JPS6130088A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS6130088A JPS6130088A JP15235584A JP15235584A JPS6130088A JP S6130088 A JPS6130088 A JP S6130088A JP 15235584 A JP15235584 A JP 15235584A JP 15235584 A JP15235584 A JP 15235584A JP S6130088 A JPS6130088 A JP S6130088A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency
- output
- semiconductor laser
- light
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/0687—Stabilising the frequency of the laser
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
この発明は光の位相、周波数情報を扱う場合に要求され
、広帯域にわたる周波数雑音の低減化を実現する半導体
レーザ装置に関するものである。
、広帯域にわたる周波数雑音の低減化を実現する半導体
レーザ装置に関するものである。
「従来技術」
光を効率よく通信、精密測定の分野で利用するには、光
の位相、周波数情報を用いることが適切であり、周波数
雑音の少ないコヒーレンスの高い光源が望まれる。半導
体レーザは長寿命、小型、高効率を誇シ、発振周波数が
可変である等の特徴を有し、様々な応用が考えられてい
る。しかしこの半導体レーザは周波数雑音に関して問題
があシ、その改善が不可欠である。
の位相、周波数情報を用いることが適切であり、周波数
雑音の少ないコヒーレンスの高い光源が望まれる。半導
体レーザは長寿命、小型、高効率を誇シ、発振周波数が
可変である等の特徴を有し、様々な応用が考えられてい
る。しかしこの半導体レーザは周波数雑音に関して問題
があシ、その改善が不可欠である。
従来提案された半導体レーザの周波数雑音低減化装置と
しては周波数雑音の低周波成分を抑圧することを目的と
した発振周波数の安定化装置と、高周波成分を抑圧する
ことを目的とした発振スペクトル幅低減化装置とがそれ
ぞれ独立に用いられてきた。しかしこれらを同時に実現
化するよう々発振周波数が高度に安′定化ユさｊれ、か
つスペクトル幅の狭い広帯域にわたる周波数雑音低減化
装置は上記応用に対し極めて重要である。
しては周波数雑音の低周波成分を抑圧することを目的と
した発振周波数の安定化装置と、高周波成分を抑圧する
ことを目的とした発振スペクトル幅低減化装置とがそれ
ぞれ独立に用いられてきた。しかしこれらを同時に実現
化するよう々発振周波数が高度に安′定化ユさｊれ、か
つスペクトル幅の狭い広帯域にわたる周波数雑音低減化
装置は上記応用に対し極めて重要である。
従来の周波数安定化装置では、半導体レーザを直接変調
するものであシ、周波数制御信号をロックインアンプか
ら得るものがほとんどであり、ｉ ｏ ｏ ）（ｚ程度
以上の帯域においては周波数雑音の抑圧は不可能であり
、発振スペクトル幅も広いまま（１，５μ’ｍ帯Ｉ。Ｇ
ａＡ５Ｐレーザでは１００ ＭＨｚ程度）である。１０
０ ＫＨ２程度以下の帯域において周波数雑音を抑圧す
るためにファブリペロ干渉計を用いた安定化の例がある
が、温度変動に起因する干渉計の共振周波数の変動が存
在し、長期安定度、再現性の点で問題がある。
するものであシ、周波数制御信号をロックインアンプか
ら得るものがほとんどであり、ｉ ｏ ｏ ）（ｚ程度
以上の帯域においては周波数雑音の抑圧は不可能であり
、発振スペクトル幅も広いまま（１，５μ’ｍ帯Ｉ。Ｇ
ａＡ５Ｐレーザでは１００ ＭＨｚ程度）である。１０
０ ＫＨ２程度以下の帯域において周波数雑音を抑圧す
るためにファブリペロ干渉計を用いた安定化の例がある
が、温度変動に起因する干渉計の共振周波数の変動が存
在し、長期安定度、再現性の点で問題がある。
従来の発振スペクトル幅低減化装置には外部回折格子を
用いた光フィードバック（帰還）が利用され、１．５μ
ｍ帯■ｎＧａＡ、Ｐレーザで１０’ＫＨ２程度を実現し
た報告（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉ、ｅｆｔ １９ 、１１
０ ＋１９８３）があるが、レーザの劣化、温度による
外部共振器の変動等により、隣接する発振モードへの飛
びが起こるため発振周波数の長期安定度、再現性の点で
問題があった。
用いた光フィードバック（帰還）が利用され、１．５μ
ｍ帯■ｎＧａＡ、Ｐレーザで１０’ＫＨ２程度を実現し
た報告（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉ、ｅｆｔ １９ 、１１
０ ＋１９８３）があるが、レーザの劣化、温度による
外部共振器の変動等により、隣接する発振モードへの飛
びが起こるため発振周波数の長期安定度、再現性の点で
問題があった。
この発明の第１の目的は高い周波数まで雑音を抑圧する
ことができる半導体レーザ装置を提供することにある。
ことができる半導体レーザ装置を提供することにある。
この発明の第２の目的は光フィードバックを用いず電気
的なフィードバック制御を用いるだけで周波数の安定化
と発振スペクトル幅の低減化とを同時に実現し、周波数
雑音を広帯域にわたって低減化し、しかも発振周波数の
再現性が保障され、精密計測用光源として通信用の周波
数基準レーザなど−としての応用が可能な半導体レーザ
装置を提供することにある。
的なフィードバック制御を用いるだけで周波数の安定化
と発振スペクトル幅の低減化とを同時に実現し、周波数
雑音を広帯域にわたって低減化し、しかも発振周波数の
再現性が保障され、精密計測用光源として通信用の周波
数基準レーザなど−としての応用が可能な半導体レーザ
装置を提供することにある。
「問題点を解決するための手段」
この発明によれば半導体レーザよりの光を外部変調器に
おいて発振器の出力で周波数変調し、その変調出力光を
周波数基準に通し、その通過光を電気信号に変換し、そ
の電気信号を位相検波器において、上記発振器の出力に
より位相検波する。
おいて発振器の出力で周波数変調し、その変調出力光を
周波数基準に通し、その通過光を電気信号に変換し、そ
の電気信号を位相検波器において、上記発振器の出力に
より位相検波する。
この検波出力により上記半導体レーザの発振周波数が周
波数基準の周波数になるように帰還制御する。このよう
に外部変調を用いることにより高い周波数まで変調する
ことができ、このため高い周波数の雑音も抑圧すること
ができる。
波数基準の周波数になるように帰還制御する。このよう
に外部変調を用いることにより高い周波数まで変調する
ことができ、このため高い周波数の雑音も抑圧すること
ができる。
半導体レーザの出力光を分岐し、その分岐光を周波数二
次基準に通し、そのｉＭ通過光電気信号に変換し、その
電気信号と基準周波数と対応した直流信号との差を差動
増幅器で検出し、その検出出力により半導体レーザを帰
還制御して上記差動増幅器の二つの入力が等しくなるよ
うにする。このように電気的制御により発振スペクトル
幅を狭くすることができる。
次基準に通し、そのｉＭ通過光電気信号に変換し、その
電気信号と基準周波数と対応した直流信号との差を差動
増幅器で検出し、その検出出力により半導体レーザを帰
還制御して上記差動増幅器の二つの入力が等しくなるよ
うにする。このように電気的制御により発振スペクトル
幅を狭くすることができる。
半導体レーザ１１からの出力光はハーフミラ１２で２分
され、その一方は外部変調器１３で発振器１４の発振出
力により周波数変調され、その変調出力光は周波数基準
（気体セル）１５に入射される。周波数基準１５を通過
した光は受光器１６で電気信号に変換されて位相検波器
１７へ供給される。発振器１４の発振出力は移相回路１
８を通じて位相検波器１７へも供給され、この発振出力
により位相検波器１７で受光器１６の出力を位相検波す
る。その検波出力はフィードバック（帰還）回路１９を
通じて半導体レーザ１１へ帰還される。
され、その一方は外部変調器１３で発振器１４の発振出
力により周波数変調され、その変調出力光は周波数基準
（気体セル）１５に入射される。周波数基準１５を通過
した光は受光器１６で電気信号に変換されて位相検波器
１７へ供給される。発振器１４の発振出力は移相回路１
８を通じて位相検波器１７へも供給され、この発振出力
により位相検波器１７で受光器１６の出力を位相検波す
る。その検波出力はフィードバック（帰還）回路１９を
通じて半導体レーザ１１へ帰還される。
これらは半導体レーザ１１の発振周波数を絶対的な周波
数にロックする周波数安定化部２１を構成している。
数にロックする周波数安定化部２１を構成している。
ハーフミラ１２で分岐された能力の光は周波数二次基準
（ファブリペロ干渉計）２２に入力され、周波数二次基
準２２を通った光は受光器２３で電気信号に変換される
