JPS61272315A - 加熱炉用ラジアントチューブの製造方法 - Google Patents
加熱炉用ラジアントチューブの製造方法Info
- Publication number
- JPS61272315A JPS61272315A JP11432985A JP11432985A JPS61272315A JP S61272315 A JPS61272315 A JP S61272315A JP 11432985 A JP11432985 A JP 11432985A JP 11432985 A JP11432985 A JP 11432985A JP S61272315 A JPS61272315 A JP S61272315A
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- JP
- Japan
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- radiant tube
- heating furnace
- heated
- radiant
- sic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
の;
スラブ、ビレット、ブルームなどの被加熱材を加熱する
ための加熱炉の主として均熱帯に設けられて、輻射熱を
出すラジアントチューブに関する。
ための加熱炉の主として均熱帯に設けられて、輻射熱を
出すラジアントチューブに関する。
従」しλ且」L
加熱炉に設けられるラジアントチューブは、炭化ケイ素
質耐火物から形成されていることたびたび停止し、被加
熱材の加熱処理の効率が悪という問題があった。
質耐火物から形成されていることたびたび停止し、被加
熱材の加熱処理の効率が悪という問題があった。
11Ll乱
この発明は上述した問題点を解決するためになされたも
のであり、加熱炉の主として均熱帯に設けられるラジア
ントチューブが、スラブ取出し時に急激に冷却されても
クラックが発生しない加熱炉のラジアントチューブを提
供することを目的とする。
のであり、加熱炉の主として均熱帯に設けられるラジア
ントチューブが、スラブ取出し時に急激に冷却されても
クラックが発生しない加熱炉のラジアントチューブを提
供することを目的とする。
11主11
したがって、この目的を達成するためにこの発明は、加
熱炉に設けられるラジアントチューブにおいて、酸化雰
囲気において再加熱処理されたSiC−8i3N4系セ
ラミックにより形成されていることを特徴とする加熱炉
のラジアントチューブを要旨としている。
熱炉に設けられるラジアントチューブにおいて、酸化雰
囲気において再加熱処理されたSiC−8i3N4系セ
ラミックにより形成されていることを特徴とする加熱炉
のラジアントチューブを要旨としている。
、を ” るための
加熱炉の主として均熱帯6に設けられるうジアントチュ
ーブ8は、酸化雰囲気において再加熱処理されたSiC
−8i3N4系セラミックにより形成する。
ーブ8は、酸化雰囲気において再加熱処理されたSiC
−8i3N4系セラミックにより形成する。
均熱帯6のラジアントチューブ8は、主に耐熱的スポー
リング性が向上し、急激な冷却を受けてもクラックが発
生しない。
リング性が向上し、急激な冷却を受けてもクラックが発
生しない。
11九
第1図は加熱炉の一部切欠側面図を示しており、第2図
は第1図のA−A線における断面を示している。
は第1図のA−A線における断面を示している。
図において1は加熱炉の炉床である。この炉床1には被
加熱材支持ビーム2が設けられており、この支持ビー′
ム2の上には被加熱材3が移動できるようになっている
。
加熱材支持ビーム2が設けられており、この支持ビー′
ム2の上には被加熱材3が移動できるようになっている
。
加熱炉は、入口側から順に予熱帯4、加熱帯5および均
熱帯6により構成されている。
熱帯6により構成されている。
この予熱帯4から均熱帯6までにわたって被加熱材3の
進行方向と直角方向に、ラジアントチューブ7818が
設定されている。加熱炉の側壁には、バーナ7がラジア
ントチューブ7818に対向して設けられている。
進行方向と直角方向に、ラジアントチューブ7818が
設定されている。加熱炉の側壁には、バーナ7がラジア
ントチューブ7818に対向して設けられている。
均熱帯6のラジアントチューブ8は、予熱帯4および加
熱帯5の領域と同様にサポート9により炉床1から上方
に支持されている。
熱帯5の領域と同様にサポート9により炉床1から上方
に支持されている。
各バーナ7に同軸となるように直列に並べて設定された
各ラジアントチューブ8は、隙間を隔てて設定されてお
り、しかも一方のラジアントチューブ8はバーナ7に対
しても隙間が設けられている。
各ラジアントチューブ8は、隙間を隔てて設定されてお
り、しかも一方のラジアントチューブ8はバーナ7に対
しても隙間が設けられている。
各ラジアントチューブ8は、両端解放のものであり、酸
化雰囲気において再加熱処理されたSiC−8iSNa
系セラミックすなわちSi 3 N4 bonded
3i C焼結体ニヨリ形成されている。
化雰囲気において再加熱処理されたSiC−8iSNa
系セラミックすなわちSi 3 N4 bonded
3i C焼結体ニヨリ形成されている。
