JPS61296810A - Broad band trap circuit - Google Patents
Broad band trap circuitInfo
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- JPS61296810A JPS61296810A JP13972385A JP13972385A JPS61296810A JP S61296810 A JPS61296810 A JP S61296810A JP 13972385 A JP13972385 A JP 13972385A JP 13972385 A JP13972385 A JP 13972385A JP S61296810 A JPS61296810 A JP S61296810A
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- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は広帯域トラップ回路に関し、たとえばテレビ
ジョン受像機の映像検波回路の出力に含まれる音声搬送
波信号をトラップするような広帯域トラップ回路に関す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention This invention relates to a wideband trap circuit, such as a wideband trap circuit for trapping an audio carrier signal contained in the output of a video detection circuit of a television receiver.
従来の技術 第6図は従来の音声トラップ回路を示す回路図である。Conventional technology FIG. 6 is a circuit diagram showing a conventional voice trap circuit.
第6図において、入力端子1には図示しない映像検波回
路で検波された映像信号が与えられる。この映像信号は
抵抗2およびインダクタ3を介して映像増幅回路6に与
えられる。インダクタ3の両端と接地間にはセラミック
共振子4.5が接続される。このインダクタ3とセラミ
ック共振子4,5は4.5MH2の音声搬送波信号をト
ラップするためのトラップ回路を構成する。すなわち、
映像増幅回路6に入力される映像信号に含まれる音声搬
送波信号はトラップ回路によってトラップされる。映像
増幅回路6によって増幅された映像信号はカラー復調回
路7に与えられ、RlG、B信号がIllされ、ブラウ
ン管8に与えられる。In FIG. 6, an input terminal 1 is supplied with a video signal detected by a video detection circuit (not shown). This video signal is applied to a video amplification circuit 6 via a resistor 2 and an inductor 3. A ceramic resonator 4.5 is connected between both ends of the inductor 3 and ground. The inductor 3 and ceramic resonators 4 and 5 constitute a trap circuit for trapping a 4.5 MH2 audio carrier signal. That is,
The audio carrier signal included in the video signal input to the video amplification circuit 6 is trapped by the trap circuit. The video signal amplified by the video amplification circuit 6 is applied to a color demodulation circuit 7, and the RlG and B signals are converted to Ill and applied to the cathode ray tube 8.
発明が解決しようとする問題点
第7図は第6図に示したトラップ回路の減衰特性を示す
図である。上述の第6図に示したトラップ回路は、第7
図の実線aで示すように、周波数4.5MH2で最大減
衰量を有するような非常に狭い帯域の減衰特性を有して
いる。ところが、トラップ回路は、周囲温度が変化した
り経時変化に伴なって、第7図の一点鎖線すあるいは点
線Cに示すようなカーブになって周波数ドリフトを生じ
る。このため、4.5MHzの音声搬送波を除去するた
めに、周波数4.5MHzで最大減衰量を有しなければ
ならないにもがかわらず、周波数ドリフトにより減衰量
が急激に悪化し、バズなどを生じ、セット不良を発生す
るおそれがあった。Problems to be Solved by the Invention FIG. 7 is a diagram showing the attenuation characteristics of the trap circuit shown in FIG. 6. The trap circuit shown in FIG.
As shown by the solid line a in the figure, it has a very narrow band attenuation characteristic with maximum attenuation at a frequency of 4.5 MH2. However, as the ambient temperature changes or changes over time, the trap circuit becomes a curve as shown by the dashed line or the dotted line C in FIG. 7, causing frequency drift. For this reason, in order to remove the 4.5 MHz audio carrier wave, the maximum attenuation must be achieved at a frequency of 4.5 MHz, but the attenuation rapidly deteriorates due to frequency drift, causing buzz etc. , there was a risk of a set failure.
それゆえに、この発明の主たる目的は、トラップ周波数
を広帯域化することによって、周囲温度が変化したり経
時変化を生じても、特定周波数の信号を所定の減衰量で
除去し得る広帯域トラップ回路を提供゛することである
。Therefore, the main object of the present invention is to provide a broadband trap circuit that can remove signals of a specific frequency with a predetermined amount of attenuation even if the ambient temperature changes or changes over time by widening the trap frequency. It is to do.
