JPS61285811A - マイクロ波回路 - Google Patents
マイクロ波回路Info
- Publication number
- JPS61285811A JPS61285811A JP12717785A JP12717785A JPS61285811A JP S61285811 A JPS61285811 A JP S61285811A JP 12717785 A JP12717785 A JP 12717785A JP 12717785 A JP12717785 A JP 12717785A JP S61285811 A JPS61285811 A JP S61285811A
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- JP
- Japan
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- microwave
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- grounded
- ground conductor
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0237—High frequency adaptations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
マイクロ波トランジスタの接地すべき電極を、λｇ／４
長の分布定数スタブによって高周波的に接地し、且つ直
流的に接地導体パターンに接続して、接地の為の構成を
簡単化すると共に、動作の安定化を図るものである。
長の分布定数スタブによって高周波的に接地し、且つ直
流的に接地導体パターンに接続して、接地の為の構成を
簡単化すると共に、動作の安定化を図るものである。
本発明は、マイクロストリップ線路にマイクロ波トラン
ジスタを接続したマイクロ波回路に関するものである。
ジスタを接続したマイクロ波回路に関するものである。
マイクロストリップ線路を用いたマイクロ波回路に於い
て、マイクロ波トランジスタの接地インピーダンスを低
くして、動作の安定化を図ることが必要である。
て、マイクロ波トランジスタの接地インピーダンスを低
くして、動作の安定化を図ることが必要である。
従来のマイクロ波回路は、例えば、第７図の上面図及び
第８図の断面図に示すように、ソース電極を取付板に兼
用した構成のマイクロ波トランジスタ１１を用いた場合
は、その取付板をアースブロック１４上にねじ等により
固定し、このアースブロック１４上に接着剤又はねじ１
５によって誘電体基板１３を固定し、その誘電体基板１
３上のマイクロストリップ線路１２に、マイクロ波トラ
ンジスタ１１のゲート電極及びドレイン電極を半田付は
等により接続して構成するものである。従って、マイク
ロ波トランジスタ１１のソース電極は、アースブロック
１４に直接的に接続され、ソース接地のマイクロ波トラ
ンジスタ回路が構成される。
第８図の断面図に示すように、ソース電極を取付板に兼
用した構成のマイクロ波トランジスタ１１を用いた場合
は、その取付板をアースブロック１４上にねじ等により
固定し、このアースブロック１４上に接着剤又はねじ１
５によって誘電体基板１３を固定し、その誘電体基板１
３上のマイクロストリップ線路１２に、マイクロ波トラ
ンジスタ１１のゲート電極及びドレイン電極を半田付は
等により接続して構成するものである。従って、マイク
ロ波トランジスタ１１のソース電極は、アースブロック
１４に直接的に接続され、ソース接地のマイクロ波トラ
ンジスタ回路が構成される。
又第９図の上面図及び第１０図の断面図に示す従来例は
、マイクロ波トランジスタ２１がビームリード型の構成
の場合についてのものであり、アースブロック２４上に
誘電体基板２３を接着剤又はねじ２５によって固定し、
誘電体基板２３上のマイクロストリップ線路２２に、マ
イクロ波トランジスタ２１のゲート電極及びドレイン電
極を半田付は等により接続し、ソース電極を接地導体パ
ターン２６に半田付は等により接続し、その接続点近傍
にメタライズ加工等を施したスルーホール２７を形成し
、マイクロ波トランジスタ２１のソース電極を、接地導
体パターン２６からスルーホール２７を介して、誘電体
基板２４の下のアースブロック２４に接続して接地する
ものである。
