JPS61275869A - 半導体レ−ザ光源光量制御装置 - Google Patents
半導体レ−ザ光源光量制御装置Info
- Publication number
- JPS61275869A JPS61275869A JP60119314A JP11931485A JPS61275869A JP S61275869 A JPS61275869 A JP S61275869A JP 60119314 A JP60119314 A JP 60119314A JP 11931485 A JP11931485 A JP 11931485A JP S61275869 A JPS61275869 A JP S61275869A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- light
- circuit
- circuits
- laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
- Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
- Fax Reproducing Arrangements (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の分野）
本発明は、複数の半導体レーザから割出されたレーザビ
ームを１本に合成するようにした半導体レーザ光源装置
において、合成ビームの光量を一定に制御する装置に関
するものである。
ームを１本に合成するようにした半導体レーザ光源装置
において、合成ビームの光量を一定に制御する装置に関
するものである。
（発明の技術的前頭および先行技術）
従来より、光ビームを光偏向器により偏向して走査する
光ビーム走査装置が、例えば各種走査記録装置、走査読
取装置等において広く実用に供されている。このような
光ビーム走査装置において光ビームを発生する手段の１
つとしτ、半導体レーザが従来から用いられている。こ
の半導体レーザは、ガスレーザ等に比べれば小型、安価
で消費電力も少なく、また駆動電流を変えることによっ
て直接変調が可能である等、数々の長所を有している。
光ビーム走査装置が、例えば各種走査記録装置、走査読
取装置等において広く実用に供されている。このような
光ビーム走査装置において光ビームを発生する手段の１
つとしτ、半導体レーザが従来から用いられている。こ
の半導体レーザは、ガスレーザ等に比べれば小型、安価
で消費電力も少なく、また駆動電流を変えることによっ
て直接変調が可能である等、数々の長所を有している。
しかしながら、その反面この半導体レーザは、連続発振
させる場合には現状では出力がたかだか２０〜３０ｍｗ
と小さく、したがって高エネルギ−の走査光を必要と１
−る光ビーム走査装置、例えば感度の低い記録材料（金
属膜、アモルファス躾等のＤ ＲＡ Ｗ Ｕ利等）に記
録する走査記録装置等に用いるのは極めて回動である。
させる場合には現状では出力がたかだか２０〜３０ｍｗ
と小さく、したがって高エネルギ−の走査光を必要と１
−る光ビーム走査装置、例えば感度の低い記録材料（金
属膜、アモルファス躾等のＤ ＲＡ Ｗ Ｕ利等）に記
録する走査記録装置等に用いるのは極めて回動である。
また、ある種の螢光体に放射線（Ｘ線、α線、β線、γ
線、電子線、紫外線等）を照射すると、この放射線エネ
ルギーの一部が螢光体中に蓄積され、この螢光体に可視
光等の励起光を照射ツーると、蓄積された］ネルギーに
応じて螢光体が輝尽発光を示すことが知られており、こ
のようイ【蓄積性螢光体を利用して、人体等の被写体の
放射線画像情報を一旦蓄積性螢光体からなる層を有Ｊる
蓄積性螢光体シートに記録し、この蓄積↑（１螢光体シ
ートをレーザ光等の励起光で走査して輝尽発光光を生ぜ
しめ、得られた輝尽発光光を光電的に読み出して画像信
号を得、この画像信号に基づき被写体の成用線画像を写
真感光材料等の記録材料、ＣＲＴ等に可？！像として出
力させる放射線画像情報記録再生システムが本出願人に
Ｊ−り既に提案されている（特開昭５５−１２４２９号
、同５５−１１６３４０号、同５５−１６３４７２号、
同５６−１１３９５Ｍ、１司５６−１０４６４５号イＴ
ど）。このシステムにおいて放射線画像情報が蓄積記録
された蓄積性螢光体シーｔ・を走査して画像情報の読取
りを行なうのに、半導体レーザを用いた光ビーム走査装
置の使用が考えられているが、蓄積＋４螢光体を輝尽発