。その電気信号は差動増幅器２４に入力され、端子２５
からの基準信号との差が検出され、その検出出力はフィ
ードバック（帰還）回路２６を通じて半導体レーザ１１
に帰還される。この部分は絶対周波数に安定化された半
導体レーザ１１の高周波雑音の抑圧を行い、発振スペク
トル幅の低減化を実現する発振スペクトル幅低減化部２
７を構成している。
（ファブリペロ干渉計）２２に入力され、周波数二次基
準２２を通った光は受光器２３で電気信号に変換される
。その電気信号は差動増幅器２４に入力され、端子２５
からの基準信号との差が検出され、その検出出力はフィ
ードバック（帰還）回路２６を通じて半導体レーザ１１
に帰還される。この部分は絶対周波数に安定化された半
導体レーザ１１の高周波雑音の抑圧を行い、発振スペク
トル幅の低減化を実現する発振スペクトル幅低減化部２
７を構成している。
差動増幅器２４の出力はフィードバック回路２８を通じ
て周波数二次基準２２にも供給され、この部分で周波数
二次基準（ファブリペロ干渉計）２２を安定化する周波
数基準安定化部２９が構成されるＯ 第１図中で信号の流れを示す実線は電気信号、波線は光
信号を表わしている。半導体レーザ１１の周波数制御に
は温度と電流とが利用できるが、ここでは例として半導
体レーザ１１を１／１００°Ｃ程度に安定化した恒温槽
に入れ、注入電流の制御を行うものとする。
て周波数二次基準２２にも供給され、この部分で周波数
二次基準（ファブリペロ干渉計）２２を安定化する周波
数基準安定化部２９が構成されるＯ 第１図中で信号の流れを示す実線は電気信号、波線は光
信号を表わしている。半導体レーザ１１の周波数制御に
は温度と電流とが利用できるが、ここでは例として半導
体レーザ１１を１／１００°Ｃ程度に安定化した恒温槽
に入れ、注入電流の制御を行うものとする。
外部変調器１３で周波数変調されたレーザ光３１は周波
数基準１５を通して検波され、その出力は位相検波器１
７で移相回路１８からの参照信号３２と比較することに
より抽出される。外部変調器１３には例えば−辺０．３
鶴の正方形断面を持つ長き４傭のＬｉＮｂＯ３のバルク
結晶を発振器１４の周波数ｆｍを持つ発振出力で駆動し
て入力光を位相変調するものを用いる。この時１５μｍ
の光に対し、発振器１４から位相をπだけずらす電圧（
５０ｖｐｐ程度）を出力させて外部変調器１３に与える
と、最大周波数偏移πｆｍ／２の周波数変調光３１が得
られる。
数基準１５を通して検波され、その出力は位相検波器１
７で移相回路１８からの参照信号３２と比較することに
より抽出される。外部変調器１３には例えば−辺０．３
鶴の正方形断面を持つ長き４傭のＬｉＮｂＯ３のバルク
結晶を発振器１４の周波数ｆｍを持つ発振出力で駆動し
て入力光を位相変調するものを用いる。この時１５μｍ
の光に対し、発振器１４から位相をπだけずらす電圧（
５０ｖｐｐ程度）を出力させて外部変調器１３に与える
と、最大周波数偏移πｆｍ／２の周波数変調光３１が得
られる。
周波数基準１５には絶対的々周波数を持ち急峻な特性を
有するものが望ましく、ｙｕとして気体の吸収線を用い
るものとする。この気体としては１５μｍ帯ではＮＨ３
，ＣＯ２，Ｈ２Ｏ、ＨＣＮ 、 ＣＨ８Ｃノ等、１３帯
ではＣＨ４，ＮＨ３，Ｈ２Ｏ、ＨＦ等、０．８ ｐ ｍ
帯ではＨ２Ｏ、Ｒｂ 、 Ｃ５等がある。位相検波器１
７にはロックインアンプ、バランスドミキサ等が使用で
きる。
有するものが望ましく、ｙｕとして気体の吸収線を用い
るものとする。この気体としては１５μｍ帯ではＮＨ３
，ＣＯ２，Ｈ２Ｏ、ＨＣＮ 、 ＣＨ８Ｃノ等、１３帯
ではＣＨ４，ＮＨ３，Ｈ２Ｏ、ＨＦ等、０．８ ｐ ｍ
帯ではＨ２Ｏ、Ｒｂ 、 Ｃ５等がある。位相検波器１
７にはロックインアンプ、バランスドミキサ等が使用で
きる。
このようにして位相検波器１７の出力として誤差信号３
３が得られ、この誤差信号と周波数の関係、すなわち周
波数弁別特性は第２図Ａに示すような周波数基準１５の
透過特性を周波数で一次微分した第２図Ｂの特性で与え
られる。第２図Ａの透過特性は基準周波数ｆ。が最小で
、これよシ周波数が高ぐなρても低くなっても透過光強
度が大になる。誤差信号３３は基準周波数ｆ。よシ低く
なると負となシ、高くなると正になる。誤差信号３３は
゛ フィードバック回路１９を通して半導体レーザ１１
の注入電流に加えられ、その発振周波数が周波数基準１
５０基準周波数ｆ０になるように制御される。
３が得られ、この誤差信号と周波数の関係、すなわち周
波数弁別特性は第２図Ａに示すような周波数基準１５の
透過特性を周波数で一次微分した第２図Ｂの特性で与え
られる。第２図Ａの透過特性は基準周波数ｆ。が最小で
、これよシ周波数が高ぐなρても低くなっても透過光強
度が大になる。誤差信号３３は基準周波数ｆ。よシ低く
なると負となシ、高くなると正になる。誤差信号３３は
゛ フィードバック回路１９を通して半導体レーザ１１
の注入電流に加えられ、その発振周波数が周波数基準１
５０基準周波数ｆ０になるように制御される。
周波数安定化部２１で絶対周波数安定化が達成されたレ
ーザに対し、発振スペクトル幅低減化部２７では高周波
雑音の低減化を行う。ここでは−例としてファブリペロ
干渉計の透過特性を周波数二次基準２２として用い、フ
ィードバック制御を行う。第３図Ａに示すようにファブ
リペロ干渉計２２の透過光強度−周波数特性は共振周波
数で最大となる。その最大周波数よシずれ、直線性の優
れた透過特性の傾斜部に基準周波数ｆ。を位置させ周波
数弁別特性として使用する。差動増幅器２４の出力３４
．３５を基準周波数ｆ。でゼロ、これよシ高くなると正
の信号を出力し、低くなると負の信号を出力し、しかも
直線的に変化するものとすることができる。つまシ周波
数基準点ｆ。は弁別特性の中央とし、基準差動入力端子
２５に加える電圧で決定する。この周波数基準点ｆ。と
レーザ光の周波数差は差動増幅器２４から得られる誤差
信号３４．３５としてフィードバック回路２６．２８に
入力される。フィードバック回路２６は誤差信号３４の
高周波成分を半導体レーザ１１の注入電流にフィードバ
ックし、レーザの高周波雑音の低減化、スペクトル幅の
低減化を実現する。
ーザに対し、発振スペクトル幅低減化部２７では高周波
雑音の低減化を行う。ここでは−例としてファブリペロ
干渉計の透過特性を周波数二次基準２２として用い、フ
ィードバック制御を行う。第３図Ａに示すようにファブ
リペロ干渉計２２の透過光強度−周波数特性は共振周波
数で最大となる。その最大周波数よシずれ、直線性の優
れた透過特性の傾斜部に基準周波数ｆ。を位置させ周波
数弁別特性として使用する。差動増幅器２４の出力３４
．３５を基準周波数ｆ。でゼロ、これよシ高くなると正
の信号を出力し、低くなると負の信号を出力し、しかも
直線的に変化するものとすることができる。つまシ周波
数基準点ｆ。は弁別特性の中央とし、基準差動入力端子
２５に加える電圧で決定する。この周波数基準点ｆ。と
レーザ光の周波数差は差動増幅器２４から得られる誤差
信号３４．３５としてフィードバック回路２６．２８に
入力される。フィードバック回路２６は誤差信号３４の
高周波成分を半導体レーザ１１の注入電流にフィードバ
ックし、レーザの高周波雑音の低減化、スペクトル幅の
低減化を実現する。
ファブリペロ干渉計の透過特性には温度変動による周波
数変動が存在するため、干渉計の安定化が不可欠である
。このためファブリペロ干渉計には共振器長を制御でき
るようにＰＺＴ駆動部を有するものを用い、温度補償を
実現するために周波数基準安定化部２９を用いる。すな
わちフィードバック回路２８から出力される誤差信号３
５の低周波成分をファブリペロ干渉計２２のＰＺＴ駆動
部に加え、共振器長制御を行う。これにより周波数基準
１５の吸収線が有する絶対的な周波数に安定化されたレ
ーザ光によってファブリペロ干渉計２２の透過特性が固
定されたことになシ、ファプリペロ干渉計２２を周波数
二次基準として使用することが可能となる。
数変動が存在するため、干渉計の安定化が不可欠である
。このためファブリペロ干渉計には共振器長を制御でき
るようにＰＺＴ駆動部を有するものを用い、温度補償を
実現するために周波数基準安定化部２９を用いる。すな
わちフィードバック回路２８から出力される誤差信号３
５の低周波成分をファブリペロ干渉計２２のＰＺＴ駆動
部に加え、共振器長制御を行う。これにより周波数基準
１５の吸収線が有する絶対的な周波数に安定化されたレ
ーザ光によってファブリペロ干渉計２２の透過特性が固
定されたことになシ、ファプリペロ干渉計２２を周波数
二次基準として使用することが可能となる。
この発明の動作を得る手順を以下に示す。半導体レーザ
１１の発振周波数を絶対的な周波数を有する原子、分子
の吸収線にロックすることにより周波数安定化を実現す
る。この周波数安定化半導体レーザの出力光を用い、周
波数二次基準となるファブリペロ干渉計２２を安定化す
る。このファブリペロ干渉計２２から得られる半導体レ
ーザの高周波雑音を利用し、半導体レーザ１１の周波数
雑音抑圧帯域を拡大し、発振スペクトル幅の低減化を実
現する。
１１の発振周波数を絶対的な周波数を有する原子、分子
の吸収線にロックすることにより周波数安定化を実現す
る。この周波数安定化半導体レーザの出力光を用い、周