問題点を解決するための手段
この発明の広帯域トラップ回路は、基板の上に電極を形
成し、同時に発生する厚み滑り振動と厚みねじれ振動に
よってそれぞれが異なりかつ接近した2つの共振周波数
を有するようにして減衰帯域幅を拡張したものである。Means for Solving the Problems The broadband trap circuit of the present invention forms electrodes on a substrate, and has two resonant frequencies that are different and close to each other due to thickness shear vibration and thickness torsion vibration that occur simultaneously. The attenuation bandwidth is expanded.
作用
この発明の広帯域トラップ回路は、2つの共振周波数を
接近させることによって、減衰帯域特性を広帯域化でき
るので、周囲湿度が変化したり経時変化を生じても減衰
量が低下することはないので、特定周波数の信号を所定
の減衰量で除去できる。Operation: The broadband trap circuit of the present invention can widen the attenuation band characteristics by bringing two resonant frequencies close to each other, so the amount of attenuation will not decrease even if the ambient humidity changes or changes over time. Signals of specific frequencies can be removed with a predetermined amount of attenuation.
実施例
第2図はダブルトラップ素子の外観斜視図であり、第3
図は第2図に示したダブルトラップ素子の減衰特性を示
す図である。Example Fig. 2 is an external perspective view of the double trap element, and Fig. 3 is an external perspective view of the double trap element.
This figure is a diagram showing the attenuation characteristics of the double trap element shown in FIG. 2.
まず、第2図を参照して、ダブルトラップ素子21の構
成について説明する。圧電基板211の一方表面には入
力電極212と出力電極213がそれぞれ干渉しない位
置に設けられる。入力電極212には引出電極214が
接続され、出力電極213には引出電極215が接続さ
れる。圧電基板211の他方表面には、入力電極212
I3よび出力電極213にそれぞれ対向するように、共
通電極216および217が設けられる。そして、2つ
の共通電極216および217は引出電極218によっ
て共通接続される。First, the configuration of the double trap element 21 will be explained with reference to FIG. An input electrode 212 and an output electrode 213 are provided on one surface of the piezoelectric substrate 211 at positions where they do not interfere with each other. An extraction electrode 214 is connected to the input electrode 212, and an extraction electrode 215 is connected to the output electrode 213. An input electrode 212 is provided on the other surface of the piezoelectric substrate 211.
Common electrodes 216 and 217 are provided to face I3 and output electrode 213, respectively. The two common electrodes 216 and 217 are commonly connected by an extraction electrode 218.
上述のごとく構成されたダブルトラップ素子21におい
て、分極方向は第2図に示す矢印P方向とする。したが
って、入力電極212と共通電極216f!!!で、エ
ネルギ閉込め型厚み滑り振動(Thickness
5hear IMode >により、周波数f1で共振
が起きると同時に、エネルギ閉込め型厚みねじれ振動(
Thickness 7w1st abode )に
より周波数「2で共振が起きる(r + <f 2また
はf’s[、とする)。同様に、出力電極213と共通
電極217間でエネルギ閉込め型厚み滑り振動により、
周波数「、で共振が起きると同時にエネルギ閉込め型厚
みねじれ振動により周波数「2で共振が起きる(f 、
<f 2またはf 2<f 、とする)。In the double trap element 21 configured as described above, the polarization direction is the direction of arrow P shown in FIG. Therefore, input electrode 212 and common electrode 216f! ! ! The energy-confined thickness-slip vibration (Thickness)
5hear IMode>, resonance occurs at frequency f1, and at the same time energy confinement type thickness torsional vibration (
Thickness 7w1st abode) causes resonance at frequency 2 (r + < f 2 or f's [,).Similarly, due to energy-confined thickness shear vibration between the output electrode 213 and the common electrode 217,
Resonance occurs at frequency ``, and at the same time resonance occurs at frequency ``2'' due to energy-confined thickness torsional vibration (f,
< f 2 or f 2 < f ).
入力電極212および共通電極216が関与する共振と
、出力電極213および共通電極217が関与する共振
は互いに独立して生じている。Resonance involving input electrode 212 and common electrode 216 and resonance involving output electrode 213 and common electrode 217 occur independently of each other.
したがって、このようなダブルトラップ素子21の引出
電極214.218問および引出電極215.218間
の共振特性は、いずれも第3図に示すようになり、2つ
の周波数r、、r2の振動をトラップすることになる。Therefore, the resonance characteristics between the extraction electrodes 214 and 218 and the extraction electrodes 215 and 218 of such a double trap element 21 are as shown in FIG. I will do it.
なお、入力電極212および共通電極216の幅aと長
さbの寸法を変えることにより、周波数f、およびr2
を任意の値に変えることができる。同様にして、出力電
極213および共通電極217の幅aと長さbの寸法を
変えることにより、周波数[、およびr2を任意の値に
変えることができる。この発明では、このような共振周
波数f、、f2を近づけて広帯域化することを特徴とし
ている。Note that by changing the width a and length b of the input electrode 212 and the common electrode 216, the frequency f and r2
can be changed to any value. Similarly, by changing the width a and length b of the output electrode 213 and the common electrode 217, the frequency [, and r2 can be changed to arbitrary values. The present invention is characterized in that the resonant frequencies f, , f2 are made close to each other to provide a wide band.
第1図はこの発明の一実施例を構成する2つのダブルト
ラップ素子のそれぞれの外観斜視図であり、第4図は同
じく断面図である。FIG. 1 is an external perspective view of two double trap elements constituting an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a sectional view of the same.
次に、2つのダブルトラップ素子21.22を積層して
広帯域化を図ったトラップ回路デバイス20の構成につ
いて説明する。一方のダブルトラップ素子21は前述の
第2図と同様にして構成されるが、引出電極214.2
15および218は、圧電基板211の短辺方向の一端
から他端から延びるように形成される。そして、入力電
極212と共通電極216のそれぞれの幅aと長さbは
たとえば厚み滑り撮動により周波数4.35MH2で共
振するとともに、厚みねじれ振動により周波数4.5M
1−12で共振するように選ばれる。Next, a description will be given of the configuration of the trap circuit device 20 in which two double trap elements 21 and 22 are stacked to achieve a wide band. One double trap element 21 is constructed in the same manner as in FIG. 2 described above, but the extraction electrode 214.
15 and 218 are formed to extend from one end of the piezoelectric substrate 211 in the short side direction to the other end. The width a and length b of each of the input electrode 212 and the common electrode 216 resonate at a frequency of 4.35 MH2 due to thickness shear imaging, and a frequency of 4.5 MH2 due to thickness torsional vibration.
1-12 to resonate.
同様にして、出力電極213と共通電極217の幅と長
さも、厚み滑り振動により周波数4.35MHzで共振
するとともに、厚みねじれ振動により周波数4.5MH
zで共振するように選ばれる。Similarly, the width and length of the output electrode 213 and the common electrode 217 resonate at a frequency of 4.35 MHz due to thickness shear vibration, and also resonate at a frequency of 4.5 MHz due to thickness torsional vibration.
chosen to resonate at z.
他方のダブルトラップ素子22も一方のダブルトラップ
素子21と同様にして構成される。すなわち、ダブルト
ラップ素子22は、圧電基板221の一方表面に入力電
極222と引出電極224と出力電極223と引出電極
225とが形成され、他方表面には共通電極226.2
27および引出電極228が形成される。そして、入力
電極222および共通電極226の幅と長さはたとえば
、厚み滑り振動により周波数4.5M)−1zで共振す
るとともに、厚み滑りねじれ振動により周波数4゜65
MH2で共振するような寸法に選ばれる。The other double trap element 22 is also constructed in the same manner as the one double trap element 21. That is, in the double trap element 22, an input electrode 222, an extraction electrode 224, an output electrode 223, and an extraction electrode 225 are formed on one surface of a piezoelectric substrate 221, and a common electrode 226.2 is formed on the other surface.
27 and an extraction electrode 228 are formed. For example, the width and length of the input electrode 222 and the common electrode 226 resonate at a frequency of 4.5 M)-1z due to thickness shear vibration, and at a frequency of 4.65 M) due to thickness shear torsional vibration.
The dimensions are chosen to resonate at MH2.
同様にして、出力電極223と共通電極227の幅と長
さも、厚み滑り振動により周波数4.5M I−I Z
で共振するとともに、厚みねじれ振動により周波数4.
65MHzで共振するような寸法に選ばれる。Similarly, the width and length of the output electrode 223 and the common electrode 227 are also changed to a frequency of 4.5 M I-I Z due to thickness shear vibration.
At the same time, it resonates at frequency 4. due to thickness torsional vibration.
The dimensions are chosen so that it resonates at 65 MHz.
ダブルトラップ素子21.22は、エポキシ系接着剤P
!124を介して積JIi6れる。なお、このとき、エ
ポキシ系接着剤1124が振動をダンピングしないよう
に、また引出電極214と引出電極224との接続、引
出電極215と引出電極225との接続および引出電極
218と引出電極228との接続を妨げないようにして
おく。The double trap elements 21 and 22 are made of epoxy adhesive P.
! The product JIi6 is applied via 124. At this time, in order to prevent the epoxy adhesive 1124 from damping vibrations, the connections between the extraction electrodes 214 and 224, the connections between the extraction electrodes 215 and 225, and the connections between the extraction electrodes 218 and 228 are Make sure that it does not interfere with the connection.
さらに、第4図に示すように、一方のダブルトラップ素
子21の引出電極214.215および218のそれぞ
れの他端と、他方のダブルトラップ素子22の引出電極
224.225および228の他端とが導電性接着剤2
3によって電気的に接続される。なお、導電性接着剤2
3に代えてクリームはんだを用いるようにしてもよい。Furthermore, as shown in FIG. 4, the other ends of the extraction electrodes 214, 215 and 218 of one double trap element 21 and the other ends of extraction electrodes 224, 225 and 228 of the other double trap element 22 are connected to each other. Conductive adhesive 2
electrically connected by 3. In addition, conductive adhesive 2
Cream solder may be used instead of 3.
このようにして積層された2つのダブルトラップ素子2
1.22の引出電極214,215.228の各一端側
に外部引出リードを取付けた後、各素子21.22の振
動部分の動作を妨げないようにスペースをおいて樹脂外
装をしたり、ケースに封入する。Two double trap elements 2 stacked in this way
After attaching an external lead lead to one end of each of the lead electrodes 214, 215, and 228 of 1.22, a space is left in place so as not to interfere with the operation of the vibrating part of each element 21.22, and a case is covered with resin. Enclose in.
第5図は2つのダブルトラップ素子を積層したときにお
ける減衰特性を示す図である。前述の第1図および第4
図に示した2つのダブルトラップ素子21および22を
積層すると、第5図の実線に示すように、3つのトラッ
プ周波数を有する広帯域なトラップ回路を構成できる。FIG. 5 is a diagram showing the attenuation characteristics when two double trap elements are stacked. Figures 1 and 4 above
By stacking the two double trap elements 21 and 22 shown in the figure, a broadband trap circuit having three trap frequencies can be constructed, as shown by the solid line in FIG.
なお、3つのトラップ周波数をさらに接近させると、第
5図の点線で示すカーブのように帯域幅は狭くなるが、
減衰量を大きくすることができる。Note that if the three trap frequencies are brought closer together, the bandwidth will become narrower, as shown by the dotted line curve in Figure 5.
The amount of attenuation can be increased.
なお、上述の実施例では、2つのダブルトラップ素子2
1.22を並列的に積層した場合について説明したが、
これに限ることなく、3つ以上のダブルトラップ素子を
並列的に積層するようにしてもよい。そうすれば、さら
に広帯域なトラップ回路を構成できる。In addition, in the above-mentioned embodiment, two double trap elements 2
I explained the case where 1.22 was stacked in parallel, but
The present invention is not limited to this, and three or more double trap elements may be stacked in parallel. In this way, a trap circuit with an even wider band can be constructed.