光させるためには、十分に高エネルギーの励起光を該螢
光体に照射づる必要があり、したがって前記半導体レー
ザを用いた光ビーム走査装置を、この放射線画像情報記
録再生システムにおいて画像情報読取りのために使用リ
−ることも極めて難しい。
線、電子線、紫外線等）を照射すると、この放射線エネ
ルギーの一部が螢光体中に蓄積され、この螢光体に可視
光等の励起光を照射ツーると、蓄積された］ネルギーに
応じて螢光体が輝尽発光を示すことが知られており、こ
のようイ【蓄積性螢光体を利用して、人体等の被写体の
放射線画像情報を一旦蓄積性螢光体からなる層を有Ｊる
蓄積性螢光体シートに記録し、この蓄積↑（１螢光体シ
ートをレーザ光等の励起光で走査して輝尽発光光を生ぜ
しめ、得られた輝尽発光光を光電的に読み出して画像信
号を得、この画像信号に基づき被写体の成用線画像を写
真感光材料等の記録材料、ＣＲＴ等に可？！像として出
力させる放射線画像情報記録再生システムが本出願人に
Ｊ−り既に提案されている（特開昭５５−１２４２９号
、同５５−１１６３４０号、同５５−１６３４７２号、
同５６−１１３９５Ｍ、１司５６−１０４６４５号イＴ
ど）。このシステムにおいて放射線画像情報が蓄積記録
された蓄積性螢光体シーｔ・を走査して画像情報の読取
りを行なうのに、半導体レーザを用いた光ビーム走査装
置の使用が考えられているが、蓄積＋４螢光体を輝尽発
光させるためには、十分に高エネルギーの励起光を該螢
光体に照射づる必要があり、したがって前記半導体レー
ザを用いた光ビーム走査装置を、この放射線画像情報記
録再生システムにおいて画像情報読取りのために使用リ
−ることも極めて難しい。
そこで上記の通り光出力が低い半導体レーザから十分高
エネルギーの走査ビームを得るために、複数の半導体レ
ーザを使用し、これらの半導体レーザから射出されたレ
ーザビームを１本に合成することが考えられる（この場
合、各レーザビームは走査点までの光路途中で１本に合
成されていてもよいし、また走査点上で１本に合成され
てもにい）。しかしながら、周知の通り半導体レーザか
ら射出されるレーザビームの光量は、半導体レーザの経
時変化や周囲温度の変化等によって変動づるので、多く
の場合、合成されたビームの光量を一定に保つ制御を行
なう必要がある。従来よりレーザビームの光間を光量検
出器によって検出し、その光量信号をレーザ光量制御回
路にフィードバックしてレーザビームの光量を一定に保
つ制御が公知となっているが、前記のように複数のレー
ザビームを合成して走査する場合、各半導体レーザに対
してそれぞれ上記の光量一定化制御を行なうと、光量検
出器や光量制御回路が半導体レーザの数だけ必要となっ
て、走査装置が大型化し、またそのコストも高くなる難
点がある。
エネルギーの走査ビームを得るために、複数の半導体レ
ーザを使用し、これらの半導体レーザから射出されたレ
ーザビームを１本に合成することが考えられる（この場
合、各レーザビームは走査点までの光路途中で１本に合
成されていてもよいし、また走査点上で１本に合成され
てもにい）。しかしながら、周知の通り半導体レーザか
ら射出されるレーザビームの光量は、半導体レーザの経
時変化や周囲温度の変化等によって変動づるので、多く
の場合、合成されたビームの光量を一定に保つ制御を行
なう必要がある。従来よりレーザビームの光間を光量検
出器によって検出し、その光量信号をレーザ光量制御回
路にフィードバックしてレーザビームの光量を一定に保
つ制御が公知となっているが、前記のように複数のレー
ザビームを合成して走査する場合、各半導体レーザに対
してそれぞれ上記の光量一定化制御を行なうと、光量検
出器や光量制御回路が半導体レーザの数だけ必要となっ
て、走査装置が大型化し、またそのコストも高くなる難
点がある。
（発明の目的）
そこで本発明は、複数の半導体レーザから射出されたレ
ーザビームを１本に合成する半導体レーザ光源装置にお
いて、合成ビームの光ωを一定に保つことが可能で、小
型、安価に形成されうる光量制御装置を提供することを
目的とするものである。
ーザビームを１本に合成する半導体レーザ光源装置にお
いて、合成ビームの光ωを一定に保つことが可能で、小
型、安価に形成されうる光量制御装置を提供することを
目的とするものである。
（発明の構成）
本発明の半導体レーザ光源光ω制御装置は、前述のよう
に複数の半導体レーザを有し、これらの半導体レーザか
ら射出された各レーリ”ビームを１本のビームに合成す
るようにした半導体レーザ光源装置において、 半導体レーザの各々を個々に駆動づる定電流回路または
定出力回路と、 半導体レーザの各々のケース内に内蔵されている光検出
器の出力信号を受け、これらの信号を加算づる加算回路
と、 この加算回路が出力する加算信号と、合成されたレーザ
ビームの所定光量を示す基準信号どを比較し、これら加
算信号とＭ単信号との偏差を示づ偏差信号を出力する比
較回路と、 上記複数の定電流回路または定出力回路のうらの一部の
回路に接続され、上記偏差信号を受【ノて、上記偏差が
解消されるように該一部の回路のレーザ駆動電流を変化
さゼる制御回路どが設けられてなるものである。
に複数の半導体レーザを有し、これらの半導体レーザか
ら射出された各レーリ”ビームを１本のビームに合成す
るようにした半導体レーザ光源装置において、 半導体レーザの各々を個々に駆動づる定電流回路または
定出力回路と、 半導体レーザの各々のケース内に内蔵されている光検出
器の出力信号を受け、これらの信号を加算づる加算回路
と、 この加算回路が出力する加算信号と、合成されたレーザ
ビームの所定光量を示す基準信号どを比較し、これら加
算信号とＭ単信号との偏差を示づ偏差信号を出力する比
較回路と、 上記複数の定電流回路または定出力回路のうらの一部の
回路に接続され、上記偏差信号を受【ノて、上記偏差が
解消されるように該一部の回路のレーザ駆動電流を変化
さゼる制御回路どが設けられてなるものである。
（実施態様）
以上、同曲に示づ実施態様に基づいｃ本発明の詳細な説
明づ゛る。
明づ゛る。
第１図は本発明の売場制御装置にＪ：り光Ｍ制御がなさ
れる半導体レーザ光源装置を概略的に示ずものである。
れる半導体レーザ光源装置を概略的に示ずものである。
−例として４つの半導体１ノーザ１１．１２．１３．１
４はＮいにビームＩ・Ｉ串軸を平行に揃えて配置され、
これらの半導体レーザ１１．１２．１３．１４のぞれぞ
れに苅してコリメータレンズ２１．２２．２３．２４と
、反射ミラー３１．３２．３３．３４が段ＧＪられてい
る。各半導体レーザ１１．１２．１３．１４から射出さ
れＩこレーザビームは、−上記コリメータレンズ２１．
２２．２３．２４によって平行ビーム４１．４２．４３
．４４とされ、この平行ビーム４１．４２．４３．４４
は上記反射ミラー３１．３２．３３．３４により反射さ
れて、共通のガルバノメータミラー５に入射する。
４はＮいにビームＩ・Ｉ串軸を平行に揃えて配置され、
これらの半導体レーザ１１．１２．１３．１４のぞれぞ
れに苅してコリメータレンズ２１．２２．２３．２４と
、反射ミラー３１．３２．３３．３４が段ＧＪられてい
る。各半導体レーザ１１．１２．１３．１４から射出さ
れＩこレーザビームは、−上記コリメータレンズ２１．
２２．２３．２４によって平行ビーム４１．４２．４３
．４４とされ、この平行ビーム４１．４２．４３．４４
は上記反射ミラー３１．３２．３３．３４により反射さ
れて、共通のガルバノメータミラー５に入射する。
ガルバノメータミラー５は図中矢印へ方向に往復揺動し
、上記平行ビーム４１．４２．４３．４４を偏向Ｊる。
、上記平行ビーム４１．４２．４３．４４を偏向Ｊる。
偏向された平行ビーム４１．４２．４３．４４は、共通
の集束レンズ６によって１つの合成ビームスポットＳに
集束される。したがって−に記スポットＳが照射される
位置に被走査面７を配置りれば、該被走査面７は、各半
導体レーザ１１．１２．１３．１４から射出されたレー
ザビームが合成されて高エネルギーとなった合成ビーム
４５によって矢印Ｂ方向に走査される。＜２お通常上記
被走査面７は平面とされ、そのために集束レンズ６とし
てｆθレンズが用いられる。
の集束レンズ６によって１つの合成ビームスポットＳに
集束される。したがって−に記スポットＳが照射される
位置に被走査面７を配置りれば、該被走査面７は、各半
導体レーザ１１．１２．１３．１４から射出されたレー
ザビームが合成されて高エネルギーとなった合成ビーム
４５によって矢印Ｂ方向に走査される。＜２お通常上記
被走査面７は平面とされ、そのために集束レンズ６とし
てｆθレンズが用いられる。
第２図は以上述べた半導体レーザ光源装置において合成
ビーム４５の光間を一定に制御する、本発明の第１実施
態様による光用制御装置を示すものである。前述した半
導体レーザ１１．１２．１３．１４はそれぞれ、公知の
定電流回路ＣＩ、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４により、駆動電流を
一定に設定して駆動されるようになっている。こうすれ