波数二次基準となるファブリペロ干渉計２２を安定化す
る。このファブリペロ干渉計２２から得られる半導体レ
ーザの高周波雑音を利用し、半導体レーザ１１の周波数
雑音抑圧帯域を拡大し、発振スペクトル幅の低減化を実
現する。
周波数安定化部２１のみを用い、かつ比較的高い周波数
も検波できるように位相検波器１７に例えばバランスド
ミキサを用いて外部変調器１３を用いているため変調周
波数を数１００ ＭＨ２程度以上と高くすることができ
、これにより発振周波数を原子、分子の吸収線にロック
し、１００ＭＨ２程度までの周波数雑音の低減化が行え
る。なおこのように高い周波数まで雑音を抑圧できるた
め、発振スペクトル幅を狭くすることができる。
も検波できるように位相検波器１７に例えばバランスド
ミキサを用いて外部変調器１３を用いているため変調周
波数を数１００ ＭＨ２程度以上と高くすることができ
、これにより発振周波数を原子、分子の吸収線にロック
し、１００ＭＨ２程度までの周波数雑音の低減化が行え
る。なおこのように高い周波数まで雑音を抑圧できるた
め、発振スペクトル幅を狭くすることができる。
「発明の効果」
以上説明したようにこの発明によれば外部変調器を用い
たため高い周波数まで変調することができ、高い周波数
まで雑音を抑圧することができる。
たため高い周波数まで変調することができ、高い周波数
まで雑音を抑圧することができる。
また電気信号を用いたフィードバック制御だけを利用し
、広帯域にわたる周波数雑音の抑圧およびスペクトル幅
の低減化を同時に実現できる。さらにレーザの発振周波
数を原子あるいは分子の吸収線ヘロツクすることから、
再現性、長期安定性にも優れ、周波数基準レーザとして
使用できる。従ってオフセットロックＣＩ ＥＥＥ、Ｊ
、 ＱｕａｎｔｕｍＥＩｅｃｔｒｏｎ。
、広帯域にわたる周波数雑音の抑圧およびスペクトル幅
の低減化を同時に実現できる。さらにレーザの発振周波
数を原子あるいは分子の吸収線ヘロツクすることから、
再現性、長期安定性にも優れ、周波数基準レーザとして
使用できる。従ってオフセットロックＣＩ ＥＥＥ、Ｊ
、 ＱｕａｎｔｕｍＥＩｅｃｔｒｏｎ。
ＱＥ−１７，１１００（１９８１））の技術を応用する
ことにより、所望の周？＆数においてコヒーレンスのよ
い光源を得ることができる。特に光ファイバの最小損失
波長域である１、５μｍ帯での応用は通信用光源として
コヒーレンス向上による最低受信レベルを低くすること
が可能となるだけでなく、光ファイバを用いた様々なセ
ンサ（ＩＥＥＥ。
ことにより、所望の周？＆数においてコヒーレンスのよ
い光源を得ることができる。特に光ファイバの最小損失
波長域である１、５μｍ帯での応用は通信用光源として
コヒーレンス向上による最低受信レベルを低くすること
が可能となるだけでなく、光ファイバを用いた様々なセ
ンサ（ＩＥＥＥ。
Ｊ 、Ｑｕａｎｔｕｍ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ、ＱＥ−１８
ｅ ６２６（１９８２））やジャイロスコープ（Ｐｒ０
Ｃ，５ＰＩＥ、１５７．１３１（１９７８））等に利用
すれば単体の半導体レーザを用いる場合と比較し、飛躍
的な精度の向上刃！期待できるという利点がある。
ｅ ６２６（１９８２））やジャイロスコープ（Ｐｒ０
Ｃ，５ＰＩＥ、１５７．１３１（１９７８））等に利用
すれば単体の半導体レーザを用いる場合と比較し、飛躍
的な精度の向上刃！期待できるという利点がある。
第１図はこの発明の半導体レーザ装置の一実施例を示す
ブロック図、第２図は周波数基準とする原子、分子の吸
収線とこれによる周波数弁５５１Ｊ特性の例を示す図、
第３図は周波数二次基準とするファブリペロ干渉計の透
過特性とこれによる周波数弁別特性の例を示す図である
。 １１；半導体レーザ、１２：ノ・−フミラ、１３：外部
変調器、１４：発振器、１５：周波数基準（気体セル）
、１６，２３：受光器、１７二位相検波器、１８：移相
器、１９ 、２６ 、２８：フィードバック回路、２２
：周波数二次基準（ファブリペロ干渉計Ｌ２４：差動増
申品器、２５：基準差動入力端子。 特許出願人 日本電信電話公社 代 理 人 草 野 卓オ １ 図 第２図 オ ３ 図
ブロック図、第２図は周波数基準とする原子、分子の吸
収線とこれによる周波数弁５５１Ｊ特性の例を示す図、
第３図は周波数二次基準とするファブリペロ干渉計の透
過特性とこれによる周波数弁別特性の例を示す図である
。 １１；半導体レーザ、１２：ノ・−フミラ、１３：外部
変調器、１４：発振器、１５：周波数基準（気体セル）
、１６，２３：受光器、１７二位相検波器、１８：移相
