JPS6126200B2 - - Google Patents
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- JPS6126200B2 JPS6126200B2 JP311478A JP311478A JPS6126200B2 JP S6126200 B2 JPS6126200 B2 JP S6126200B2 JP 311478 A JP311478 A JP 311478A JP 311478 A JP311478 A JP 311478A JP S6126200 B2 JPS6126200 B2 JP S6126200B2
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- discharge tube
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 67
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
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- 101100365087 Arabidopsis thaliana SCRA gene Proteins 0.000 description 2
- 101150105073 SCR1 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100134054 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) NTG1 gene Proteins 0.000 description 2
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- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Stroboscope Apparatuses (AREA)
- Discharge-Lamp Control Circuits And Pulse- Feed Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は発光エネルギーの損失が少なく且つ
余分な発光がなく特に近距離撮影時に露光オーバ
ーを生じさせることなく常に適切な発光制御を行
ない得る自動調光式電子閃光装置に関する。
余分な発光がなく特に近距離撮影時に露光オーバ
ーを生じさせることなく常に適切な発光制御を行
ない得る自動調光式電子閃光装置に関する。
最近カメラの自動化が目ざましく、補助光を得
る手段である閃光装置もカメラと一体となつて被
写体との距離、シヤツタースピード等と関連して
発光制御が行なわれるようになつてきている。こ
の種の自動調光式電子閃光装置の制御方法とし
て、閃光放電管にスイツチング素子を並列に入れ
不要電気エネルギーを短絡する方法と、閃光放電
管にスイツチング素子を直列に入れ放電回路を開
く方法とがある。上記のいわゆる並列式の方法は
各回の制御毎に不要エネルギーを消費してしま
い、主コンデンサの残留電荷が零に近くなるた
め、エネルギーの損失が大きく、主コンデンサへ
の再充電時間が長くなり次の閃光発光可能状態に
なるまでに長い時間がかかる欠点がある。
る手段である閃光装置もカメラと一体となつて被
写体との距離、シヤツタースピード等と関連して
発光制御が行なわれるようになつてきている。こ
の種の自動調光式電子閃光装置の制御方法とし
て、閃光放電管にスイツチング素子を並列に入れ
不要電気エネルギーを短絡する方法と、閃光放電
管にスイツチング素子を直列に入れ放電回路を開
く方法とがある。上記のいわゆる並列式の方法は
各回の制御毎に不要エネルギーを消費してしま
い、主コンデンサの残留電荷が零に近くなるた
め、エネルギーの損失が大きく、主コンデンサへ
の再充電時間が長くなり次の閃光発光可能状態に
なるまでに長い時間がかかる欠点がある。
一方直列の方法は第1図に示すようにスイツチ
ング素子SCR1をターンオフさせるために転流コ
ンデンサC2を使用するが、閃光放電管Tが放電
したとき他のスイツチング素子SCR2の導通によ
りあらかじめ図示の極性に充電されている転流コ
ンデンサC2の電荷が矢印方向に流れ、逆電圧に
よりスイツチング素子SCR1が非導通となる。そ
の後主コンデンサC1の残留電荷は転流コンデン
サC2を逆充電するが、この時その充電電流は閃