ば、各半導体レーザ１１〜１４が発するレーザビーム（
平行ビーム）４１〜４４の光量変動はある程度抑えられ
るが、それでも先に述べたような理由で光量変動が生じ
る。レーザビーム４１〜４４の光ｍｌが変動すれば当然
、合成ビーム４５の光量が変動することになる。そこで
上記定電流回路Ｃ１〜Ｃ４の一部、本例では２つの定電
流回路Ｃ３、Ｃ４には、該定電流回路Ｃ３、Ｃ４の設定
電流を変化させる制御回路Ｄ３、Ｄ４が接続されている
。
ビーム４５の光間を一定に制御する、本発明の第１実施
態様による光用制御装置を示すものである。前述した半
導体レーザ１１．１２．１３．１４はそれぞれ、公知の
定電流回路ＣＩ、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４により、駆動電流を
一定に設定して駆動されるようになっている。こうすれ
ば、各半導体レーザ１１〜１４が発するレーザビーム（
平行ビーム）４１〜４４の光量変動はある程度抑えられ
るが、それでも先に述べたような理由で光量変動が生じ
る。レーザビーム４１〜４４の光ｍｌが変動すれば当然
、合成ビーム４５の光量が変動することになる。そこで
上記定電流回路Ｃ１〜Ｃ４の一部、本例では２つの定電
流回路Ｃ３、Ｃ４には、該定電流回路Ｃ３、Ｃ４の設定
電流を変化させる制御回路Ｄ３、Ｄ４が接続されている
。
一方、周知の通り一般に半導体レーザ１１．１２．１３
．１４においては、そのケース内に、例えばフォトダイ
オード等の光検出器１１ａ、１２ａ、１３ａ、１４ａが
内蔵されており、これらの光検出器１１ａ、１２ａ 、
１３ａ 、 １４ａの出力信号はそれぞれ、増幅器１
１ｂ、１２ｂ、１３ｂ、１４ｂににって増幅されるよう
になっている。半導体レーザ素子１１ｄ 、 １２ｄ
、 １３ｄ 。
．１４においては、そのケース内に、例えばフォトダイ
オード等の光検出器１１ａ、１２ａ、１３ａ、１４ａが
内蔵されており、これらの光検出器１１ａ、１２ａ 、
１３ａ 、 １４ａの出力信号はそれぞれ、増幅器１
１ｂ、１２ｂ、１３ｂ、１４ｂににって増幅されるよう
になっている。半導体レーザ素子１１ｄ 、 １２ｄ
、 １３ｄ 。
１４ｄから発せられたレーザビームの一部は各々光検出
器１１ａ 、 １２ａ 、 １３ａ 、 １４ａによっ
て検出され、増幅器１１ｂ、１２ｂ、１３ｂ、１４ｂか
らは各レーザビーム４１．４２．４３．４４の光量を示
す光量信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４が出力される。これ
らの光量信号Ｓ１〜Ｓ４は加算［１路５０に入力され、
ｎいに加算される。したがって、この加算回路５０が出
力する加算信号Ｓａは、レーザビーム４１〜４４の光量
の総和、すなわち合成ビーム４５の光ωを示Ｊものとな
る。
器１１ａ 、 １２ａ 、 １３ａ 、 １４ａによっ
て検出され、増幅器１１ｂ、１２ｂ、１３ｂ、１４ｂか
らは各レーザビーム４１．４２．４３．４４の光量を示
す光量信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４が出力される。これ
らの光量信号Ｓ１〜Ｓ４は加算［１路５０に入力され、
ｎいに加算される。したがって、この加算回路５０が出
力する加算信号Ｓａは、レーザビーム４１〜４４の光量
の総和、すなわち合成ビーム４５の光ωを示Ｊものとな
る。
上記加締信号３ａは比較回路５１に入力され、それとと
もにこの比較回路５１には、合成ビーム４５の所定光量
を示す基準信号Ｓｒが入力される。該比較回路５１はこ
の基準信号Ｓｒと上記加算信号Ｓａとを比較し、加算信
号Ｓａが基準信号３ｒを一ト回ると（すなわち合成ご−
ム４５の光量が上記所定光量を上回ると）ハイレベルの
Ｈ信号を出ツノする。
もにこの比較回路５１には、合成ビーム４５の所定光量
を示す基準信号Ｓｒが入力される。該比較回路５１はこ
の基準信号Ｓｒと上記加算信号Ｓａとを比較し、加算信
号Ｓａが基準信号３ｒを一ト回ると（すなわち合成ご−
ム４５の光量が上記所定光量を上回ると）ハイレベルの
Ｈ信号を出ツノする。
反対に加算信号ｓ ａ ｈ＜基準信号３ｒ以下の場合（
合成ビーム４５の光量が上記所定光量以下の場合）、比
較回路５１はローレベルのし信号を出力する。
合成ビーム４５の光量が上記所定光量以下の場合）、比
較回路５１はローレベルのし信号を出力する。
この］−信月あるいはＨ信号は、前記制御回路Ｄ３、Ｄ
４に入力される。これらの制御回路Ｄ３、Ｄ４は、Ｈ信
号を受けている間は定電流回路Ｃ３、Ｃ４の設定電流を
低下させる。それにより半導体レーザ１３．１４の光出
力が低下し、合成ビー１１４５の光量が低下して上記所
定光量に近づく。反対にし信号が入力されているとき制
御回路Ｄ３、Ｄ４は、定電流回路Ｃ３、Ｃ４の設定電流
を増大させる。
４に入力される。これらの制御回路Ｄ３、Ｄ４は、Ｈ信
号を受けている間は定電流回路Ｃ３、Ｃ４の設定電流を
低下させる。それにより半導体レーザ１３．１４の光出
力が低下し、合成ビー１１４５の光量が低下して上記所
定光量に近づく。反対にし信号が入力されているとき制
御回路Ｄ３、Ｄ４は、定電流回路Ｃ３、Ｃ４の設定電流
を増大させる。
それにより半導体レーザ１３．１４の光出力が増大し、
合成ビーム４５の光量が上記所定光量に近づく。以上の
ような制御が行イｆわれることにより、合成ビーム４５
は所定光量に維持されるようになる。なおこの場合、制
御回路Ｄ３、Ｄ４にＪ：る定電流回路０３、Ｃ４の設定
電流制御Ｍ（増大量、低下量）は、微小な一定組どされ
るが、比較回路５１として加算信号Ｓａと基準信号ｓｒ
どの偏差に対応したレベルの信号を出力する回路を用い
、この偏差の大きさに応じて上記制御Ｉ １を変えるよ
うにしてもよい。
合成ビーム４５の光量が上記所定光量に近づく。以上の
ような制御が行イｆわれることにより、合成ビーム４５
は所定光量に維持されるようになる。なおこの場合、制
御回路Ｄ３、Ｄ４にＪ：る定電流回路０３、Ｃ４の設定
電流制御Ｍ（増大量、低下量）は、微小な一定組どされ
るが、比較回路５１として加算信号Ｓａと基準信号ｓｒ
どの偏差に対応したレベルの信号を出力する回路を用い
、この偏差の大きさに応じて上記制御Ｉ １を変えるよ
うにしてもよい。
また」−記の半導体レーザ光源装置は、平行ビーム４１
．４２．４３．４４を集束レンズ６によって１点に集束
させるものであるが、複数の集れんビームを、それぞれ
の集れん点が共通のスポットにおいて重なるように合成
Ｊ−る半導体レーザ光ｍ装置においても、本発明は同様
に適用可能である。
．４２．４３．４４を集束レンズ６によって１点に集束
させるものであるが、複数の集れんビームを、それぞれ
の集れん点が共通のスポットにおいて重なるように合成
Ｊ−る半導体レーザ光ｍ装置においても、本発明は同様
に適用可能である。
第３図は本発明の第２実施態様による光量制御装置を示
すものである。なおこの第３図において、前記第２図中
の要素と同等の要素には同番号を付し、それらについて
の説明は省略づる（以下、同様）。この第３図の光量制
御装置においては、前記第２図の装置で用いられた定電
流１ｒ！１路０１〜Ｃ４に代えて、定出力回路Ｆ１〜Ｆ
４が設（）られている。これらの定出力回路［Ｅ １
、Ｅ ２．１三３、Ｆ４は、それぞれ前記増幅器１１ｂ
、１２ｂ、 １３ｂ、 １４ｂから光量信号Ｓ１、ｓ２
、ｓ３、Ｓ ’Ｉ ヲ受ＬＪ 。
すものである。なおこの第３図において、前記第２図中
の要素と同等の要素には同番号を付し、それらについて
の説明は省略づる（以下、同様）。この第３図の光量制
御装置においては、前記第２図の装置で用いられた定電
流１ｒ！１路０１〜Ｃ４に代えて、定出力回路Ｆ１〜Ｆ
４が設（）られている。これらの定出力回路［Ｅ １
、Ｅ ２．１三３、Ｆ４は、それぞれ前記増幅器１１ｂ
、１２ｂ、 １３ｂ、 １４ｂから光量信号Ｓ１、ｓ２
、ｓ３、Ｓ ’Ｉ ヲ受ＬＪ 。
該光量信号Ｓ１〜Ｓ４がそれぞれ所定値どイ「るＪ−う
に（′？ｌなわちレーザビーム４１〜４４の光用がそれ
ぞれ所定値となるように）レーザ駆動電流を制御づる。
に（′？ｌなわちレーザビーム４１〜４４の光用がそれ
ぞれ所定値となるように）レーザ駆動電流を制御づる。
しかしこのようにしても、前述したｊｌＪＩ山により合
成ビーム４５の光量変動が生じることがある。
成ビーム４５の光量変動が生じることがある。
そこで−例として２つの定出力回路に３、［４には前記
制御回路１’）３、ｌ’）４が接続され、第２図のの装
置におＣプるのと同様にして、定出力回路１三３、Ｅ４
のレーザ駆動電流が制御される。このようイｆ制御が行
なわれることにより、この場合も合成ど一ム４５は所定
光量に保たれるようになる。
制御回路１’）３、ｌ’）４が接続され、第２図のの装
置におＣプるのと同様にして、定出力回路１三３、Ｅ４
のレーザ駆動電流が制御される。このようイｆ制御が行
なわれることにより、この場合も合成ど一ム４５は所定
光量に保たれるようになる。
次に第４図は、本発明の第３実施態様装置を概略的に示
すものである。この第４図の半導体レーザ光源装置にお