器、１９ 、２６ 、２８：フィードバック回路、２２
：周波数二次基準（ファブリペロ干渉計Ｌ２４：差動増
申品器、２５：基準差動入力端子。 特許出願人 日本電信電話公社 代 理 人 草 野 卓オ １ 図 第２図 オ ３ 図
Claims (2)
- （１）半導体レーザと、該半導体レーザの出力光が入射
される外部変調器と、その外部変調器に発振出力を供給
して上記半導体レーザの出力光を周波数変調する発振器
と、上記外部変調器からの変調された光を通過させる周
波数基準と、その周波数基準を透過した光を受光して電
気信号に変換する受光器と、その受光器の出力を、上記
発振器の出力を参照信号として位相検波する位相検波器
と、その位相検波器の検波出力により上記半導体レーザ
の発振周波数を上記周波数基準の周波数に一致するよう
に制御する第１フィードバック回路とを有する半導体レ
ーザ装置。 - （２）上記半導体レーザの出力光を分岐する分岐手段と
、その分岐された出力光を通過させる周波数二次基準と
、その周波数二次基準を通過した光を受光して電気信号
に変換する受光器と、その受光器からの信号と、基準周
波数に対応する電圧とを差動増幅する差動増幅器と、そ
の差動増幅器からの出力により上記半導体レーザの発振
周波数を制御して上記差動増幅器の両入力が一致するよ
うにする第２のフィードバック回路とを有する特許請求
の範囲第１項記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15235584A JPS6130088A (ja) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15235584A JPS6130088A (ja) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6130088A true JPS6130088A (ja) | 1986-02-12 |
| JPH0139668B2 JPH0139668B2 (ja) | 1989-08-22 |
Family
ID=15538729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15235584A Granted JPS6130088A (ja) | 1984-07-23 | 1984-07-23 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6130088A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62171174A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-28 | Yokogawa Electric Corp | 半導体レ−ザ波長安定化装置 |
| JPS637687A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-13 | Yokogawa Electric Corp | 半導体レ−ザ波長安定化装置 |
| JPS63110315A (ja) * | 1986-10-27 | 1988-05-14 | Sutorongu Hoorudo Internatl Japan Kk | フアイバ−コンクリ−トの施工法 |
| JPS63137494A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-09 | Fujitsu Ltd | 半導体レ−ザの周波数安定化装置 |
| JPH0296388A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-09 | Kiyoji Uehara | 波長安定化光源 |
| JPH02214801A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-08-27 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | 光吸収セル |
| JPH02216880A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-08-29 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | 光周波数安定化装置 |