、マイクロ波トランジスタ２１がビームリード型の構成
の場合についてのものであり、アースブロック２４上に
誘電体基板２３を接着剤又はねじ２５によって固定し、
誘電体基板２３上のマイクロストリップ線路２２に、マ
イクロ波トランジスタ２１のゲート電極及びドレイン電
極を半田付は等により接続し、ソース電極を接地導体パ
ターン２６に半田付は等により接続し、その接続点近傍
にメタライズ加工等を施したスルーホール２７を形成し
、マイクロ波トランジスタ２１のソース電極を、接地導
体パターン２６からスルーホール２７を介して、誘電体
基板２４の下のアースブロック２４に接続して接地する
ものである。
第７図及び第８図に示す従来のマイクロ波回路は、マイ
クロ波トランジスタ１１のソース電極を直接的にアース
ブロック１３に接続するものであるから、接地インピー
ダンスが小さく、且つ放熱特性も良いから、マイクロ波
増幅器等に於いて広く採用されている。
クロ波トランジスタ１１のソース電極を直接的にアース
ブロック１３に接続するものであるから、接地インピー
ダンスが小さく、且つ放熱特性も良いから、マイクロ波
増幅器等に於いて広く採用されている。
しかし、マイクロ波トランジスタ１１のソース電極をア
ースブロック１４に直接的に固定する為に、誘電体基板
１３を図示のように分割するか、或いはマイクロ波トラ
ンジスタ１１を嵌め込むような取付孔を誘電体基板１３
に形成する必要がある。その為、誘電体基板１３の製作
が複雑となる欠点が生じる。又アースブロック１４にマ
イクロ波トランジスタ１１をねじ止めする場合は、アー
スブロック１４にねじ用のタップ加工を施す必要がある
。又電気的のみでなく、機械的にもアースブロック１４
が不可欠の構成であり、実装構造が複雑で高価となる欠
点がある。
ースブロック１４に直接的に固定する為に、誘電体基板
１３を図示のように分割するか、或いはマイクロ波トラ
ンジスタ１１を嵌め込むような取付孔を誘電体基板１３
に形成する必要がある。その為、誘電体基板１３の製作
が複雑となる欠点が生じる。又アースブロック１４にマ
イクロ波トランジスタ１１をねじ止めする場合は、アー
スブロック１４にねじ用のタップ加工を施す必要がある
。又電気的のみでなく、機械的にもアースブロック１４
が不可欠の構成であり、実装構造が複雑で高価となる欠
点がある。
又第９図及び第１０図に示す従来のマイクロ波回路は、
マイクロ波トランジスタ２１を誘電体基板２３上に搭載
して、ソース電極を接地導体パターン２６に接続し、そ
の接続点近傍にスルーホール２７を設けて、裏面の接地
導体或いはアースブロック２４に接続するものであるか
ら、誘電体基板２３にスルーホール２７を形成する工程
が付加され、且つそのスルーホール２７の存在により、
回路パターン製作の精度が要求されることになり、コス
トアップとなる欠点がある。又スルーホール２７は内面
メタライズ加工されている場合が一般的であるから、そ
のインピーダンスが接地特性に影響を与える場合がある
。
マイクロ波トランジスタ２１を誘電体基板２３上に搭載
して、ソース電極を接地導体パターン２６に接続し、そ
の接続点近傍にスルーホール２７を設けて、裏面の接地
導体或いはアースブロック２４に接続するものであるか
ら、誘電体基板２３にスルーホール２７を形成する工程
が付加され、且つそのスルーホール２７の存在により、
回路パターン製作の精度が要求されることになり、コス
トアップとなる欠点がある。又スルーホール２７は内面
メタライズ加工されている場合が一般的であるから、そ
のインピーダンスが接地特性に影響を与える場合がある
。
前述のように、従来のマイクロ波回路は、比較的広帯域
にわたり良好な接地特性が得られるが、高価となる欠点
がある。従って、例えば、量産型の衛星放送受信装置等
に適用する為の低価格のマイクロ波回路では、低価格化
を阻害する要因となっていた。
にわたり良好な接地特性が得られるが、高価となる欠点
がある。従って、例えば、量産型の衛星放送受信装置等
に適用する為の低価格のマイクロ波回路では、低価格化
を阻害する要因となっていた。
本発明は、誘電体基板の製作並びにマイクロ波トランジ
スタの実装も容易で、安価なマイクロ波回路を提供する
ことを目的とするものである。
スタの実装も容易で、安価なマイクロ波回路を提供する
ことを目的とするものである。
本発明のマイクロ波回路は、第１図を参照して説明する
と、誘電体基板５上に形成したマイクロストリップ線路
２にマイクロ波トランジスタ１を接続し、このマイクロ
波トランジスタ１のソース電極等の接地すべき電極に、
高周波的に接地するλｇ／４長の分布定数スタブ３を接
続し、且つ接地導体パターン４に直流的に接続し、この
接地導体パターン４をねし６等によりアースブロック等
に接続するものである。
と、誘電体基板５上に形成したマイクロストリップ線路
２にマイクロ波トランジスタ１を接続し、このマイクロ
波トランジスタ１のソース電極等の接地すべき電極に、
高周波的に接地するλｇ／４長の分布定数スタブ３を接
続し、且つ接地導体パターン４に直流的に接続し、この
接地導体パターン４をねし６等によりアースブロック等
に接続するものである。
マイクロ波トランジスタ１の接地すべき電極にλ９／４
長の分布定数スタブ３を接続したことにより、その電極
は短絡されて高周波的に接地されるから、目標とする周
波数帯域での寄生抵抗や寄生リアクタンス等の寄生素子
による接地インピーダンスを小さくすることができ、又
直流的には、接地導体パターン４を介して接続され、所
望の直流バイアスを与えることができる。
長の分布定数スタブ３を接続したことにより、その電極
は短絡されて高周波的に接地されるから、目標とする周
波数帯域での寄生抵抗や寄生リアクタンス等の寄生素子
による接地インピーダンスを小さくすることができ、又
直流的には、接地導体パターン４を介して接続され、所
望の直流バイアスを与えることができる。
以下図面を参照して本発明の実施例について詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明の実施例の上面図であり、誘電体基板５
上にマイクロストリップ線路２、λｇ／４（λ９＝伝搬
波長）長の分布定数スタブ３、接地導体パターン４が印
刷配線技術によって形成され、ビームリード型構造のマ
イクロ波トランジスタ１の両側に導出されたソース電極
Ｓの一方はスタブ３の一端に半田等により接続され、他
方は接地導体パターン４に半田等により接続される。又
ゲート電極Ｇとドレイン電極りとは、それぞれマイクロ
ストリップ線路２に半田等により接続される。
上にマイクロストリップ線路２、λｇ／４（λ９＝伝搬
波長）長の分布定数スタブ３、接地導体パターン４が印
刷配線技術によって形成され、ビームリード型構造のマ
イクロ波トランジスタ１の両側に導出されたソース電極
Ｓの一方はスタブ３の一端に半田等により接続され、他
方は接地導体パターン４に半田等により接続される。又
ゲート電極Ｇとドレイン電極りとは、それぞれマイクロ
ストリップ線路２に半田等により接続される。
マイクロ波トランジスタ１のソース電極Ｓにスタブ３が
接続されたことにより、高周波的に接地されることにな
り、又接地導体パターン４はねじ６等によりアースブロ
ックや筐体等に接続されて、直流的な接地が行われる。
接続されたことにより、高周波的に接地されることにな
り、又接地導体パターン４はねじ６等によりアースブロ
ックや筐体等に接続されて、直流的な接地が行われる。
第２図は本発明の実施例の等価回路であり、マイクロ波
トランジスタエのドレイン電極りに＋Ｖの電圧が印加さ
れ、ソース電極Ｓにλ９／４長の分布定数スタブ３が接
続されると共に、直流的に接地され、その直流的接地の
経路には、寄生抵抗Ｒと寄生リアクタンスＬとからなる
寄生インピーダンスＺを有するものとなる。しかし、こ
の寄生インピーダンスＺは、接地導体パターン４やねじ
６等によるものであり、高周波的接地には影響を与えな
いものとなるから、良好な接地特性を得ることができる
。
トランジスタエのドレイン電極りに＋Ｖの電圧が印加さ
れ、ソース電極Ｓにλ９／４長の分布定数スタブ３が接
続されると共に、直流的に接地され、その直流的接地の
経路には、寄生抵抗Ｒと寄生リアクタンスＬとからなる
寄生インピーダンスＺを有するものとなる。しかし、こ
の寄生インピーダンスＺは、接地導体パターン４やねじ
６等によるものであり、高周波的接地には影響を与えな
いものとなるから、良好な接地特性を得ることができる
。
第３図は接地インピーダンス特性曲線図であり、１２Ｇ
Ｈｚを中心にして、１１〜１３ＧＨｚの範囲について示
すものである。同図に於いて、Ｘ印は、スタブ３を接続
しない従来例に於ける寄生抵抗Ｒを０．５Ω、寄生リア
クタンスＬを０．５ ｎ Ｈとした場合を示し、又・印
は、１２ＧＨｚの波長λｇに対応して設定した長さのス
タブ３のみを接続し、寄生インピーダンスＺを考慮しな
い場合の接地インピーダンスを示す。又○印は、スタブ
３を接続し、寄生抵抗Ｒを０．５Ω、寄生リアクタンス
Ｌを０．５ ｎ Ｈとした場合を示すものである。この
ように、スタブ３を接続して高周波的に接地したことに
より、接地インピーダンス特性は、スタブ３を接続しな
い場合に比較して著しく改善されるものである。
Ｈｚを中心にして、１１〜１３ＧＨｚの範囲について示
すものである。同図に於いて、Ｘ印は、スタブ３を接続
しない従来例に於ける寄生抵抗Ｒを０．５Ω、寄生リア
クタンスＬを０．５ ｎ Ｈとした場合を示し、又・印
は、１２ＧＨｚの波長λｇに対応して設定した長さのス
タブ３のみを接続し、寄生インピーダンスＺを考慮しな
い場合の接地インピーダンスを示す。又○印は、スタブ
３を接続し、寄生抵抗Ｒを０．５Ω、寄生リアクタンス
Ｌを０．５ ｎ Ｈとした場合を示すものである。この
ように、スタブ３を接続して高周波的に接地したことに
より、接地インピーダンス特性は、スタブ３を接続しな
い場合に比較して著しく改善されるものである。
第４図及び第５図は接地構成説明図であり、第４図に於
いては、アースブロック７にねじ６で誘電体基板５を固
定すると共に、接地導体パターン４とアースブロック７
の間の直流的な接続を行っている。なお、高周波的には
前述のスタブ３により行うものである。又第５図は、板
金加工等による筺体９に、マイクロ波トランジスタ１を
搭載した誘電体基板５を固定した場合を示し、前述のス
タブ３により高周波的に接地し、誘電体基板５の裏面の
接地導体８及び表面の接地導体パターン４とを半田等に
より接続して、直流的な接地を行う場合を示すものであ
る。
いては、アースブロック７にねじ６で誘電体基板５を固
定すると共に、接地導体パターン４とアースブロック７
の間の直流的な接続を行っている。なお、高周波的には
前述のスタブ３により行うものである。又第５図は、板
金加工等による筺体９に、マイクロ波トランジスタ１を
搭載した誘電体基板５を固定した場合を示し、前述のス
タブ３により高周波的に接地し、誘電体基板５の裏面の
接地導体８及び表面の接地導体パターン４とを半田等に
より接続して、直流的な接地を行う場合を示すものであ
る。
第６図は周波数変換器に適用した本発明の実施例を示し
、入力端子ＩＮから、例えば、ＩＧＨｚの信号を、結合
コンデンサＣ１、整合回路ＭＣＩを介してマイクロ波ト
ランジスタ１のゲートに加え、このゲートにはゲートバ
イアス電圧ＶＧを高周波チョークを介して加え、このマ
イクロ波トランジスタ１のソースを直流的に接地すると
共に、スタブ３を接続して高周波的に接地し、ドレイン
には、例えば、１３ＧＨｚの局部発振器ＬＯからサーキ
ュレータＣＩＲと、結合コンデンサＣ２と、整合回路Ｍ
Ｃ２とを介して、局部発振信号を加える。なお、Ｒ，Ｌ
、Ｚは、寄生抵抗、寄生リアクタンス、寄生インピーダ
ンスを示す。
、入力端子ＩＮから、例えば、ＩＧＨｚの信号を、結合
コンデンサＣ１、整合回路ＭＣＩを介してマイクロ波ト
ランジスタ１のゲートに加え、このゲートにはゲートバ
イアス電圧ＶＧを高周波チョークを介して加え、このマ
イクロ波トランジスタ１のソースを直流的に接地すると
共に、スタブ３を接続して高周波的に接地し、ドレイン
には、例えば、１３ＧＨｚの局部発振器ＬＯからサーキ
ュレータＣＩＲと、結合コンデンサＣ２と、整合回路Ｍ
Ｃ２とを介して、局部発振信号を加える。なお、Ｒ，Ｌ
、Ｚは、寄生抵抗、寄生リアクタンス、寄生インピーダ
ンスを示す。
マイクロ波トランジスタ１のゲートにＩＧＨｚ、ドレイ
ンに１３ＧＨｚの信号が加えられ、１３±ＩＧＨｚの信
号が整合回路ＭＣ２、結合コンデンサＣ２、サーキュレ
ータＣＩＲを介して出力端子ＯＵＴに導出される。例え
ば、１２ＧＨｚのフィルタを設けれは、ＩＧＨｚの信号
を１２ＧＨｚの信号に変換する周波数変換器となる。
ンに１３ＧＨｚの信号が加えられ、１３±ＩＧＨｚの信
号が整合回路ＭＣ２、結合コンデンサＣ２、サーキュレ
ータＣＩＲを介して出力端子ＯＵＴに導出される。例え
ば、１２ＧＨｚのフィルタを設けれは、ＩＧＨｚの信号
を１２ＧＨｚの信号に変換する周波数変換器となる。
以上説明したように、本発明は、マイクロ波トランジス
タ１のソース電極等の接地すべき電極を直流的に接地す
ると共に、λｇ／４長の分布定数スタブ３を接続して、
高周波的に接地したものであるから、マイクロ波トラ・
ンジスタ１を搭載する誘電体基板５に、スルーホール等
を形成することなく、良好な接地特性を得ることができ
、スタブ３はマイクロストリップ線路２や接地導体パタ
ーン４と共に、配線パターンとして形成することができ
るから、誘電体基板５の製作が容易となる利点がある。
タ１のソース電極等の接地すべき電極を直流的に接地す
ると共に、λｇ／４長の分布定数スタブ３を接続して、
高周波的に接地したものであるから、マイクロ波トラ・
ンジスタ１を搭載する誘電体基板５に、スルーホール等
を形成することなく、良好な接地特性を得ることができ
、スタブ３はマイクロストリップ線路２や接地導体パタ
ーン４と共に、配線パターンとして形成することができ
るから、誘電体基板５の製作が容易となる利点がある。
又構成が簡単となるから、自動実装が容易となるもので
ある。
ある。
第１図は本発明の実施例の上面図、第２図は本発明の実
施例の等価回路、第３図は接地インピーダンス特性曲線
図、第４図及び第５図は接地構成説明図、第６図は本発
明の実施例の周波数変換器のブロック図、第７図及び第
９図は従来例の上面図、第８図及び第１０図は従来例の
断面図である１はマイクロ波トランジスタ、２はマイク
ロストリップ線路、３はλｇ／４長の分布定数スタブ、
４は接地導体パターン、５は誘電体基板、６はねじ、Ｓ
はソース電極、Ｇはゲート電極、Ｄはドレイン電極であ
る。 本究明の実施例の上面図 第１図 ＋■ 本究明の実施例の等価回路 第２図 接地インピーダンス特性曲線図 第３図 接地構成説明図 接地構成説明図 第５図 本究明の実ｍ例の周波数変換器のブロック図第６図 従来例の上面図 従来例の上画図第７図
第９図 従来例の断面図 従来例の断面図第８図
第１０図
施例の等価回路、第３図は接地インピーダンス特性曲線
図、第４図及び第５図は接地構成説明図、第６図は本発
明の実施例の周波数変換器のブロック図、第７図及び第
９図は従来例の上面図、第８図及び第１０図は従来例の
断面図である１はマイクロ波トランジスタ、２はマイク
ロストリップ線路、３はλｇ／４長の分布定数スタブ、
４は接地導体パターン、５は誘電体基板、６はねじ、Ｓ
はソース電極、Ｇはゲート電極、Ｄはドレイン電極であ
る。 本究明の実施例の上面図 第１図 ＋■ 本究明の実施例の等価回路 第２図 接地インピーダンス特性曲線図 第３図 接地構成説明図 接地構成説明図 第５図 本究明の実ｍ例の周波数変換器のブロック図第６図 従来例の上面図 従来例の上画図第７図
第９図 従来例の断面図 従来例の断面図第８図
第１０図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 マイクロストリップ線路（２）にマイクロ波トランジス
タ（１）を接続したマイクロ波回路に於いて、 前記マイクロ波トランジスタ（１）の接地すべき電極に
高周波的に接地するλ＿ｇ／４長の分布定数スタブ（３
）を接続し、 且つ接地導体パターン（４）に直流的に接続したこと を特徴とするマイクロ波回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12717785A JPS61285811A (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | マイクロ波回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12717785A JPS61285811A (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | マイクロ波回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61285811A true JPS61285811A (ja) | 1986-12-16 |
Family
ID=14953573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12717785A Pending JPS61285811A (ja) | 1985-06-13 | 1985-06-13 | マイクロ波回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61285811A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2636473A1 (fr) * | 1988-09-14 | 1990-03-16 | Mitsubishi Electric Corp | Transistor a effet de champ pour montage micro-bande et structure a transistors de type micro-bande |
| WO2000035084A1 (fr) * | 1998-12-07 | 2000-06-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Amplificateur de micro-ondes |
| WO2001003290A1 (fr) * | 1999-06-30 | 2001-01-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Amplificateur de micro-ondes |
| WO2002080355A1 (fr) * | 2001-03-28 | 2002-10-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Amplificateur haute frequence |
-
1985
- 1985-06-13 JP JP12717785A patent/JPS61285811A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2636473A1 (fr) * | 1988-09-14 | 1990-03-16 | Mitsubishi Electric Corp | Transistor a effet de champ pour montage micro-bande et structure a transistors de type micro-bande |
| US4996582A (en) * | 1988-09-14 | 1991-02-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Field effect transistor for microstrip mounting and microstrip-mounted transistor assembly |
| WO2000035084A1 (fr) * | 1998-12-07 | 2000-06-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Amplificateur de micro-ondes |
| US6130580A (en) * | 1998-12-07 | 2000-10-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Microwave amplifier optimized for stable operation |
| US6339362B1 (en) | 1998-12-07 | 2002-01-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Microwave amplifier optimized for stable operation |
| WO2001003290A1 (fr) * | 1999-06-30 | 2001-01-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Amplificateur de micro-ondes |
| US6310517B1 (en) | 1999-06-30 | 2001-10-30 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Microwave amplifier |
| WO2002080355A1 (fr) * | 2001-03-28 | 2002-10-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Amplificateur haute frequence |
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