いては、６つの半導体レーザ６１、６２．６３．６４．
６５．６６から射出されたレーザビームか：」リメータ
レンズ７１．７２．７３．７４．７５．７６を通して平
行じ−ム８１．８２．８３．８４．８５．８６とされ、
これら平行ビーム８１．８２．８３．８４．８５．８６
が小ログラム素子９０に、１、って１本の高エネルギー
のビーム８７に合成されている。この合成ビーム８７は
一例どして回転多面鏡９１にＪ：って偏向され、図示し
ない被走査面上を走査する。なお上記のように複数のレ
ーザビームを１本に合成するためには、ホログラム素子
９０の他、例えば２軸性結晶素子など公知のビーム合成
手段が用いられＣもよい。
すものである。この第４図の半導体レーザ光源装置にお
いては、６つの半導体レーザ６１、６２．６３．６４．
６５．６６から射出されたレーザビームか：」リメータ
レンズ７１．７２．７３．７４．７５．７６を通して平
行じ−ム８１．８２．８３．８４．８５．８６とされ、
これら平行ビーム８１．８２．８３．８４．８５．８６
が小ログラム素子９０に、１、って１本の高エネルギー
のビーム８７に合成されている。この合成ビーム８７は
一例どして回転多面鏡９１にＪ：って偏向され、図示し
ない被走査面上を走査する。なお上記のように複数のレ
ーザビームを１本に合成するためには、ホログラム素子
９０の他、例えば２軸性結晶素子など公知のビーム合成
手段が用いられＣもよい。
−上記６つの半導体レーザ６１．６２．６３．６４．６
５．６６は、前記第１図の装置におけるのと同様に、定
電流回路Ｃ１〜Ｃ６によって電流一定で駆動される。そ
して−例として１つの半導体レーザ６６を駆動する定電
流回路Ｃ６は、制御回路Ｄ６のｆｌｉ１７ ｍ信号を受
けて、設定電流門を変えうるようになっている。この装
置においても、各半導体レーザ６１〜６６の光検出器（
図示せず）から出力され増幅器１１ｂ〜１６ｂによって
増幅された光量信号８１〜Ｓ６を加算回路５０に入力１
ノ、この加算回路５ｏから出力される加算信号Ｓａと基
準信号Ｓｒどを比較して、前記第２図の装置におけるの
と同様に定電流回路Ｃ６の設定電流を制御ｌすれば、合
成ビーム８７が所定光量に保たれる。
５．６６は、前記第１図の装置におけるのと同様に、定
電流回路Ｃ１〜Ｃ６によって電流一定で駆動される。そ
して−例として１つの半導体レーザ６６を駆動する定電
流回路Ｃ６は、制御回路Ｄ６のｆｌｉ１７ ｍ信号を受
けて、設定電流門を変えうるようになっている。この装
置においても、各半導体レーザ６１〜６６の光検出器（
図示せず）から出力され増幅器１１ｂ〜１６ｂによって
増幅された光量信号８１〜Ｓ６を加算回路５０に入力１
ノ、この加算回路５ｏから出力される加算信号Ｓａと基
準信号Ｓｒどを比較して、前記第２図の装置におけるの
と同様に定電流回路Ｃ６の設定電流を制御ｌすれば、合
成ビーム８７が所定光量に保たれる。
なお本発明において合成するレーザビームの本数は、１
ス上説明の実施態様における４本、６本に限られるもの
ではない。また光Ｍ制御駆動される半導体レーザも１台
あるいは２台に限られるものではなく、合成するレーザ
ビームの数が増大して合成ビームの光量変動幅が大きく
なる場合には、光ｍ制御範囲する半導体レーザの数を適
宜増やして、合成ビームの光量変動幅以上の光ｍ制御範
囲を確保すればよい。
ス上説明の実施態様における４本、６本に限られるもの
ではない。また光Ｍ制御駆動される半導体レーザも１台
あるいは２台に限られるものではなく、合成するレーザ
ビームの数が増大して合成ビームの光量変動幅が大きく
なる場合には、光ｍ制御範囲する半導体レーザの数を適
宜増やして、合成ビームの光量変動幅以上の光ｍ制御範
囲を確保すればよい。
（発明の効果）
Ｊス上訂細に３２明した通り本発明の半導体レーザ光源
元凶制御装置によれば、合成ビームの光量を正確に一定
に保つことが可能であり、そして該光Ｍの一定化は、一
部の半導体レーザの光量を制御することによって達成さ
れるようになっているので回路が簡素化され、本装冒は
極めて小型、安価に形成されるものと（７る。
元凶制御装置によれば、合成ビームの光量を正確に一定
に保つことが可能であり、そして該光Ｍの一定化は、一
部の半導体レーザの光量を制御することによって達成さ
れるようになっているので回路が簡素化され、本装冒は
極めて小型、安価に形成されるものと（７る。
／Ｉ 、 図面（７）ｆｇｌｆｌｉイｚ ｉｆ２明第１
図は本発明の装置が適用される半導体レーリ゛光源装置