| JPH02292885A (ja) * | 1989-05-01 | 1990-12-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 発振波長安定化半導体レーザ装置 |
| WO2009117101A1 (en) * | 2008-03-18 | 2009-09-24 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Self-calibrating integrated photonic circuit and method of control thereof |
| JP2019145782A (ja) * | 2017-12-12 | 2019-08-29 | コミサリア ア レネルジ アトミク エ オウ エネルジ アルタナティヴ | 単色光信号のエミッタ |
-
1984
- 1984-07-23 JP JP15235584A patent/JPS6130088A/ja active Granted
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62171174A (ja) * | 1986-01-24 | 1987-07-28 | Yokogawa Electric Corp | 半導体レ−ザ波長安定化装置 |
| JPH0459796B2 (ja) * | 1986-01-24 | 1992-09-24 | Yokogawa Electric Corp | |
| JPH0459797B2 (ja) * | 1986-06-27 | 1992-09-24 | Yokogawa Electric Corp | |
| JPS637687A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-13 | Yokogawa Electric Corp | 半導体レ−ザ波長安定化装置 |
| JPS63110315A (ja) * | 1986-10-27 | 1988-05-14 | Sutorongu Hoorudo Internatl Japan Kk | フアイバ−コンクリ−トの施工法 |
| JPS63137494A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-09 | Fujitsu Ltd | 半導体レ−ザの周波数安定化装置 |
| JPH0296388A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-09 | Kiyoji Uehara | 波長安定化光源 |
| JPH02216880A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-08-29 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | 光周波数安定化装置 |
| JPH02214801A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-08-27 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | 光吸収セル |
| JPH02292885A (ja) * | 1989-05-01 | 1990-12-04 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 発振波長安定化半導体レーザ装置 |
| WO2009117101A1 (en) * | 2008-03-18 | 2009-09-24 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Self-calibrating integrated photonic circuit and method of control thereof |
| US7688872B2 (en) | 2008-03-18 | 2010-03-30 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Self-Calibrating integrated photonic circuit and method of control thereof |
| JP2019145782A (ja) * | 2017-12-12 | 2019-08-29 | コミサリア ア レネルジ アトミク エ オウ エネルジ アルタナティヴ | 単色光信号のエミッタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0139668B2 (ja) | 1989-08-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5687261A (en) | Fiber-optic delay-line stabilization of heterodyne optical signal generator and method using same | |
| US6580532B1 (en) | Opto-electronic techniques for reducing phase noise in a carrier signal by carrier supression | |
| US5777778A (en) | Multi-Loop opto-electronic microwave oscillator with a wide tuning range | |
| Helmcke et al. | Dye laser spectrometer for ultrahigh spectral resolution: design and performance | |
| US5243610A (en) | Optical fiber dispersion-compensating device | |
| US20040208643A1 (en) | Coherent optical receivers | |
| KR100309909B1 (ko) | 반도체 레이저의 주파수 안정방법 및 그 장치 | |
| JPH05275786A (ja) | イン・ファイバー格子共振器に周波数ロックした光信号源 | |
| US7379672B2 (en) | Photonic RF distribution system | |
| JP2002162659A (ja) | シングルサイドバンド光周波数コム発生方法及び装置 | |
| CN111048969B (zh) | 一种基于受激布里渊散射效应的倍频光电振荡器 | |
| Bertinetto et al. | Frequency stabilization of DBR diode laser against Cs absorption lines at 852 nm using the modulation transfer method | |
| JPS6130088A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| Yanagawa et al. | Frequency stabilization of an InGaAsP distributed feedback laser to an NH3 absorption line at 15137 Å with an external frequency modulator | |
| CN113078548A (zh) | 一种基于延迟差分前馈的激光器稳频装置及其方法 | |
| EP0585758B1 (en) | Optical wavelength converter | |
| US6512621B1 (en) | FM modulator | |
| CN114865445A (zh) | 基于调制边带频率锁定的频率可调超稳激光产生方法及激光*** | |
| CN112751621A (zh) | 一种基于激光频率偏移锁定的光纤微波频率传递*** | |
| US6359913B1 (en) | Stabilization of injection locking of CW lasers | |
| Day | Frequency-stabilized solid state lasers for coherent optical communications | |
| US3747004A (en) | Injection-locked laser stabilizer | |
| Liu et al. | Electro-optical phase-locked loop for hybrid integrated external cavity laser | |
| CN113900065A (zh) | 一种基于光电振荡环路的微波信号产生方法及微波信号源 | |
| JP3891361B2 (ja) | 周波数シンセサイザー |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |