JPS6126672A - 封止用成形材料の製造方法 - Google Patents

封止用成形材料の製造方法

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JPS6126672A
JPS6126672A JP14650584A JP14650584A JPS6126672A JP S6126672 A JPS6126672 A JP S6126672A JP 14650584 A JP14650584 A JP 14650584A JP 14650584 A JP14650584 A JP 14650584A JP S6126672 A JPS6126672 A JP S6126672A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
molding material
based polymer
inorganic filler
sealing
sealing molding
Prior art date
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Pending
Application number
JP14650584A
Other languages
English (en)
Inventor
Munetomo Torii
鳥井 宗朝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6126672A publication Critical patent/JPS6126672A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は電気部品や電子8B品を封止する樹脂モールド
品に主として用いられる封止用成形材料のt 1  ′
N 製造方法に関するものである。
〔背景技術〕
近年、電気、電子機器の高性能化、高信頼性、生産性向
上のため、プラスチックによる封止がなされるようにな
ってきた。これらの電気部品や電子部品には例えばトワ
ンジスタ、ダイオード、コンデンサー、フィルター、整
流器、抵抗体、コイル等があり、最近の高集積化、ハイ
パワー化のため電子部品が蓄熱されやすく又、パッケー
ジも小型、薄肉化しているので、熱からの素子の保護と
耐クラツク性が問題とAり封止用成形材料には熱伝導性
、耐クワツク性の高いものが要望されている。封止用成
形材料の熱伝導率を向上させるには高熱伝導性充填剤を
用いると共に充填剤量を増加させる必要があるが、単に
充填剤量を増加せしめる丈では成形性が低下するという
問題があった。
又耐クラツク性を向上させるには可撓性付与剤、可撓性
熱硬化性樹脂、シリコーン樹脂等を用いていたが耐熱性
、耐湿性を低下させる問題があった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は熱伝導性、耐クワツク性に優れた封止用
成形材料の製造方法を提供することにある。
〔発明の開示〕
本発明は熱硬化性樹脂、硬化剤、##型剤、カップリン
グ剤、着色剤等に、無機充填剤を表面に被覆した粉末状
ポリブタジェン系ポリマーを添加し7混合、混練、粉砕
し、更に必要に応じて造粒することを特徴とする封止用
成形材料の製造方法で以下本発明の詳細な説明する。
本発明に用いる無機充填剤には溶融シリカ、結晶シリカ
、ガラス繊維、硅酸カルシウム、炭酸力/レシウム、ア
ルミナ、クレー、三酸化アンチモン、硫酸バリウム、窒
化ホウ素、灰化ケイ素等の熱伝導性のよい無機充填剤全
般を用いることができ特に限定するものでは々いが好捷
しくけ粒子径200ミクロン以下であることが望ましい
。即ち無機充填剤の粒子径が200ミクロンをこえると
成形品にウェルドを発生しやすくなり、該ウェルド部は
機械的強度が低いため使用中に発生する内部応力を吸収
することができずクワツクを惹起するからである。更に
超小型、超薄肉化されたパッケージに於てはゲート詰り
ゃ充填不良を惹起する傾向があるためである。又本発明
に用いる粉末状ポリブタジェン系ポリマーとしては、日
本合成ゴム株式会社製(D DN20HA 、 DN3
0A 、 N220S)(、グツドリッチ社製のハイカ
ー1411、日本ゼオン株式会社製のHF0I 、 I
(F21 、 BR1220、宇部興産株式会社SOハ
イカー07B 、 VTR等を粉末状にして用いるソと
ができる。粉末状ポリブタジェン糸ポリマー表面を被覆
する無機充填剤の量は特に限定するものではなく粉末状
ポリブタジェン糸ポリマーの再融着を防止するに足る量
であればよく粉末状ポリブタジェン系ポリマー1oO重
景部C以下単に部と記す)に対し無機充填剤1〜100
部が好ましい。更に粉末状ポリブタジェン系ポリマーの
量は全体量の0.05〜50M量%(以下単に%と記す
)で且つ粒子径がIOメツシュ以下であることが望まし
い。即ち0.05%未満では耐クラツク性を向上させ難
く、50%をζえると成形性が低下する傾向にあるがら
である。粒子径が10メ、ンシュをこえると混練工程で
の分散が困難となり耐クラツク性にパワツキを惹起し信
頼性が低下するためである。更に本発明に用いる熱硬化
性樹脂としてはエポキシ樹脂、不飽和ポリニス= /l
/樹脂、ジアリルフタレート樹脂、フェノール樹脂、ポ
リイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シリコン樹脂等
の単独、変性物、混合物を用いることができ特に限定す
るものでは力く、該熱硬化性樹脂に無機充填剤を表面に
被覆した粉末状ポリブタジェン糸ポリマー、無機充填剤
、硬化剤、離・型剤、カップリング剤、着色剤等の添加
剤を加え混合、混練、粉砕し更に必要に応じて造粒して
封止用成形材料を得るものである。更に該成形材料の成
形については、トランス77−1ffl形、射出成形等
によるトランジスター、ダイオード、コンデン□サー、
フィルター、整流!、111C体、コイル等の電子部品
の多数個取り成形に適することは勿論、圧縮成形等にも
適用できるものである。
以下本発明を実施例にもとすいて詳細に説明する。
実施例1及び2と比較例 第1表の配合表に従って材料を配合、混合、混練して封
止用成形材料を得、トランスファー成形機を用いて金型
温度175℃、成型圧カ5o−1硬化時間3分の条件で
ハイブリッドICを封止成形した。
第    1   表 米1 日本合成ゴム株式会社製N220SH20メツシ
ュ粉末品100部と粒径100 :iクロン(’) ’
l’1lfdl V !Jヵ100部の混合物。
米2 日本合成ゴム株式会社製N220SH20メ、ッ
シュ粉末品。
〔発明の効果〕
実施例1及び2と比較例の成形性及び成形品のウェルド
発生率、クワツク発生率及び熱伝導率は第2表で明白な
ように本発明の封止用成形材料の成形性はよく且つ成形
品の不良率は少々く更に熱伝導性はよく本発明による封
止用成形材料の製造方法の優れていることを確認した。
第    2    表

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)熱硬化性樹脂、硬化剤、離型剤、カップリング剤
    、着色剤等に、無機充填剤を表面に被覆した粉末状ポリ
    ブタジエン系ポリマーを添加し混合、混練、粉砕し、更
    に必要に応じて造粒することを特徴とする封止用成形材
    料の製造方法。
  2. (2)粒子径200ミクロン以下の無機充填剤を用いる
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の封止用成
    形材料の製造方法。
  3. (3)粒子径10メッシュ以下のポリブタジエン系ポリ
    マーを用いることを特徴とする特許請求の範囲第1項、
    第2項記載の封止用成形材料の製造方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0241210A (ja) * 1988-08-01 1990-02-09 Calp Corp 高機能複合材料及びその成形品
JPH0285992A (ja) * 1988-04-29 1990-03-27 Scient Generics Ltd 万引き防止用タグ
JPH06163751A (ja) * 1992-11-17 1994-06-10 Kyocera Corp 半導体装置
JP2019085514A (ja) * 2017-11-08 2019-06-06 パナソニックIpマネジメント株式会社 エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂組成物の製造方法及び半導体装置

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