の一例を示す概略斜視図、第２図および第３図はそれぞ
れ、本発明の第１おＪ、び第２実施態様装置を示リブロ
ック図、第４図は本発明の第３実施態様装置を示す概略
図である。
図は本発明の装置が適用される半導体レーリ゛光源装置
の一例を示す概略斜視図、第２図および第３図はそれぞ
れ、本発明の第１おＪ、び第２実施態様装置を示リブロ
ック図、第４図は本発明の第３実施態様装置を示す概略
図である。
１１．１２．１３．１４．６１．６２．６３．６４．６
５．６６・・・半導体レーザ １１ａ 、１２ａ 、 １３ａ、 １４ａ・・・光検出
器４１、４２．４３．４４．８１．８２．８３．８４．
８５．８６・・・串打ビーム（レーザビーム） ４５．８７・・・合成ご一ム ５０・・・加算回路
５１・・・比較回路 ９０・・・ホログラム
索子Ｃ１ヘーＣ６・・・定電流回路
５．６６・・・半導体レーザ １１ａ 、１２ａ 、 １３ａ、 １４ａ・・・光検出
器４１、４２．４３．４４．８１．８２．８３．８４．
８５．８６・・・串打ビーム（レーザビーム） ４５．８７・・・合成ご一ム ５０・・・加算回路
５１・・・比較回路 ９０・・・ホログラム
索子Ｃ１ヘーＣ６・・・定電流回路
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 複数の半導体レーザから射出された各レーザビームを１
本に合成するようにした半導体レーザ光源装置において
、 前記半導体レーザをそれぞれ駆動する複数の定電流回路
または定出力回路と、 前記半導体レーザの各々のケース内に内蔵されている光
検出器の出力信号を受け、これらの信号を加算する加算
回路と、 この加算回路の加算信号と、合成されたレーザビームの
所定光量を示す基準信号とを比較し、これら加算信号と
基準信号との偏差を示す偏差信号を出力する比較回路と
、 前記複数の定電流回路または定出力回路のうちの一部の
回路に接続され、前記偏差信号を受けて、前記偏差が解
消されるように該一部の回路のレーザ駆動電流を変化さ
せる制御回路とが設けられてなる半導体レーザ光源光量
制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60119314A JPS61275869A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 半導体レ−ザ光源光量制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60119314A JPS61275869A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 半導体レ−ザ光源光量制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61275869A true JPS61275869A (ja) | 1986-12-05 |
| JPH0444751B2 JPH0444751B2 (ja) | 1992-07-22 |
Family
ID=14758374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60119314A Granted JPS61275869A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 半導体レ−ザ光源光量制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61275869A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6448016A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | Laser recording device |
| JP2009075250A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Konica Minolta Business Technologies Inc | レーザ走査光学装置 |
| JP2017188702A (ja) * | 2017-07-18 | 2017-10-12 | 株式会社島津製作所 | 半導体レーザ駆動回路 |
| US11480317B2 (en) | 2020-09-29 | 2022-10-25 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light source device with sensor for detecting anomaly in wavelength converting member |
-
1985
- 1985-05-31 JP JP60119314A patent/JPS61275869A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6448016A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-22 | Fuji Photo Film Co Ltd | Laser recording device |
| JP2009075250A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Konica Minolta Business Technologies Inc | レーザ走査光学装置 |
| JP2017188702A (ja) * | 2017-07-18 | 2017-10-12 | 株式会社島津製作所 | 半導体レーザ駆動回路 |
| US11480317B2 (en) | 2020-09-29 | 2022-10-25 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light source device with sensor for detecting anomaly in wavelength converting member |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0444751B2 (ja) | 1992-07-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0165060B1 (en) | Semiconductor laser beam scanning device | |
| JPS61200524A (ja) | 光走査装置 | |
| US4876452A (en) | Radiation image read-out apparatus | |
| US4958893A (en) | Semiconductor laser beam source apparatus | |
| EP0159023A2 (en) | Light beam scanning apparatus | |
| JPS61275869A (ja) | 半導体レ−ザ光源光量制御装置 | |
| JPH0787532B2 (ja) | 画像情報読取装置のシェーディング補正方法 | |
| JP2739384B2 (ja) | 画像読取記録装置 | |
| JPH1164793A (ja) | 半導体レーザ光源装置および放射線画像読取装置 | |
| JPH085211B2 (ja) | レーザ光照射装置 | |
| US5083023A (en) | Composite light source unit and scanning device | |
| JPS61275870A (ja) | 半導体レ−ザ光源光量制御装置 | |
| JPS60264158A (ja) | 半導体レ−ザ走査装置 | |
| JPS61275871A (ja) | 半導体レ−ザ光源光量制御装置 | |
| JPS6113215A (ja) | 半導体レ−ザ走査装置 | |
| JPS61156219A (ja) | 半導体レ−ザビ−ム合成方法 | |
| JPH0260162B2 (ja) | ||
| JPH0685361A (ja) | 半導体レーザ光源装置 | |
| JPH01125887A (ja) | マルチレーザ光源装置 | |
| JP2903269B2 (ja) | 光走査装置および感光体 | |
| JPH08116435A (ja) | 放射線画像読取りにおけるシェーディング補正方法 | |
| JPH05160497A (ja) | 半導体レーザーの光出力安定化装置 | |
| JPS61186914A (ja) | マルチ光源装置 | |
| JP2927355B2 (ja) | 放射線画像情報読取装置 | |
| JPH11352616A (ja) | 放射線画像情報読取装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |