JPS61292329A - 半導体樹脂封止用成形装置 - Google Patents

半導体樹脂封止用成形装置

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JPS61292329A
JPS61292329A JP60132937A JP13293785A JPS61292329A JP S61292329 A JPS61292329 A JP S61292329A JP 60132937 A JP60132937 A JP 60132937A JP 13293785 A JP13293785 A JP 13293785A JP S61292329 A JPS61292329 A JP S61292329A
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Hisanobu Takahama
高浜 久延
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29CSHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/02Transfer moulding, i.e. transferring the required volume of moulding material by a plunger from a "shot" cavity into a mould cavity

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  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導体ウェーハに回路及び素子を造りこむ前工
程に対応した、ペレット単位に切断された素子を組立る
後工程の一部である樹脂封止工程で利用する半導体樹脂
封止用成形装置に関するものである。
〔発明の技術的背景〕
従来、半導体製品の製造ではプロセスの複雑さや極端に
ゴミを嫌う作業環境のため前工程の自動化が後工程に較
べて遅れていたが、最近の生産規模増大傾向に伴い生産
性の高い製造ライン確立が求められている。その−環と
して半導体ウェーハの大口径が進められていると同時に
、前工程でもその自動化が促進されており、他方、後工
程のより一層の自動化ならびに高い稼動率が望まれてい
る。この観点から半導体ペレット単位に切断された素子
のダイボンディング及びワイヤボンディングも種々の改
良が図られており、これに工程上では引続いた樹脂封止
工程にあづてもより厳しい効率向上を1指している。と
ころで、この樹脂封止工程ではトランスファ成形機が使
用されているが、いわゆるマルチポットタイプが賞月さ
れているのが現状である。この成形機を第6図乃至第1
1図により説明する。
鉛直方向に配置した支柱(50)により相対向して配置
した板状プレート(51)(51)が固定されこきに分
割された金型(番号つけず)及びスライドテーブル(5
2)を設け、その上方金型は固定として下型金型を可動
とする方式が採用されている。上部板状プレート(51
)にはトランス)アシリンダ(53)を設け、そのピス
トン(54)の先端には樹脂注入加圧用のプランジャ(
55)が設置される。
前述の上方金型は板状プレート(51)に固定した上型
ベースプレート(56)にスペーサブロック(57)モ
ールドベース(58)を配置して中空部(59)を形成
し、二Nにエジェクタプレート(6o)ならびにエジェ
クタホールド(61)を積層して設置し、更に、モール
ドベース(58)にはキャビティプレー)−(62)を
も設置する。一方複数のエジェクタピン(63)・・・
はエジェクタホールド(61)に係止され、モールドベ
ース(58)ならびにキャビティプレート(62)を貫
通して支柱(50)の軸方向に移動可能に設置する。更
に又ポット(64)を上方金型の中央部分に設置して封
止樹脂の供給源とする。
一方下型金型はスライドテーブル(52)に載置するが
、ベースプレート、スペーサブロック、モールドベース
、中空部、エジェクタプレート、エジェクタホールド、
キャビティプレート及び複数のエジェクタピンを上方金
型と全く同様に形成するので同一番号をつけその説明は
省略する。尚上下金型に設けるエジェクタピン(63)
・・・はその大部分が互に正対する位置に設置する。ス
ライドテーブル(52)及びベースプレート(56)を
貫通してエジェクタプレー)−(60)を支承するエジ
ェクタロッド(65)を下部板状プレート(51)に形
成し、スライドテーブル(52)をこの下部プレート(
51)を貫通して支柱(50)の軸方向に移動可能とす
るトランスファシリンダ(66)を下部板状プレート(
51)に設ける。
前述の記載では金型の意味が明確でなかったが、第6図
での上型ベースプレート(51)から下型ベースプレー
ト(51)間の部品を総称して金型とする。
ところで、このようなトランスファ金型は一定温度に加
熱された後下型金型のキャビティプレート(62)上に
リードフレーム(68)を設置し、次に第7図に示すよ
うに、トランスファシリンダ(66)のピストン(67
)が上昇して上下金型を型締めする。
二\で樹脂(69)をポット(64)に供給するが、通
常タブレット状に成形した樹脂を使用する。
更に第8図に示すようにトランスファシリンダ(53)
のピストン(54)が下降して先端のプランジャ(55
)により樹脂(69)を注入加圧成形してから、第9図
に示したようにトランスファシリンダ(53)のピスト
ン(54)が上昇し、型締め用のトランスファシリンダ
(66)のピストン(67)が下降して成型品がエジェ
クトされる。この工程によって得られた成型品の上面図
を第10図に、その断面図を第11図に示した。
〔背景技術の問題点〕
前述の成形機はトランスファシリンダと金型がそれぞれ
独立した状態にあり、金型取付は時、トランスファシリ
ンダのピストン先端にセットしたプランジャと金型に設
けたポットならびにプランジャの芯出しに時間及び熟練
が要り、芯出しミスによるポットとプランジャの摩耗を
招く。金型とプランジャは独立しているためそれぞれを
一定温度に加熱する必要があり、バラツキが大きく成形
不良が多くなる。
次に、ポットとプランジャ間に樹脂を供給するためにス
ペースが必要となりプランジャは絶えずポットから出す
必要を生じ、これによりプランジャストロークが長く、
ポットとプランジャの摩耗が多くなる。
プランジャは1箇のため第1O図に示すようにカルから
樹脂封止部までの距離があり、長大なランナを必要とす
る外に、多量の樹脂が要り、注入時間が長くなるし、更
にカルから各樹脂封止部までの距離が不均一となり成形
不良が多くなる。
リードフレームの供給は樹脂の供給が別動作のため動作
が多く、更に樹脂供給後に樹脂が溶融するまで次の動作
に入れないため成形時間が長くなる。
〔発明の目的〕
本発明は上記欠点を除去した新規な半湛体樹脂封止用成
形装置を提供するもので、特に稼動率向上を図ったもの
である。
〔発明の概要〕
本発明では下型金型だけを可動とし、こNに複数のトラ
ンスファシリンダならびにポットを設け。
プランジャは常時ポットと嵌合する状態にする方式を採
用した。従って、スライドテーブルに載置した下型金型
には2段の中空部を設け、その一方にはこの金型の頂面
にまで移動可能なエジェクタピン郡を支承するプレート
を配置し、他方の中空部には金型頂面部分に形成する複
数ポットに圧力を伝達するプランジャを駆動する均等加
圧機構を形成する。
プレートにはスライドテーブルを貫通して形成するトラ
ンスファシリンダを直結し、このスライドテーブルにも
下型金型を移動させるトランスファシリンダを付設した
〔発明の実施例〕
第1図及び第5図により本発明を詳述する。
鉛直方向に設置した支柱■には相対向して配置した板状
プレート■(2)が固定され、この間に金型びに下型に
分割されており、その上型金型は固定とし、下型金型だ
けを可動する方式とした。更に上型金型には従来のよう
にトランスファシリンダは設けず、エジェクタピン郡に
止める。
そのため、板状プレート■には上型ベースプレート■を
固定し、こシにスペーサブロック(へ)、モールドベー
ス0を設置して中空部0を形成し、こ\にはエジェクタ
プレート■及びエジェクタホールド■を積層して配置し
、モールドベース■にはキャビティプレート■も隣接し
て設置する。一方、エジェクタピン(10)・・・はエ
ジェクタホールド(8)に係止され、モ―ルドベース■
、キャビティプレート0を貫通して支柱■の軸方向に移
動可能に形成する。
一方、他の板状プレート■附近にはス・ライドテーブル
(11)を支柱(ト)間にその軸方向へ移動可能に形成
するが、その達成手段としてはトランスファシリンダに
よる。このトランスファシリンダ(12)はスライドテ
ーブル(11)に形成され、板状プレート■を貫通して
稼動するピストン(13)によってその機能を果す。
下型の金型には、2段の中空部を設けるが、下段の中空
部には均等圧力伝達機構(13)を、上段には上型金型
と同様なエジェクタピン機構を設ける。
即ちスライドテーブル(11)には先ず加圧トランスフ
アマニフォールド(14)を固定し、そこにスペーサブ
ロック(15)ならびに引戻しトランスファマニホール
ド(16)を積層配置して下段の中空部(17)を設は
二\に均等圧力伝達機構(13)を設ける。このトラン
スファマニホールド(14)にもスペーサブロック(1
8) 、モールドベース(19)、キャビティプレート
(20)を配置して上段の中空部(21)を得る。
こぎには上型金型と同様にエジェクタプレート(22)
及びエジェクタホールド(23)を設け、複数のエジェ
クタピン(24)・・・はこのエジェクタホールド(2
3)に係止されると共に、モールドベース(18)及び
キャビティープレート(19)を貫通して支柱ωの軸方
向に沿った方向に移動可能に形成する。尚このエジェク
タピン(24)・・・は上型金型に形成したエジェクタ
ピン(10)・・・と正対するよう配置する。
上型金型のエジェクタピン(10)・・・の一部に正対
する下型金型の位置に複数のポット(25)を形成する
が、プランジャロッド(26)ならびにプランジャ(2
7)が支柱■の軸方向に移動可能となるようにキャビテ
ィプレート(20) 、モールドベース(19) 、エ
ジェクタホールド(23) 、エジェクタプレート(2
2)ならびに引戻しトランスファマニホールド(14)
には貫通孔を形成する。
プランジャロッド(26)は下段の中空部(17)に配
置した均等圧力伝達機W(13)に連結され、図中表示
された点線部分はその機構である油圧シリンダ用配管を
示し、ピストン(2g) (2g)によりプランジャロ
ッド(26)を押圧して移動させる。
引戻しトランスファマニホールド(16)、加圧トラン
スファマニホールド(14)及1びスライドテーブル(
11)には貫通孔を設け、エジェクタロッド(28)の
移動を可能として板状プレート■に付設したトランスフ
ァシリンダによるエジェクタプレート(21)及びエジ
ェクタホールド(22)を抑圧移動させる。
尚均等圧力伝達機構(13)はポット(24)内に供給
される樹脂量にバラツキが存在していても、このポット
に同一圧力が伝達されるように構成され、その手段とし
ては1例としてスプリングを利用する。
以上の構成をもつ成形装置では一定温度に加熱したトラ
ンスファ金型のうち下型金型に、リードフレーム(29
)を供給し、ポット(24)に封止樹脂タブレット(3
0)・・・を供給する0次いで、第2図に示すように型
締用トランスファシリンダ(12)のピストン(13)
が上昇して上型及び下型金型を型締め後。
加圧トランスファマニホールド(14)のピストン(2
8)が上昇してプランジャ(27)により樹脂タブレッ
ト(30)を注入加圧成形する。この特番プランジャ(
27)に対して均等な加圧力を均等加圧機構(13)に
よって各別に加えられる。
次に第3図に明らかなように引戻しトランスファマニホ
ールド(16)のエジェクタロッド(28)が下降し、
更にトランスファシリンダ(12)のピストン(13)
も下降して成形品がエジェクトされる。第5図は第4図
によって得られる成形品の断面図である。
〔発明の効果〕
本発明に係る成形機は金型取付は時にポットとプランジ
ャの芯出しが不要となり、この芯出しによるポットとプ
ランジャの摩耗を防止できる。この金型とプランジャは
常時嵌合しているために、同時に加熱され、温度のバラ
ツキは従来機の170±10℃が170±3℃と小さく
なり、温度による成形不良が解消された。
次に、ポット内でのプランジャストロークが従来の15
0++mから30mmと格段に狭められたのでポットと
プランジャの摩耗は従来の115に減少した。
第4図に示すようにカル(30)から樹脂封止部(33
)迄の距離が12mと短かくかつ均一になり樹脂量も従
来のタイプより10%程度減少され成形不良も防げた。
因みに従来の前記距離は220〜400Iと長く且つ不
均一であったことを付記する。
更に樹脂注入時間も30秒−10秒と短縮され、更に又
リードフレームと樹脂とを同時に供給するため機械動作
が少なくなると共に、型締め中に樹脂が溶融し次動作が
可能となる6 成形時間は180秒−60秒と向上され、結果的に稼動
率の向上をもたらし、ひいては半導体素子の後工程合理
化に資するところ極めて大きく、実用上の効果が著大で
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る成形機断面図、第2図〜第4図は
第1図成形機の動作毎の断面図、第4図は第1図成形機
から得られる成形品の平面図、第5図は第4図の断面図
、第6図は従来の成形機断面図、第7図〜第9図は第6
図に示した成形機の動作毎の断面図、第10図は第6図
成形機で得られる成形品の平面図、第11図は第1O図
の断面図である。 代理人 弁理士  井 上 −男 第1図 第  2  図 第  3  図 第  4  図 :庁=1 ■ 第  5  図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 鉛直方向に配置する両支柱と、この支柱を介して相対向
    して設ける板状の第1及び第2プレートと、この第1プ
    レートに固定する中空部をもつ第1支持体と、この第1
    支持体の前記他方板状プレートに対向する部分に形成す
    る第1平坦面と、前記第1支持体の中空部に配置する第
    1プレートと、前記第1平坦面ならびに前記中空部間の
    第1支持体を前記支柱軸方向に移動可能に設けこの第1
    プレートで支承する第1エジェクタピン郡と、前記他方
    板状プレートに係止し前記支柱軸方向に移動可能なスラ
    イドテーブルと、このスライドテーブルに載置し積層し
    た第1及び第2の中空部を備える第2支持体と、前記第
    1平坦面に対向するこの第2支持体部分に形成する第2
    平坦面と、この第2平坦面側に位置する第1中空部に配
    置する第2プレートと、前記第2平坦面ならびに前記第
    1中空部間の第2支持体を前記支柱軸方向に移動可能に
    設けられ前記第2プレートで支承し前記第1エジェクタ
    ピン郡と正対する第2エジェクタピン郡と、前記第2中
    空部に設ける均等加圧機構と、これに接するピストンと
    、前記第1エジェクタピン郡の1部に正対する前記平坦
    面に形成する複数ポットと、前記均等加圧機構とこの複
    数ポット間の第2支持体を前記支柱軸方向に移動可能に
    設けるプランジャならびにプランジャロッドと、前記他
    方板状プレートに支承され前記第2プレート間のスライ
    ドテーブル及び第2支持体を前記支柱軸方向に移動可能
    とするトランスファマニホールドと、前記スライドテー
    ブルに取り着ける他のピストンとを具備することを特徴
    とする半導体樹脂封止用成形装置。
JP60132937A 1985-06-20 1985-06-20 半導体樹脂封止用成形装置 Granted JPS61292329A (ja)

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CN86104184.4A CN1005177B (zh) 1985-06-20 1986-06-19 用于半导体树脂封装的模压设备

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CN1005177B (zh) 1989-09-13
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KR900001657B1 (ko) 1990-03-17
KR880001028A (ko) 1988-03-31
CN86104184A (zh) 1987-01-07

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