光放電管Tの中を流れる。したがつて第1図bに
示すように希望の点Aよりもその分だけ閃光放電
管Tが余分Bに発光し、たとえばカメラで近距離
撮影に備えて近距離に調光させたとき露出量がオ
ーバーになる欠点があつた。
ング素子SCR1をターンオフさせるために転流コ
ンデンサC2を使用するが、閃光放電管Tが放電
したとき他のスイツチング素子SCR2の導通によ
りあらかじめ図示の極性に充電されている転流コ
ンデンサC2の電荷が矢印方向に流れ、逆電圧に
よりスイツチング素子SCR1が非導通となる。そ
の後主コンデンサC1の残留電荷は転流コンデン
サC2を逆充電するが、この時その充電電流は閃
光放電管Tの中を流れる。したがつて第1図bに
示すように希望の点Aよりもその分だけ閃光放電
管Tが余分Bに発光し、たとえばカメラで近距離
撮影に備えて近距離に調光させたとき露出量がオ
ーバーになる欠点があつた。
一方ユーザーの指向をみると、前述の如きカメ
ラの自動化に対応してカメラで撮影可能な被写体
を光のとどかない遠距離のものを除いて自動調光
式電子閃光装置を用いて撮影したいとする要望が
ある。ところがごく近距離の被写体をレンズの絞
りを開放状態にして自動調光により撮影すると、
上記の如く直列式のものは転流コンデンサによる
露光オーバーが生じる。また被写体との距離が相
当にあり大光量を必要とする場合は、上記の如く
並列式のものはエネルギー損失が大きく、また主
コンデンサの容量も大きくなるために、発光可能
状態になるまでにより長い時間を要するなど不適
当である。このように直列式のものと並列式のも
のとはそれぞれカメラの撮影の形態に応じて欠点
を有し、何れの制御方式のものでもユーザーが求
める要望を満たすことはできなかつた。
ラの自動化に対応してカメラで撮影可能な被写体
を光のとどかない遠距離のものを除いて自動調光
式電子閃光装置を用いて撮影したいとする要望が
ある。ところがごく近距離の被写体をレンズの絞
りを開放状態にして自動調光により撮影すると、
上記の如く直列式のものは転流コンデンサによる
露光オーバーが生じる。また被写体との距離が相
当にあり大光量を必要とする場合は、上記の如く
並列式のものはエネルギー損失が大きく、また主
コンデンサの容量も大きくなるために、発光可能
状態になるまでにより長い時間を要するなど不適
当である。このように直列式のものと並列式のも
のとはそれぞれカメラの撮影の形態に応じて欠点
を有し、何れの制御方式のものでもユーザーが求
める要望を満たすことはできなかつた。
この発明はこのような点を考慮してなされたも
ので、いわゆる並列式と直列式の制御方法の利点
を巧みに導き出し、大光量発光時はエネルギー損
失が少なく充電期間も短かく動作させ、近接撮影
時は発光時の立上りがよく露光オーバーがなく、
常に正確な安定した制御を行ない得る自動調光式
電子閃光装置を提供するものである。
ので、いわゆる並列式と直列式の制御方法の利点
を巧みに導き出し、大光量発光時はエネルギー損
失が少なく充電期間も短かく動作させ、近接撮影
時は発光時の立上りがよく露光オーバーがなく、
常に正確な安定した制御を行ない得る自動調光式
電子閃光装置を提供するものである。
この発明は、閃光放電管に該閃光放電管の発光
に先立ち予め充電される第1,第2の主コンデン
サを接続するとともに、閃光放電管に直列に接続
された第1のスイツチング素子を含み、第1の主
コンデンサの電荷による閃光放電管の発光量を制
御する直列光量制御回路と、閃光放電管に並列に
接続された第2のスイツチング素子を含み、第2
の主コンデンサの電荷による閃光放電管の発光量
を制御する並列光量制御回路を設け、遠距離撮影
時つまり大光量発光時には直列光量制御回路によ
り最終的な発光量を制御し、近距離撮影時には並
列光量制御回路により発光量を制御するようにし
たものである。
に先立ち予め充電される第1,第2の主コンデン
サを接続するとともに、閃光放電管に直列に接続
された第1のスイツチング素子を含み、第1の主
コンデンサの電荷による閃光放電管の発光量を制
御する直列光量制御回路と、閃光放電管に並列に
接続された第2のスイツチング素子を含み、第2
の主コンデンサの電荷による閃光放電管の発光量
を制御する並列光量制御回路を設け、遠距離撮影
時つまり大光量発光時には直列光量制御回路によ
り最終的な発光量を制御し、近距離撮影時には並
列光量制御回路により発光量を制御するようにし
たものである。
さらに具体的には、閃光放電管の発光による被
写体からの反射光を受けたとき発生されるパルス
信号により、まず第2のスイツチング素子をオン