なお、均熱帯6の上部には上部バーナ10が設けられて
いる。
いる。
使用時には、被加熱材たとえばスラブ3は、予熱帯4、
加熱帯5および均熱帯6に順次移送されてくる。この間
に被加熱材3は予熱、加熱および均熱処理がなされる。
加熱帯5および均熱帯6に順次移送されてくる。この間
に被加熱材3は予熱、加熱および均熱処理がなされる。
この予熱、加熱および均熱作業中は、各ラジアントチュ
ーブ7a、8にバーナ7の火炎および燃焼ガスが送られ
、ラジアントチューブ7818は輻射熱を出す。
ーブ7a、8にバーナ7の火炎および燃焼ガスが送られ
、ラジアントチューブ7818は輻射熱を出す。
操業が進むと、支持ビーム2には、スラブが堆積する。
そこで、均熱帯6の抽出口(図示せず)を開けて、エキ
ストラクター11を入れてスラブを取出す。この時均熱
帯内の温度と外部との温度差が極めて大きいので、外気
の冷風およびエキストラクター11により均熱帯6のラ
ジアントチューブ8は急激に冷却される。
ストラクター11を入れてスラブを取出す。この時均熱
帯内の温度と外部との温度差が極めて大きいので、外気
の冷風およびエキストラクター11により均熱帯6のラ
ジアントチューブ8は急激に冷却される。
しかしながら、均熱帯6のラジアントチュー78は、酸
化雰囲気において再加熱処理されたSiC−8i3N4
系セラミックで形成されているので耐熱的スポーリング
性(耐熱衝撃性)が優れクラックが入るおそれはない。
化雰囲気において再加熱処理されたSiC−8i3N4
系セラミックで形成されているので耐熱的スポーリング
性(耐熱衝撃性)が優れクラックが入るおそれはない。
ところで、SiC−8i3N4系セラミックは、次のよ
うな酸化雰囲気再加熱処理条件により作るのが望ましい
。
うな酸化雰囲気再加熱処理条件により作るのが望ましい
。
再加熱温度は、1250〜1500℃の温度範囲である
。
。
なお、酸素雰囲気は、実炉と同程度の燃焼雰囲気であっ
てもよい。
てもよい。
ところで、酸化雰囲気において再加熱処理されたSiC
−8i3N4系セラミックと他のセラミック質との反復
加熱試験の結果を第3図に示す。
−8i3N4系セラミックと他のセラミック質との反復
加熱試験の結果を第3図に示す。
第3図は縦軸に弾性率減少割合(%)を取り、横軸には
反復回数(回)を取っである。
反復回数(回)を取っである。
第3図には、比較例としてSiC−8i3N4系セラミ
ック質とSiC系セラミック質をあげである。
ック質とSiC系セラミック質をあげである。
この反復加熱試験は、900℃の炉内に各材質を挿入し
、15分間加熱後放冷するプロセスを繰り返し実施して
、反復回数に対する弾性率の減少割合を測定する試験で
ある。
、15分間加熱後放冷するプロセスを繰り返し実施して
、反復回数に対する弾性率の減少割合を測定する試験で
ある。
第3図から明らかなように、酸化雰囲気において再加熱
処理されたSiC−Si3N4系セラミックは、反復回
数が増えてもほとんど弾性率の低下はなく、初期の弾性
率を保持している。ところが、他の材質はいずれも反復
回数が1回から2回で、弾性率が初期の95%以下に低
下してしまう。
処理されたSiC−Si3N4系セラミックは、反復回
数が増えてもほとんど弾性率の低下はなく、初期の弾性
率を保持している。ところが、他の材質はいずれも反復
回数が1回から2回で、弾性率が初期の95%以下に低
下してしまう。
このことから再加熱処理済みのSiC−8+3N4系セ
ラミックは、温度変化が繰り返しあっても割れが生じに
くいのである。
ラミックは、温度変化が繰り返しあっても割れが生じに
くいのである。
なお、上述した実施例では、均熱帯6の各か所のラジア
ントチューブ8を2本に分割して直列に並べて2本で1
組としているが、第4図に示すようにこれを良くして1
本化したラジアントチューブ8を用いてもよいことはい
うまでもない。
ントチューブ8を2本に分割して直列に並べて2本で1
組としているが、第4図に示すようにこれを良くして1
本化したラジアントチューブ8を用いてもよいことはい
うまでもない。
lに31
以上説明したことから明らかなように、加熱炉の均熱帯
に設けるラジアントチューブを、酸化雰囲気において再
加熱処理されたSiC−8! 3N4系セラミックによ
り形成するので、支持ビーム上にスラブがたまって取出
す時に冷風にさらされたりエキストラクターにより冷却
されても、均熱帯のラジアントチューブはクラックが発
生せず、ラジアントチューブの長寿命化が図れ、それに
より加熱炉の安定かつ連続な操業が可能となり加熱処理
の効率向上ができる効果がある。
に設けるラジアントチューブを、酸化雰囲気において再
加熱処理されたSiC−8! 3N4系セラミックによ
り形成するので、支持ビーム上にスラブがたまって取出
す時に冷風にさらされたりエキストラクターにより冷却
されても、均熱帯のラジアントチューブはクラックが発
生せず、ラジアントチューブの長寿命化が図れ、それに
より加熱炉の安定かつ連続な操業が可能となり加熱処理
の効率向上ができる効果がある。
第1図はこの発明のラジアントチューブが設けられた加
熱炉を示す一部切欠側面図、第2図は第1図のA−A線
における断面図、第3図は反復加熱試験の結果を示す図
、第4図はこの発明のラジアントチューブの別の実施例
が設けられた加熱炉を示す断面図である。 6・・・加熱炉の均熱帯 7・・・バーナ 8・・・均熱帯のラジアントチューブ 代 第1図 第2図 第3図 第4図 手続補正書(自発) 昭和60年6月4日
熱炉を示す一部切欠側面図、第2図は第1図のA−A線
における断面図、第3図は反復加熱試験の結果を示す図
、第4図はこの発明のラジアントチューブの別の実施例
が設けられた加熱炉を示す断面図である。 6・・・加熱炉の均熱帯 7・・・バーナ 8・・・均熱帯のラジアントチューブ 代 第1図 第2図 第3図 第4図 手続補正書(自発) 昭和60年6月4日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 加熱炉に設けられるラジアントチューブに おいて、酸化雰囲気において再加熱処理されたSiC−
Si_3N_4系セラミックにより形成されていること
を特徴とする加熱炉のラジアントチューブ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11432985A JPS61272315A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 加熱炉用ラジアントチューブの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11432985A JPS61272315A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 加熱炉用ラジアントチューブの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61272315A true JPS61272315A (ja) | 1986-12-02 |
JPH0526844B2 JPH0526844B2 (ja) | 1993-04-19 |
Family
ID=14635090
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11432985A Granted JPS61272315A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | 加熱炉用ラジアントチューブの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61272315A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01131803A (ja) * | 1987-11-16 | 1989-05-24 | Tokai Konetsu Kogyo Co Ltd | SiC−Si質ラジアントチューブ |
JPH10298642A (ja) * | 1997-04-25 | 1998-11-10 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 高能率大型光輝加熱炉 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5744165U (ja) * | 1980-08-20 | 1982-03-11 | ||
JPS60240907A (ja) * | 1984-05-15 | 1985-11-29 | Tokyo Gas Co Ltd | ラジアントチユ−ブバ−ナ |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5543616A (en) * | 1978-09-22 | 1980-03-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Process method for chinese character information |
-
1985
- 1985-05-29 JP JP11432985A patent/JPS61272315A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5744165U (ja) * | 1980-08-20 | 1982-03-11 | ||
JPS60240907A (ja) * | 1984-05-15 | 1985-11-29 | Tokyo Gas Co Ltd | ラジアントチユ−ブバ−ナ |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01131803A (ja) * | 1987-11-16 | 1989-05-24 | Tokai Konetsu Kogyo Co Ltd | SiC−Si質ラジアントチューブ |
JPH10298642A (ja) * | 1997-04-25 | 1998-11-10 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 高能率大型光輝加熱炉 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0526844B2 (ja) | 1993-04-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |