JPS61272367A - 薄膜形成装置 - Google Patents

薄膜形成装置

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Publication number
JPS61272367A
JPS61272367A JP11463185A JP11463185A JPS61272367A JP S61272367 A JPS61272367 A JP S61272367A JP 11463185 A JP11463185 A JP 11463185A JP 11463185 A JP11463185 A JP 11463185A JP S61272367 A JPS61272367 A JP S61272367A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crucible
thin film
nozzle
film forming
heat
Prior art date
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Pending
Application number
JP11463185A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuyuki Iwatani
岩谷 靖之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS61272367A publication Critical patent/JPS61272367A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、蒸着により薄膜を形成する装置。
特にノズルの目詰まりを防止することができる薄膜形成
装置に関するものである。
〔従来の技術〕
第2図は、例えば特開昭54−9542号公報に示され
た従来の薄膜形成装置を示すもので1図中、(1)は真
空槽、(2)は真空排気口、(3)は真空排気口パルプ
、(4)は、蒸着物質、(6)は蒸着物質(4)を入れ
るるつぼ、(6)はるつぼ支持台、(γ)はるつぼ(6
)を加熱するために電子を放出する電子ボンバード用フ
ィラメント、(8)はるつぼ(6)および電子ボンバー
ド用フィラメント(7)からの熱放射を遮えぎるるつぼ
熱シールド板、(9)はるつぼ熱シールド板を支える絶
縁物、(ロ)はクラスタをイオン化するために電子を放
出するイオン化フィラメント、(農はイオン化フィラメ
ント(6)から電子を引出す′成子引出グリッド、α場
はイオン化フィラメント(2)からの熱放射を遮えぎる
イオン化熱シールド板、に)はイオン比熱シールド板α
埠を支えるイオン化熱シールド板絶縁物、(ロ)はイオ
ン化フィラメント(ロ)から電子引出グリッド((2)
で引出された電子、(至)は加速電極、C1,)は加速
電極を支える加速電極絶縁物、(ト)はるつぼ(5)か
ら噴出した蒸着物質(4)の中性クラスタ、四はイオン
化電子(ロ)によシイオン化された蒸着物質(4)のイ
オン化クラスタ、麹は中性クラスタ(至)とイオン化ク
ラスタ(至)を含むクラスタビーム% (211ハクラ
スタビ〜ムを遮えぎるシャッター、(財)はシャッター
(211を支持回転させるシャッター支持棒、(財)は
真空槽(1)をシャッター支持棒(財)が買通するシャ
ッター支持棒シール部、−は基板、(7)は基板ホルダ
ー、善は基板ホルダーシール部、(ロ)はるつぼ(5)
に設けられたノズルである。
従来の薄膜形成装置は上記のように構成され、まず真空
槽(1)の真空排気口(2)から真空排気口バルブ(8
)を介して真空排気された高真空領域内で、蒸着物質(
4)を入れたるつぼ(6)を電子ボンバード用フィラメ
ント(7)から出た電子の電子衝撃により蒸着物質(4
)のるつぼ(6)内の蒸気圧が数 TOrrになる温度
に加熱する。次いで、るつぼ(5)に設けられたノズル
(ロ)から高真空領域内へ蒸着物質(4)の蒸気を噴出
し、このとき断熱膨張による過冷却状態によつ・  て
クラスタビーム(イ)が発生する。このクラスタビーム
−にイオン化フィラメント(2)から電子引出グリッド
(田により引出されたイオン化電子(ロ)を衝突させる
ことにより、クラスタをイオン化させイオン化りラスタ
α呻を形成させる。一部のクラスタはイオン化電子(ロ
)と衝突せず、中性クラスタμs)として、るつぼ(5
)からの噴出速度で基板(財)へ蒸着される。イオン化
クラスタ(至)は、電子引出グリッド(習及びイオン化
熱シールド板a印と加速電極aa)の間に、前者が正、
後者が負となるよう電位差を与え、加速されて基板−に
蒸着される。シャッター(21¥はクラスタビーム−を
制御する開閉装置であり、基板−に必要な厚さの薄膜を
形成する。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記のような従来の薄膜形成装置では、加工性や高温時
の蒸気圧等の制約からるつぼ(5)をカーボンで形成し
ているが、るつぼ(5)からの熱ふく射が大きいため、
るつぼ(6)の加熱効率が悪く、また熱伝導率が低いた
め、ノズル(ロ)を有するるつぼ(6)の蓋部に温度分
布が生じ、温度の低いノズル一部分では蒸気が凝縮して
ノズル(ロ)に目詰まりが生じる等の問題があった。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、るつぼの加熱効率を向上させることができ、しかも
ノズルの目詰まシを解消できる薄膜形成装置を得ること
を目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る薄膜形成装置は、ノズルが設けられてい
るるつぼの蓋部を耐熱性金属材料で形成するようにした
ものである。
〔作用〕
この発明においては、るつぼの蓋部を耐熱性を有する金
属材料で形成しているので、熱ふく射によるるつぼ温度
の低下が少なくなシ、また蓋部の熱伝導率が高くなるた
め温度分布が均一になシ、ノズルの目詰まシを有効に防
止することが可能となる。
〔実施例〕
第1図はこの発明の一実施例を示すもので、図中、第2
図と同一符号は同−又は相当部分を示す0t51)はノ
ズル(ロ)を有するるつぼの蓋で、タンタル、タングス
テン、あるいはモリブデン等の耐熱性を有する金属材料
で形成されている。tisは蓋押さえである。
上記のように構成された薄膜形成装置においては、るつ
ぼ(6)の側面からの放熱は、熱シールド板(8)で断
熱されているため比較的少ないが、加速電極(至)の開
口部を通して直接基板−又は真空槽(1)忙対向してい
るるつぼの蓋151)からの放熱は、どうしても多くな
りがちである。
ところがこの実施例では、るつぼの蓋151)を耐熱性
を有する金属材料で形成しているので、るつぼの蓋φ1
)のふく対車が低くなって放熱を少なくすることが可能
となる。このため、るつぼ(6)の加熱効率を向上させ
ることができる。
また、るつぼ(6)は電子衝撃によシ側面から加熱され
るが、るつぼの蓋へ)の熱伝導がよいため温度分布が均
一となシ、蒸気が凝縮してノズル(財)が目詰まりを生
じるのを有効に防止することができる。
〔発明の効果〕
この発明は以上説明したとおシ、るつぼの蓋部を耐熱性
を有する金属材料で形成しているので、るつぼの放熱を
抑えて加熱効率を向上させることができるとともに、蓋
部の温度分布を均一にしてノズルの目詰まシを防止でき
、効率よく安定に蒸着できる等の効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す説明図、第2図は従
来の薄膜形成装置を示す全体構成図である0 (4):蒸着物質    (5):るつぼ(ロ):ノズ
ル     四):るつぼの蓋なお各図中、同一符号は
同−又は相当部分を示すものとする。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)蓋部にノズルが設けられたるつぼ内を加熱昇圧し
    、るつぼ内に配された蒸着物質の蒸気を、上記ノズルか
    ら高真空領域内に噴出させて基板に蒸着させるものにお
    いて、上記るつぼの蓋部を、耐熱性を有する金属材料で
    形成したことを特徴とする薄膜形成装置。
  2. (2)耐熱性を有する金属材料として、タンタル、タン
    グステン、あるいはモリブデンを用いることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項記載の薄膜形成装置。
JP11463185A 1985-05-28 1985-05-28 薄膜形成装置 Pending JPS61272367A (ja)

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JP11463185A JPS61272367A (ja) 1985-05-28 1985-05-28 薄膜形成装置

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JP11463185A JPS61272367A (ja) 1985-05-28 1985-05-28 薄膜形成装置

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JP (1) JPS61272367A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1219464A2 (en) 2000-12-20 2002-07-03 Fuji Photo Film Co., Ltd. Lithographic printing plate precursor
EP1625944A1 (en) 2004-08-13 2006-02-15 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method of manufacturing lithographic printing plate support
JP2006193761A (ja) * 2005-01-11 2006-07-27 Ideal Star Inc 気化器及び気化器を有するプラズマ処理装置
EP1712368A1 (en) 2005-04-13 2006-10-18 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method of manufacturing a support for a lithographic printing plate
WO2010038812A1 (ja) 2008-09-30 2010-04-08 富士フイルム株式会社 電解処理方法および電解処理装置
WO2010150810A1 (ja) 2009-06-26 2010-12-29 富士フイルム株式会社 光反射基板およびその製造方法
WO2011078010A1 (ja) 2009-12-25 2011-06-30 富士フイルム株式会社 絶縁基板、絶縁基板の製造方法、配線の形成方法、配線基板および発光素子

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JP2006193761A (ja) * 2005-01-11 2006-07-27 Ideal Star Inc 気化器及び気化器を有するプラズマ処理装置
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