JPS6132504A - 垂直磁化磁性薄膜 - Google Patents
垂直磁化磁性薄膜Info
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- JPS6132504A JPS6132504A JP15448284A JP15448284A JPS6132504A JP S6132504 A JPS6132504 A JP S6132504A JP 15448284 A JP15448284 A JP 15448284A JP 15448284 A JP15448284 A JP 15448284A JP S6132504 A JPS6132504 A JP S6132504A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は希土類金属と遷移金属からなる合金で形成さ
れ、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する垂直磁化磁
性薄膜に関するものである。
れ、膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する垂直磁化磁
性薄膜に関するものである。
「従来の技術」
磁気記録装置、その池各種の装置に対して磁性薄膜が利
用されている。この種の磁性薄膜としては、希土類金属
と遷移金−との合金で形成されるものが従来から提案さ
れている。この種の磁性薄膜の内で膜面と垂直な方向に
磁化容易−を何し、その保磁力が大きい特性のものと(
−では、例えば希土類金属をRとしてR−Co−Feな
る組成のものが提案されている。
用されている。この種の磁性薄膜としては、希土類金属
と遷移金−との合金で形成されるものが従来から提案さ
れている。この種の磁性薄膜の内で膜面と垂直な方向に
磁化容易−を何し、その保磁力が大きい特性のものと(
−では、例えば希土類金属をRとしてR−Co−Feな
る組成のものが提案されている。
この希土類金属Rと遷移金属とからなる合金系の金属の
中では、SmCo合金、特にSmCo 系合金もしく
は5m2Co1□系合金が磁気異方性が大きく高エネル
ギー積を有する磁石材料として提案され、且つ利用され
ている。このSmCo系合金についてその大きな磁気異
方性を保持させたままの状態で、これを薄膜状に形成す
る技術の開発も従来から試みられている。
中では、SmCo合金、特にSmCo 系合金もしく
は5m2Co1□系合金が磁気異方性が大きく高エネル
ギー積を有する磁石材料として提案され、且つ利用され
ている。このSmCo系合金についてその大きな磁気異
方性を保持させたままの状態で、これを薄膜状に形成す
る技術の開発も従来から試みられている。
例えばH、C、Theuerer等はSmCo、SmC
o3.65Cu 合金を使用して、その基板温度を
500°C1,15 にあげることによって高保磁力の面内磁化結晶膜を作成
している。C’H、C、Theuerer 、 E 、
A 、 Ne5bittand [)、[)、Bac
ow:J、AM)I 、Phys、 、vo140(7
)t2944(1969))、またK 、 Kumar
等はプラズマスプレィ(plasma Sprayin
g )法により作成した薄膜を700°Cで熱処理する
ことによりSmCO5相を析出させて、高保磁力の市内
磁化結晶膜を作成している。(K 、 Kumar 、
I) 、 1eas and、 E 、 Wet4st
ein: J、Apl)1.PhyS、 、vol 4
9(3) 、2052(1978))しかしこれらいず
れの場合においても得られるのは面内磁化結晶膜であシ
、膜面に垂直な方向にu3化容易軸を有する垂直磁化磁
性薄膜は作成されていない。
o3.65Cu 合金を使用して、その基板温度を
500°C1,15 にあげることによって高保磁力の面内磁化結晶膜を作成
している。C’H、C、Theuerer 、 E 、
A 、 Ne5bittand [)、[)、Bac
ow:J、AM)I 、Phys、 、vo140(7
)t2944(1969))、またK 、 Kumar
等はプラズマスプレィ(plasma Sprayin
g )法により作成した薄膜を700°Cで熱処理する
ことによりSmCO5相を析出させて、高保磁力の市内
磁化結晶膜を作成している。(K 、 Kumar 、
I) 、 1eas and、 E 、 Wet4st
ein: J、Apl)1.PhyS、 、vol 4
9(3) 、2052(1978))しかしこれらいず
れの場合においても得られるのは面内磁化結晶膜であシ
、膜面に垂直な方向にu3化容易軸を有する垂直磁化磁
性薄膜は作成されていない。
またスパッタリング法を用いて非晶質で市内磁化軟磁性
薄膜を作成している研究報告(C,L。
薄膜を作成している研究報告(C,L。
Zbang + R,B、Lin + andG、H,
Feng ;I’E E ETrans Magn、、
MAG−16(5)、1’215(1980))もある
が、この研究報告でホ゛非晶質においてもSmC。
Feng ;I’E E ETrans Magn、、
MAG−16(5)、1’215(1980))もある
が、この研究報告でホ゛非晶質においてもSmC。
系材に対しては゛垂直磁化磁性薄膜は得られていない。
この池にも薄膜作成時に膜面に垂直方向に磁場を印加す
ることによシ垂直磁化成分を誘起させる報告(李佐宣、
奥野光、沼田卓久、桜井良文二日本応用磁気学会誌vo
17No、2(1983)47)もあるが、この報告で
得られる薄膜もその主体は面内磁化膜であると言ってよ
い。
ることによシ垂直磁化成分を誘起させる報告(李佐宣、
奥野光、沼田卓久、桜井良文二日本応用磁気学会誌vo
17No、2(1983)47)もあるが、この報告で
得られる薄膜もその主体は面内磁化膜であると言ってよ
い。
さらに薄膜作成時の基板温度など作成条件を選べば、非
晶質で垂直磁化成分が主体となる膜ができるという報告
(李佐宣、沼田卓久、桜井長文:第7回日本応用磁気学
会学術講演概要集8.D−9゜P、195(1983)
)もあるが、非晶質であるために保磁力はIKOeより
小さく、高床磁力の垂直磁化磁性薄膜は得られていなか
った。
晶質で垂直磁化成分が主体となる膜ができるという報告
(李佐宣、沼田卓久、桜井長文:第7回日本応用磁気学
会学術講演概要集8.D−9゜P、195(1983)
)もあるが、非晶質であるために保磁力はIKOeより
小さく、高床磁力の垂直磁化磁性薄膜は得られていなか
った。
発明者等は前述の従来の技術の上に立って、全組成がS
mxCol−xで表わされるSmCo系合金薄膜或はY
、Ce、Pr、Ndから少なくとも一元素以上を選択し
た元素の第1の組合せ、もしくは−この第1の組合せに
Smを加えた元素の第2の組合せをR7と1〜で、全組
成がRxCo で表わされる希土類−遷移 −X 金属系合金薄膜を使用して、膜面と垂直な方向に磁化容
易軸を有する垂直磁化磁性薄膜を作成し提案した。
mxCol−xで表わされるSmCo系合金薄膜或はY
、Ce、Pr、Ndから少なくとも一元素以上を選択し
た元素の第1の組合せ、もしくは−この第1の組合せに
Smを加えた元素の第2の組合せをR7と1〜で、全組
成がRxCo で表わされる希土類−遷移 −X 金属系合金薄膜を使用して、膜面と垂直な方向に磁化容
易軸を有する垂直磁化磁性薄膜を作成し提案した。
一般に数1000ニルステッド以上の安定した保磁力を
有する垂直磁化磁性薄膜を得るためには、例えば発明者
等がすでに提案しているRCo系合金を使用する場合を
例にとると、その組成をRxCo19とし、Y r C
e) Prp Nd r Smの少なくとも一種の組合
せxシなる希土類元素をRとしてRの原子比Xを最適な
条件に選定することが必要である。
有する垂直磁化磁性薄膜を得るためには、例えば発明者
等がすでに提案しているRCo系合金を使用する場合を
例にとると、その組成をRxCo19とし、Y r C
e) Prp Nd r Smの少なくとも一種の組合
せxシなる希土類元素をRとしてRの原子比Xを最適な
条件に選定することが必要である。
Rの原子比を所定の条件下で選定することにより適当な
飽和磁化特性を有するものが得られ、垂直磁化条件を満
足して所望の保磁力を有する垂直磁化磁性薄膜を得るこ
とが可能となる。
飽和磁化特性を有するものが得られ、垂直磁化条件を満
足して所望の保磁力を有する垂直磁化磁性薄膜を得るこ
とが可能となる。
又この種の垂直磁化磁性薄膜において膜面と垂直な方向
に磁化を有するに十分な磁気異方性を持った薄膜を作成
するには、スパッタリング法、真空蒸着法などの手段で
膜厚が数10OA以上の薄膜を形成することが必要であ
る。
に磁化を有するに十分な磁気異方性を持った薄膜を作成
するには、スパッタリング法、真空蒸着法などの手段で
膜厚が数10OA以上の薄膜を形成することが必要であ
る。
さらに選択された最適の組成条件下において、所定の結
晶粒径を有する微結晶RCo 相を所定の割合含有して
いることが垂直磁化条件を満足し、数1000ニルステ
ッド以上の保磁力を持つためには必要である。このよう
な結晶粒子の組成条件を得るためには薄膜作成時におけ
る特定の製作界。
晶粒径を有する微結晶RCo 相を所定の割合含有して
いることが垂直磁化条件を満足し、数1000ニルステ
ッド以上の保磁力を持つためには必要である。このよう
な結晶粒子の組成条件を得るためには薄膜作成時におけ
る特定の製作界。
囲気の設定もこの種の垂直磁性薄膜の作成には極めて重
要な意味を持っている・ 「発明の解決すべき問題点」 これら発明者等の提案した垂直磁化磁性薄膜において、
全組成中貼或はRの原子比を所定値範囲をはずれた値に
設定すると組成を構成する結晶として所望の結晶相が現
われずその飽和磁化が大きくなり過ぎて、磁気異方性定
数に、、飽和磁化M5間に与えられる垂直磁化条件Ku
>2πM5′を満足しない。
要な意味を持っている・ 「発明の解決すべき問題点」 これら発明者等の提案した垂直磁化磁性薄膜において、
全組成中貼或はRの原子比を所定値範囲をはずれた値に
設定すると組成を構成する結晶として所望の結晶相が現
われずその飽和磁化が大きくなり過ぎて、磁気異方性定
数に、、飽和磁化M5間に与えられる垂直磁化条件Ku
>2πM5′を満足しない。
この所定のSm或はRの原子比範囲の設定条件の下では
、Smを組成成分とするものに比してR’に組成成分と
するものが前者に比して保磁力を増大させ得ることが確
認された。即ち希土類元素Rff:Y。
、Smを組成成分とするものに比してR’に組成成分と
するものが前者に比して保磁力を増大させ得ることが確
認された。即ち希土類元素Rff:Y。
Cer P、−+’N(11smの一種または二種以上
の組合せの中から選ぶことによシ、数1000エルステ
ツドの保磁力が得られるが、残留磁化Mrとしては80
〜200ガウス(飽和磁化M590〜230ガクス)し
か得られない。
の組合せの中から選ぶことによシ、数1000エルステ
ツドの保磁力が得られるが、残留磁化Mrとしては80
〜200ガウス(飽和磁化M590〜230ガクス)し
か得られない。
さらに発明者等はこれらで得られた結果を基に(−で、
さらにこの種の磁性薄膜となる合金に−Feを添加する
ことによって飽和磁化M5を高めて、その最大エネルギ
ー積を向上させることに成功した。
さらにこの種の磁性薄膜となる合金に−Feを添加する
ことによって飽和磁化M5を高めて、その最大エネルギ
ー積を向上させることに成功した。
しかしこの場合にFeの添加檄を増大させて行くとその
保磁力が減少する傾向にあシ、飽和磁化M5が増加して
も垂直磁化磁性薄膜としてはその長所を生かすことがで
き彦いことが確認された。
保磁力が減少する傾向にあシ、飽和磁化M5が増加して
も垂直磁化磁性薄膜としてはその長所を生かすことがで
き彦いことが確認された。
即ちこの垂直磁化磁性薄膜にFeを添加することにより
、残留磁化M、を240〜500ガクス(飽和磁化M5
260〜550ガウス)まで向上させることができたが
、一方では保磁力は減少する傾向にあり、所定の範囲以
上にFeを添加す不と垂直磁化膜も得られなくなること
が確認された。
、残留磁化M、を240〜500ガクス(飽和磁化M5
260〜550ガウス)まで向上させることができたが
、一方では保磁力は減少する傾向にあり、所定の範囲以
上にFeを添加す不と垂直磁化膜も得られなくなること
が確認された。
又Feを添加する場合には安定した特性を有する垂直磁
化磁性薄膜を再現性よく得ることができないという難点
がある。
化磁性薄膜を再現性よく得ることができないという難点
がある。
この発明はこれらの従来提案されている垂直磁化磁性薄
膜における難点を解決し、飽和磁化が余り大きくなり過
ぎず磁気異方性定数に、と飽和磁化M3間に垂直磁化条
件が満足して得られる垂直磁化磁性薄膜を提供すること
を目的とする。
膜における難点を解決し、飽和磁化が余り大きくなり過
ぎず磁気異方性定数に、と飽和磁化M3間に垂直磁化条
件が満足して得られる垂直磁化磁性薄膜を提供すること
を目的とする。
さらにこの発明では垂直磁化磁性薄膜の保磁力を増大さ
せ、且つ最大エネルギー積をも向上させることを目的と
すると共に、垂直磁化条件に必要な結晶相を有する垂直
磁化磁性薄膜を安定に、且つ再現性よく得ることをもそ
の目的とする。
せ、且つ最大エネルギー積をも向上させることを目的と
すると共に、垂直磁化条件に必要な結晶相を有する垂直
磁化磁性薄膜を安定に、且つ再現性よく得ることをもそ
の目的とする。
「発明の構成」
この発明は膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する希土
類−遷移金属系合金薄膜であり、Y、Ce。
類−遷移金属系合金薄膜であり、Y、Ce。
Pr、Nd、Smの少なくとも一種よりなる希土類元素
Rの原子比が20乃至40原子’l’、Feの原子比が
18乃至25原子%、Ta、 Zr+ Nbr Tit
V+Mo 、Cr 、W 、Hfの少なくとも一種よ
りなる添加元素Mの原子比が0.2乃至5原子%、残部
がC8よりなる組成を有する。この発明の垂直磁化磁性
薄膜ではTf:CopFe及びMからなる元素の組合せ
として結晶RT、相と非晶質部とから全体が構成されて
いる。
Rの原子比が20乃至40原子’l’、Feの原子比が
18乃至25原子%、Ta、 Zr+ Nbr Tit
V+Mo 、Cr 、W 、Hfの少なくとも一種よ
りなる添加元素Mの原子比が0.2乃至5原子%、残部
がC8よりなる組成を有する。この発明の垂直磁化磁性
薄膜ではTf:CopFe及びMからなる元素の組合せ
として結晶RT、相と非晶質部とから全体が構成されて
いる。
又この発明の垂直磁化磁性薄膜では組成中でFeの添加
の割合を増加させることによって飽和磁化を高め、且つ
保磁力を増加させて垂直磁化磁性薄膜の条件を添加元素
Mの添加によって保持することが可能となり、最大エネ
ルギー積(B H)tnaxを増大させることができる
。さらにこの発明に・よると、添加元素Mの存在によっ
てy 、 ce、 、 Pr+Nd+Smの少なくとも
一種よりなる希土類元素をRと1−1COr F6及び
Mからなる元素の組合せ’kTとして垂直磁化条件を満
足するために必要なRT8結晶相が安定して得られ、そ
の再現性が大幅に向上する。
の割合を増加させることによって飽和磁化を高め、且つ
保磁力を増加させて垂直磁化磁性薄膜の条件を添加元素
Mの添加によって保持することが可能となり、最大エネ
ルギー積(B H)tnaxを増大させることができる
。さらにこの発明に・よると、添加元素Mの存在によっ
てy 、 ce、 、 Pr+Nd+Smの少なくとも
一種よりなる希土類元素をRと1−1COr F6及び
Mからなる元素の組合せ’kTとして垂直磁化条件を満
足するために必要なRT8結晶相が安定して得られ、そ
の再現性が大幅に向上する。
「実施例」
以下この発明の垂直磁化磁性薄膜をその実施例に基づき
王としてその製造法に沿って図−面を使用して詳細に説
明する。
王としてその製造法に沿って図−面を使用して詳細に説
明する。
すでに述べたように、iの発明によると、磁気異方性定
数Kuと飽和磁化M5間に垂直磁化条件が満足され、そ
の最大エネルギー積が増大し、且つ垂直磁化条件に必要
な結晶相を多く含有する垂直磁化磁性薄膜を安定に且つ
再現性よく得ることができる。
数Kuと飽和磁化M5間に垂直磁化条件が満足され、そ
の最大エネルギー積が増大し、且つ垂直磁化条件に必要
な結晶相を多く含有する垂直磁化磁性薄膜を安定に且つ
再現性よく得ることができる。
一般に第5図の第2象限に示される減磁曲線において、
磁束密度をB、磁場’tHとして得られる斜線を付して
示す領域(B H)maxを最大エネルギー積と呼んで
いる。この最大エネルギー積(B H)maxはエネル
ギーの次元を有し、磁石の特性の目安となるものであっ
て、その[直はなるべく大きなことが特性上望ましい。
磁束密度をB、磁場’tHとして得られる斜線を付して
示す領域(B H)maxを最大エネルギー積と呼んで
いる。この最大エネルギー積(B H)maxはエネル
ギーの次元を有し、磁石の特性の目安となるものであっ
て、その[直はなるべく大きなことが特性上望ましい。
一方C−G−8単位系で表示して、磁束密度B、磁場H
1磁化M1透磁率μ間には次式が成立する。
1磁化M1透磁率μ間には次式が成立する。
B−μI(+ 4πM ・・・・・・・・・・・
(1)従って第5図でH=OOX軸上においては(1)
式はB、=4πMrとなシ、飽和磁化M5が増加すると
(B H)maxで表示される最大エネルギー積も増大
することになる。
(1)従って第5図でH=OOX軸上においては(1)
式はB、=4πMrとなシ、飽和磁化M5が増加すると
(B H)maxで表示される最大エネルギー積も増大
することになる。
との発明においては薄膜の作成に使用する基板としては
、例えばソーダガラス、石英、シリコン、ガーネット基
板などを使用する。不活性気体としてアルゴンを使用し
、その圧力3〜8Paの雰埋気条件下で、供給電力を1
00W〜200Wに設定し、所定の基板表面温度範囲、
即ち300°C〜600°Cの温度範囲に基板表面温度
(基板温度、つまり基板支持体の温度としては150°
C〜180°C)を作詩した状態で基板をターゲットに
対向させ、基板上に膜厚1〜2μm程度の垂直磁化磁性
薄膜eRFスパッタリング法により作成する。
、例えばソーダガラス、石英、シリコン、ガーネット基
板などを使用する。不活性気体としてアルゴンを使用し
、その圧力3〜8Paの雰埋気条件下で、供給電力を1
00W〜200Wに設定し、所定の基板表面温度範囲、
即ち300°C〜600°Cの温度範囲に基板表面温度
(基板温度、つまり基板支持体の温度としては150°
C〜180°C)を作詩した状態で基板をターゲットに
対向させ、基板上に膜厚1〜2μm程度の垂直磁化磁性
薄膜eRFスパッタリング法により作成する。
この発明ではY p Ce+ P、 r Nd+ Sm
の少なくとも一種よりなる希土類元素をRで表わし、T
a。
の少なくとも一種よりなる希土類元素をRで表わし、T
a。
Zr+ Nb、 T1+ V r Mo+ Crr W
、 H(の少なくとも一種よりなる添加元素をMで表
示し、希土類元素Rの原子比をX原子%、Feの原子比
をY原子%、Mの原子比をZ原子チとすると、全組成は
RxCo1−x−Y−2FeYM2で表わされる。この
発明においてはco、Fe及びMからなる元素の組合せ
’kTとして得られる磁性薄膜が微結晶RT8相と非晶
質部とから構成され、このRT8’相の比率が50体積
チ思上であることが垂直磁化条件を満足するために必要
である。
、 H(の少なくとも一種よりなる添加元素をMで表
示し、希土類元素Rの原子比をX原子%、Feの原子比
をY原子%、Mの原子比をZ原子チとすると、全組成は
RxCo1−x−Y−2FeYM2で表わされる。この
発明においてはco、Fe及びMからなる元素の組合せ
’kTとして得られる磁性薄膜が微結晶RT8相と非晶
質部とから構成され、このRT8’相の比率が50体積
チ思上であることが垂直磁化条件を満足するために必要
である。
微結晶RT、相が50体積%以下になると、垂直磁化膜
が得られる組成において、非晶質部の磁化が大きくなシ
、保磁力が小さくなって垂直磁化条件を満足しないこと
が発明者等によりm認されている。
が得られる組成において、非晶質部の磁化が大きくなシ
、保磁力が小さくなって垂直磁化条件を満足しないこと
が発明者等によりm認されている。
この微結晶RT8相の組成比率の条件を満足し、保磁力
を増大させ、且つ最大エネルギー積をも向上させるため
には、Rxcol−X−Y−2FeYM7で表わされる
全組成に次式の条件が必要であることが発明者等の研究
の結果明らかにされた。
を増大させ、且つ最大エネルギー積をも向上させるため
には、Rxcol−X−Y−2FeYM7で表わされる
全組成に次式の条件が必要であることが発明者等の研究
の結果明らかにされた。
0.20<X<0.40 ・・・・・・・・・・
・・(2)0、18 <Y<0.25 ・・・・
・・・・・・・・(3)0.002<Z<0.05
・・・・・・・・・・・(4)RxCo1−x−Y−
2FeYM、、で表わされる全組成中11DR+7)原
子比XをX<0.20とすると、得られる薄膜組成の結
晶相はR2T、□相、RT5相、R5Tl9相及びR,
T7相が主体のものとなってしまう。これらR2T1□
相、RTs相、R5T19相及びR2T7相が主体の結
晶組成である磁性薄膜では、飽和磁化が大きくなシ過ぎ
るために、磁気異方性定数をKい飽和磁化をM。
・・(2)0、18 <Y<0.25 ・・・・
・・・・・・・・(3)0.002<Z<0.05
・・・・・・・・・・・(4)RxCo1−x−Y−
2FeYM、、で表わされる全組成中11DR+7)原
子比XをX<0.20とすると、得られる薄膜組成の結
晶相はR2T、□相、RT5相、R5Tl9相及びR,
T7相が主体のものとなってしまう。これらR2T1□
相、RTs相、R5T19相及びR2T7相が主体の結
晶組成である磁性薄膜では、飽和磁化が大きくなシ過ぎ
るために、磁気異方性定数をKい飽和磁化をM。
として与えられる垂直磁化するための条件、Ku〉2π
M、′が満足されなくなる。
M、′が満足されなくなる。
発明者等の実測の結果でもX<0.20の組成条件では
垂直磁化するための条件が満足されず、これに伴って1
呆磁カとして数1000工ルステツド以上のものを得る
こ、!l:は困難であることが確認されている。
垂直磁化するための条件が満足されず、これに伴って1
呆磁カとして数1000工ルステツド以上のものを得る
こ、!l:は困難であることが確認されている。
一方RxCot−x−y−zFeyMzで全組成が表わ
され゛るこの発明の垂直磁化磁性薄膜において、Rの原
子比XをX>0.40に設定すると、得られる薄膜はR
T2相が主体の結晶組成を有するものとなシ、とのRT
2相を主体にする磁性薄膜は面内磁化膜であって、面内
磁化膜としては高作磁カ化したものが得られるが、飽和
磁化が小さり彦シ過ぎてしまうことも発明者等により確
認された。
され゛るこの発明の垂直磁化磁性薄膜において、Rの原
子比XをX>0.40に設定すると、得られる薄膜はR
T2相が主体の結晶組成を有するものとなシ、とのRT
2相を主体にする磁性薄膜は面内磁化膜であって、面内
磁化膜としては高作磁カ化したものが得られるが、飽和
磁化が小さり彦シ過ぎてしまうことも発明者等により確
認された。
前述の(1)式の条件を満足するXの範囲−内でFeの
原子比yf:y<o、xsに設定すると、安定した状態
で再現性のよい垂直磁イe m性薄膜は得られるが添加
元素Mの添加による飽和磁化の増加が認められない。一
方Y>0.25に設定すると、添加元素Mの添加にもが
がわらずRT8相以外のR−Fe相が現われ、垂直磁化
条件を満足する磁性薄膜が得られない。
原子比yf:y<o、xsに設定すると、安定した状態
で再現性のよい垂直磁イe m性薄膜は得られるが添加
元素Mの添加による飽和磁化の増加が認められない。一
方Y>0.25に設定すると、添加元素Mの添加にもが
がわらずRT8相以外のR−Fe相が現われ、垂直磁化
条件を満足する磁性薄膜が得られない。
さらに添加元素Mの原子比Zが0.002>Z及びZ>
0.05の条件では、垂直磁化磁性薄膜が得られにくく
なシ、仮に得られたとしてもその保磁力H6が低下して
しまう。
0.05の条件では、垂直磁化磁性薄膜が得られにくく
なシ、仮に得られたとしてもその保磁力H6が低下して
しまう。
従ってこの発明の実施例においては組成RXCo1−X
−Y−ZFoYMZにおいて、RI7)原子比Xの条件
をo:20<X<0.40. Feo原子比YO条件を
0.18≦Y≦025、添加元素Mの原子比Zの条件’
Q0.002<Z≦0.05に設定し、TeC6pFe
及びMからなる元素の組合せとしてRT8相に近い組成
のターゲットを使用してRFスパッタリング法によって
石英基板上に磁性薄膜を作成した。
−Y−ZFoYMZにおいて、RI7)原子比Xの条件
をo:20<X<0.40. Feo原子比YO条件を
0.18≦Y≦025、添加元素Mの原子比Zの条件’
Q0.002<Z≦0.05に設定し、TeC6pFe
及びMからなる元素の組合せとしてRT8相に近い組成
のターゲットを使用してRFスパッタリング法によって
石英基板上に磁性薄膜を作成した。
この場合、発明者等の実測によると膜面と垂直方向の磁
化を得るに充分な磁気異方性を有する磁性薄膜を作成す
るためには、基板上に形成される薄膜の膜厚は数100
Å以上にする必要があった。
化を得るに充分な磁気異方性を有する磁性薄膜を作成す
るためには、基板上に形成される薄膜の膜厚は数100
Å以上にする必要があった。
垂直磁化条件薄・膜の作成雰囲気は、アルゴン不活性気
体圧力3〜8Paとし、基板温度を150’C程度に設
定し、基板表面温度300°C〜600°Cの範囲に保
持した状態で膜厚1〜2μmで石英基板上にRFスパッ
タリングの手段により400A/分の速度で磁性薄膜を
形成した。
体圧力3〜8Paとし、基板温度を150’C程度に設
定し、基板表面温度300°C〜600°Cの範囲に保
持した状態で膜厚1〜2μmで石英基板上にRFスパッ
タリングの手段により400A/分の速度で磁性薄膜を
形成した。
このようにして得られた磁性薄膜の断面構造を観察する
と、膜面にほぼ垂直方向に微結晶RT8相が柱状に成長
していることが、発明者等により顕微・鏡写真の手段で
確認された。発明者等の実測の結果、これらの微結晶R
T、相はその結晶粒径が数10A〜数100人の範囲に
あり、又その結晶の成長方向の長さは1000″にのオ
ーダーを有していることが判明した。
と、膜面にほぼ垂直方向に微結晶RT8相が柱状に成長
していることが、発明者等により顕微・鏡写真の手段で
確認された。発明者等の実測の結果、これらの微結晶R
T、相はその結晶粒径が数10A〜数100人の範囲に
あり、又その結晶の成長方向の長さは1000″にのオ
ーダーを有していることが判明した。
磁性薄膜作成雰囲気の温度設定条件は、この発明では極
めて重要な因子である。例えば池の条件を同一に保持し
、基板を水冷した状態に設定し、この基板上に薄膜を作
成すると、得られる薄膜は希土類元素Rの種類によら”
ずアモルファス化していて保磁力の小さい面内磁化膜が
得られる。発明者等の実測によると、基板温度が150
°C以下の状態ではアモルファス化した薄膜が得られる
ことが確認された。
めて重要な因子である。例えば池の条件を同一に保持し
、基板を水冷した状態に設定し、この基板上に薄膜を作
成すると、得られる薄膜は希土類元素Rの種類によら”
ずアモルファス化していて保磁力の小さい面内磁化膜が
得られる。発明者等の実測によると、基板温度が150
°C以下の状態ではアモルファス化した薄膜が得られる
ことが確認された。
一方基板を所定の温度、即ち基板表面温度を300°C
〜600’Cに設定した状態で薄膜を作成すると結晶化
が促進される。従って組成RXCo1−x−Y−2Fe
YM、におけるRの原子比、Feの原子比及びMの原子
比をそれぞれ前述の所定の条件、0、’20<X<0.
40 、0.18<Y<0.25 。
〜600’Cに設定した状態で薄膜を作成すると結晶化
が促進される。従って組成RXCo1−x−Y−2Fe
YM、におけるRの原子比、Feの原子比及びMの原子
比をそれぞれ前述の所定の条件、0、’20<X<0.
40 、0.18<Y<0.25 。
0.002<z’<o、o 5に設定し、温度を所定の
条件に設定して薄膜を作成すると、その組成中に微結晶
RT8相を含む薄膜を得ることができる。
条件に設定して薄膜を作成すると、その組成中に微結晶
RT8相を含む薄膜を得ることができる。
一方基板温度をl800Cを越えて上昇させると微結晶
RT8mが安定して得られず、池の結晶相、即ちR2T
、相、RT2相などが主体となるおそれがある。また温
度が高すぎると薄膜作成中真空槽内の残留酸素にょシ酸
化現象が生じて、所定の組成が得られなくなる。またア
ルゴンガスの王カを増加しすぎるとイオン化された原子
が基板と激しく衝突するために薄膜表面に剥離現象が生
じて望捷しくない。
RT8mが安定して得られず、池の結晶相、即ちR2T
、相、RT2相などが主体となるおそれがある。また温
度が高すぎると薄膜作成中真空槽内の残留酸素にょシ酸
化現象が生じて、所定の組成が得られなくなる。またア
ルゴンガスの王カを増加しすぎるとイオン化された原子
が基板と激しく衝突するために薄膜表面に剥離現象が生
じて望捷しくない。
この場合の基板の加熱には、加熱電力を直接基板に供給
して行なう直接加熱の方法が基本的には採用される。し
かしこの発明では基板表面温度の設定が重要であシ、微
妙な温度調整を行なうために、この発明においては基板
の直接加熱法にイオン化原子照射法を併用した。
して行なう直接加熱の方法が基本的には採用される。し
かしこの発明では基板表面温度の設定が重要であシ、微
妙な温度調整を行なうために、この発明においては基板
の直接加熱法にイオン化原子照射法を併用した。
即ちスパッタリング法で基板上に薄膜を作成する場合に
、例えばアルゴンなどの導入不活性ガスの圧力を上げる
ことにょシ、基板表面がアルゴンガス中のイオン化され
た原子でたたかれ易くすると、イオン化された原子の衝
突にょシ基板温度を上昇させることができる。導入不活
性ガスの圧力を上げる代シに、基板に負バイアスを印加
して基板表面がイオン化原子でたたかれ易くすることも
可能である。この導入ガス圧力を上昇させる方法や基板
に負のバイアスを印加する方法は、基板を直接加熱する
方法と併用して基板温度の微調整を行なわせる場合に極
めて扇゛果的である。
、例えばアルゴンなどの導入不活性ガスの圧力を上げる
ことにょシ、基板表面がアルゴンガス中のイオン化され
た原子でたたかれ易くすると、イオン化された原子の衝
突にょシ基板温度を上昇させることができる。導入不活
性ガスの圧力を上げる代シに、基板に負バイアスを印加
して基板表面がイオン化原子でたたかれ易くすることも
可能である。この導入ガス圧力を上昇させる方法や基板
に負のバイアスを印加する方法は、基板を直接加熱する
方法と併用して基板温度の微調整を行なわせる場合に極
めて扇゛果的である。
「発明の効果」
この発明の垂直磁化磁性薄膜の実施例として全糸口Fl
i、が 混−IT、、、 Ti’
−7−*唱 憂; 41 シ ネク ス、 え j)に
ついてzrの原子比ZをパラメータとしてSmの原子比
Xと磁気異方性定数島との関係を測定すると第1図に示
すような結果が得られる。
i、が 混−IT、、、 Ti’
−7−*唱 憂; 41 シ ネク ス、 え j)に
ついてzrの原子比ZをパラメータとしてSmの原子比
Xと磁気異方性定数島との関係を測定すると第1図に示
すような結果が得られる。
第1図において符号口で測定点を示すものは、z=0の
組成のものに対する実測結果であって、この発明の添加
元素Mが存在しない場合であり、Feの原子比は0.2
1である。この場合にはFeが添加されているが、Ku
は負値を取って垂直磁化の条件を満足していない。
組成のものに対する実測結果であって、この発明の添加
元素Mが存在しない場合であり、Feの原子比は0.2
1である。この場合にはFeが添加されているが、Ku
は負値を取って垂直磁化の条件を満足していない。
符号Oで測定点を示すものは、Z=0.03の場合であ
って、この発明の組成要件を満足し、この発明の実施例
に対するものである。この実施例のものではFeがすで
に提案した方法で発明者等が示した添加量を越えてFe
を添加した状態でも第1図から明らかなように、Kuは
正値をとり垂直磁化の条件が満足される。
って、この発明の組成要件を満足し、この発明の実施例
に対するものである。この実施例のものではFeがすで
に提案した方法で発明者等が示した添加量を越えてFe
を添加した状態でも第1図から明らかなように、Kuは
正値をとり垂直磁化の条件が満足される。
第1図において測定点を符号△で示すものは、Z =
0.07の場合であって、この発明の組成要件を満足し
ていない。このようにこの発明の(4)式で示される添
加元素Mの原子!−1−,7の名t&6 :澹01<い
ものでは明らかにKu<0となって垂直磁化の条件を満
足しないことが明らかである。 ゛添加元素Mとし
てzrを使用し希土類元素RとしてSml’J外のもの
e[用したもの、添加元素MとしてZr以外のものを使
用して希土類元素Rとして錨を使用したもの、さらに添
加元素MとしてZr以外のものを、又希土類元素Rとし
てもSm以外のものを使用した組成のものについて行な
った発明者等の実測結果はいずれも第1図と同様の傾向
を示した0 この発明の垂直磁化磁性薄膜の実施例に対して発明者等
が行々つた磁化曲線の測定結果を第2図にボす。この測
定に使用・した垂直磁化磁性薄膜は組成が5m0626
co0.58”eO,18NbO,0+1で表わされる
ものでちり、第2図において二印を付した6は膜面に垂
直方向に磁場を印加した場合の磁化曲線であジ、1印を
付したのは膜面に重性な方向に磁場を印加した場合の磁
化曲線である。明らかに膜面に垂直な方向に磁場を印加
した場合の磁化の方が強く、この発明によシ垂直磁化膜
が形成されていることが明らかである。
0.07の場合であって、この発明の組成要件を満足し
ていない。このようにこの発明の(4)式で示される添
加元素Mの原子!−1−,7の名t&6 :澹01<い
ものでは明らかにKu<0となって垂直磁化の条件を満
足しないことが明らかである。 ゛添加元素Mとし
てzrを使用し希土類元素RとしてSml’J外のもの
e[用したもの、添加元素MとしてZr以外のものを使
用して希土類元素Rとして錨を使用したもの、さらに添
加元素MとしてZr以外のものを、又希土類元素Rとし
てもSm以外のものを使用した組成のものについて行な
った発明者等の実測結果はいずれも第1図と同様の傾向
を示した0 この発明の垂直磁化磁性薄膜の実施例に対して発明者等
が行々つた磁化曲線の測定結果を第2図にボす。この測
定に使用・した垂直磁化磁性薄膜は組成が5m0626
co0.58”eO,18NbO,0+1で表わされる
ものでちり、第2図において二印を付した6は膜面に垂
直方向に磁場を印加した場合の磁化曲線であジ、1印を
付したのは膜面に重性な方向に磁場を印加した場合の磁
化曲線である。明らかに膜面に垂直な方向に磁場を印加
した場合の磁化の方が強く、この発明によシ垂直磁化膜
が形成されていることが明らかである。
第3図はこの発明の実施例として全組成が!”o、22
Coo、s□−ZFeO,21zrZで表わされるもの
を取板上げ、この実施例に対して添加元素Mの添加量を
変化させて、それぞれに対応する保磁力Hc及び飽和磁
化M5を測定して得た実測筐である。
Coo、s□−ZFeO,21zrZで表わされるもの
を取板上げ、この実施例に対して添加元素Mの添加量を
変化させて、それぞれに対応する保磁力Hc及び飽和磁
化M5を測定して得た実測筐である。
図中符号○印で示した測定点は保磁力H6の測定点であ
シ、符号Δ印で示した測定点は飽和磁化Msの測定点で
添加元素Mg)原子比が0.02乃至0.05というこ
の発明の添加元素Mの組成範囲内では、Feを0.21
と多量に含んでいるにもかかわらず保磁力H6は低下せ
ず、これに対応して飽和磁化MSの減少も殆んどなく大
きな値を保持している。従ってこの実施例によると、最
大エネルギー積を向上させることが可能となる。
シ、符号Δ印で示した測定点は飽和磁化Msの測定点で
添加元素Mg)原子比が0.02乃至0.05というこ
の発明の添加元素Mの組成範囲内では、Feを0.21
と多量に含んでいるにもかかわらず保磁力H6は低下せ
ず、これに対応して飽和磁化MSの減少も殆んどなく大
きな値を保持している。従ってこの実施例によると、最
大エネルギー積を向上させることが可能となる。
発明者等は、希土類元素RよしてSm以外のY。
Ce、Pr、Ndを用いたもの、及びSmをも含めてこ
れらの組合せを用いたものを使用し、さらにそれぞれの
希土類元素に対して添加元素MとしてZr以外のTB
p Nb l Ti ; V r MO’r CrT
W r Hfを用いたもの及びZrをも含めてこれらの
組合せを用いたものを使用して同様の測定を行なった。
れらの組合せを用いたものを使用し、さらにそれぞれの
希土類元素に対して添加元素MとしてZr以外のTB
p Nb l Ti ; V r MO’r CrT
W r Hfを用いたもの及びZrをも含めてこれらの
組合せを用いたものを使用して同様の測定を行なった。
いずれの組合せのものにおいても、第3図に示した実測
例と同様の特性を得ることができた。
例と同様の特性を得ることができた。
これらの内、全組成がSmO,22CoO,55FeQ
、21zrO102で表わされるものをとり上げ、測定
で得られた保磁力H6(KOe)と飽和磁化MS(G)
とを、この1発明の組成条件を満足しない組成のものと
比較した結果を第1表に示す。
、21zrO102で表わされるものをとり上げ、測定
で得られた保磁力H6(KOe)と飽和磁化MS(G)
とを、この1発明の組成条件を満足しない組成のものと
比較した結果を第1表に示す。
この比較に際しては発明の組成条件を満足しない組成の
ものと(2ては、全組成がSm0626CoO,511
”0.18NbO0,011’ SmO,24C00,
56FeO,+9TiO001及びSmO,25C00
,54Fe W でそれぞれ表わされるものを取り上げ
0.19 0.02 ている。第1表での比較で明らかなように、この発明の
組成条件をはずれた組成のものでは保磁力HC及び飽和
磁化M、が低下しているが、この発明の実施例のもので
は保磁力H6は低下せず、飽和磁化M5も低下せず、最
大エネルギー積も増大することが明らかである。
ものと(2ては、全組成がSm0626CoO,511
”0.18NbO0,011’ SmO,24C00,
56FeO,+9TiO001及びSmO,25C00
,54Fe W でそれぞれ表わされるものを取り上げ
0.19 0.02 ている。第1表での比較で明らかなように、この発明の
組成条件をはずれた組成のものでは保磁力HC及び飽和
磁化M、が低下しているが、この発明の実施例のもので
は保磁力H6は低下せず、飽和磁化M5も低下せず、最
大エネルギー積も増大することが明らかである。
前述のようにこの発明において垂直磁化磁性薄膜を得る
ためには、全組成中にRT3相が含まれていることが必
要である。
ためには、全組成中にRT3相が含まれていることが必
要である。
発明者等はこの発明の実施例と1.て組成がSmCoF
eZr で表わされるものを取り0.22 0.
55 0.21 0.02上げ、又添加元素Mが存
在せずこの発明の条件を満足しないものとして組成がS
mO,22CoO,57”eO12、で表わされるもの
を取り上げて、両者に対してRT8相の出現度を比較し
、第2表に示すような結果を得た。
eZr で表わされるものを取り0.22 0.
55 0.21 0.02上げ、又添加元素Mが存
在せずこの発明の条件を満足しないものとして組成がS
mO,22CoO,57”eO12、で表わされるもの
を取り上げて、両者に対してRT8相の出現度を比較し
、第2表に示すような結果を得た。
即ちとの場合にはSmO,22CoO,55FeG、2
1ZrO002及び”0.22CoO,57FeO,2
、をそれぞれ同一の製作条件下で6点ずつ作成しRTl
l相の再現性金確かめた。結晶解析にはX線回折法を用
い、再現性の目安と17では符号○、△及び×を用いて
その結果を分類した。
1ZrO002及び”0.22CoO,57FeO,2
、をそれぞれ同一の製作条件下で6点ずつ作成しRTl
l相の再現性金確かめた。結晶解析にはX線回折法を用
い、再現性の目安と17では符号○、△及び×を用いて
その結果を分類した。
第 2 表
○: RTs相のみからなる
八:RT、を刊、以外をわずかに含む
X : RT8相以外を顕著に含む
○印は製作された組成のものがRT、相のみから構成さ
れている場合、Δ印は製作された組成のものがRT8相
思外の結晶相をも僅かに含んでいる場合、X印は製作さ
れた組成のものがRT 8相以外の結晶相を上体とする
場合をそれぞれ示す。
れている場合、Δ印は製作された組成のものがRT8相
思外の結晶相をも僅かに含んでいる場合、X印は製作さ
れた組成のものがRT 8相以外の結晶相を上体とする
場合をそれぞれ示す。
第2表で明らかなようにSm0.22co0.57Fe
0.21なる組成のものでは6点中4点がX印の結晶構
造であり、2点がΔ印の結晶構造で、○印の結晶構造は
皆無である。
0.21なる組成のものでは6点中4点がX印の結晶構
造であり、2点がΔ印の結晶構造で、○印の結晶構造は
皆無である。
これに対して、この発明の実施例であるSrn o 、
22Co Fe Zr なる組成のものでは、
6点中40.55 0,21 0.02 点が○印の結晶構造を有し、1点がΔ印の結晶構造を有
し、1点がx印の結晶構造を有している。
22Co Fe Zr なる組成のものでは、
6点中40.55 0,21 0.02 点が○印の結晶構造を有し、1点がΔ印の結晶構造を有
し、1点がx印の結晶構造を有している。
従ってこの発明においてはRT8相の出現性が極めて大
きく、垂直磁化磁性薄膜が再現性よく得られるととが明
らかである。
きく、垂直磁化磁性薄膜が再現性よく得られるととが明
らかである。
第4図(A) (B) (C)は第2表の結果得られた
それぞれ○印、△印及びX印に対応する組成Sm、2□
CoFezr Oものに対するX線回折の結果0.5
5 0.21 0.02を示すものである。第
4図中1−3.2−7;]−2はそれぞれg’r+を相
、R2T7相、RT2相を示し、第4図(A)ではRT
8相のみが現われており、極めて優れた結晶構造を有し
ていることが明らかである。
それぞれ○印、△印及びX印に対応する組成Sm、2□
CoFezr Oものに対するX線回折の結果0.5
5 0.21 0.02を示すものである。第
4図中1−3.2−7;]−2はそれぞれg’r+を相
、R2T7相、RT2相を示し、第4図(A)ではRT
8相のみが現われており、極めて優れた結晶構造を有し
ていることが明らかである。
それぞれ実施例により説明したように、この発明の垂直
磁化磁性薄膜では膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有し
、保磁力が数1000工ルステツド以上と大きな値を示
し、添加元素Mを添加することによりFe量を増加させ
ることができ、飽和磁化を350〜600ガウスと大き
な随に保持することができる。従ってその最大エネルギ
ー積も5〜7MGOe’と大きな箇とすることが可能で
、薄膜磁石材料として優れた特性を有している。
磁化磁性薄膜では膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有し
、保磁力が数1000工ルステツド以上と大きな値を示
し、添加元素Mを添加することによりFe量を増加させ
ることができ、飽和磁化を350〜600ガウスと大き
な随に保持することができる。従ってその最大エネルギ
ー積も5〜7MGOe’と大きな箇とすることが可能で
、薄膜磁石材料として優れた特性を有している。
従ってこの発明で得られる垂直磁化磁性薄膜を互に対向
配置させることによシ、間隙内に安定した一様な磁場を
形成し各種の目的に使用可能である。捷だこの発明の垂
直磁化磁性薄膜はモーター用磁石として或はセンサとし
ても有用である。このようにこの発明の垂直磁化磁性薄
膜は各種の高床磁力磁性薄膜を応用した装置に適用され
てその効果を発揮することができる。
配置させることによシ、間隙内に安定した一様な磁場を
形成し各種の目的に使用可能である。捷だこの発明の垂
直磁化磁性薄膜はモーター用磁石として或はセンサとし
ても有用である。このようにこの発明の垂直磁化磁性薄
膜は各種の高床磁力磁性薄膜を応用した装置に適用され
てその効果を発揮することができる。
す、上詳細に説明したように、この発明・によるとY
r Cer Pl・、 Nd 、 Smの少なくとも一
種よりなる希土類元素iR,,Ta、ンr+Nb+ ’
ri Pv yMo。
r Cer Pl・、 Nd 、 Smの少なくとも一
種よりなる希土類元素iR,,Ta、ンr+Nb+ ’
ri Pv yMo。
Cr、W、Hfの少なくとも一種よりなる添加元素をM
、Rの原子比をX、Feの原子比をY、Mの原子比′l
!:zとl〜で全組成がRXCo、−Xy、 z”ey
Mzで表わされ、 RT、結晶相を含み数100006
1a上の高床磁力を有し、飽和磁化が大きな値を示す垂
直磁化磁性薄膜を提供することができる。
、Rの原子比をX、Feの原子比をY、Mの原子比′l
!:zとl〜で全組成がRXCo、−Xy、 z”ey
Mzで表わされ、 RT、結晶相を含み数100006
1a上の高床磁力を有し、飽和磁化が大きな値を示す垂
直磁化磁性薄膜を提供することができる。
第1図はこの発明の実施例における磁気異方性定数と希
土類元素Rの原子比との関係を添加元素の添加量をパラ
メータとして示した図、第2図はこの発明の実施例にお
ける磁化特性を示す図、第3図はこの発明の実施例にお
ける保磁力H6及び飽和磁化M、と添加元素の添加量と
の関係を示す図、第4図はこの発明の実施例の組成の結
晶構造の再現性を示すX線回折図形、第5図は減磁曲線
を示す図である。 R: Y + Cet P(+ Ndt Smの少なく
とも一種よりなる希土類元素、M:Ta+Zr、N1)
tTiyV、MO、Cr、W、Hfの少なくとも一種よ
りなる添加元素、T:ColFe1M、J:!11なる
元素の組合せ%KLl”磁気異方性定数、M5:飽和磁
化。 特許出願人 住友金属鉱山株式会社 代 理 人 草 野 卓X オ 2 良 第3 図 乙 オ 5 図
土類元素Rの原子比との関係を添加元素の添加量をパラ
メータとして示した図、第2図はこの発明の実施例にお
ける磁化特性を示す図、第3図はこの発明の実施例にお
ける保磁力H6及び飽和磁化M、と添加元素の添加量と
の関係を示す図、第4図はこの発明の実施例の組成の結
晶構造の再現性を示すX線回折図形、第5図は減磁曲線
を示す図である。 R: Y + Cet P(+ Ndt Smの少なく
とも一種よりなる希土類元素、M:Ta+Zr、N1)
tTiyV、MO、Cr、W、Hfの少なくとも一種よ
りなる添加元素、T:ColFe1M、J:!11なる
元素の組合せ%KLl”磁気異方性定数、M5:飽和磁
化。 特許出願人 住友金属鉱山株式会社 代 理 人 草 野 卓X オ 2 良 第3 図 乙 オ 5 図
Claims (1)
- (1)膜面と垂直な方向に磁化容易軸を有する希土類−
遷移金属系合金薄膜で、Y、Ce、Pr、Nd、Smの
少なくとも一種よりなる希土類元素Rの原子比が20乃
至40原子%、Feの原子比が18乃至25原子%、T
a、Zr、Nb、Ti、V、Mo、Cr、W、Hfの少
なくとも一種よりなる添加元素Mの原子比が0.2乃至
5原子%、残部がCoよりなる組成を有し、TをCo、
Fe及びMからなる元素の組合せとして、全体が結晶R
T_3相を主体とした結晶質部と非晶質部とから構成さ
れてなることを特徴とする垂直磁化磁性薄膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15448284A JPS6132504A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 垂直磁化磁性薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15448284A JPS6132504A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 垂直磁化磁性薄膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6132504A true JPS6132504A (ja) | 1986-02-15 |
JPH0354845B2 JPH0354845B2 (ja) | 1991-08-21 |
Family
ID=15585204
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15448284A Granted JPS6132504A (ja) | 1984-07-25 | 1984-07-25 | 垂直磁化磁性薄膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6132504A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011091215A (ja) * | 2009-10-22 | 2011-05-06 | Toda Kogyo Corp | 強磁性粒子粉末及びその製造法、異方性磁石及びボンド磁石 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102047406B (zh) | 2008-06-20 | 2013-06-05 | 佳能安内华股份有限公司 | 真空处理设备、真空处理方法和电子装置制造方法 |
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1984
- 1984-07-25 JP JP15448284A patent/JPS6132504A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011091215A (ja) * | 2009-10-22 | 2011-05-06 | Toda Kogyo Corp | 強磁性粒子粉末及びその製造法、異方性磁石及びボンド磁石 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPH0354845B2 (ja) | 1991-08-21 |
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