JPS61270667A - ガス絶縁３相変流器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ 本発明は、３相一括型のガス絶縁開閉装置に用いられる
変流器に関するものであり、特に磁気光学効果を持つ光
磁弄センリにて構成した変流器に＝　　１　− 係る。

「発明の技術的背順とイの１１１１題点］従来、３相一
括型のガス絶縁開閉装置に用いられるガス絶縁３相変流
器は、ケイ素鋼板に二、ｌイルを巻き付番ｊて成る鉄心
タイプの変流器＝】アにより構成されていた。しかしな
がら、この様イよ鉄心タイプの変流器は、小量が大きく
なり、容積す人きくなる欠点があった。

また、この様な変流器は、事故電流等の過大な電流によ
って生ずる隣接相磁界等の影響を受は易い為、開側誤差
を１−じ易く、これも問題となっていｌ〔。

一方、最近では、細径性、絶縁性、無誘導性、耐環境十
１等の優れた特性を有する光ファイバーを用いたｈ１測
技術／１１目され、これを応用した光磁界センｔすによ
り変流器を構成Ｊる試みがなされている３゜ その為、ガス絶縁３相変流器におい−Ｃも、前記の鉄心
タイプの変流器二１アに代え−（、光ファイバーを採用
したものが開発されている。

即ち、この様な光ファイバーを採用した変流器は、名相
導体に＝１イル部を形成し、当該］イル内部に、」イル
によって生じ！、：導体軸方向の磁界のみを計測りる様
に構成した一方向竹光磁界センサを配設することにより
、他相磁界の影響を廃除するものＣ゛あり、高精度の計
測を可能とし、０つ装置の小型・軽量化を実現している
。

第３図（△）〈Ｂ）にこの様な光磁界センリを採用した
ガス絶縁３相変流器の一例を説明覆る。

第３図（△）に示ず様ｋ　Ｎ　Ｓ　Ｆｅガスを封入した
密閉容器１内に３相導体２（ｊ・〜２Ｗが配置され、こ
れらの導体２　ＬＪ〜２Ｗには、第３図（Ｂ）に示づ様
に、夫々１箇所に２タ一ン以上のコイル部３が形成され
ている。コイル部３の内部には、７ｎＳｅ等のファラデ
ー素子で構成されＩこ光毎蚤界センサ４が配設されてい
る。−月１密閉容器１には、直線偏光を光する発光部５
が取イ・１けられ−Ｃおり、この発光部５７３日ら磁界
セン＋Ｊ−装置４に向（」て直線偏光が空間伝送、人力
される。光磁界セン１す４に入力された直線偏光は、導
体軸方向Ｗｉ！ｉ’ｌＩ６の強電に比例しで一ツノ・ラ
ブ−回転された後、光磁界センサ４内のプリズムを介し
−（再び空間内に伝送され、前記発光部５に隣接ｉ〕′
Ｃ密閉容器１に取（Ｎｔ　ＰＩられた検出部６に人力さ
れ、光・電気変換の後、電気信号として取出される。

ところで、ガス絶縁機器で構成された変電所においでは
、ガス絶縁開閉器、特にガス絶縁断路器の進み小電流し
１５断に」、って、極めて高周波・高電圧の断路器サー
ジが発生り−る。この断路器４ｆ−ジは、周波数が数十
Ｍ　Ｈｚ　、電Ｉｆが１０００　Ｋ　Ｖに達４る揚台も
あり、この様な断路器Ｉｖ−ジにＶ記の様な光磁界レン
リを用いたガス絶縁３相変流器がさらされると、各相導
体２１１〜２Ｗに形成された］イル部３のインダクタン
ス分に過大な電圧が生じ、コイル部３の短絡、或いは天
地間地絡の様な絶縁破壊を生じてしまう恐れがある。

［発明の［］的］ 本発明は、ト述の点に鋤みで提案されたもので、ぞの目
的は、光Ｆ４ｉ界センリ−を使用することにより、小型
・軽量、及び高精度のｉｔ測という長所を有しｈがら、
しかも断路器サージ等の高周波・高電ｆ１の１１−ジ等
にさらされても、絶縁破壊を生ずるごとのない様な潰れ
たガス絶縁３相変流器を提供りることにある。

［発明の概要］ 本発明のガス絶縁３相変流器は、各相導体に形成された
コイル部に丁］ンデン号又は非直線抵抗を並列に接続し
たことを特徴と覆るものである。

そして、この様な構成を有することにより、高周波・高
電Ｆ「の断路器サージ等を＝】ンデンザ又は非直線抵抗
にてバイパスＥノ、コイル部におｔ−Ｊろ過大な電Ｉｆ
の光牛を防」１できる為、絶縁破壊を生ずることがない
。

［発明の実施例１ 以、１の様な本発明によるガス絶縁３相変流器の実施例
を第１図及び第２図を用いて説明する。なお、前）ホし
た従来例ど同一部分についでは、同一符号を付し、説明
を省略する。

第１図に示１第１実施例において、各相導体２ｕ−２ｗ
に形成されＩ、＝−１イル部３の外周には、円筒形状の
丁１ンデンリ−８が並列に接続されている。

この」ンデンリ８は、絶縁紙、ボリニ「スプル等のシー
１−状絶縁物とアルミ箔等のシー１〜状金属とを重ね合
せて同軸状に巻回し、Ｊボキシ樹脂等でモールド形成１
ノでいる。また、この丁］ンデンサ８には、発光部５か
ら発ぼられる直線偏光と、光磁界センリ−４によってフ
ァラデー角度回転された偏光とを通過さ已る為の開「１
部８ａが設【ノられている。

以上の様な構成を有−４る本実施例で番よ、断路器サー
ジ等の高周波・高電圧のサージさらされた際、このＵ−
−ジを、コイル部３と並列に接続したコンデンリ−８に
よって吸収できる為、−］コイル部に過大な電圧を生ず
ることはなく、従って、コイル部３の短絡・地絡等の絶
縁破壊を防庄できる。

第２図に示す第２実施例は、第１実施例にお＆Ｊる］ン
デン１ノ８を酸化曲鉛等の素子で形成した非直線抵抗９
に置換したものであり、この非直線抵抗９は、第１実施
例の］ンデンリ８と同様円筒形状に形成され、偏光を通
過させる為の開口部９ａが設けられており、その作用効
果も、第１実施例ど同様（゛ある。

＜ｆｆｉお、本発明は、前記２つの実施例に限定される
もの（・はなく、例えば、−］ンデンリ８及び１１−直
線抵抗は、＝１イル部と並列に接続されればよく、これ
らを棒状に形成し１．：す、又、二１イル内部に配回Ｊ
ること等ｂｉｆ自１ｉ−（”ある。

［発明の効果１ 以上説明しＩ、＝様に、本発明にＪ、れば、導体の一部
に形成されたｍｌイル部ど並列に丁］ンデンリ又は非直
線抵抗を接続Ｍるという簡１１な構成により、断路器リ
ーン等の高周波・＾電１ＦのサージにざらされＩこ際に
も絶縁破壊を牛ヂることのない様＜Ｋ侵れｌ、ニガス絶
縁３相変流器を（（？供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明にＪ、るガス絶縁３相変流器の一実施
例を示す軸方向断面図、第２図は本発明にＪ、るガス絶
縁３相変流器の他の実施例を承り軸方向断面図、第３図
（Ａ）（１ｍ）は、夫々本発明に先行するガス絶縁３相
変流器を示Ｊ軸と垂直方向、及び軸方向の断面図である
。 ＝　　７　− １・・・密閉容器、２ＬＩ−２Ｗ・・・導体、３・・・
＝ｌイル部、４・・・光磁界センリ−１５・・・発光部
、６・・・検出部、７・・・…弄、８・・・」ン−Ｊ”
ン１フ、９・・・非直線抵抗。 １３１１　　代即人　弁即十　則近　憲佑（外１名）−
Ｂ　　＝ 第　１　図 １乙 第２図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）ＳＦ＿６ガス等の絶縁ガスを封入した密閉容器内
   に３相の導体を配置し、この各相の導体には、導体軸方
   向の磁界を発生させる為のコイル部を形成し、このコイ
   ル部内部に導体軸方向の磁界を検出する一方向性の光磁
   界センサを配設すると共に、前記コイル部と並列にコン
   デンサ又は非直線抵抗を接続したことを特徴とするガス
   絶縁３相変流器。
2. （２）コンデンサ又は非直線抵抗が、円筒形状に形成さ
   れ、コイル部外部に配設されたものである特許請求の範
   囲第１項記載のガス絶縁３相変流器。