JPS61260637A - ドライエツチング装置 - Google Patents
ドライエツチング装置Info
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- JPS61260637A JPS61260637A JP10140285A JP10140285A JPS61260637A JP S61260637 A JPS61260637 A JP S61260637A JP 10140285 A JP10140285 A JP 10140285A JP 10140285 A JP10140285 A JP 10140285A JP S61260637 A JPS61260637 A JP S61260637A
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- electrodes
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 16
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- 230000007246 mechanism Effects 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 57
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体集積回路の製造過程において、微細
なエツチングを行うための半導体ドライエツチング装置
に関するものである。
なエツチングを行うための半導体ドライエツチング装置
に関するものである。
従来、この種の技術はなかったが、同様の効果を期待し
た技術はあった。これを第4図(al 、 (blに示
す。(a)図において、(1)は上部電極、(2)は下
部電極であり、一方の!極の上にウェハを置く。(8)
は高周波電源、(9)はコンデンサ、(力はグランド、
01はウェハである。+31 、 (4) 、 +51
、 +61は切り換えが容易にできる端子である。(
bl図は、その電気的特性を表わしている。(b)図に
おいて、グラフ縦軸は上。
た技術はあった。これを第4図(al 、 (blに示
す。(a)図において、(1)は上部電極、(2)は下
部電極であり、一方の!極の上にウェハを置く。(8)
は高周波電源、(9)はコンデンサ、(力はグランド、
01はウェハである。+31 、 (4) 、 +51
、 +61は切り換えが容易にできる端子である。(
bl図は、その電気的特性を表わしている。(b)図に
おいて、グラフ縦軸は上。
下部電極間の距離(d)、グラフ横軸は電位(V)を示
す。
す。
従って、グラフは上、下部電極fil 、 +21間の
電位分布を示す。
電位分布を示す。
次に動作について説明する。端子(3)と(5)及び端
子(4)と(6)がはじめに接続されていたとする。次
に端子(3)と(6)及び端子(4)と(5)に接続が
スイッチングされると、上、下部電極fil 、 +2
1の電気的特性は逆転する。従って下部11r 極(2
1上のウェハ00)は、スイのと、下部電極(2)の上
にウェハmを置くのとでは、エツチング面に与える電気
的特性が異なり、従って、ドライエツチングでのエツチ
ングの特性が異なる。このように従来技術では、スイッ
チングを行うことにより上、下部電極(11、+21の
電気的特性を逆転し、エツチングの特性を制御していた
。
子(4)と(6)がはじめに接続されていたとする。次
に端子(3)と(6)及び端子(4)と(5)に接続が
スイッチングされると、上、下部電極fil 、 +2
1の電気的特性は逆転する。従って下部11r 極(2
1上のウェハ00)は、スイのと、下部電極(2)の上
にウェハmを置くのとでは、エツチング面に与える電気
的特性が異なり、従って、ドライエツチングでのエツチ
ングの特性が異なる。このように従来技術では、スイッ
チングを行うことにより上、下部電極(11、+21の
電気的特性を逆転し、エツチングの特性を制御していた
。
従来技術でのエツチング特性の変換は、電気的特性の逆
転で行っていた。従って、ウェハは一方の電極に固定さ
れることになる。エツチング特性には、電極の温度も大
きく影響する。しかし電極の温度は知時間では変更でき
ない。
転で行っていた。従って、ウェハは一方の電極に固定さ
れることになる。エツチング特性には、電極の温度も大
きく影響する。しかし電極の温度は知時間では変更でき
ない。
従って、従来技術では、下部!極にしかウェハを置かな
いので、を極温度を一足にしなければならなかった。ウ
ェハの接触のさせ方によってii極の電気的特性が2通
りあるのに一方しか使用せず、従って品質を−Vに保つ
ためには11極温度は1通りしか設?できないという問
題があった。
いので、を極温度を一足にしなければならなかった。ウ
ェハの接触のさせ方によってii極の電気的特性が2通
りあるのに一方しか使用せず、従って品質を−Vに保つ
ためには11極温度は1通りしか設?できないという問
題があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、上、下部電極を使用することにより、電極
湿度を2通りに設足することな目的とする。
れたもので、上、下部電極を使用することにより、電極
湿度を2通りに設足することな目的とする。
この発明に係るドライエッチ装置の2枚の電極は、それ
ぞれ電位特性と温度が異り、かつウェハ搬送、逆転機構
を備えfこことにより、多様なエツチングに利用可能に
したものである。
ぞれ電位特性と温度が異り、かつウェハ搬送、逆転機構
を備えfこことにより、多様なエツチングに利用可能に
したものである。
この発明におけるドライエツチング装置は、上下2枚の
11極を使用することにより、’NfThの電位特性と
設ず温度を2通りに選択できる。
11極を使用することにより、’NfThの電位特性と
設ず温度を2通りに選択できる。
第1図(a)、 (b)はこの発明の一実施例を示すぜ
面図及び断面図である。図において、 QOlは被加工
物であるウェハであり、高周に’fh源部し2に接続さ
れtこ上部* & filと下部室&! +21との曲
に、ウェハ搬送機構部に支えられて上下に移動したり途
中で反転しtこり出来る構成となっている。(14)は
ウェハ00)をその円周にそって把持するウェハチャッ
クであり、前進、後退用の駆動モータQl+に接続され
、駆動モータ(11)は支持棒(121,回転モータ(
134及び上下のスライド軸を通じて、チャック部分を
上下させる駆動モータ12fll K接続されている。
面図及び断面図である。図において、 QOlは被加工
物であるウェハであり、高周に’fh源部し2に接続さ
れtこ上部* & filと下部室&! +21との曲
に、ウェハ搬送機構部に支えられて上下に移動したり途
中で反転しtこり出来る構成となっている。(14)は
ウェハ00)をその円周にそって把持するウェハチャッ
クであり、前進、後退用の駆動モータQl+に接続され
、駆動モータ(11)は支持棒(121,回転モータ(
134及び上下のスライド軸を通じて、チャック部分を
上下させる駆動モータ12fll K接続されている。
上下動のガイドとなっているスライド軸に付帯して、そ
の上下位置を示すためのセンサー面〜センサー←傷があ
り、ウェハ00)が上、下部電極(11、(21間のど
の位置にあるかを検知して制御信号を出力することが出
来る。
の上下位置を示すためのセンサー面〜センサー←傷があ
り、ウェハ00)が上、下部電極(11、(21間のど
の位置にあるかを検知して制御信号を出力することが出
来る。
0(至)はウェハC1o+が上、下部室ftfi(])
、 f21の中間位置に来たとき、チャック部分を1
80°反転させるための回転モーターである。C151
はウェハチャック(14)がウェハなチャックしていな
い事を示すセンサーであり、06)はウェハチャックI
がウェハ0ωをチャックしているときを示すセンサーで
ある。C241はウェハチャック04)に設けられたス
ライド部であり。
、 f21の中間位置に来たとき、チャック部分を1
80°反転させるための回転モーターである。C151
はウェハチャック(14)がウェハなチャックしていな
い事を示すセンサーであり、06)はウェハチャックI
がウェハ0ωをチャックしているときを示すセンサーで
ある。C241はウェハチャック04)に設けられたス
ライド部であり。
支持棒02のピストンと嵌合してウェハチャック041
のスライドゝ動作をガイドしている。 (21)は上、
下部11(11、(21に設けられた溝であり、ウェハ
(l[Ilを把持しているウェハチャックIが直接電、
棲に当らないfこめ設けられている。さらに上、下部を
極(1)。
のスライドゝ動作をガイドしている。 (21)は上、
下部11(11、(21に設けられた溝であり、ウェハ
(l[Ilを把持しているウェハチャックIが直接電、
棲に当らないfこめ設けられている。さらに上、下部を
極(1)。
(2)には、各々適当な11極温度に調節出来るような
装置(図示せず)を付帯している。
装置(図示せず)を付帯している。
第2図(at 、 (b)はウェハ00)のチャッキン
グの一実施例である。(a)図はウェハ00)を把持す
る前の状態を示す模式図である。(b)図は把持した状
態を示す。
グの一実施例である。(a)図はウェハ00)を把持す
る前の状態を示す模式図である。(b)図は把持した状
態を示す。
(h)図において、ピストンに)を押し出すことによっ
てウェハチャック(14)を移動し、ウェハ(10)を
チャッキングする。従って、ウェハチャック04)が移
動できるように第1図の電極(li 、 +21には溝
を堀っておかなければならず、また、ウェハチャック0
4)と支持棒(12はスライド部に固ずしてはならない
。そしてウェハチャック04)を押し出すために、駆動
モーターαlが必要である。また、棒の移動距離を検知
するためにセンサー09とセンサーOeのが必要である
。
てウェハチャック(14)を移動し、ウェハ(10)を
チャッキングする。従って、ウェハチャック04)が移
動できるように第1図の電極(li 、 +21には溝
を堀っておかなければならず、また、ウェハチャック0
4)と支持棒(12はスライド部に固ずしてはならない
。そしてウェハチャック04)を押し出すために、駆動
モーターαlが必要である。また、棒の移動距離を検知
するためにセンサー09とセンサーOeのが必要である
。
第6図(al 、 (b) 、 (c)、 (diは、
チャッキングしたウェハを上部電極に移動する際の実施
例である。図(α) におい髄ウェハ00)が下部電極(2)の七にある場合
を示す。このとき第1図のセンサー09はウエノ・θG
が下部電極(2)上にあることを検知している。次に駆
動モーターc2Cが作動して、ウエノ(1Gが持ち上げ
られ、そして2センサーOaの位置で停止した状態が第
3図(blである。ここで、回転モーター031が作動
し、支持棒(17Jが回転すると、支持棒O3がらの刀
でウェハチャック04)とウェハ0■が回転する。もち
ろん、支持11に固足された駆動モータ01)およびセ
ンサーQ5) 、 (16)もいっしょに回転する。こ
の回転中の状態が第6図(clである。即ちウェハOQ
lの表面側を黒く塗って90°回転したところを示す。
チャッキングしたウェハを上部電極に移動する際の実施
例である。図(α) におい髄ウェハ00)が下部電極(2)の七にある場合
を示す。このとき第1図のセンサー09はウエノ・θG
が下部電極(2)上にあることを検知している。次に駆
動モーターc2Cが作動して、ウエノ(1Gが持ち上げ
られ、そして2センサーOaの位置で停止した状態が第
3図(blである。ここで、回転モーター031が作動
し、支持棒(17Jが回転すると、支持棒O3がらの刀
でウェハチャック04)とウェハ0■が回転する。もち
ろん、支持11に固足された駆動モータ01)およびセ
ンサーQ5) 、 (16)もいっしょに回転する。こ
の回転中の状態が第6図(clである。即ちウェハOQ
lの表面側を黒く塗って90°回転したところを示す。
下部筒、極(2)から直接ウェハ(lotを持ち上げる
と、上部電極(11ではウェハ(101の裏面をエツチ
ングすること釦なる。従って、(c)の如く回転してい
るのである。
と、上部電極(11ではウェハ(101の裏面をエツチ
ングすること釦なる。従って、(c)の如く回転してい
るのである。
第6図(d)はウェハが上部電極(1)に到達した状態
である。この時センサー0ηが上部型、 t (11の
位置を検知している。以上の動きで、上部型&111と
、下部電極(2)の2枚の!&を利用してエツチングで
きる。
である。この時センサー0ηが上部型、 t (11の
位置を検知している。以上の動きで、上部型&111と
、下部電極(2)の2枚の!&を利用してエツチングで
きる。
もちろん、上部II tiM filでエツチングした
後、第6図(clのよ)に回転してから下部t t!1
(21にウエノ・C1otを移動し、ウェハチャック0
4)がウェハ101を離さないとウェハ00)を取り出
せない。次に実施例の作用、動作の詳細な説明をする。
後、第6図(clのよ)に回転してから下部t t!1
(21にウエノ・C1otを移動し、ウェハチャック0
4)がウェハ101を離さないとウェハ00)を取り出
せない。次に実施例の作用、動作の詳細な説明をする。
まず、第4図で端子が+31− +51及び(41−+
61とつながっている場合、ウェハ〇は、(blのよう
な電位分布を示す。(b)図で、d=00位置にウェハ
(II)があることになる。次に端子が(3+ −f6
)及び(41−+51にスイッチングすると、ウェハ(
lotは(b)図でd=Zの位置にあることになる。
61とつながっている場合、ウェハ〇は、(blのよう
な電位分布を示す。(b)図で、d=00位置にウェハ
(II)があることになる。次に端子が(3+ −f6
)及び(41−+51にスイッチングすると、ウェハ(
lotは(b)図でd=Zの位置にあることになる。
d=o側とd=Z側とでは51位分布の傾き角が異なり
、従って、プラズマイオン(正’dl #i K帯電し
た気体分子)の加速度が違う。
、従って、プラズマイオン(正’dl #i K帯電し
た気体分子)の加速度が違う。
プラズマエツチング(ドライエツチング)では、このプ
ラズマイオンと中性種(ラジカル楕とも貰う:高周波電
界によって励起状態になった気体分子)がエツチングを
行う。
ラズマイオンと中性種(ラジカル楕とも貰う:高周波電
界によって励起状態になった気体分子)がエツチングを
行う。
d=o側とd=Z側とでは、プラズマイオンの動きが上
記理由により異ってくるので、エツチング特性も違うの
である。
記理由により異ってくるので、エツチング特性も違うの
である。
この現象に看目し、電極の電、気的特性のスイッチング
を行うと共に、電極温度も2種類設けたので、プラズマ
エツチングの反応速度や表面7xとに影響な示した。
を行うと共に、電極温度も2種類設けたので、プラズマ
エツチングの反応速度や表面7xとに影響な示した。
なお、第1図に示す実施例では、ウェハチャック04)
は、ウェハ(10)全面をリング状に支持しているが、
一部分を支持してもよい(回転中、ウェハ0ωが落下し
なければ良い)。また、駆動モーター(111゜センサ
ー(丙、 (161も実施例のような形にしなくても良
く、棒が延び縮みしてウェハ(101をチャッキングで
きればよい。さらに、支持棒(1zやウェハチャック(
141も実施例のような形をとらなくてもよく、上。
は、ウェハ(10)全面をリング状に支持しているが、
一部分を支持してもよい(回転中、ウェハ0ωが落下し
なければ良い)。また、駆動モーター(111゜センサ
ー(丙、 (161も実施例のような形にしなくても良
く、棒が延び縮みしてウェハ(101をチャッキングで
きればよい。さらに、支持棒(1zやウェハチャック(
141も実施例のような形をとらなくてもよく、上。
下部電極(11、(21間でウェハ00)が回転できれ
ば良い。
ば良い。
また、駆動モーターい)も必ずしも、実施例のような形
をとらなくてもよく、棒が上下に動き、上部1L極fi
l、下部電極(2)およびウェハaOが回転位置に停止
できるように制御できれば良い。さらにまた上、下部′
¥1 & fil 、 f2+の間隔が狭くてウェハが
回転できない場合は、上部電極(1)が動けるようにす
れば良い。
をとらなくてもよく、棒が上下に動き、上部1L極fi
l、下部電極(2)およびウェハaOが回転位置に停止
できるように制御できれば良い。さらにまた上、下部′
¥1 & fil 、 f2+の間隔が狭くてウェハが
回転できない場合は、上部電極(1)が動けるようにす
れば良い。
以上のように、この発明によれば、平行平板型ドライエ
ッチ装置の2枚の電極を利用してエツチングな村うこと
ができるので、各電極の2通りの電気的特性に対して2
通りの11温度を設定できる。
ッチ装置の2枚の電極を利用してエツチングな村うこと
ができるので、各電極の2通りの電気的特性に対して2
通りの11温度を設定できる。
第1図(al 、 (b)はこの発明の一火施例による
ドライエツチング装置の平面図と断面図、糖2図(a)
。 (blはこの発明の実施例を示すウェハのチャッキング
の前後を承す平面図、第6図(al〜(diはこの発明
におけるチャッキングされたウェハの回転動作を示−g
−模式図、第4図(al 、 (blは従来及びこの発
明のドライエツチング装置の原理を示す電気回路図及び
その特性を示す線図である。 図において、(1)は上部電極、(2)は下部電極、(
3)。 (4) 、 (5) 、 (61は端子、(7)は接地
、(8)は高周波電源。 (9)はコンデンサ、aαはウェハ、Qllは駆動モー
タ、Cl2)は支持棒、031は回転モーター、04)
はウエハチャツp−asr〜(11はセンサー、翰は駆
動モーター、Qυは溝2r24はスライド部である。 なお各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 升理士 佐 藤 止 年 第4 (b)
ドライエツチング装置の平面図と断面図、糖2図(a)
。 (blはこの発明の実施例を示すウェハのチャッキング
の前後を承す平面図、第6図(al〜(diはこの発明
におけるチャッキングされたウェハの回転動作を示−g
−模式図、第4図(al 、 (blは従来及びこの発
明のドライエツチング装置の原理を示す電気回路図及び
その特性を示す線図である。 図において、(1)は上部電極、(2)は下部電極、(
3)。 (4) 、 (5) 、 (61は端子、(7)は接地
、(8)は高周波電源。 (9)はコンデンサ、aαはウェハ、Qllは駆動モー
タ、Cl2)は支持棒、031は回転モーター、04)
はウエハチャツp−asr〜(11はセンサー、翰は駆
動モーター、Qυは溝2r24はスライド部である。 なお各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 升理士 佐 藤 止 年 第4 (b)
Claims (3)
- (1)平行平板型のドライエッチング装置の2枚の電極
の間にウェハ搬送機構を備え、上部電極及び下部電極の
両方の電極を利用してエッチングを行うことを特徴とす
るドライエッチング装置。 - (2)2枚の電極は、それぞれ異つた温度に制御出来る
ように構成したことを特徴とする特許請求範囲第1項記
載のドライエッチング装置。 - (3)ウェハ搬送機構は、2枚の電極の間を往復すると
共に途中でウェハを反転出来るように構成したことを特
徴とする特許請求範囲第1項記載のドライエッチング装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10140285A JPS61260637A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10140285A JPS61260637A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | ドライエツチング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61260637A true JPS61260637A (ja) | 1986-11-18 |
JPH0455327B2 JPH0455327B2 (ja) | 1992-09-03 |
Family
ID=14299732
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10140285A Granted JPS61260637A (ja) | 1985-05-15 | 1985-05-15 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61260637A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5304278A (en) * | 1988-10-19 | 1994-04-19 | International Business Machines Corporation | Apparatus for plasma or reactive ion etching and method of etching substrates having a low thermal conductivity |
CN109513710A (zh) * | 2018-11-14 | 2019-03-26 | 蚌埠高华电子股份有限公司 | 一种ito蚀刻液调控装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5719379A (en) * | 1980-07-09 | 1982-02-01 | Dainippon Printing Co Ltd | Dry etching device having upper water cooled electrode |
JPS58153332A (ja) * | 1982-03-08 | 1983-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | ドライエツチング装置 |
-
1985
- 1985-05-15 JP JP10140285A patent/JPS61260637A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5719379A (en) * | 1980-07-09 | 1982-02-01 | Dainippon Printing Co Ltd | Dry etching device having upper water cooled electrode |
JPS58153332A (ja) * | 1982-03-08 | 1983-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | ドライエツチング装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5304278A (en) * | 1988-10-19 | 1994-04-19 | International Business Machines Corporation | Apparatus for plasma or reactive ion etching and method of etching substrates having a low thermal conductivity |
CN109513710A (zh) * | 2018-11-14 | 2019-03-26 | 蚌埠高华电子股份有限公司 | 一种ito蚀刻液调控装置 |
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JPH0455327B2 (ja) | 1992-09-03 |
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