状態にして、第2の主コンデンサの電荷による閃
光放電管の発光を停止させ、近距離撮影時はこの
並列光量制御回路による制御で発光量の制御が終
了する。
写体からの反射光を受けたとき発生されるパルス
信号により、まず第2のスイツチング素子をオン
状態にして、第2の主コンデンサの電荷による閃
光放電管の発光を停止させ、近距離撮影時はこの
並列光量制御回路による制御で発光量の制御が終
了する。
次に、閃光放電管が起動されてから一定時間経
過後に該パルス信号が発生されていないとき、す
なわち遠距離撮影時には、さらに第1のスイツチ
ング素子をオン状態にして、閃光放電管をより電
荷量の大きい第1の主コンデンサの電荷により引
続き発光させ、その後に該パルス信号が発生され
た時点で第1のスイツチング素子をオフ状態にし
て、第1の主コンデンサの電荷による閃光放電管
の発光を停止させる。
過後に該パルス信号が発生されていないとき、す
なわち遠距離撮影時には、さらに第1のスイツチ
ング素子をオン状態にして、閃光放電管をより電
荷量の大きい第1の主コンデンサの電荷により引
続き発光させ、その後に該パルス信号が発生され
た時点で第1のスイツチング素子をオフ状態にし
て、第1の主コンデンサの電荷による閃光放電管
の発光を停止させる。
以下図面を参照してこの発明の一実施例を説明
する。先ず第2図により概略的な構成を説明する
と、直流電源11の両端間に第1の主コンデンサ
C1が接続され、この第1の主コンデンサC1と並
列に閃光放電管12と直列光量制御回路13との
直列回路が接続される。また閃光放電管1,2と
並列に並列光量制御回路14および第2の主コン
デンサC2が設けられ、さらにこの第2の主コン
デンサC2と前記直流電源11の負極端との間に
抵抗15が接続される。
する。先ず第2図により概略的な構成を説明する
と、直流電源11の両端間に第1の主コンデンサ
C1が接続され、この第1の主コンデンサC1と並
列に閃光放電管12と直列光量制御回路13との
直列回路が接続される。また閃光放電管1,2と
並列に並列光量制御回路14および第2の主コン
デンサC2が設けられ、さらにこの第2の主コン
デンサC2と前記直流電源11の負極端との間に
抵抗15が接続される。
前記閃光放電管12のトリガー電極にはカメラ
のシヤツター動作に応じて発生する信号によつて
トリガするトリガ回路16が接続され、このトリ
ガ回路16の出力端はさらに遅延回路17、ゲー
ト回路18に接続される。このゲート回路18の
出力端は前記直列光量制御回路13に接続される
と共にアンド回路19の一方の入力端に接続さ
れ、このアンド回路19の出力端は前記直列光量
制御回路13に接続される。アンド回路19の他
方の入力端はパルス発生回路20の出力端に接続
される。このパルス発生回路20の出力端は前記
並列光量制御回路21にも接続され、その入力端
には積分回路22、受光部23が直列に接続され
る。
のシヤツター動作に応じて発生する信号によつて
トリガするトリガ回路16が接続され、このトリ
ガ回路16の出力端はさらに遅延回路17、ゲー
ト回路18に接続される。このゲート回路18の
出力端は前記直列光量制御回路13に接続される
と共にアンド回路19の一方の入力端に接続さ
れ、このアンド回路19の出力端は前記直列光量
制御回路13に接続される。アンド回路19の他
方の入力端はパルス発生回路20の出力端に接続
される。このパルス発生回路20の出力端は前記
並列光量制御回路21にも接続され、その入力端
には積分回路22、受光部23が直列に接続され
る。
このような構成において、第1の主コンデンサ
C1は直接に直流電源11によつて充電され、ま
た第2の主コンデンサC2は抵抗15を介して直
流電源11によつて充電される。この状態でカメ
ラのシヤツターによつてトリガ回路16に信号が
加わると、閃光放電管12がイグナイトされ第2
の主コンデンサC2の電荷により閃光放電管12
が発光する。この発光により被写体から反射光が
受光部22に入る。この反射光は受光部22で電
気量に変換され、これが積分回路21で積分され
パルス発生回路20に加わる。このパルス発生回
路20は所定の入力反射光があつたときそれにと
もないパルスを発生するもので、そのパルスは並
列光量制御回路14に加わる。これにより並列光
量制御回路14内の第2のスイツチング素子がオ
ン状態となつて第2の主コンデンサC2を短絡
し、該第2の主コンデンサC2の電荷による閃光
放電管12の発光が停止する。一方、トリガ回路
16によつて閃光放電管12が起動されてから一
定時間経過した時点でパルス発生回路20の出力
パルスがない場合は、遅延回路17およびゲート
回路18を介して直列光量制御回路13に信号が
送られ、この制御回路13内の第1のスイツチン
グ素子がオン状態となつて、閃光放電管12は第
1の主コンデンサC1の電荷により引続き発光す
る。そして、パルス発生回路20の出力パルスは
アンド回路19にも加わつてゲート回路18の出
力パルスとのアンドがとられ、このアンド回路1
9の出力によつて直列光量制御回路13内の第1
のスイツチング素子がオフ状態とされ、第1の主
コンデンサC1の電荷による閃光放電管12の発
光が停止する。
C1は直接に直流電源11によつて充電され、ま
た第2の主コンデンサC2は抵抗15を介して直
流電源11によつて充電される。この状態でカメ
ラのシヤツターによつてトリガ回路16に信号が
加わると、閃光放電管12がイグナイトされ第2
の主コンデンサC2の電荷により閃光放電管12
が発光する。この発光により被写体から反射光が
受光部22に入る。この反射光は受光部22で電
気量に変換され、これが積分回路21で積分され
パルス発生回路20に加わる。このパルス発生回
路20は所定の入力反射光があつたときそれにと
もないパルスを発生するもので、そのパルスは並
列光量制御回路14に加わる。これにより並列光
量制御回路14内の第2のスイツチング素子がオ
ン状態となつて第2の主コンデンサC2を短絡
し、該第2の主コンデンサC2の電荷による閃光
放電管12の発光が停止する。一方、トリガ回路
16によつて閃光放電管12が起動されてから一
定時間経過した時点でパルス発生回路20の出力
パルスがない場合は、遅延回路17およびゲート
回路18を介して直列光量制御回路13に信号が
送られ、この制御回路13内の第1のスイツチン
グ素子がオン状態となつて、閃光放電管12は第
1の主コンデンサC1の電荷により引続き発光す
る。そして、パルス発生回路20の出力パルスは
アンド回路19にも加わつてゲート回路18の出
力パルスとのアンドがとられ、このアンド回路1
9の出力によつて直列光量制御回路13内の第1
のスイツチング素子がオフ状態とされ、第1の主
コンデンサC1の電荷による閃光放電管12の発
光が停止する。
このように第1の主コンデンサC1による発光
がはじまる前にパルス発生回路20からパルスが
発生すれば前述の如く並列光量制御回路14によ
つて制御が行なわれ、それ以後にパルス発生回路
20からパルスが発生すると直列光量制御回路1
3により制御が行なわれる。
がはじまる前にパルス発生回路20からパルスが
発生すれば前述の如く並列光量制御回路14によ
つて制御が行なわれ、それ以後にパルス発生回路
20からパルスが発生すると直列光量制御回路1
3により制御が行なわれる。
ここでさらに具体的な構成について説明する
と、第3図に示すようにたとえばクセノン閃光放
電管等の閃光放電管12の一端はインダクタ2
3、ダイオード24を並列に介して電源回路11
の正極端に接続され、閃光放電管12の他端はシ
リコン制御整流素子等のスイツチング素子25
(第1のスイツチング素子)を介して電源回路1
1の負極端に接続される。また閃光放電管12の
トリガー電極と前記スイツチング素子25のアノ
ードとの間にトリガーコイル26の2次側が接続
され、このトリガーコイル26の1次側の一端は
コンデンサ27を介してスイツチ28の一端およ
び抵抗29を介して前記インダクタ23と閃光放
電管12との接続点に接続され、さらにコンデン
サ30を介して電源回路11の負極端に接続され
る。またトリガーコイル26の1次側の他端はス
イツチ28の他端に接続されると共に、抵抗10
およびツエナーダイオードやトリガダイオード等
の定電圧特性を有するスイツチング素子31を介
して前記スイツチング素子25のゲートに接続さ
れる。このゲートは抵抗32を介して電源回路1
1の負極端に接続されると共に、アンド回路19
の一方の入力端に接続される。前記スイツチング
素子31の抵抗10との接続点はコンデンサ3
3、抵抗34を並列に介して電源回路11の負極
端に接続される。前記閃光放電管12のインダク
タ23との接続点にはインダクタ35、ダイオー
ド36の並列回路を接続し、この並列回路の他端
と電源回路11の負極端との間に第1の主コンデ
ンサC1が接続される。さらに閃光放電管12の
インダクタ35との接続点と電源回路11の負極
端との間に抵抗47、シリコン制御整流素子等の
スイツチング素子37が直列に接続される。この
スイツチング素子37のアノードと前記スイツチ
ング素子25のアノードとの間にコンデンサ38
が接続され、スイツチング素子37のゲートは抵
抗39を介して電源回路11の負極端に接続され
ると共に、アンド回路19の出力端に接続され
る。
と、第3図に示すようにたとえばクセノン閃光放
電管等の閃光放電管12の一端はインダクタ2
3、ダイオード24を並列に介して電源回路11
の正極端に接続され、閃光放電管12の他端はシ
リコン制御整流素子等のスイツチング素子25
(第1のスイツチング素子)を介して電源回路1
1の負極端に接続される。また閃光放電管12の
トリガー電極と前記スイツチング素子25のアノ
ードとの間にトリガーコイル26の2次側が接続
され、このトリガーコイル26の1次側の一端は
コンデンサ27を介してスイツチ28の一端およ
び抵抗29を介して前記インダクタ23と閃光放
電管12との接続点に接続され、さらにコンデン
サ30を介して電源回路11の負極端に接続され
る。またトリガーコイル26の1次側の他端はス
イツチ28の他端に接続されると共に、抵抗10
およびツエナーダイオードやトリガダイオード等
の定電圧特性を有するスイツチング素子31を介
して前記スイツチング素子25のゲートに接続さ
れる。このゲートは抵抗32を介して電源回路1
1の負極端に接続されると共に、アンド回路19
の一方の入力端に接続される。前記スイツチング
素子31の抵抗10との接続点はコンデンサ3
3、抵抗34を並列に介して電源回路11の負極
端に接続される。前記閃光放電管12のインダク
タ23との接続点にはインダクタ35、ダイオー
ド36の並列回路を接続し、この並列回路の他端
と電源回路11の負極端との間に第1の主コンデ
ンサC1が接続される。さらに閃光放電管12の
インダクタ35との接続点と電源回路11の負極
端との間に抵抗47、シリコン制御整流素子等の
スイツチング素子37が直列に接続される。この
スイツチング素子37のアノードと前記スイツチ
ング素子25のアノードとの間にコンデンサ38
が接続され、スイツチング素子37のゲートは抵
抗39を介して電源回路11の負極端に接続され
ると共に、アンド回路19の出力端に接続され
る。
一方電源回路11の正極端と負極端との間にク
エンチ管等の放電管40(第2のスイツチング素
子)、抵抗15が直列に接続され、放電管40の
トリガー電極にはトリガコイル41が接続され
る。このトリガコイル41の1次側と2次側の一
端は共通に電源回路11の負極端に接続されまた
1次側の一端はコンデンサ42を介して、シリコ
ン制御整流素子等のスイツチング素子43のアノ
ードに接続される。このスイツチング素子43は
抵抗44と共に電源回路11の両端に直列に介挿
接続される。この抵抗44とスイツチング素子4
3との接続点はダイオード45を介して前記スイ
ツチング素子31の一端に接続される。またスイ
ツチング素子43のゲートは抵抗46を介して電
源回路11の負極端に接続され、またパルス発生
回路20の出力端に接続される。
エンチ管等の放電管40(第2のスイツチング素
子)、抵抗15が直列に接続され、放電管40の
トリガー電極にはトリガコイル41が接続され
る。このトリガコイル41の1次側と2次側の一
端は共通に電源回路11の負極端に接続されまた
1次側の一端はコンデンサ42を介して、シリコ
ン制御整流素子等のスイツチング素子43のアノ
ードに接続される。このスイツチング素子43は
抵抗44と共に電源回路11の両端に直列に介挿
接続される。この抵抗44とスイツチング素子4
3との接続点はダイオード45を介して前記スイ
ツチング素子31の一端に接続される。またスイ
ツチング素子43のゲートは抵抗46を介して電
源回路11の負極端に接続され、またパルス発生
回路20の出力端に接続される。
なお、第2図と第3図との対応関係を説明する
と、第2図の直列光量制御回路13は第3図のス
イツチング素子25、抵抗32、スイツチング素
子37、コンデンサ38、抵抗39、抵抗47の
部分に相当し、第2図の並列光量制御回路14は
第3図の放電管40、トリガコイル41、コンデ
ンサ42、スイツチング素子43、抵抗44、4
6の部分に相当する。また、第2図のトリガ回路
16は第3図のトリガーコイル26、コンデンサ
27、スイツチ28、抵抗29の部分に相当し、
第2図の遅延回路17は第3図の抵抗10,3
4、コンデンサ30,33の部分に相当し、第2
図のゲート回路18は第3図のスイツチング素子
31に相当する。
と、第2図の直列光量制御回路13は第3図のス
イツチング素子25、抵抗32、スイツチング素
子37、コンデンサ38、抵抗39、抵抗47の
部分に相当し、第2図の並列光量制御回路14は
第3図の放電管40、トリガコイル41、コンデ
ンサ42、スイツチング素子43、抵抗44、4
6の部分に相当する。また、第2図のトリガ回路
16は第3図のトリガーコイル26、コンデンサ
27、スイツチ28、抵抗29の部分に相当し、
第2図の遅延回路17は第3図の抵抗10,3
4、コンデンサ30,33の部分に相当し、第2
図のゲート回路18は第3図のスイツチング素子
31に相当する。
この構成において電源回路11から第1の主コ
ンデンサC1は直接に、また第2の主コンデンサ
C2は抵抗15を介してそれぞれ充電され、コン
デンサ38は抵抗15,47を介して充電され、
コンデンサ30は抵抗29を介して充電され、コ
ンデンサ27は抵抗29,10,34を介して充
電される。カメラのシヤツタ動作と連動してスイ
ツチ28がオンになるとコンデンサ27の電荷が
閃光放電管12のトリガーコイル26の1次側に
流れ、その2次側に高圧電圧が発生する。このた
め閃光放電管12に封入されたガスがイオン化さ
れ、主コンデンサC2の電荷がインダクタ23を
介して閃光放電管12に流れ、発光が行なわれ
る。同時にスイツチ28のオンによつてコンデン
サ30の電荷が抵抗10を介してコンデンサ33
に流れ、これが充電される。このコンデンサ33
の電圧が一定時間後に一定値になるとスイツチン
グ素子31が導通し、スイツチング素子25のゲ
ートに電圧が印加され、このスイツチング素子2
5が導通状態となる。このスイツチング素子25
の導通によつて主コンデンサC1の電荷が閃光放
電管12に流れ、主コンデンサC2の放電開始時
から所定の時間差をもつて引き続き発光が行なわ
れる。
ンデンサC1は直接に、また第2の主コンデンサ
C2は抵抗15を介してそれぞれ充電され、コン
デンサ38は抵抗15,47を介して充電され、
コンデンサ30は抵抗29を介して充電され、コ
ンデンサ27は抵抗29,10,34を介して充
電される。カメラのシヤツタ動作と連動してスイ
ツチ28がオンになるとコンデンサ27の電荷が
閃光放電管12のトリガーコイル26の1次側に
流れ、その2次側に高圧電圧が発生する。このた
め閃光放電管12に封入されたガスがイオン化さ
れ、主コンデンサC2の電荷がインダクタ23を
介して閃光放電管12に流れ、発光が行なわれ
る。同時にスイツチ28のオンによつてコンデン
サ30の電荷が抵抗10を介してコンデンサ33
に流れ、これが充電される。このコンデンサ33
の電圧が一定時間後に一定値になるとスイツチン
グ素子31が導通し、スイツチング素子25のゲ
ートに電圧が印加され、このスイツチング素子2
5が導通状態となる。このスイツチング素子25
の導通によつて主コンデンサC1の電荷が閃光放
電管12に流れ、主コンデンサC2の放電開始時
から所定の時間差をもつて引き続き発光が行なわ
れる。
このような発光により被写体から反射光が帰つ
てくると、その反射光が受光部22で検出され前
述の如くパルス発生回路20からパルスが発生す
る。このパルスはスイツチング素子43のゲート
に印加され、したがつてこのスイツチング素子4
3が導通する。するとコンデンサ42の電荷がト
リガコイル41に流れ、その2次側に高圧電圧が
発生し、これがコンデンサC2に並列に接続され
たスイツチング素子としての放電管40のトリガ
電極に加わる。このため放電管40のトリガ電極
に加わる。このため放電管40内部のガスがイオ
ン化し、この放電管40のイオン化時の内部イン
ピーダンスは放電管12のそれよりも十分に低い
ため第1の主コンデンサC2が短絡される。した
がつて閃光放電管12の発光が終了する。
てくると、その反射光が受光部22で検出され前
述の如くパルス発生回路20からパルスが発生す
る。このパルスはスイツチング素子43のゲート
に印加され、したがつてこのスイツチング素子4
3が導通する。するとコンデンサ42の電荷がト
リガコイル41に流れ、その2次側に高圧電圧が
発生し、これがコンデンサC2に並列に接続され
たスイツチング素子としての放電管40のトリガ
電極に加わる。このため放電管40のトリガ電極
に加わる。このため放電管40内部のガスがイオ
ン化し、この放電管40のイオン化時の内部イン
ピーダンスは放電管12のそれよりも十分に低い
ため第1の主コンデンサC2が短絡される。した
がつて閃光放電管12の発光が終了する。
すなわち第2のコンデンサC2の電荷により閃
光放電管12が放電している期間にパルスがスイ
ツチング素子43のゲートに加わると、その導通
によつてコンデンサ33がダイオード45を通し
て放電するので、スイツチング素子25は導通常
態にならない。したがつて第1の主コンデンサ
C1は放電せず、その損失はない。
光放電管12が放電している期間にパルスがスイ
ツチング素子43のゲートに加わると、その導通
によつてコンデンサ33がダイオード45を通し
て放電するので、スイツチング素子25は導通常
態にならない。したがつて第1の主コンデンサ
C1は放電せず、その損失はない。
次に第2の主コンデンサC2の電荷による閃光
放電管12の発光に引続いて、第1の主コンデン
サC1の電荷による発光に移つた後にパルス発生
回路20からパルスが発生すると、スイツチング
素子43が導通するが、すでにアンド回路19が
オンとなつており、スイツチング素子37のゲー
トにパルスが加わり、このスイツチング素子37
が導通する。すると転流用のコンデンサ38に充
電された電荷がスイツチング素子37を通して流
れ、スイツチング素子25に逆電圧が加わり、こ
れが非導通となる。したがつて閃光放電管12は
発光を終了する。
放電管12の発光に引続いて、第1の主コンデン
サC1の電荷による発光に移つた後にパルス発生
回路20からパルスが発生すると、スイツチング
素子43が導通するが、すでにアンド回路19が
オンとなつており、スイツチング素子37のゲー
トにパルスが加わり、このスイツチング素子37
が導通する。すると転流用のコンデンサ38に充
電された電荷がスイツチング素子37を通して流
れ、スイツチング素子25に逆電圧が加わり、こ
れが非導通となる。したがつて閃光放電管12は
発光を終了する。
このようにして極く近い被写体に向けて発光さ
せたときは、その反射光の帰りが速く且つ短時間
にパルスを発生させ得る値となるので、並列光量
制御用の第2の主コンデンサC2を短絡すること
により光量制御が行なわれる。したがつてこの場
合は直列光量制御のような発光の切れの悪さがな
く、立上りがよく露光オーバーを引起すこともな
く、小光量、近距離撮影に優れたものとなる。
せたときは、その反射光の帰りが速く且つ短時間
にパルスを発生させ得る値となるので、並列光量
制御用の第2の主コンデンサC2を短絡すること
により光量制御が行なわれる。したがつてこの場
合は直列光量制御のような発光の切れの悪さがな
く、立上りがよく露光オーバーを引起すこともな
く、小光量、近距離撮影に優れたものとなる。
一方遠方の被写体、大光量で撮影するときは、
より大きな電荷をもつ第1の主コンデンサC1に
よつて発光が行なわれ、その光量制御は直列制御
によつて行なわれる。したがつてエネルギーの無
駄がなく、第1の主コンデンサC1への充電も速
やかに行なわれ、くり返し使用の待機期間が短か
く使用上便利なものとなる。この場合発光停止の
切れの悪さは残るが、遠距離の被写体であればほ
とんど影響はない。
より大きな電荷をもつ第1の主コンデンサC1に
よつて発光が行なわれ、その光量制御は直列制御
によつて行なわれる。したがつてエネルギーの無
駄がなく、第1の主コンデンサC1への充電も速
やかに行なわれ、くり返し使用の待機期間が短か
く使用上便利なものとなる。この場合発光停止の
切れの悪さは残るが、遠距離の被写体であればほ
とんど影響はない。
尚放電管40はシリコン制御整流素子SCRや
サイラトロンであつてもよい。またスイツチング
素子37はサイラトロンでもよい。
サイラトロンであつてもよい。またスイツチング
素子37はサイラトロンでもよい。
またインダクタ23,35は第1、第2の主コ
ンデンサC1,C2の放電をゆるやかにするための
ものであり、ダイオード24,36はインダクタ
23,35から発生する逆起電力による影響を防
止するためのものである。
ンデンサC1,C2の放電をゆるやかにするための
ものであり、ダイオード24,36はインダクタ
23,35から発生する逆起電力による影響を防
止するためのものである。
以上述べたようにこの発明によれば近距離撮影
時には発光停止の切れがよく露光オーバーのない
適切な光量制御が行なわれ、遠距離、大光量によ
る撮影時にはエネルギー損失が少なく、より待機
期間が短かい動作を行なわせ得る自動調光式電子
閃光装置を提供することができる。
時には発光停止の切れがよく露光オーバーのない
適切な光量制御が行なわれ、遠距離、大光量によ
る撮影時にはエネルギー損失が少なく、より待機
期間が短かい動作を行なわせ得る自動調光式電子
閃光装置を提供することができる。
第1図aは従来の直列光量制御式の閃光装置を
示す結線図、第1図bは第1図aに示した回路の
発光特性図、第2図はこの発明による自動調光式
電子閃光装置のブロツクダイヤグラム、第3図は
この発明の一実施例による電子閃光装置の結線図
である。 11…電源回路、12…閃光放電管、13…直
列光量制御回路、14…並列光量制御回路、15
…抵抗、16…トリガ回路、17…遅延回路、1
8…ゲート回路、19…アンド回路、20…パル
ス発生回路、21…積分回路、22…受光部、
C1,C2…主コンデンサ。
示す結線図、第1図bは第1図aに示した回路の
発光特性図、第2図はこの発明による自動調光式
電子閃光装置のブロツクダイヤグラム、第3図は
この発明の一実施例による電子閃光装置の結線図
である。 11…電源回路、12…閃光放電管、13…直
列光量制御回路、14…並列光量制御回路、15
…抵抗、16…トリガ回路、17…遅延回路、1
8…ゲート回路、19…アンド回路、20…パル
ス発生回路、21…積分回路、22…受光部、
C1,C2…主コンデンサ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 閃光放電管と、 この閃光放電管に接続され該閃光放電管の発光
に先立ち予め充電される第1,第2の主コンデン
サと、 前記閃光放電管に直列に接続された第1のスイ
ツチング素子を含み、前記第1の主コンデンサの
電荷による前記閃光放電管の発光量を制御する直
列光量制御回路と、 前記閃光放電管に並列に接続された第2のスイ
ツチング素子を含み、前記第2の主コンデンサの
電荷による前記閃光放電管の発光量を制御する並
列光量制御回路と、 前記閃光放電管の発光による被写体からの反射
光を受けてパルス信号を発光し、前記第2のスイ
ツチング素子をオン状態にして、前記第2の主コ
ンデンサの電荷による前記閃光放電管の発光を停
止させる手段と、 前記閃光放電管が起動されてから一定時間経過
後に前記パルス信号が発光されていないとき、前
記第1のスイツチング素子をオン状態にして、前
記閃光放電管を前記第1の主コンデンサの電荷に
より発光させる手段と、 この手段により前記第1のスイツチング素子が
オン状態にされた後に前記パルス信号が発光され
たとき、前記第1のスイツチング素子をオフ状態
にして、前記第1の主コンデンサの電荷による前
記閃光放電管の発光を停止する手段とを備えたこ
とを特徴とする自動調光式電子閃光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP311478A JPS5496274A (en) | 1978-01-14 | 1978-01-14 | Automatically dimming electron flashing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP311478A JPS5496274A (en) | 1978-01-14 | 1978-01-14 | Automatically dimming electron flashing device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5496274A JPS5496274A (en) | 1979-07-30 |
JPS6126200B2 true JPS6126200B2 (ja) | 1986-06-19 |
Family
ID=11548314
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP311478A Granted JPS5496274A (en) | 1978-01-14 | 1978-01-14 | Automatically dimming electron flashing device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5496274A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5968133B2 (ja) * | 2012-07-12 | 2016-08-10 | キヤノン株式会社 | 発光装置及び撮像装置 |
-
1978
- 1978-01-14 JP JP311478A patent/JPS5496274A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5496274A (en) | 1979-07-30 |
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