発明の効果
以上のように、この発明によれば、基板の上に電極を設
け、同時に発生する厚み滑り振動と厚みねじれ撮動によ
ってそれぞれが異なりかつ接近した2つのトラップ周波
数を有するようにしたので、広帯域な減衰特性を得るこ
とができる。それによって、周囲温度が変化したり経時
変化などによる周波数ドリフ1〜を生じても、所望の信
号を減衰させるための減衰量が低下しないため、装置の
信頼性ならびに特性を向上できる。Effects of the Invention As described above, according to the present invention, an electrode is provided on the substrate, and two trap frequencies that are different and close to each other due to thickness shear vibration and thickness torsion imaging that occur simultaneously are provided. , it is possible to obtain broadband attenuation characteristics. As a result, even if frequency drift 1~ occurs due to changes in ambient temperature or changes over time, the amount of attenuation for attenuating a desired signal does not decrease, so the reliability and characteristics of the device can be improved.
第1図はこの発明の一実施例の2つのダブルトラップ素
子のそれぞれの外観斜視図である。第2図はこの発明の
一実施例を構成するダブルトラップ素子の外観斜視図で
ある。第3図は第2図に示したダブルトラップ素子の減
衰特性を示す図である。第4図は2つのダブルトラップ
素子を積層した場合の断面図である。第5図は2つのダ
ブルトラップ素子を積層したときの減衰特性を示す図で
ある。第6図は従来のテレビジョン受像機におけるトラ
ップ回路を示す回路図である。第7図は従来のトラップ
回路の減衰特性を示す図である。
図において、20は広帯域トラップ回路デバイス、21
.22はダブルトラップ素子、23は導電性接着剤、2
4はエポキシ樹脂、211,221は圧電基板、212
.222は入力電極、214.215.218,224
,225,228は引出電極、213.223は出力電
極、216゜217.226.227は共通電極を示す
。
躬2図
心3図
同波蚊FIG. 1 is an external perspective view of two double trap elements according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is an external perspective view of a double trap element constituting an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a diagram showing the attenuation characteristics of the double trap element shown in FIG. 2. FIG. 4 is a cross-sectional view of two double trap elements stacked together. FIG. 5 is a diagram showing the attenuation characteristics when two double trap elements are stacked. FIG. 6 is a circuit diagram showing a trap circuit in a conventional television receiver. FIG. 7 is a diagram showing the attenuation characteristics of a conventional trap circuit. In the figure, 20 is a broadband trap circuit device, 21
.. 22 is a double trap element, 23 is a conductive adhesive, 2
4 is an epoxy resin, 211 and 221 are piezoelectric substrates, 212
.. 222 is an input electrode, 214.215.218, 224
, 225, 228 are extraction electrodes, 213.223 are output electrodes, and 216°, 217.226.227 are common electrodes. Mosquito 2 drawing center 3 drawing same wave mosquito
Claims (1)
めの広帯域トラップ回路であつて、 基板と前記基板の上に設けられる電極とを含み、同時に
発生する厚み滑り振動と厚みねじれ振動によつて、それ
ぞれが異なりかつ接近した2つの共振周波数を有するよ
うにして減衰帯域幅を拡張した広帯域トラップ回路。[Claims] A broadband trap circuit for removing a signal with a specific frequency contained in a certain signal, which includes a substrate and an electrode provided on the substrate, and which eliminates thickness shear vibrations that occur simultaneously. A broadband trap circuit that expands the attenuation bandwidth by having two resonant frequencies that are different and close to each other through thickness torsional vibration.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13972385A JPS61296810A (en) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | Broad band trap circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13972385A JPS61296810A (en) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | Broad band trap circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61296810A true JPS61296810A (en) | 1986-12-27 |
Family
ID=15251896
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13972385A Pending JPS61296810A (en) | 1985-06-25 | 1985-06-25 | Broad band trap circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61296810A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03178211A (en) * | 1989-12-07 | 1991-08-02 | Murata Mfg Co Ltd | Piezoelectric resonator |
-
1985
- 1985-06-25 JP JP13972385A patent/JPS61296810A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03178211A (en) * | 1989-12-07 | 1991-08-02 | Murata Mfg Co Ltd | Piezoelectric resonator |
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