 JPS6136399 B2 JP S6136399B2
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/07—Construction or shape of active medium consisting of a plurality of parts, e.g. segments
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08059—Constructional details of the reflector, e.g. shape
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/0602—Crystal lasers or glass lasers
- H01S3/0606—Crystal lasers or glass lasers with polygonal cross-section, e.g. slab, prism
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体レーザを励起光源として用い
る固体レーザ装置に関する。
る固体レーザ装置に関する。
固体レーザは気体レーザに比べて小型で大出力
が得られるが、励起源として通常Xeランプ等の
放電管を用いるため、pn接合を利用して励起を
行う半導体レーザに比べると大型にならざるを得
なかつた。しかし、半導体レーザでは未だ固体レ
ーザほどの大出力が得られないし、またコヒーレ
ンスも固体レーザに比べて劣つている。
が得られるが、励起源として通常Xeランプ等の
放電管を用いるため、pn接合を利用して励起を
行う半導体レーザに比べると大型にならざるを得
なかつた。しかし、半導体レーザでは未だ固体レ
ーザほどの大出力が得られないし、またコヒーレ
ンスも固体レーザに比べて劣つている。
この発明は上記した点に鑑みてなされたもの
で、半導体レーザを励起光源として用いることで
大幅な小型化を図り、かつコヒーレンスの優れた
大出力レーザを得ることを可能とした固体レーザ
装置を提供するものである。
で、半導体レーザを励起光源として用いることで
大幅な小型化を図り、かつコヒーレンスの優れた
大出力レーザを得ることを可能とした固体レーザ
装置を提供するものである。
この発明に係る固体レーザ装置は、複数個の半
導体レーザ素子を直列に積層配列して励起光源と
し、この半導体レーザ素子アレイを挾んで配置し
た２個の固体レーザ物質を光学的に結合してレー
ザ共振器を構成したことを特徴としている。
導体レーザ素子を直列に積層配列して励起光源と
し、この半導体レーザ素子アレイを挾んで配置し
た２個の固体レーザ物質を光学的に結合してレー
ザ共振器を構成したことを特徴としている。
以下、この発明の実施例を図面を参照して説明
する。第１図は一実施例の摸式的な分解斜視図で
ある。図において、１は励起光源としての光導体
レーザ素子アレイであり、より具体的には第２図
に示すように複数個の半導体レーザ素子１１１，
１１２…１１ｎを積層配列し、各pn接合に直列
に電源１２から順方向バイアスを印加するように
なつている。２１，２２は例えばNdP5O14結晶の
ような固体レーザ物質であり、半導体レーザ素子
アレイ１を挾むように配置され、半導体レーザ素
子アレイ１の両側面からのレーザ出力光を受けて
励起されるようになつている。一方の固体レーザ
物質２１の一端面には全反射ミラー３１がコーテ
イングされ、他方の固体レーザ物質２２の一端面
には半透明ミラー３２がコーテイングされてい
る。そして、これらの固体レーザ物質２１，２２
の他端面側には例えばLiTaO3，LiNdO3，KDP，
ADPなどの電気光学結晶からなる結合器４を配
置し、固体レーザ物質２１，２２を光学的に結合
してレーザ共振器を構成している。即ち、半導体
レーザ素子アレイ１によつて励起され固体レーザ
物質２１，２２内に発生した光は全反射ミラー３
１と半透明ミラー３２の間を、固体レーザ物質２
１―結合器４―固体レーザ物質２２を通る略コの
字状の光路をとつて多数回往復して増幅され、半
透明ミラー３２から大出力レーザ光として取出さ
れる。５１，５２は熱良導体からなるヒートシン
クであり、固体レーザ物質２１，２２、半導体レ
ーザ素子アレイ１、結合器４を上下から密着させ
て挾み込んで固定する。
する。第１図は一実施例の摸式的な分解斜視図で
ある。図において、１は励起光源としての光導体
レーザ素子アレイであり、より具体的には第２図
に示すように複数個の半導体レーザ素子１１１，
１１２…１１ｎを積層配列し、各pn接合に直列
に電源１２から順方向バイアスを印加するように
なつている。２１，２２は例えばNdP5O14結晶の
ような固体レーザ物質であり、半導体レーザ素子
アレイ１を挾むように配置され、半導体レーザ素
子アレイ１の両側面からのレーザ出力光を受けて
励起されるようになつている。一方の固体レーザ
物質２１の一端面には全反射ミラー３１がコーテ
イングされ、他方の固体レーザ物質２２の一端面
には半透明ミラー３２がコーテイングされてい
る。そして、これらの固体レーザ物質２１，２２
の他端面側には例えばLiTaO3，LiNdO3，KDP，
ADPなどの電気光学結晶からなる結合器４を配
置し、固体レーザ物質２１，２２を光学的に結合
してレーザ共振器を構成している。即ち、半導体
レーザ素子アレイ１によつて励起され固体レーザ
物質２１，２２内に発生した光は全反射ミラー３
１と半透明ミラー３２の間を、固体レーザ物質２
１―結合器４―固体レーザ物質２２を通る略コの
字状の光路をとつて多数回往復して増幅され、半
透明ミラー３２から大出力レーザ光として取出さ
れる。５１，５２は熱良導体からなるヒートシン
クであり、固体レーザ物質２１，２２、半導体レ
ーザ素子アレイ１、結合器４を上下から密着させ
て挾み込んで固定する。
このような構成とすれば、励起源として半導体
レーザ素子アレイを用いるから、例えば従来のフ
ラツシユランプを用いる固体レーザに比べて極め
てコンパクトになる。しかも、半導体レーザ素子
アレイの両光出力端面に対向させて２個の固体レ
ーザ物質を配置し、これらを光学的に結合してレ
ーザ共振器を構成するため、効率よく大出力レー
ザ光を得ることができる。また、結合器を単なる
光の結合器に止まらず変調器として利用すること
も容易であり、所望の変調をかけたレーザ出力を
得ることができる。
レーザ素子アレイを用いるから、例えば従来のフ
ラツシユランプを用いる固体レーザに比べて極め
てコンパクトになる。しかも、半導体レーザ素子
アレイの両光出力端面に対向させて２個の固体レ
ーザ物質を配置し、これらを光学的に結合してレ
ーザ共振器を構成するため、効率よく大出力レー
ザ光を得ることができる。また、結合器を単なる
光の結合器に止まらず変調器として利用すること
も容易であり、所望の変調をかけたレーザ出力を
得ることができる。
また、２１，４，４，２２との間の光結合が光
学的損失が最少になるようブリユースター角度に
カツトした固体レーザ物質と結合器とを採用する
ことができる。
学的損失が最少になるようブリユースター角度に
カツトした固体レーザ物質と結合器とを採用する
ことができる。
第１図はこの発明の一実施例を摸式的に示す分
解斜視図、第２図は半導体レーザ素子アレイの構
成を示す図である。 １……半導体レーザ素子アレイ、１１１，１１
２…１１o……半導体レーザ素子、１２……電
源、３１，３２……固体レーザ物質、４……結合
器、５１，５２……ヒートシンク。
解斜視図、第２図は半導体レーザ素子アレイの構
成を示す図である。 １……半導体レーザ素子アレイ、１１１，１１
２…１１o……半導体レーザ素子、１２……電
源、３１，３２……固体レーザ物質、４……結合
器、５１，５２……ヒートシンク。
Claims (1)
- それぞれ両端面に光出力端面を有する半導体レ
ーザ素子を、それぞれの光出力端面の方向を揃え
て複数個配列した半導体レーザ素子アレイからな
る励起光源と、前記半導体レーザ素子アレイの光
出力端面と対向するように前記励起光源を挾んで
配置した２個の固体レーザ物質と、この２個の固
体レーザ物質を光学的に結合する結合器とを有す
ることを特徴とする固体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13697877A JPS5469989A (en) | 1977-11-15 | 1977-11-15 | Solid laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13697877A JPS5469989A (en) | 1977-11-15 | 1977-11-15 | Solid laser device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5469989A JPS5469989A (en) | 1979-06-05 |
| JPS6136399B2 true JPS6136399B2 (ja) | 1986-08-18 |
Family
ID=15187904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13697877A Granted JPS5469989A (en) | 1977-11-15 | 1977-11-15 | Solid laser device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5469989A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6395700U (ja) * | 1986-12-09 | 1988-06-20 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3091764B2 (ja) * | 1990-01-19 | 2000-09-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体励起固体レーザ |
| FR2715776B1 (fr) * | 1994-01-28 | 1996-03-01 | Thomson Csf Semiconducteurs | Laser de grande puissance à deux étages. |
| JP3790677B2 (ja) * | 2001-03-19 | 2006-06-28 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
-
1977
- 1977-11-15 JP JP13697877A patent/JPS5469989A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6395700U (ja) * | 1986-12-09 | 1988-06-20 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5469989A (en) | 1979-06-05 |
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